元件和模型 ppt课件
合集下载
基本元件及其模型

mA
毫安电流表
μA
微安电流表
电流表及其 分流电阻(分流器)
A
V
电压表
开关元件
船形开关 板键开关
波段开关
钮子开关
负载元件举例
二极管元件D
灯泡 B
扬声器(喇叭)SPK
集成电路、功率器件及散热元件举例
功率器件
集成电路器件 散热元件
电容1
电解电容器CD 有极性 电容器
电容2
无极性电容器
交流电容器
电容3
基本元件及其模型
电池、电源E
+
+
-
-
电阻器R模型1
电阻器
电阻器
片式电阻
电阻 阵列
电阻器模型2
电位器 滑变电阻器 推拉式带开关 电位器
非线性 电阻
t
可调电阻RW
热敏电阻
特种电阻,假负载
锰铜片电阻 (负温度特性)
工作时电阻值保持不变,常 用作模拟电阻(假负载)
分流电阻(分流器)
假负载
电流表、电压表
自复保险丝
电感器模型
铜心 电感器 螺线管 线圈L 铁心线圈 铁氧体 电感器
可调电感器
中周变压器
可调 电感器
半可调 电感器
非线性 电感器
变压器Tr
空心 变压器
铁心 变压器
铜心 变压器
三相电力 变压器
纸质电容器CZ 陶瓷电容器CC 交流电容器 电解电容器CD
钽电容器CA
云母电容器CY
可变电容器1
以陶瓷为介质,动片与定片镀银层,转 动动片,改变相对位置,改变电容量
可调 电容器
可变电容器CW
圆弧表 示动片
半可调 电容器 (微调)源自可变电容器2差动电容器 双联电容器
电力系统元件模型及参数计算-有名值-标么值剖析PPT课件

10KV T1
110KV
T2
6KV
表1:
k1
L1
k2
L2
符号 额定容量
(MVA)
额定电压(KV) Uk% ∆Pk(KW) I0%
T1 31.5 T2 20
表2:
10.5/121
10.5 190
3
110/6.6
10.5 135
2.8
符号 导线型号 长度
电压(KV) 电阻
(Km)
(Ω/km)
电抗 (Ω/km)
• 在进行短路计算时,以短路点所在的电压等级为 基本级
2020年9月28日
15
确定电压比
• 变压器的电压比分为两种,即实际额定电压比和 平均额定电压比。
• 实际额定电压比是指变压器两侧的额定电压之比 ;
• 平均额定电压比是指变压器两侧母线的平均额定 电压之比。
• 变压器的电压比是基本级侧的电压比上待归算级 侧的电压。
变压器T1的电抗: X T 1U 1 k 1% 0 S U N2 N 0 1 1.5 0 0 1 30 .5 1 2 2 41 .8 8 ( ) 变压器T2的电抗: X T 2U 1 k 2% 0 S U N2 N 0 1 1 .5 0 0 1 20 2 1 0 6 0 .5 3 ( )
线路L1的电阻、电抗和电纳为:
2020年9月28日
27
u 标幺值的特点
Ø 线电压和相电压的标么值相等;
Ø 三相功率和单相功率的标么值相等;
Ø 必须满足电路的基本关系一定程度上简化计算工 作;
Ø 计算结果清晰,易于比较电力系统各元件的特性 和参数等;
Ø 系统参数无论按高压侧还是低压侧折算结果相同
Ø 标准变比下的变压器模型中理想变压器不再需要
电路原理ppt课件

在参考方向选定后,电流(或电压) 值才有正负之分。 对任何电路分析时都应先指定各处的 i , u 的参考方向。 例:
I
a
R
b
若 I = 5A ,则实际方向与参考方向一致, 若 I =-5A ,则实际方向与参考方向相反。
16
R
5、关联参考方向: i
+
u
-
当电压的参考方向指定后,指定电流从标以电压参考 方向的“+”极性端流入,并从标“—”端流出,即电流
i +
R
i – +
R
u
u = Ri
u
u = –Ri
–
19
1.3电功率和能量
1. 电功率
单位时间内电场力所做的功。
dw p dt
dw u dq
dq i dt
dw dw dq p ui dt dq dt
w
t
t0
u ( )i ( )d
(Watt,瓦特) (Joule,焦耳)
20
的参考方向与电压的参考方向一致,也称电流和电压
为关联参考方向。反之为非关联参考方向。
17
例
i
+
A U B
电压电流参考方向如图中所标, 问:对A、两部分电路电压电流参考方向 关联否? 答: A 电压、电流参考方向非关联;
B 电压、电流参考方向关联。
-
18
小结:
(1) 分析电路前必须选定电压和电流的参考方向。 (2) 参考方向一经选定,必须在图中相应位置标注 (包括方 向和符号),在计算过程中不得任意改变。 (3) 参考方向不同时,其表达式符号也不同,但实际方向不变。
-
P4吸 U 4 I 2 (4) 1 4W(实际发出)
I
a
R
b
若 I = 5A ,则实际方向与参考方向一致, 若 I =-5A ,则实际方向与参考方向相反。
16
R
5、关联参考方向: i
+
u
-
当电压的参考方向指定后,指定电流从标以电压参考 方向的“+”极性端流入,并从标“—”端流出,即电流
i +
R
i – +
R
u
u = Ri
u
u = –Ri
–
19
1.3电功率和能量
1. 电功率
单位时间内电场力所做的功。
dw p dt
dw u dq
dq i dt
dw dw dq p ui dt dq dt
w
t
t0
u ( )i ( )d
(Watt,瓦特) (Joule,焦耳)
20
的参考方向与电压的参考方向一致,也称电流和电压
为关联参考方向。反之为非关联参考方向。
17
例
i
+
A U B
电压电流参考方向如图中所标, 问:对A、两部分电路电压电流参考方向 关联否? 答: A 电压、电流参考方向非关联;
B 电压、电流参考方向关联。
-
18
小结:
(1) 分析电路前必须选定电压和电流的参考方向。 (2) 参考方向一经选定,必须在图中相应位置标注 (包括方 向和符号),在计算过程中不得任意改变。 (3) 参考方向不同时,其表达式符号也不同,但实际方向不变。
-
P4吸 U 4 I 2 (4) 1 4W(实际发出)
第二章电力系统各元件的数学模型

试验时小绕组不过负荷,存在归算问题,归算到SN
2) 对于(100/50/100)
2
Pk (12)
P' k (12)
IN 0.5IN
P 4 ' k (12)
2
Pk ( 23)
P' k (23)
IN 0.5IN
P 4 ' k ( 23 )
3) 对于(100/100/50)
2
Pk (13)
P' k (13)
§2.3 电力线路的参数和数学模型
§2.3 电力线路的参数和数学模型
§2.3 电力线路的参数和数学模型
§2.3 电力线路的参数和数学模型
§2.3 电力线路的参数和数学模型
§2.3 电力线路的参数和数学模型
一次整循环换位:
A B
C
换位的目的:为了减 少三相参数的不平衡
§2.3 电力线路的参数和数学模型
Xd
§2.1 发电机的数学模型
受限条件
定子绕组: IN为限—S园弧
转子绕组: Eqn ife 励磁电流为限—F园弧 Xd
原动机出力:额定有功功率—BC直线
其它约束: 静稳、进相导致漏磁引起温升—T弧
进相运行时受定 子端部发热限制 受原动机出力限制
定子绕组不超 过额定电流
励磁绕组不超 过额定电流 留稳定储备
2、由短路电压百分比求XT(制造商已归算,直接用)
U U U U 1 k1(%) 2
k(12) (%) k(13) (%) (%) k(23)
XT1
Uk
1(%
)U2 N
100SN
U U U U 1 k2 (%) 2
k(12) (%) k(23) (%) (%) k(13)
电路分析基础ppt课件

详细描述
欧姆定律是电路分析中最基本的定律 之一,它指出在纯电阻电路中,电压 、电流和电阻之间的关系为 V=IR,其 中 V 是电压,I 是电流,R 布问题的 定律
VS
详细描述
基尔霍夫定律包括两个部分:基尔霍夫电 流定律(KCL)和基尔霍夫电压定律( KVL)。基尔霍夫电流定律指出,对于电 路中的任何节点,流入节点的电流之和等 于流出节点的电流之和;基尔霍夫电压定 律指出,对于电路中的任何闭合回路,沿 回路绕行一圈,各段电压的代数和等于零 。
电路分析基础PPT 课件
目 录
• 电路分析基础概述 • 电路元件和电路模型 • 电路分析的基本定律和方法 • 交流电路分析 • 动态电路分析 • 电路分析的应用实例
01
电路分析基础概述
电路分析的定义
电路分析
电路分析的方法
通过数学模型和物理定律,研究电路 中电压、电流和功率等参数的分布和 变化规律的科学。
时不变假设
电路中的元件参数不随时间变化, 即电路的工作状态只与输入信号的 幅度和相位有关,而与时间无关。
02
电路元件和电路模型
电阻元件
总结词
表示电路对电流的阻力,是电路中最基本的元件之一。
详细描述
电阻元件是表示电路对电流的阻力的一种元件,其大小与材料的电导率、长度 和截面积等因素有关。在电路分析中,电阻元件主要用于限制电流,产生电压 降落和消耗电能。
二阶动态电路的分析
总结词
二阶RLC电路的分析
详细描述
二阶RLC电路是指由一个电阻R、一个电感L和一个电容C 组成的电路,其动态行为由二阶微分方程描述。通过求解 该微分方程,可以得到电路中电压和电流的变化规律。
总结词
二阶动态电路的响应
欧姆定律是电路分析中最基本的定律 之一,它指出在纯电阻电路中,电压 、电流和电阻之间的关系为 V=IR,其 中 V 是电压,I 是电流,R 布问题的 定律
VS
详细描述
基尔霍夫定律包括两个部分:基尔霍夫电 流定律(KCL)和基尔霍夫电压定律( KVL)。基尔霍夫电流定律指出,对于电 路中的任何节点,流入节点的电流之和等 于流出节点的电流之和;基尔霍夫电压定 律指出,对于电路中的任何闭合回路,沿 回路绕行一圈,各段电压的代数和等于零 。
电路分析基础PPT 课件
目 录
• 电路分析基础概述 • 电路元件和电路模型 • 电路分析的基本定律和方法 • 交流电路分析 • 动态电路分析 • 电路分析的应用实例
01
电路分析基础概述
电路分析的定义
电路分析
电路分析的方法
通过数学模型和物理定律,研究电路 中电压、电流和功率等参数的分布和 变化规律的科学。
时不变假设
电路中的元件参数不随时间变化, 即电路的工作状态只与输入信号的 幅度和相位有关,而与时间无关。
02
电路元件和电路模型
电阻元件
总结词
表示电路对电流的阻力,是电路中最基本的元件之一。
详细描述
电阻元件是表示电路对电流的阻力的一种元件,其大小与材料的电导率、长度 和截面积等因素有关。在电路分析中,电阻元件主要用于限制电流,产生电压 降落和消耗电能。
二阶动态电路的分析
总结词
二阶RLC电路的分析
详细描述
二阶RLC电路是指由一个电阻R、一个电感L和一个电容C 组成的电路,其动态行为由二阶微分方程描述。通过求解 该微分方程,可以得到电路中电压和电流的变化规律。
总结词
二阶动态电路的响应
第5章集成电路元器件及其SPICE模型ppt课件

任何电容仅在低于f0的频率上才会起电容作用。 经验准则是让电容工作在f0/3以下。
金属叉指结构电容
优点:不需要额 外的工艺。
特征尺寸急剧降 低,金属线条的 宽度和厚度之比 大大减小,叉指 的侧面电容占主 导地位。
PN结电容
❖ 利用PN结电容的优点也是不需要额外的工艺,但所 实现的电容有一个极性问题。
❖耗尽区
❖反型区
G
Co 沟道 Cdep
Vss
G ++++++
沟道 耗尽层 P型衬底
Vss
(a)物理结构
tox d
Cgb Co 积累区
耗尽区
1.0
反型区
(b)电容与Vgs的函数关系 0.2
0
Vgs
三、集成电感
在集成电路开始出现以后很长一段时间内, 人们一直认为电感是不能集成在芯片上的。因 为那时集成电路工作的最高频率在兆赫量级, 芯片上金属线的电感效应非常小。现在的情况 就不同了,首先,近二十年来集成电路的速度 越来越高,射频集成电路(RFIC)已经有了很 大的发展,芯片上金属结构的电感效应变得越 来越明显。芯片电感的实现成为可能。
在设计电路的时候需要非常准确地 预测出电路的性能。为了做到这一点, 需要对电路尽可能地进行精确的性能分 析(Analysis)。因为集成电路元器件 无法用实物构建,必须首先建立器件模 型,然后对用这些元器件模型所设计的 集成电路进行以分析计算为基础的电路 仿真(Simulation)。
在集成电路的晶体管级仿真方面, SPICE是主要的电路仿真程序,并已成为 工业标准。因此,集成电路设计工程师, 特别是模拟和数字混合信号集成电路设计 工程师必须掌握SPICE的应用。
金属叉指结构电容
优点:不需要额 外的工艺。
特征尺寸急剧降 低,金属线条的 宽度和厚度之比 大大减小,叉指 的侧面电容占主 导地位。
PN结电容
❖ 利用PN结电容的优点也是不需要额外的工艺,但所 实现的电容有一个极性问题。
❖耗尽区
❖反型区
G
Co 沟道 Cdep
Vss
G ++++++
沟道 耗尽层 P型衬底
Vss
(a)物理结构
tox d
Cgb Co 积累区
耗尽区
1.0
反型区
(b)电容与Vgs的函数关系 0.2
0
Vgs
三、集成电感
在集成电路开始出现以后很长一段时间内, 人们一直认为电感是不能集成在芯片上的。因 为那时集成电路工作的最高频率在兆赫量级, 芯片上金属线的电感效应非常小。现在的情况 就不同了,首先,近二十年来集成电路的速度 越来越高,射频集成电路(RFIC)已经有了很 大的发展,芯片上金属结构的电感效应变得越 来越明显。芯片电感的实现成为可能。
在设计电路的时候需要非常准确地 预测出电路的性能。为了做到这一点, 需要对电路尽可能地进行精确的性能分 析(Analysis)。因为集成电路元器件 无法用实物构建,必须首先建立器件模 型,然后对用这些元器件模型所设计的 集成电路进行以分析计算为基础的电路 仿真(Simulation)。
在集成电路的晶体管级仿真方面, SPICE是主要的电路仿真程序,并已成为 工业标准。因此,集成电路设计工程师, 特别是模拟和数字混合信号集成电路设计 工程师必须掌握SPICE的应用。
第一章-电路及基本元器件PPT课件

图1-7
.
电工电子技术基础 3、二极管的伏安特性曲线(硅管)
.
电工电子技术基础
五、半导体三极管
1、三极管的结构
图1-8
.
电工电子技术基础 2、三极管的电流放大作用 三极管工作在放大状态的条件是:发射结正偏,集电 结反偏。
.
电工电子技术基础
(1)电流分配关系:发射极电流等于基极电流和集电极电
流之和,即:
图1-9
.
电工电子技术基础
(1)输入特性 死区电压:硅管约为0.5V,锗管约为0.2V; 导通电压(发射结):硅管约为0.7V,锗管约为0.3V。 (2)输出特性
截止区: UBE小于死区电压,IC≈ 0,UCE ≈UCC,。
饱和区:集电结正向偏置 ,UCE<UBE, IC≈ UCC/RC 。
放大区:发射结正偏,集电结反偏 , IC≈βIB。
图1-2
.
图1-3
电工电子技术基础
三、电功率和电能
1、电功率
电流通过电路时传输或转换电能的速率称为电功率,
简称为功率,用符号p表示。
当电压与电流为关联参考方向时,功率的计算公
式为:
p dW ui dt
当电压与电流为非关联参考方向时,功率的计算
公式为:
pui
.
电工电子技术基础 2、电能 电路在一段时间内吸收的能量称为电能。在国际单 位制(SI)中,电能的单位是焦耳(J)。1J等于1W的用 电设备在1s内消耗的电能。电力工程中,电能常用“度” 作单位,它是千瓦小时(kWh)的简称,1度等于功率为 1kW的用电设备在1小时内消耗的电能。
图1-23
.
电工电子技术基础 在电子电路中,电源的一端通常是接地的,为了作
.
电工电子技术基础 3、二极管的伏安特性曲线(硅管)
.
电工电子技术基础
五、半导体三极管
1、三极管的结构
图1-8
.
电工电子技术基础 2、三极管的电流放大作用 三极管工作在放大状态的条件是:发射结正偏,集电 结反偏。
.
电工电子技术基础
(1)电流分配关系:发射极电流等于基极电流和集电极电
流之和,即:
图1-9
.
电工电子技术基础
(1)输入特性 死区电压:硅管约为0.5V,锗管约为0.2V; 导通电压(发射结):硅管约为0.7V,锗管约为0.3V。 (2)输出特性
截止区: UBE小于死区电压,IC≈ 0,UCE ≈UCC,。
饱和区:集电结正向偏置 ,UCE<UBE, IC≈ UCC/RC 。
放大区:发射结正偏,集电结反偏 , IC≈βIB。
图1-2
.
图1-3
电工电子技术基础
三、电功率和电能
1、电功率
电流通过电路时传输或转换电能的速率称为电功率,
简称为功率,用符号p表示。
当电压与电流为关联参考方向时,功率的计算公
式为:
p dW ui dt
当电压与电流为非关联参考方向时,功率的计算
公式为:
pui
.
电工电子技术基础 2、电能 电路在一段时间内吸收的能量称为电能。在国际单 位制(SI)中,电能的单位是焦耳(J)。1J等于1W的用 电设备在1s内消耗的电能。电力工程中,电能常用“度” 作单位,它是千瓦小时(kWh)的简称,1度等于功率为 1kW的用电设备在1小时内消耗的电能。
图1-23
.
电工电子技术基础 在电子电路中,电源的一端通常是接地的,为了作
电力系统分析(完整版)PPT课件

输电线路优化运行
总结词
输电线路是电力系统的重要组成部分,其优化运行对于提高电力系统的可靠性和经济性具有重要意义 。
详细描述
输电线路优化运行主要涉及对线路的路径选择、载荷分配、无功补偿等方面的优化,通过合理的规划 和管理,降低线路损耗,提高线路的输送效率和稳定性,确保电力系统的安全可靠运行。
分布式电源接入与控制
分布参数线路模型考虑线路的电感和 电容在空间上的分布,用于精确分析 长距离输电线路。
行波线路模型
行波线路模型用于描述行波在输电线 路中的传播特性,常用于雷电波分析 和继电保护。
负荷模型
负荷模型概述
静态负荷模型
负荷是电力系统中的重要组成部分,其模 型用于描述负荷的电气特性和运行特性。
静态负荷模型不考虑负荷随时间变化的情 况,只考虑负荷的恒定阻抗和电流。
电力系统分析(完整版)ppt 课件
• 电力系统概述 • 电力系统元件模型 • 电力系统稳态分析 • 电力系统暂态分析 • 电力系统优化与控制 • 电力系统保护与安全自动装置
01
电力系统概述
电力系统的定义与组成
总结词
电力系统的定义、组成和功能
详细描述
电力系统是由发电、输电、配电和用电等环节组成的,其功能是将一次能源转 换为电能,并通过输配电网络向用户提供安全、可靠、经济、优质的电能。
无功功率平衡的分析通常需要考虑系统的无功损耗、无功补偿装置的容 量和响应速度等因素。
有功功率平衡
有功功率平衡是电力系统稳态分析的 核心内容,用于确保系统中的有功电 源和有功负荷之间的平衡。
有功功率平衡的分析通常需要考虑系 统的有功损耗、有功电源的出力和负 荷的特性等因素。
有功功率不平衡会导致系统频率波动, 影响电力系统的稳定运行。因此,需 要合理配置有功电源和调节装置,以 维持系统的有功平衡。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
(4)Parts per Pkg:如果新建的是一种Multiple Part Package元件(即
一个元件封装中有多个单元,例如7400中有4个与非门),在该栏中指定一
个封装中包含几个单元(这里的单元指的就是新建的这个元件符号)
2020/12/27
9
(5)Package Type:如果新建的是一种Multiple Part Package,这里指 明其中的各个单元是相同的还是不同的。Homogeneous表示单元完全 相同;Heterogeneous表示单元不完全相同。
• 你怎么称呼老师? • 如果老师最后没有总结一节课的重点的难点,你
是否会认为老师的教学方法需要改进? • 你所经历的课堂,是讲座式还是讨论式? • 教师的教鞭 • “不怕太阳晒,也不怕那风雨狂,只怕先生骂我
笨,没有学问无颜见爹娘 ……” • “太阳当空照,花儿对我笑,小鸟说早早早……”
4
第一步 新建自己的设计库
新建元件和元件模型
1 新建元件的外形: 修改原来的元件符号 直接建立元件的外形
2 新建元件模型: 修改原有的模型 用模型编辑库建立元件模型 还有一种简捷的方式自动由模型参数生成元件
2020/12/27
1
1.修改原有元件的符号
修改原有元件的符号一般有复制、修改和保 存三个步骤
Байду номын сангаас
2020/12/27
2
精品资料
(1)Part Reference Prefix: 指定元件符号编号的关键字母。例如对电 阻采用大写字母R,对数字单元采用U等。
(2)PCB Footprint:指定元件的封装外形的名称。调用OrCAD/Layout
进行PCB设计时,对该元件将采用在这里指定的封装外形。
(3)Create Convert View: 有些元件(特别是数字元件)除具有基本表 示形式外,还可采用摩根(De Morgan)等其它形式。例如双输入 “与非门”的摩根等效形式是双输入“非或门”。在电路图中放置该 元件时,既可采用基本形式,也可采用等效形式。
2020/12/27
14
选中此器件,执行Edit/PSpice model命令,将原来的模型参 数删除,重新输入新的模型参数即可.也可选择菜单上的 Model/New Model命令,从弹出的新模型对话框中,输入对应
项,然后在新模型编辑器里输入要设置的模型参数。
2020/12/27
15
例2 修改元件和元件属性
在项目管理器窗口下
2020/12/27
5
第二步复制原来的元件符号
选择库文件的路径Capture\library\PSpice\polyfet 从弹出的元件列表中选择F1007/PF元件,执行复制命令
或者Ctrl+c,打开自己的库,选择库文件名,执行Paste 命令,或者Ctrl+v。将会看到自己的库文件下面,新增 一个F1007/PF元件
2020/12/27
(6)Part Numbering:如果新建的是一种Multiple Part Package,那么
画电路原理图时是采用U?A,U?B...形式编号还是采用U?2,U?2...形式
编号,若选Alphabetic则采用前者;若选Numeric则采用后者。
(7)Pin Number Visible:选中后在画电路原理图时会显示该 元件的引线编号;否则不显示。
以开关为例
2020/12/27
16
第一步 新建自己的设计库
在项目管理器窗口下
2020/12/27
17
第二步复制原来的元件符号
选择库文件的路径Capture\library\PSpice\anolog从弹出的元 件列表中选择S元件,执行复制命令或者Ctrl+c,打开自己的库 ,选择库文件名,执行Paste命令,或者Ctrl+v。将会看到自己 的库文件下面,新增一个S元件
程序调用(如果没有该项,则无法进行PSpice电路系统级仿真 (g)PSpice Stimulus:附加一个PSpice激励信号描述文件
2020/12/27
11
双击元件
设置新增属性
2020/12/27
12
在上面的属性编辑页面中,选择PSpice template 项,将其属性X^@REFDES %g%d%s @MODEL 改成
X^@REFDES %g1 %g 2%g3%d%s @MODEL 各项意义如下: X ^@后面的字符串为网图文件中的参考属性名字; %后的字符或字符串为元件的引脚名称和顺序; @MODEL指明该元件的仿真模型。
2020/12/27
13
第三步 设置
将新建的MOSNEU元件放置于PSpice元件库内,并将 该元件所在库加载
(8)Part Aliases:对新建的元件符号,可以赋予一个或多个 别名。点击“New Part Properties”对话框中的的Part Aliases按钮屏幕出现Part Aliases对话框。点击其上的New 按钮,添加元件别名后再按OK就可以了
2020/12/27
10
(9)Attatch Implementation:由于有些元件功能是建立在其它元件、 电路或VHDL语言等描述基础上实现的,所以有时可能需要将底层的内容 附加到该文件库中,点击"New Part Properties"对话框中的的Attatch Implementation按钮屏幕出现Attatch Implementation对话框。在 Implementation Type下拉菜单中有7种选择: (a) None:不附加任何附件参数 (b) Schematic View:附加一个电路图 (c) VHDL:附加一个VHDL文件 (d) EDIF:附件一个EDIF格式网表文件 (e) Project:附加一个可编成逻辑设计项目 (f) PSpice Model:附加一个描述元件特性参数的模型,可供PSpice模拟
2020/12/27
6
也可在自己的库下面新建一个MOSNEU的元件, 在库中双击F1007/PF,打开F1007/PF,将其复 制到MOSNEU元件编辑页面下
X?A F 1007/PF
2020/12/27
7
Options\Package Propeties
2020/12/27
8
元件符号的属性参数
一个元件封装中有多个单元,例如7400中有4个与非门),在该栏中指定一
个封装中包含几个单元(这里的单元指的就是新建的这个元件符号)
2020/12/27
9
(5)Package Type:如果新建的是一种Multiple Part Package,这里指 明其中的各个单元是相同的还是不同的。Homogeneous表示单元完全 相同;Heterogeneous表示单元不完全相同。
• 你怎么称呼老师? • 如果老师最后没有总结一节课的重点的难点,你
是否会认为老师的教学方法需要改进? • 你所经历的课堂,是讲座式还是讨论式? • 教师的教鞭 • “不怕太阳晒,也不怕那风雨狂,只怕先生骂我
笨,没有学问无颜见爹娘 ……” • “太阳当空照,花儿对我笑,小鸟说早早早……”
4
第一步 新建自己的设计库
新建元件和元件模型
1 新建元件的外形: 修改原来的元件符号 直接建立元件的外形
2 新建元件模型: 修改原有的模型 用模型编辑库建立元件模型 还有一种简捷的方式自动由模型参数生成元件
2020/12/27
1
1.修改原有元件的符号
修改原有元件的符号一般有复制、修改和保 存三个步骤
Байду номын сангаас
2020/12/27
2
精品资料
(1)Part Reference Prefix: 指定元件符号编号的关键字母。例如对电 阻采用大写字母R,对数字单元采用U等。
(2)PCB Footprint:指定元件的封装外形的名称。调用OrCAD/Layout
进行PCB设计时,对该元件将采用在这里指定的封装外形。
(3)Create Convert View: 有些元件(特别是数字元件)除具有基本表 示形式外,还可采用摩根(De Morgan)等其它形式。例如双输入 “与非门”的摩根等效形式是双输入“非或门”。在电路图中放置该 元件时,既可采用基本形式,也可采用等效形式。
2020/12/27
14
选中此器件,执行Edit/PSpice model命令,将原来的模型参 数删除,重新输入新的模型参数即可.也可选择菜单上的 Model/New Model命令,从弹出的新模型对话框中,输入对应
项,然后在新模型编辑器里输入要设置的模型参数。
2020/12/27
15
例2 修改元件和元件属性
在项目管理器窗口下
2020/12/27
5
第二步复制原来的元件符号
选择库文件的路径Capture\library\PSpice\polyfet 从弹出的元件列表中选择F1007/PF元件,执行复制命令
或者Ctrl+c,打开自己的库,选择库文件名,执行Paste 命令,或者Ctrl+v。将会看到自己的库文件下面,新增 一个F1007/PF元件
2020/12/27
(6)Part Numbering:如果新建的是一种Multiple Part Package,那么
画电路原理图时是采用U?A,U?B...形式编号还是采用U?2,U?2...形式
编号,若选Alphabetic则采用前者;若选Numeric则采用后者。
(7)Pin Number Visible:选中后在画电路原理图时会显示该 元件的引线编号;否则不显示。
以开关为例
2020/12/27
16
第一步 新建自己的设计库
在项目管理器窗口下
2020/12/27
17
第二步复制原来的元件符号
选择库文件的路径Capture\library\PSpice\anolog从弹出的元 件列表中选择S元件,执行复制命令或者Ctrl+c,打开自己的库 ,选择库文件名,执行Paste命令,或者Ctrl+v。将会看到自己 的库文件下面,新增一个S元件
程序调用(如果没有该项,则无法进行PSpice电路系统级仿真 (g)PSpice Stimulus:附加一个PSpice激励信号描述文件
2020/12/27
11
双击元件
设置新增属性
2020/12/27
12
在上面的属性编辑页面中,选择PSpice template 项,将其属性X^@REFDES %g%d%s @MODEL 改成
X^@REFDES %g1 %g 2%g3%d%s @MODEL 各项意义如下: X ^@后面的字符串为网图文件中的参考属性名字; %后的字符或字符串为元件的引脚名称和顺序; @MODEL指明该元件的仿真模型。
2020/12/27
13
第三步 设置
将新建的MOSNEU元件放置于PSpice元件库内,并将 该元件所在库加载
(8)Part Aliases:对新建的元件符号,可以赋予一个或多个 别名。点击“New Part Properties”对话框中的的Part Aliases按钮屏幕出现Part Aliases对话框。点击其上的New 按钮,添加元件别名后再按OK就可以了
2020/12/27
10
(9)Attatch Implementation:由于有些元件功能是建立在其它元件、 电路或VHDL语言等描述基础上实现的,所以有时可能需要将底层的内容 附加到该文件库中,点击"New Part Properties"对话框中的的Attatch Implementation按钮屏幕出现Attatch Implementation对话框。在 Implementation Type下拉菜单中有7种选择: (a) None:不附加任何附件参数 (b) Schematic View:附加一个电路图 (c) VHDL:附加一个VHDL文件 (d) EDIF:附件一个EDIF格式网表文件 (e) Project:附加一个可编成逻辑设计项目 (f) PSpice Model:附加一个描述元件特性参数的模型,可供PSpice模拟
2020/12/27
6
也可在自己的库下面新建一个MOSNEU的元件, 在库中双击F1007/PF,打开F1007/PF,将其复 制到MOSNEU元件编辑页面下
X?A F 1007/PF
2020/12/27
7
Options\Package Propeties
2020/12/27
8
元件符号的属性参数