常用EPROM存储器电路
存储器电路原理与设计方法
存储器电路原理与设计方法在现代电子设备中，存储器扮演着至关重要的角色。
无论是个人电脑、智能手机还是服务器，都需要大量的存储器来存储和读取数据。
因此，了解存储器电路原理和设计方法对于电子工程师来说至关重要。
本文将重点介绍存储器电路的原理和设计方法。
一、存储器电路概述存储器电路是一种电子器件，用于存储和读取数字信息。
根据存储方式的不同，存储器可以分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两种类型。
1. 随机存取存储器（RAM）随机存取存储器是一种能够随机访问数据的存储器。
RAM分为静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）两种类型。
- 静态随机存取存储器（SRAM）SRAM是一种由触发器构成的存储器，存储单元的电平可以一直保持，不需要周期性地刷新。
它的读写速度快，但占用的面积大，功耗高，成本较高。
- 动态随机存取存储器（DRAM）DRAM是一种使用电容器存储位信息的存储器。
电容器需要周期性地进行刷新，以保持数据的正确性。
DRAM的读写速度较慢，但是具有高集成度、低功耗和低成本的优点。
2. 只读存储器（ROM）只读存储器是一种只允许读取数据而不能写入数据的存储器。
它可以固化程序和数据，常见的类型有只读存储器（ROM）、可编程只读存储器（PROM）、可擦写可编程只读存储器（EPROM）和电可擦写可编程只读存储器（EEPROM）等。
二、存储器电路设计原理1. 存储单元存储器的核心是存储单元，每个存储单元能够存储一个位信息。
存储单元由触发器或电容器构成，使用不同的电路实现存储功能。
2. 地址译码器地址译码器用于将外部地址信号转换为选通存储单元的信号。
地址译码器根据存储器的容量和位数进行设计，能够实现多个存储单元的选择。
3. 复用器和解复用器复用器和解复用器用于将数据输入/输出多路复用到存储器的不同存储单元。
复用器将多个输入数据复用到一个总线上，解复用器将一个总线上的信号解复用到多个输出端口。
ROM存储器内涵EPROM2716存储器地介绍
课 堂 教 学 实 施 方 案课 题：只读存储器ROM 、主存储器的设计5.3 只读存储器ROM指在微机系统的在线运行过程中，只能对其进行读操作，而不能进行写操作的一类存储器，在不断发展变化的过程中，ROM 器件也产生了掩模ROM 、PROM 、EPROM 、EEPROM 等各种不同类型。
一、掩模ROM如图4-11所示，是一个简单的4×4位的MOS ROM 存储阵列，采用单译码方式。
这时，有两位地址输入，经译码后，输出四条字选择线，每条字选择线选中一个字，此时位线的输出即为这个字的每一位。
此时，若有管子与其相连（如位线1和位线4），则相应的MOS 管就导通，这些位线的输出就是低电表平，表示逻辑“0”；而没有管子与其相连的位线（如位线2和位线3），则输出就是高电平，表示逻辑“1”。
二、可编程的ROM掩模ROM 的存储单元在生产完成之后，其所保存的信息就已经固定下来了，这给使用者带来了不便。
为了解决这个矛盾，设计制造了一种可由用户通过简易设备写入信息的ROM器件，即可编程的ROM ，又称为PROM 。
PROM 的类型有多种，我们以二极管破坏型PROM 为例来说明其存储原理。
这种PROM 存储器在出厂时，存储体中每条字线和位线的交叉处都是两个反向串联的二极管的PN 结，字线与位线之间不导通，此时，意味着该存储器中所有的存储内容均为“1”。
如果用户需要写入程序，则要通过专门的PROM 写入电路，产生足够大的电流把要写入“1”的那个存储位上的二极管击穿，造成这个PN 结短路，只剩下顺向的二极管跨连字线和位线，这时，此位就意味着写入了“1”。
读出的操作同掩模ROM 。
除此之外，还有一种熔丝式PROM ，用户编程时，靠专用写入电路产生脉冲电流，来烧断指P +P +A lS i O 2SD浮空多晶硅栅N 基体字线EPROM(a)(b)位线实用标准文档文案大全。
计算机基础知识认识计算机存储器中的EPROM和EEPROM
计算机基础知识认识计算机存储器中的EPROM和EEPROM计算机基础知识：认识计算机存储器中的EPROM和EEPROM计算机存储器是指计算机系统中用于存储数据和指令的设备，其中EPROM和EEPROM是两种常见的非易失性存储器类型。
本文将介绍EPROM和EEPROM的定义、特点以及它们在计算机系统中的应用。
一、EPROM的定义和特点EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) 是一种可以被擦除和重新编程的只读存储器。
它的主要特点如下：1. 非易失性：EPROM的数据可以在断电后长期保存，不会因为断电而丢失。
这使得EPROM非常适合存储那些需要长期保留的数据和指令。
2. 可擦除性：EPROM中的数据可以通过使用紫外线照射来擦除，也可以使用专门的擦除器进行擦除。
擦除之后，EPROM可以被重新编程。
擦除和重新编程的过程可以多次进行，但是每个EPROM只能进行有限次数的擦除和重新编程。
3. 只读性：在未擦除和重新编程之前，EPROM中的数据是只读的，无法进行修改。
这使得EPROM更加安全可靠，适用于存储那些需要保护而不希望被修改的数据和指令。
4. 容量较小：EPROM的存储容量相对较小，通常在几KB到几MB 的范围内。
这限制了EPROM在存储大量数据方面的应用。
二、EPROM的应用由于EPROM具有非易失性和只读的特点，它在某些应用中得到了广泛的应用。
以下是一些EPROM的常见应用：1. 系统固件：EPROM常用于存储计算机系统的固件，如BIOS (Basic Input Output System)。
这些固件在计算机启动时被加载，负责初始化硬件和提供基本的输入输出功能。
2. 音视频存储：EPROM可以用于存储音频和视频文件，如音乐合成器中的音乐数据、游戏机中的游戏数据等。
3. 电子设备配置：EPROM可以存储电子设备的配置信息和参数，如路由器、交换机等网络设备的配置信息。
RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器区别
RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器区别常见存储器概念：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器可以分为很多种类，其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM（随机存取存储器）和ROM（只读存储器），其中RAM的访问速度比较快，但掉电后数据会丢失，而ROM掉电后数据不会丢失。
在单片机中，RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据.FLASH:单片机运行的程序存储的地方。
SRAM：存储单片机运行过程中产生的了临时数据。
EEPROM：视用户的需要而定，一般用来存储系统的一些参数，这些参数可能需要修改，也可能不会修改。
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
另外，一些变量，都是放到RAM里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是放到FLASH区里的（也就是以前说的ROM区），EEPROM可用可不用，主要是存一些运行中的数据，掉电后且不丢失RAM 又可分为SRAM（Static RAM/静态存储器）和DRAM（Dynamic RAM/动态存储器）。
SRAM 是利用双稳态触发器来保存信息的，只要不掉电，信息是不会丢失的。
DRAM是利用MOS（金属氧化物半导体）电容存储电荷来储存信息，因此必须通过不停的给电容充电来维持信息，所以DRAM 的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。
SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
内存规格说明
IC FLASH、SDRAM、DRAM、EEPROM分别是什么？IC:(integrated circuit)集成电路，通过特殊工艺在单一硅片上集成若干晶体管，实现需若干分立元件才能实现的功能。
EEPROM:(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),我把它译作电擦电写只读存储器，也有书本译作“电可擦可编程只读存储器”。
特点是可掉电存储数据，缺点是存储速度较慢，且早期的EEPROM需高压操作，现在的EEPROM一般片内集成电压泵，读写速度小于250纳秒，使用很方便。
FLASH：一般译为“闪存”，你可以理解为是EEPROM的一种，但存储速度较快，制作工艺优良，U盘的核心元件就是它。
SDRAM：（Synchronous Dynamic Random Access Memory）,同步动态随机存取存储器,百度百科上这样描述：“同步是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写DRAM：（Dynamic Random Access Memory），动态随机存储器。
SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。
既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。
SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。
与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。
同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。
eprom的基本结构
EPROM的基本结构主要包括以下几个部分：
1.存储单元：EPROM由许多存储单元组成，每个存储单元可以存储一个二进
制位。
每个存储单元都包括三个部分：可编程的电阻、可编程的电容和绝缘层。
2.控制电路：控制电路用于向EPROM存储器提供电源和控制信号。
它由地
址线、数据线和控制线组成。
地址线用于选择要读取或写入的存储单元，数据线用于传输数据，控制线用于控制读写操作。
3.擦除电路：擦除电路用于将EPROM存储器中的存储单元擦除，以便重新
编程。
擦除电路通过向存储单元施加高电压来实现。
当高电压施加到存储单元上时，电荷会在存储单元中积累，导致其内部的电阻和电容发生变化，从而将存储单元擦除。
4.编程电路：编程电路用于将数据写入EPROM存储器中。
编程电路通过向
存储单元施加低电压来将数据写入EPROM中。
在编程操作期间，编程器的输出信号会控制高电压的施加时间，以确定哪些存储单元将被编程为特定的值。
5.读取电路：读取电路用于从EPROM存储器中读取数据。
当需要读取
EPROM中的数据时，必须将EPROM芯片连接到计算机或其他设备上，并通过相应的接口读取数据。
以上信息仅供参考，建议查阅专业书籍或咨询专业人士以获取更全面准确的信息。
8031单片机程序存储器EPROM的扩展实例
8031单片机程序存储器EPROM的扩展实例扩展程序存储器常用的芯片是EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)型(紫外线可擦除型)，如2716(2K×8)、2732(4K×8)、2764(8K×8)、27128(16K×8)、27256(32K×8)、27512(64K×8)等。
另外，还有+5 V电可擦除EEPROM，如2816(2K×8)、2864(8K×8)等等。
紫外线擦除电可编程只读存储器EPROM是国内用得较多的程序存储器。
EPROM芯片上有一个玻璃窗口，在紫外线照射下，存储器中的各位信息均变1，即处于擦除状态。
擦除干净的EPROM可以通过编程器将应用程序固化到芯片中。
如果程序总量不超过4 KB，一般选用具有内部ROM的单片机。
8051内部ROM只能由厂家将程序一次性固化，不适合小批量用户和程序调试时使用，因此选用8751、8951的用户较多。
如果程序超过4 KB，用户一般不会选用8751、8951，而是直接选用8031，利用外部扩展存储器来存放程序。
实例：在8031单片机上扩展4 KB EPROM程序存储器。
选择芯片本例要求选用8031单片机，内部无ROM区，无论程序长短都必须扩展程序存储器(目前较少这样使用，但扩展方法比较典型、实用)。
在选择程序存储器芯片时，首先必须满足程序容量，其次在价格合理情况下尽量选用容量大的芯片。
这样做的话，使用的芯片少，从而接线简单，芯片存储容量大，程序调整余量也大。
如估计程序总长3 KB左右，最好是扩展一片4 KB的EPROM 2732，而不是选用2片2716(2 KB)。
在单片机应用系统硬件设计中应注意，尽量减少芯片使用个数，使得电路结构简单，提高可靠性，这也是8951比8031使用更加广泛的原因之一。
硬件电路图8031单片机扩展一片2732程序存储器电路如图所示。
单片机扩展外部ROM或RAM读写时序
10
19
11
18
12
17
13
16
14
15
2764 27128 27256 27512
Vcc Vcc Vcc
Vcc
PGM PGM A14
A14
NC
A13 A13
A13
A8
A8
A8
A8
A9
A9
A9
A9
A11 A11 A11
A11
OE
OE
OE
OE/Vpp
A10 A10 A10
A10
CE
CE
CE
CE
Q7
Q7
Q7
Q7
Q6
Q6
Q6
Q6
Q5
Q5
Q5
Q5
Q4
Q4
Q4
Q4
Q3
Q3
Q3
Q3
EPROM存储器扩展电路：
P2.0-P2.4
ALE
P0
80C31
EA
74LS373
G OE
D7 Q7 :: :: D0 Q0
PSEN
A8-A12
A7
: :
2764A
A0
D0～D7
CE OE
2、EEPROM存储器及扩展
常用的EEPROM芯片有2864、2817等 。
由于80C51采用不同的控制信号和指令 ，尽管ROM 与RAM的地址是重叠的，也不会发生混乱。
80C51对片内和片外ROM的访问使用相同的指令，两 者的选择是由硬件实现的。
芯片选择现在多采用线选法，地址译码法用的渐少。 ROM与RAM共享数据总线和地址总线。
访问片外ROM的时序 ：
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常用EPROM存储器电路
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27C16 2k×8 EPROM
27C16为NMOS产品，输入输出全部与TTL兼容，三态输出，数据可用紫外线擦除，与早期的TMS2716的电源不同，单+5V电源，V DD=Vpp=+5V/当和/PGM同时为低电平时，读输出选择有效。
27C16为CMOS产品。
功耗远比2716要小。
数据手册（英文）
可供此芯片，需要请联系我们
27C32 4k×8 EPROM
输入输出全部与TTL兼容，三态输出，可直接与总线连
接，输出与MCS-51和MCS-86兼容，有自动功耗下降功能，工
作电流最大40mA，备用状态电流最大15mA，最大读取时间300ns，
引脚与INTEL公司的2716和2732EPROM兼容。
单+5V电源。
数据手册（英文）
可供此芯片，需要请联系我们
27C64 8k×8 EPROM
27C64为NMOS产品，输入输出均与TTL兼容，三态输出，
与2732的引脚兼容，数据可用紫外线擦除，有维持工作方式，
单+5V电源，当和同时为低电平时，读输出选择有效。
27C64
为CMOS产品。
功耗比2764要小。
数据手册（英文）
可供此芯片，需要请联系我们
27C128 16k×8 EPROM
27C128为NMOS产品，所有输入输出全部与TTL兼容，
三态输出，数据可用紫外线擦除，除26脚外，与2764引脚兼
容，工作最大电流100mA，维持电流40mA，读出时间250ns。
单
+5V电源，27C128为CMOS产品。
功耗远比27128要小。
数据手册（英文）
可供此芯片，需要请联系我们
27C256 32k×8 EPROM
27C256为NMOS产品，所有输入输出全部与TTL兼容，
三态输出，数据可用紫外线擦除，除27脚外，与27128引脚兼
容，工作最大电流100mA，维持电流40mA，读出时间250ns。
单
+5V电源，27C256为CMOS产品。
功耗远比27256要小。
数据手册（英文）
可供此芯片，需要请联系我们
27C512 64k×8 EPROM
27512为NMOS产品，所有输入输出全部与TTL兼容，三态输出，数据可用紫外线擦除，除1脚外，与27256引脚兼容，工作最大电流125mA，维持电流40mA，读出时间250ns。
单+5V 电源，27C512为CMOS产品。
功耗远比NMOS要小得多。
数据手册（英文）
可供此芯片，需要请联系我们。