第1章习题解答07073
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第一章
8
三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压
UD=0.7V。
×
UO1≈1.3V
×
第一章
UO4≈2V
UO2=0V
UO3≈-1.3V
×
UO5≈1.3V 图T1.3
UO6≈-2V
9
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin= 5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
解:(1)Rb=50kΩ时,基极电流、集
电极电流和管压降分别为:
IB
VBB U BE Rb
2 0.7 50K
26A
IC IB 100 26A 2.6mA
UCE VCC ICRC 15 2.65 2V
工作在放大区,所以输出电压UO=UCE=2V。
(2)设临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以:
A. 增大
B. 不变 C. 减小
(3)工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到
22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为 C。
A. 83 B. 91 C. 100 IC (2 1)mA 100
I B (22 12)A
(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它
(3) 饱和区:发射结正偏,集电结正偏。UBE>UON , UCEUBE
IC<IB,UCE0.3V
临界饱和时, UCE=UBE UBC=0
第一章
6
第一章 常用半导体器件 自 测 题
一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空 内
(1)在N 型半导√体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型
为P型半导体。( )
×
(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电×. ( )
(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( )
(4)处×于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成 的。( )
(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使√ 栅-源间的耗尽层承受
反向电压,才能保证其RGS大的特点。( )
图T1.4
解:设稳压管稳压,则UZ=6V
UR 10 6 4(V )
IR
UR R
4 500
8(mA)
I RL
UZ RL
6 3(mA) 2
IDL IR IRL 8 3 5(mA)
第一∴章稳压管稳压,则U01=UZ=6V
解:设稳压管稳压,则UZ=6V
UR 10 6 4(V )
IR
导通压降:
硅管UBE 0.6~0.8V, 锗管UBE 0.1~0.3V
0.4 0.8 UBE(V)
4
输出特性曲线
iC f uCE
uC E VCC iC RC
IB 常数
iC(mA )
4
100A
饱和区 3
IC<βIB
临界饱和 2
80A 放大区
IC=βIB
60A
40A
1 UCE=UBE
UBC=0
20A IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
第一章
截止区,IB≈0,IC≈0
5
输出特性三个区域的特点: (1) 截止区:发射结反偏UBE< UON , IB=0 , IC=Iห้องสมุดไป่ตู้EO 0
(2) 放大区:发射结正偏,集电结反偏。UBE>UON , UCE>UBE
IE=IC+IB, IC=IB , 且 IC = IB
● ● ●
iC
200mW uCE
Uce(V) 10 20 30 40
iC (mA) 20 10 6.67 5 将各点连接成曲线,即为临界过损耗线
第一章 临界过损耗线的右边为过损耗区。
11
六、电路如图T1.6所示,VCC=15V,β=100,UBE=0.7V试 问:1)Rb=50kΩ时,uO=?(2)若T临界饱和,则Rb≈?
UR R
4 2000
2(mA)
I DL I R I RL IZmax
∴稳压管不能稳压,截止
U02
R
RL RL
10V
2 2
2
10
5(V ) 10
五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示,其集电极最大
耗散功率PCM=200mW,试画出它的过损耗区。
●
PCM iC uCE
200mW iC uCE
(3)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B .
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
(5)UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A、C 。
A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管
常温下(T=300K) UT≈26mV
微变电阻rd
rd
uD iD
UT ID
稳压管:稳定电压 UZ,稳定电流IZ、额定功耗 PZM U Z I Z max
第一章
2
三极管:由两个PN 结背靠背组成 结构特点
符号 IB
IE=IC+IB IC I B
IC
IE
IE 1 IB
IC
IB
IB
IC IE
iC mA
iB
A
RC VCC
Rb
V UBE
V UCE
第一章
u V VBB
BE
BB
iB Rb
uC E VCC iC RC 3
输入特性曲线
iB f uBE UCE 常数
UCE=0V
80
UCE =0.5V
IB(A)
UCE 1V
60 开启电压: 40 硅管0.5V, 20
锗管0.1V。
第一章
(6)若耗尽×型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明
第一显章 变小。( )
7
二、选择正确答案填入空内。
(1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽
(2)设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是 C 。
A. ISeU
B. ISeU UT
C. IS(eU UT-1)
第一章常用半导体器件
习题解答
2010年9月
第一章
1
N 型半导体:在本征半导体中掺入五价元素(如磷)构成的
杂质半导体。
P 型半导体:在本征半导体中掺入三价元素(如硼)构成的
杂质半导体。
PN 结正向偏置 P 正N 负,导通PN 结反向偏置 P负N 正,截止
u
PN 结的电流方程 i IS (eUT 1)
IC
VCC
U CES RC
2.86mA
IB
IC
28.6A
Rb
第一章
VBB U BE IB
45.4k
12
习题
1.1 选择合适答案填入空内。
(1)在本征半导体中加入 A 元素可形成N型半导体 ,加 入 C 元素可形成P型半导体。
A. 五价
B. 四价 C. 三价
(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
的低频跨导gm将 A 。