关于锻件超声波探伤的标准及规程

关于锻件超声波探伤的标准及规程

1.1.1筒形锻件----轴向长度L大于其外径尺寸D的轴对称空心锻件如图1(a)

所示.t为公称厚度.

环形锻件----轴向长度L小于等于其外径尺寸D的轴对称空心件如图1(a)所

示.t为公称厚度.

饼形锻件----轴向长度L小于等于其外径D的轴对称形锻件如图1(b)所示.t

为公称厚度.

碗形锻件----用作容器封头,中心部份凹进去的轴对称形锻件如图1(c)所示.t

为公称厚度.

方形锻件----相交面互相垂直的六面体锻件如图1(d)所示.

三维尺寸a、b、c中最上称厚度.

底波降低量GB/BF(dB)

无缺陷区的第一次底波高度(GB)和有缺陷区的第一次底波高度(BF)之比.由缺陷

引起的底面反射的降低量用dB值表示.

密集区缺陷

当荧光屏扫描线上相当于50mm的声程范围内同时有5个或者5个以上的缺陷反射信号;或者在50mm×50mm的探测面上发现同一深度范围内有5个或5个以上的

缺陷反射信号.

缺陷当量直径

用AVG方法求出的假定与超声波束相垂直的平底孔的直径,称为缺陷当量直径,

或简称为当量直径.

AVG曲线

以纵座标轴表示相对的反射回波高度,以横座标轴表示声程,对不同直径且假定与超声波束相垂直的圆平面缺陷所画出的曲线图叫AVG曲线,亦称为DGS曲线.

２探伤人员

锻件探伤应由具有一定基础知识和锻件探伤经验,并经考核取得国家认可的资格

证书者担任.

３探伤器材

探伤仪

应采用A型脉冲反射式超声波探伤仪,其频响范围至少应在1MHz～5Mhz内. 仪器应至少在满刻度的75%范围内呈线性显示(误差在5%以内),垂直线性误差

应不大于5%.

仪器和探头的组合灵敏度:在达到所探工件最大程处的探伤灵敏度时,有效灵敏

度余量至少为10dB.

衰减器的精度和范围,仪器的水平线性、动态范围等均应队伍ZBY230-84《A型脉冲反射式超声波探伤仪通用技术条件》中的有关规定.

探头

探头的公称频率主要为,频率误差为±10%.

主要采用晶片尺寸为Φ20mm的硬保护膜直探头.

必要时也可采用2MHzs或25MHz,以及晶片尺寸不大于Φ28mm探头.

探头主声束应无双峰,无偏斜.

耦合剂

可采用机油、甘油等透声性能好,且不损害工件的液体.

４探伤时机及准备工作

探伤时机

探伤原则上应安排在最终热处理后,在槽、孔、台级等加工前,比较简单的几何形状下进行.热处理后锻件形状若不适于超声波探伤也可在热处理前进行.但在热处理后,仍应对锻件尽可能完全进行探伤.

准备工作

探伤面的光洁度不应低一地5,且表面平整均匀,并与反射面平等,圆柱形锻件其端面应与轴线相垂直,以便于轴向探伤.方形锻件的面应加工平整,相邻的端面

应垂直.

探伤表面应无划伤以及油垢和油潜心物等附着物.

锻件的几何形状及表面检查均合格后,方可进行探伤.

重要区

锻件的重要区应在设计图样中或按JB 755-85《压力容器锻件技术条件》予以注

明.

５探伤方法

锻件一般应进行纵波探伤,对简形锻件还应进行横波探伤,但扫查部位和验收标

准应由供需双方商定.

横波探伤

横波探伤应按附录B的要求进行.

纵波探伤

扫查方法

锻件原则上应从两相互垂直的方向进行探伤,尽可能地探测到锻件的全体积,主要探测方向如图2所示,其他形状的锻件也可参照执行.

扫查范围:应对锻件整个表面进行连续全面扫查.

扫查速度:探头移动速度不超过150mm/s.

扫查复盖应为探头直径的15%以上.

当锻件探测厚度大于400mm时,应从相对两端面探伤.

探伤灵敏度的校验

原则上利用大平底采用计算法确定探伤灵敏度,对由于几何形状所限,以及缺陷在近场区内的工件,可采用试块法(见附录A).

用底波法校正灵敏度,校正点的位置应选以工件上无缺陷的完好区域.

曲面补偿:对于探测面是曲面而又无法采用底波法的工件,应采用曲率与工件相同或相近倍)的参考试块(见附录A);或者采用小直径晶片的探头,使其近场区的长度小于等于1/4工件半径,这样可不需进行曲面补偿.

探伤灵敏度不得低于Φ2mm当量直径.

缺陷当量的确定

采用AVG曲线及计算法确定缺陷当量.

计算缺陷当量时,当材质衰减系数超过4dB/m时,应考虑修正.

材质衰减系数的测定

a. 应在被测工件无缺陷区域,选取三处有代表性的闰,求B1/B2的值,即第一次

底波高度(B1)与第二次底波高度(B2)之比的dB差值.

b. 衰减系数a(dB/m)的计算为

式中 T----声程,m.

AVG曲线图见附录C.

灵敏度的重新校验

除每次探伤前应校准灵敏度外,遇有下述情况时,必须对探伤灵敏度进行重新校

准.

a. 校正后的探头、耦合剂和仪器调节旋钮等发生任何改变时;

b. 开路电压波动或操作者怀疑灵敏度有变动时;

c. 连续工作4以上;

d. 工作结束时.

当增益电平降低2dB以上时,应对上一次校准以来所有检查锻件进行复探;当增益电平升高2dB以上时,应对所有的记录信号进行重新评定.

６记录

记录当量直径超过Φ4mm的单个缺陷的波幅的位置.

密集性缺陷:记录密集性缺陷中最大当量缺陷的位置和分布.

饼形锻件应记录大于等于Φ4mm当量直径的缺陷密集区.

其他锻件应记录大于等于Φ3mm当密集区.

缺陷密集区面积以50mm×50mm的方块作为最小量度单位,其边界可由半波高并

法决定.

应按表2要求记底波降低量

衰减系数,若供需双方有规定时,应记录衰减系数.

７等级分类

单个缺陷反射的等级见表1.

表1 单个缺陷反射的等级

等级ⅠⅡⅢⅣⅤ

缺陷当量

直径≤Φ4 ＞Φ4+(＞5～8dB) Φ4+(＞8～12dB) Φ4+(＞12～16dB) ＞

Φ4+16dB)

底波降低量的等级见表2.

表2 由缺陷引起底波防低量的等级

等级ⅠⅡⅢⅣⅤ

底波降低量BG/BF ≤8 ＞8～14 ＞14～20 ＞20～26 ＞26

注: ①在计算缺陷引起的底面反射降低量时,应扣除4dB/m的材质衰减.

②表2仅适用于声程大于一倍近场区的缺陷.

密集区缺陷等级见表3.

表3 密集区缺陷引起的等级