用万用表测试可控硅
万用表检查判断可控硅的好坏及极性方法

万用表检查判断可控硅的好坏及极性方法可控硅极性和好坏可以用指针万用表或数字万用表进行推断,下面电工学习网我分别介绍这两种万用表在可控硅极性和好坏测量过程中的使用方法。
1、使用指针万用表检查可控硅极性和好坏方法依据PN结原理,可控硅三个极之间的电阻值,可用欧姆挡“R×10”或“R×100”挡测量来判别好坏。
可控硅的掌握极G与阴极K之间是一个PN结,在正常状况下,它的正向电阻在几十欧到几百欧之间,一般反向电阻比正向电阻要大。
有时测得掌握极反向电阻较小,不肯定说明掌握极特性差,主要应看其是否符合PN结的特点。
2、使用数字万用表检查可控硅极性和好坏方法推断可控硅的电极数字万用表拨至二极管挡,红表笔接某一电极,黑表笔分别接触另外两个电极。
假如其中有一次显示电压为零点几伏,则此时红表笔接的是掌握极G,黑表笔接的是阴极K,余下的则是阳极A。
假如两次都显示溢出,说明红表笔接的不是掌握极,需更换电极重测。
测试可控硅的触发力量数字万用表拨至PNP挡,此时hFE插口上的两个E孔带正电,C孔带负电,电压为2.8V。
可控硅的三个电极各用一根导线引出,阳极A、阴极K引线分别插人E孔和C孔,掌握极G悬空。
此时可控硅关断,阳极电流为零,将显示000。
把掌握极G插人另一个E孔。
显示值将从000开头快速增加,直到显示溢出符号后,马上又变成000,然后再次从000变到溢出,这样周而复始。
采纳此法可确定可控硅的触发是否牢靠。
但这样的测试由于电流较大,应尽量缩短测试时间。
必要时也可在可控硅的阳极上串一只几百欧的爱护电阻。
假如使用NPN挡,可控硅阳极A应接C孔,阴极K接E孔,以保证所加的是正向电压。
检查触发力量时,掌握极不要插人B孔,因B 孔的电压较低,可控硅无法导通。
万用表如何判断可控硅好与坏

一、怎样判断可控硅的好坏普通二极管的检测(包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性。
通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。
1.极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。
两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反向电阻),一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。
在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。
2.单负导电性能的检测及好坏的判断通常,锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。
硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。
正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。
若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。
若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。
3.反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压(耐压值)可以用晶体管直流参数测试表测量。
其方法是:测量二极管时,应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态,再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内,负极插入测试表的“e”插孔,然后按下“V”键,测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。
也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接,将二极管的正极与兆欧表的负极相连,同时用万用表(置于合适的直流电压档)监测二极管两端的电压。
如图4-71所示,摇动兆欧表手柄(应由慢逐渐加快),待二极管两端电压稳定而不再上升时,此电压值即是二极管的反向击穿电压。
4.中、小功率三极管的检测A 已知型号和管脚排列的三极管,可按下述方法来判断其性能好坏(a) 测量极间电阻。
可控硅的测试方法

可控硅的测试方法标准化管理处编码[BBX968T-XBB8968-NNJ668-MM9N]
可控硅的测试方法
双向可控硅的极性判断方法:T1(A1)为第一阳极,T2(A2)为第二阳极,G为控制极。
测试结果为:T2与其他2个脚均不导通,通常T2极和可控硅背部的散热片是导通的,其余的两个引脚则为T1极与G极,用指针万用表的R×1或R×10档测量这两个引脚;在正反测量阻值较小的那次中,红表笔接的为可控硅G极,黑表笔接的为T1极。
将黑表笔接T2极,红表笔接T1极,此时万用表指针应该不发生偏转,阻值为无穷大,再用短接线将T2极与G极瞬间短接,这样做的目的是给G极加上正向触发电压,T1(A1)、T2(A2)两极之间阻值由无穷大变为导通,随后断开T2极与G极之间的短接线,万用表指针仍然停留在原来偏转位置,即撤掉可控硅的触发电压后,可控硅仍然维持导通。
然后互换表笔接线,红表笔接T2极,黑表笔接T1极,同样的读数为无穷大,此时将T2极与G极瞬间短接,T1极与T2极之间的阻值将一样会维持导通,(除非T1与T2断开)
单向可控硅的三个引脚分别是阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)
用指针式万用表电阻档R×1或R×10档,找出正反电阻有差别的两极,这时候测得电阻阻值读数较小的那次中,黑表笔接的为该单向可控硅的控制极(G)极,红表笔接的为阴极(K)极,另外的一个脚即为阳极(A)极。
(如果三个脚之间的电阻值都很小,几乎接近0欧姆,那么这只管子已击穿损坏),如果阳极(A)接黑表笔,阴极(K)接红表笔,万用表指针产生偏转的话,同样的这只管子已损坏。
可控硅万用表测量方法

可控硅万用表测量方法
一。
可控硅这玩意儿,在电路里可重要啦!要想搞清楚它好不好使,万用表就派上大用场了。
1.1 先来说说测量阳极和阴极之间的正反向电阻。
这一步就像给可控硅来个“全身检查”。
把万用表调到电阻档,红表笔接阳极,黑表笔接阴极。
正常情况下,正向电阻应该比较小,反向电阻那得是大大的。
要是正反电阻都很小或者都很大,那这可控硅多半是有问题咯。
1.2 接下来测控制极和阴极之间的电阻。
还是电阻档,这时候红表笔接控制极,黑表笔接阴极。
一般来说,电阻值应该在几十到几百欧姆之间。
要是电阻值特别小或者特别大,那可能就有毛病啦。
二。
测量完电阻,咱们再看看怎么测导通情况。
2.1 把万用表打到导通档,先短接一下表笔,让表归零。
然后红表笔接阳极,黑表笔接阴极,这时候可控硅应该是不通的。
2.2 接下来,用一根导线把阳极和控制极短接一下。
这时候如果万用表响了,那就说明可控硅导通啦,是好的。
2.3 还有一招,就是给可控硅加上正向电压,然后用万用表测量电压。
如果电压正常,那可控硅也没啥问题。
三。
最后再啰嗦几句。
3.1 测量的时候,手可别抖,要稳稳地拿着表笔,不然测出来的数据可不准。
3.2 要是对测量结果拿不准,多测几次,千万别嫌麻烦。
测量可控硅得细心、耐心,这样才能把问题找出来,让电路顺顺利利地工作。
记住这些方法,以后碰到可控硅的测量,就不会抓瞎啦!。
用万用表测试可控硅mcr100-6

用万用表测试mcr100-6可控硅
判断其好坏
用万用表R×1k档测量普通晶体管阳极A与阴极K之间的正、反
向电阻,正常时均应为无穷大(∞)若测得A、K之间的正、反向
电阻值为零或阻值较小,则说明晶闸管内部击穿短路或漏电。
测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值,正常时应有类似
二极管的正、反向电阻值(实际测量结果较普通二极管的正、反向
电阻值小一些),即正向电阻值较小(小于2 kΩ),反向电阻值较大
(大于80 kΩ)。
若两次测量的电阻值均很大或均很小,则说明该晶
闸管G、K极之间开路或短路。
若正、反电阻值均相等或接近,则
说明该晶闸管已失效,其G、K极间PN结已失去单向导电作用。
测量阳极A与门极G之间的正、反向电阻,正常时两个阻值均
应为几百千欧姆(kΩ)或无穷大,若出现正、反向电阻值不一样(有类似二极管的单向导电),则是G、A极之间反向串联的两个PN结中的一个已击穿短路。
触发能力检测
对于小功率(工作电流为5A以下)的普通晶闸管,可用万用表R×1档测量。
测量时黑表笔接阳极A,红表笔接阴极K,此时表针不动,显示阻值为无穷大(∞)。
用镊子或导线将晶闸管的阳极A与门极短路(见图),相当于给G极加上正向触发电压,此时若电阻值为几欧姆至几十欧姆(具体阻值根据晶闸管的型号不同会有所差异),则表明晶闸管因正向触发而导通。
再断开A极与G极的连接(A、K极上的表笔不动,只将G极的触发电压断掉),若表针示值仍保持在几欧姆至几十欧姆的位置不动,则说明此晶闸管的触发性能良好。
用数字万用表测可控硅的好坏

用数字万用表测可控硅的好坏、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分,有的可从外形封装加以判别,如外壳就为阳极,阴极引线比控制极引线长。
从外形无法判断的可控硅,可用万用表R X100或R X1K挡,测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻,当万用表指示低阻值(几百欧至几千欧的范围)时,黑表笔所接的是控制极G,红表笔所接的是阴极C,余下的一只管脚为阳极A。
二、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。
第一是三个PN 结应完好;第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断,不导通;第三是当控制极开路时,阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通;第四是给控制极加上正向电流,给阴极与阳极加正向电压时,可控硅应当导通,把控制极电流去掉,仍处于导通状态。
用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻,就可对前三个方面的好坏进行判断。
具体方法是:用R X k或R X0k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。
电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。
如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不能使用了用RX1k或R X IOk挡测阳极与控制极之间的电阻,正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。
用R X1k 或R X1OO 挡,测控制极和阴极之间的PN 结的正反向电阻在几千欧左右,如出现正向阻值接近于零值或为无穷大,表明控制极与阴极之间的PN 结已经损坏。
反向阻值应很大,但不能为无穷大。
正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。
万用表选电阻R X1 挡,将黑表笔接阳极,红表笔仍接阴极,此时万用表指针应不动。
红表笔接阴极不动,黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为1O 欧姆左右。
如阳极接黑表笔,阴极接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。
四、可控硅的使用注意事项选用可控硅的额定电压时,应参考实际工作条件下的峰值电压的大小,并留出一定的余量。
用数字万用表测可控硅的好坏

用数字万用表测可控硅的好坏、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分,有的可从外形封装加以判别,如外壳就为阳极,阴极引线比控制极引线长。
从外形无法判断的可控硅,可用万用表R X100或R X1K挡,测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻,当万用表指示低阻值(几百欧至几千欧的范围)时,黑表笔所接的是控制极G,红表笔所接的是阴极C,余下的一只管脚为阳极A。
二、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。
第一是三个PN 结应完好;第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断,不导通;第三是当控制极开路时,阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通;第四是给控制极加上正向电流,给阴极与阳极加正向电压时,可控硅应当导通,把控制极电流去掉,仍处于导通状态。
用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻,就可对前三个方面的好坏进行判断。
具体方法是:用R X k或R X0k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。
电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。
如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不能使用了用RX1k或R X IOk挡测阳极与控制极之间的电阻,正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。
用R X1k 或R X1OO 挡,测控制极和阴极之间的PN 结的正反向电阻在几千欧左右,如出现正向阻值接近于零值或为无穷大,表明控制极与阴极之间的PN 结已经损坏。
反向阻值应很大,但不能为无穷大。
正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。
万用表选电阻R X1 挡,将黑表笔接阳极,红表笔仍接阴极,此时万用表指针应不动。
红表笔接阴极不动,黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为1O 欧姆左右。
如阳极接黑表笔,阴极接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。
四、可控硅的使用注意事项选用可控硅的额定电压时,应参考实际工作条件下的峰值电压的大小,并留出一定的余量。
可控硅测量方法

可控硅测量方法一、可控硅的基本概念及工作原理可控硅(SCR)是一种半导体器件,也称为晶闸管。
它由四个PN结组成,具有三个电极:阳极、阴极和门极。
在正向偏置下,只有一个PN 结被击穿,形成通道;而在反向偏置下,所有PN结都被截止。
当给门极施加一个正脉冲信号时,通道就会打开,在阳极和阴极之间形成一个电流通路。
二、可控硅测量方法1. 静态特性测量静态特性是指在固定的电压和温度条件下,测量SCR的电流-电压关系曲线。
这种测试需要使用直流电源和数字万用表等仪器。
首先将SCR 放入测试夹具中,并连接到直流电源上。
然后逐步增加阳极到阴极的电压,并记录相应的电流值。
最后将数据绘制成I-V曲线图。
2. 动态特性测量动态特性是指在变化的负载条件下,测量SCR的响应速度和稳定性。
这种测试需要使用脉冲发生器和示波器等仪器。
首先将SCR放入测试夹具中,并连接到脉冲发生器和示波器上。
然后在脉冲发生器中设置一个正脉冲信号,测量SCR的响应时间和保持电流。
最后将数据绘制成响应时间和保持电流的曲线图。
3. 热特性测量热特性是指在不同温度条件下,测量SCR的电流-电压关系曲线。
这种测试需要使用恒流源和数字万用表等仪器。
首先将SCR放入测试夹具中,并连接到恒流源和数字万用表上。
然后逐步增加阳极到阴极的电压,并记录相应的电流值。
最后将数据绘制成I-V曲线图。
4. 参数测量参数测量是指在实际应用中,测量SCR的关键参数,如触发电压、保持电流、耐压能力等。
这种测试需要使用特定的测试仪器和设备,例如触发电路测试仪、保持电流测试仪、耐压试验仪等。
三、可控硅测量方法注意事项1. 测试环境要求:可控硅测试需要在恒定的温度和湿度条件下进行,以确保测试结果准确可靠。
2. 测试前准备:在进行任何类型的可控硅测量之前,必须先检查测试设备和测试夹具是否正常工作,并确保测试仪器的精度和准确性。
3. 测试过程中的注意事项:在进行可控硅测量时,应特别注意防止静电干扰和过电流等问题。
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用万用表测试可控硅
小功率可控硅,由于所需的触发电流较小,故可以只用万用表来测试。
一、单向可控硅的测试
1.极性的判别
用万用表的R×100欧姆档,分别测量各管脚间的正反向电阻。
如果测得其中两管脚的电阻较大(约为80KΩ),而对换表笔再测这两个管脚的电阻值又较小(约为2KΩ),这时,黑表笔所接的一极为控制极G,红表笔所接的一极为阴极K,余者为阳极A。
2.质量的判别
用万用表的R×10欧姆档,黑表笔接A极,红表笔接K极。
用黑表笔在保持和A极相接的情况下和G极接触,这样就给G极加上一触发电压。
这时由万用表可以看到,可控硅的阻值明显变小,说明可控硅可能由于触发而处于通态。
仍保持黑表笔和A极相接,断开和G极的接触,如果可控硅仍处于通态,则说明可控硅是好的,否则,一般是可控硅损坏。
二、可控硅的测试
由于双向可控硅相当于两个单向可控硅的反极性并联而成,又G极靠近T1极,由于工艺方面的原因,G极和T1极间的正向电阻都很小,一般为100Ω左右。
另外,双向可控硅具有四种触发状态,只要满足任何一种触发状态,双向可控硅便可触发导通。
极性的判别:
用万用表的R×1K或R×100欧姆档,分别测量各管脚间的正反向电阻,如果测得其中两管脚的电阻很小(约为100Ω左右),即为T1极和G极,余者为T2极。
T1极和G极的区分:
任选其中一极为T1,将万用表调至R×1欧姆档,不用分表笔的正负,分别将两表笔接至T2极和T1极(假设)。
用和T2相接的表笔在保持和T2相接的情况下,和G(假设)相接。
这时会看到可控硅阻值明显变小,说明双向可控硅可能因触发而导通,再大保持该表笔和T2相接的情况下和G极(假设)断开,如果双向可控硅仍处于通态,则对换两表笔,重复上述步骤,如果仍能使可控硅处于通态,则假设是正确的。
否则假设是错误的。
这样就应该对换假设的两极再重复上述的步骤。