300mm硅单晶及抛光片标准
300mm硅片双面抛光过程数学模拟及分析
第 38 卷第 3 期 2008 年 6 月
微 电 子 学 Microelectronics
图1 Fig . 1 双面化学机械抛光设备运动关系坐标图 T hree coo rdinate systems pro po sed fo r the doub le - sided polishing machine
2 2 2 1 2 1
cos sin
1 1
t- L
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- 2) t 3 ) t] 2 ( 11)
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3
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拟
( 4) 式中, 对于某一抛光设备, L 为固定的常数 ,
0
硅片在抛光布上的运动轨迹密度分布能够反映 硅片的材料去除状态 , 因而能反映出硅片加工后的 表面质量。以 SpeedFam 20B - 5P - 4D 双面抛光机为 例 , 大盘转速为 0~ 45 rpm , 太阳齿轮和中心齿轮的 转速范围是 0~ 25 rpm 。硅片相对于上下抛光垫的 运动轨迹最终由
A motion model based on the analysis o f mathematica l modeling was established t o study mo tio n path in do uble - sided polishing process fo r 300 mm silicon w afers. Results sho wed that r otation speeds had significant impact on the g eometr y, especially o n the site flat ness ( SFQ R) . T he findings are helpful in optimizing par ameters for double - sided polishing o f 300 mm silicon wafer s. Key words: 300 mm silicon w afer; Double - sided polishing ; M at hematical modeling ; P ath curv e; F latness EEACC: 2520; 2530
300mm晶圆允许振动值
300mm晶圆允许振动值1. 简介晶圆是半导体制造过程中的关键组件，其质量直接影响到芯片的性能和可靠性。
在晶圆制造过程中，晶圆的振动是一个重要的参数，需要控制在一定的范围内。
本文将介绍300mm晶圆允许的振动值及其相关内容。
2. 300mm晶圆振动的重要性晶圆在制造过程中的振动会对芯片的性能产生直接影响。
振动会导致晶圆上的材料分布不均匀，进而影响到芯片的工作性能和可靠性。
因此，控制晶圆的振动是确保芯片质量的重要步骤之一。
3. 300mm晶圆允许的振动值标准为了保证芯片质量，国际上制定了一系列标准来限制晶圆的振动值。
对于300mm晶圆而言，允许的振动值通常以nm（纳米）为单位来衡量。
以下是一些常见的300mm 晶圆允许的振动值标准：•晶圆水平振动：通常控制在1-2 nm范围内；•晶圆垂直振动：通常控制在1-2 nm范围内；•晶圆旋转振动：通常控制在0.5-1 nm范围内。
这些标准是根据对晶圆制造和芯片性能的研究得出的，并且在实际生产中得到了广泛应用。
4. 实现晶圆振动控制的方法为了实现对晶圆振动的控制，制造厂商通常采用以下方法：4.1. 设备隔离晶圆制造过程中的设备振动是晶圆振动的主要来源之一。
为了减小设备振动对晶圆的影响，制造厂商会采取隔离措施，例如使用减振台、减振脚等设备。
4.2. 环境控制环境的振动也会对晶圆产生影响。
制造厂商会通过控制温度、湿度等环境参数来减小环境振动对晶圆的影响。
4.3. 工艺优化制造厂商还会通过工艺优化来减小晶圆的振动。
例如，在晶圆制造过程中，可以通过优化工艺步骤、改进设备等方式来减小晶圆的振动。
5. 晶圆振动的测量与监控为了保证晶圆振动控制的有效性，制造厂商通常会进行振动的测量与监控。
以下是一些常用的晶圆振动测量与监控方法：5.1. 振动传感器制造厂商会在晶圆制造过程中安装振动传感器来实时监测晶圆的振动情况。
这些传感器可以将振动信号转换为电信号，并通过数据采集系统进行采集和分析。
300mm晶圆允许振动值
300mm晶圆允许振动值（原创实用版）目录1.300mm 晶圆的概念与重要性2.晶圆的振动值对其性能的影响3.300mm 晶圆允许的振动值的规定4.控制振动值的方法和技术5.结论：300mm 晶圆振动值的重要性正文一、300mm 晶圆的概念与重要性晶圆，是半导体制造中必不可少的基础材料，其品质直接影响着半导体器件的性能。
300mm 晶圆，即直径为 300 毫米的晶圆，是目前半导体产业中主流的晶圆尺寸。
相较于较小尺寸的晶圆，300mm 晶圆在大规模生产中具有更高的生产效率和更低的生产成本，因此在全球半导体产业中具有举足轻重的地位。
二、晶圆的振动值对其性能的影响晶圆在生产过程中，会受到各种内外部因素的影响，其中振动值是一个重要的参数。
振动值是指晶圆在生产过程中，由于各种原因导致的振动幅度。
振动值过大，会导致晶圆表面出现缺陷，影响半导体器件的性能；振动值过小，虽然可以降低缺陷产生的概率，但会影响生产效率。
因此，晶圆的振动值需要控制在一个合适的范围内。
三、300mm 晶圆允许的振动值的规定根据国际半导体产业协会（SEMI）的标准，300mm 晶圆在生产过程中，允许的振动值应控制在±10 微米以内。
这个数值是在保证晶圆性能的同时，兼顾生产效率和成本的最佳值。
当然，不同生产工艺和设备对振动值的要求可能会有所不同，因此在实际生产中，还需根据具体情况进行调整。
四、控制振动值的方法和技术为了保证 300mm 晶圆的振动值在允许范围内，半导体制造商采用了一系列先进的技术和方法。
例如，采用高精度的振动传感器，实时监测晶圆的振动值，并通过调节生产设备和工艺参数，使振动值保持在最佳水平。
此外，通过优化生产环境，减少外部振动对晶圆的影响，也是控制振动值的有效手段。
五、结论：300mm 晶圆振动值的重要性综上所述，300mm 晶圆的振动值对于半导体器件的性能具有重要影响。
控制振动值，既是保证晶圆品质的关键，也是提高生产效率和降低成本的重要手段。
单晶硅技术参数
单晶硅抛光片的物理性能参数同硅单晶技术参数厚度（T） 200-1200um总厚度变化（TTV）＜10um弯曲度（BOW）＜35um翘曲度（WARP）＜35um单晶硅抛光片的表面质量：正面要求无划道、无蚀坑、无雾、无区域沾污、无崩边、无裂缝、无凹坑、无沟、无小丘、无刀痕等。
背面要求无区域沾污、无崩边、无裂缝、无刀痕。
（2）加工工艺知识多晶硅加工成单晶硅棒：多晶硅长晶法即长成单晶硅棒法有二种：CZ（Czochralski）法FZ（Float-Zone Technique）法目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。
其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。
CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。
而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。
CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。
另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。
目前国内主要采用CZ法CZ法主要设备：CZ生长炉CZ法生长炉的组成元件可分成四部分（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件（3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀（4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统加工工艺：加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长（1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。
杂质种类有硼，磷，锑，砷。
（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。
（3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。
由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。
缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4-6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。
硅片的等级标准
硅片的检测1：硅片表面光滑洁净2：TV：220±20um 。
3：几何尺寸：边长：125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；边长：103±0.5mm、对角：135±0.5mm；边长：150±0.5mm、156±0.5mm、对角：203±0.5mm、200±0.5mm、。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3二、合格品一级品：垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5二级品：1：表面有少许污渍、线痕。
凹痕、轻微崩边。
2：220±30um ≤TV≤220±40um。
3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30um4：崩边范围：崩边口不是三角形，崩边口长度≤1mm ，深度≤0.5mm 5：几何尺寸：边长：125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm；边长：103±0.52mm、对角：135±0.52mm；边长：150±0.52mm、156±0.52mm、对角：203±0.52mm、200±0.52mm、。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm垂直度：任意两边的夹角：90°±0.8三级品：1：表面有油污但硅片颜色不发黑，有线痕和硅洛现象。
2：220±40um ≤TV≤220±60um。
3：硅落：整张硅片边缘硅晶脱落部分硅晶脱落。
三、不合格品严重线痕、厚薄片：TV＞220±60um。
崩边片：有缺陷但可以改￠103的硅片气孔片：硅片中间有气孔外形片：切方滚圆未能磨出的硅片。
倒角片（同心度）：任意两个弧的弦长之差＞1.5mm菱形片：（垂直度）：任意两边的夹角＞90°±0.8凹痕片：硅片两面凹痕之和＞30um脏片：硅片表面有严重污渍且发黄发黑尺寸偏差片：几何尺寸超过二级片的范围。
国家标准硅抛光片表面颗粒测试方法-中国有色金属标准质量信息网
国家标准《硅抛光片表面颗粒测试方法》（讨论稿）编制说明一、工作简况1.标准简况：近年来，随着大规模集成电路使用硅片直径的增大和品质的极大提升，衬底片表面的纳米级颗粒和微小缺陷（像COP）严重影响器件的质量，直接影响着供需双方的成品率。
因此，抛光片、外延片等镜面表面的颗粒要求已成为关键参数，也是出厂和进货检验的主要参数。
由于国内外硅抛光片外延片直径越来越多，而要求的颗粒直径越来越小，一般都要求对0.10到0.5微米直径的颗粒进行探测和计数。
这已经远远超过了人的肉眼可以辨别的极限，因此各企业对抛光片表面颗粒、COP等众多缺陷的检验基本上都依赖硅片表面检查系统（简称SSIS）。
在修订后的标准中体现如何正确使用该方法和设备设置，并正确评价测量结果。
使标准修订后具有更普遍的实用性。
由于颗粒的测量的主要原理是利用SSIS产生的激光束在待测镜面晶片表面进行扫描，并收集和确定来自晶片表面的局部散射光（LLSs）的强度和位置，与事先设置的一组已知尺寸的聚苯乙烯乳胶球等效的散射光（LSE）的强度进行比较，得到晶片表面的一系列不同直径尺寸的LLS的总数和分布，将其作为晶片表面的颗粒尺寸和数量。
换句话说，从一个未知的LLS收到的信号相当于从一个已知尺寸的聚苯乙烯胶乳（PSL）获得的信号。
除此之外，扫描仪对散射光与反射光的区分收集和处理，也可得到晶片表面的划伤、桔皮、抛光液残留；外延片表面划伤、棱锥、乳突等大面积缺陷。
通过对晶片表面小的凸起和凹陷的辨别及其在片子上位置的分布特征，可以探测分辨出COP。
通过对检测背景信号中低频信号的处理，得到晶片表面微粗糙度的参数Haze(雾)。
因此现在的SSIS已经可以探测镜面晶片上几乎所有类型的缺陷。
随着硅片抛光和外延工艺的不断进步，晶片表面其他大面积缺陷，像划伤、桔皮、波纹、棱锥、堆垛层错等等数量上也越来越少了。
更多的还是颗粒或者COP。
习惯上我们所有这些表面缺陷粗略的统称为颗粒。
在标准名称上我们也沿用了这一习惯。
300mm硅单晶及抛光片标准
一、300 mm硅单晶及抛光片现状
300mm硅抛光片的产品、工艺技术在国外已经很成熟。 而在我国起步较晚，还处于试验阶段。
因此对于集成电路所需的300mm硅片的基本参数指标、 金属污染和缺陷控制、表面形态与质量、成本等都面临着新 的挑战。硅材料的生产工艺、技术、检测方法已成为今后研 究的主要内容，同时也是推动产业发展的关键所在。
二、 国外涉及300mm产品标准的现状
SEMI的硅单晶的产品标准主要是抛光片规范SEMI M1。 它由一系列直径从2英寸、100mm，直到300mm，及直径 350mm和400mm硅单晶抛光片规格组成，其中只涉及了 最基本的尺寸指标：直径、厚度、晶向、切口或参考面尺 寸极其公差；弯曲度、翘曲度、总厚度变化的最大允许 值，以及轮廓的要求。并且参数都是最宽泛的。SEMI M1.15直径300mm硅单晶抛光片规格（切口）见下表所示。
0.5~50.0 ohm-cm 无 无 无
≤32ppma（旧版ASTMF121－79） 不规定
4.0 结构特性 4.1 位错蚀坑密度 4.2 滑移 4.3 系属结构 4.4 孪晶 4.5 漩涡 4.6 浅蚀坑 4.7 氧化层错（OISF） 4.8 氧化物沉淀 4.9 硅片制备特性 5.0 晶片ID标志 5.0 正表面薄膜 5.2 洁净区 5.3 非本征吸除 5.5 背封
SEMI M8是针对半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅 单晶抛光试验片。对2英寸到300mm的试验片的订货项目及要求。 以及0.13μm线宽的300mm试验片规范指南。
SEMI M24《优质硅单晶抛光片规范》是针对150-300mm直 径， 用于颗粒检测、金属沾污监控、和光刻工艺图形测量的硅单 晶抛光片。针对0.25-0.13μm不同线宽的要求的抛光片规格，给 出了三种不同用途硅片的项目要求。
单晶硅介绍
单质硅有无定形及晶体两种。
无定形硅为灰黑色或栗色粉末，更常见的是无定形块状，它们是热和电的不良导体、质硬，主要用于冶金工业（例如铁合金及铝合金的生产）及制造硅化物。
晶体硅是银灰色，有金属光泽的晶体，能导电（但导电率不及金属）故又称为金属硅。
高纯度的金属硅（≥99．99％）是生产半导体的材料，也是电子工业的基础材料。
掺杂有微量硼、磷等元素的单晶硅可用于制造二极管、晶体管及其他半导体器件。
由于半导体技术不断向高集成度，高性能，低成本和系统化方向发展，半导体在国民经济各领域中的应用更加广泛。
单晶硅片按使用性质可分为两大类：生产用硅片；测试用硅片。
半导体元件所使用的单晶硅片系采用多晶硅原料再经由单晶生长技术所生产出来的。
多晶硅所使用的原材料来自硅砂（二氧化硅）。
目前商业化的多晶硅依外观可分为块状多晶与粒状多晶。
多晶硅的品质规格：多晶硅按外形可分为块状多晶硅和棒状多晶硅；等级分为一、二、三级免洗料。
多晶硅的检测：主要检测参数为电阻率、碳浓度、N型少数载流子寿命；外形主要是块状的大小程度；结构方面要求无氧化夹层；表面需要经过酸腐蚀，结构需致密、平整，多晶硅的外观应无色斑、变色，无可见的污染物。
对于特殊要求的，还需要进行体内金属杂质含量的检测。
单晶硅棒品质规格：单晶硅棒的主要技术参数其中电阻率、OISF密度、以及碳含量是衡量单晶硅棒等级的关键参数。
这些参数在单晶成型后即定型，无法在此后的加工中进行改变。
测试方法：电阻率：用四探针法。
OISF密度：利用氧化诱生法在高温、高洁净的炉管中氧化，再经过腐蚀后观察其密度进行报数。
碳含量：利用红外分光光度计进行检测。
单晶硅抛光片品质规格：单晶硅抛光片的物理性能参数同硅单晶技术参数单晶硅抛光片的表面质量：正面要求无划道、无蚀坑、无雾、无区域沾污、无崩边、无裂缝、无凹坑、无沟、无小丘、无刀痕等。
背面要求无区域沾污、无崩边、无裂缝、无刀痕。
一、单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
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4.0 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 5.0 5.0 5.2 5.3 5.5
结构特性 位错蚀坑密度 滑移 系属结构 孪晶 漩涡 浅蚀坑 氧化层错（OISF） 氧化物沉淀 硅片制备特性 晶片ID标志 正表面薄膜 洁净区 非本征吸除 背封 见注2 无 无 无 无 见注1 无 无 无 不规定 不规定 不规定 不规定
6.0 6.1 6.2 6.3 6.6 6.7 6.8 6.9 6.11 6.12 6.14 7.0 7.1
机械特性 直径 主基准位置 主基准尺寸 边缘轮廓 厚度 厚度变化（TTV） 晶片表面取向 翘曲度 峰——谷差 平整度／局部 正表面化学特性 表面金属沾污 钠/铝/铬/铁/镍/铜/锌/钙 ≤5×1010／cm2 300±0.2mm 见SEMI M1 见SEMI M1 见SEMI M1 775±25μm 10μm max 1-0-0±1° 50μm max 用户规定 见注3
表1 尺寸和公差要求
特 直 性 径 尺 寸 300.00 725 1.00 90 100 10 ≥0.80 公差 ±0.20 ±20 ＋0.25, －0.00 ＋5，－1 单位A mm μm mm ° μm μm
厚 度，中 心 点 切 口 （见图7） 深 角 翘 曲 度 最 大 值B 总厚度变化（GBIR）C 最大值 背面光泽度D 抛光的边缘轮廓表面加 工度E 边缘轮廓 座标:（见图4） 表3 Cy Cx 度
300mm硅单晶及抛光片标准
有研半导体材料股份有限公司 孙燕
一、300 mm硅单晶及抛光片现状
300mm硅抛光片的产品、工艺技术在国外已经很成熟。 而在我国起步较晚，还处于试验阶段。 因此对于集成电路所需的300mm硅片的基本参数指标、 金属污染和缺陷控制、表面形态与质量、成本等都面临着新 的挑战。硅材料的生产工艺、技术、检测方法已成为今后研 究的主要内容，同时也是推动产业发展的关键所在。 随着300mm硅单晶及抛光片的诞生，我们也面临一个制定 相应的国家标准的问题。
9.7 TBD TBD TBD 10.0 TBD
亮度（光泽） 目视缺陷 划伤(宏观)－总长度 划伤(微观)－总长度 其他特性 边缘条件
不规定 ≤25点／每片 无 ≤150mm 抛光
注1：位错蚀坑密度不作规定。晶片允许有空穴富集或自间隙原子富集，“环”结构也是 容许的（FQA内的V－I边界）。 注2：5背面的T7参见SEMI M1.1; 背面的M12OCR标志参见SEMI M1.15，可以任选添加，但 只作临时使用，在T7标志获得成功后再废除。 注3：局部平整度规定为SFQR，其局部尺寸为25mm×25mm，X偏移＝Y偏移＝0.112个格点。 不推荐对局部平整度进行全检，但应对100％的有用面积（@≤0.4μm）或99％的有用面积 （@≤0.18μm）的工艺控制能力进行验证。 注4：对于晶片的局部光散射体（LLS）数量，由供需双方协商确定；在PSL等效中LLS的尺 寸规定为≥0.16μm，最好降到≥0.12μm。
谢
谢！
SEMI M8中设计线宽0.13μm的300mm硅单晶抛光试验片规范指南
项 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 3.0 3.1 3.2 一般特性 生长方法 晶向 导电类型 掺杂剂 标称边缘去除 电学特性 电阻率 径向电阻率变化 电阻率条纹 少数载流子寿命 化学特性 氧浓度 径向氧变化 ≤32ppma（旧版ASTMF121－79） 不规定 0.5~50.0 ohm-cm 无 无 无 CZ或MCZ 1－0－0 P型 硼 3mm 目 P型试验片
我国的产品标准是分为硅单晶、硅单晶切割研磨片、硅单 晶抛光片。目前的直径最大只到200mm。不包含12英寸的单 晶及硅片。我们的标准也给出了最基本的参数要求和测试方法、 抽样标准、包装及的内容。ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ样是更多的参数要求是由供需双 方协商的。但是受我们国家标准中测试方法的限制，给出的测 试方法不及SEMI标准详尽，也没有按照硅片用途区分要求。
指标 300±0.2 775±20 ≤2 ≤50 ≤1.0 ≤0.13 <100 <50 <20 ≤1.0e10 ≤5.0e10
用户评估测试指标
用户评估：
1.对同一根单晶头部、中部和尾部分别切取7 片、25片和13 片，加工后 送交用户进行评估：GBIR 平均1.19um，最大的GBIR 小于2um；大部分硅 片表面〉0.12um 的颗粒数少于50 个/片。 2.送交1350 片12 英寸硅单晶抛光片于用户进行评估。 GBIR 平均 0.85um，最大的GBIR 小于1.61um；硅片表面 〉0.12um LPD平均值32.4，最
二、 国外涉及300mm产品标准的现状 SEMI的硅单晶的产品标准主要是抛光片规范SEMI M1。 它由一系列直径从2英寸、100mm，直到300mm，及直径 350mm和400mm硅单晶抛光片规格组成，其中只涉及了 最基本的尺寸指标：直径、厚度、晶向、切口或参考面尺 寸极其公差；弯曲度、翘曲度、总厚度变化的最大允许 值，以及轮廓的要求。并且参数都是最宽泛的。SEMI M1.15直径300mm硅单晶抛光片规格（切口）见下表所示。
三、我们的打算 随着半导体产业高潮的到来，硅材料将以高质量、低成本为 主要目标，向标准化设备、厂房，新的加工处理工艺和大直径 化方向发展。半导体硅的结构、特性的研究会随不断深入；其 缺陷控制、杂质行为、杂质与缺陷互作用及表面质量仍将是工 艺技术研究的主攻方向。 我们将沿用我们国标的体系，在2009年之前在生产、研发的 基础上完善300mm硅单晶、300mm硅单晶切割和磨削片、 300mm硅单晶抛光试验片的企业标准，并将完成300mm系列的 行标或国标的制定。
从上面的表中可以看到，SEMI M8和SEMI M24中都针对 各个参数详尽的给出了SEMI DIN、JEIDA和JIS 这些国际先 进标准的测试方法。 在使用过程中，我们感到：对产品标准而言，因为涉及 到不同的品种和用户，标准中只能给出最重要的的参数及 最基本的要求，有些时候，虽然是最重要的参数也无法在 标准中规定要求。因此对硅抛光片，无论SEMI还是我们的 国标，给出的最多的要求是尺寸上的要求，而且是最宽泛 的要求。而对于那些“最重要”的要求往往是由供需双方 协商的。但是，其实最有用的是对各个参数的测试方法和 抽样方法的规定。
四、希望
我们一直都非常关注国外先进标准的颁布和更新。过去 一般每隔几年去买一本ASTM的相关卷册。自从2004年硅的 测试方法标准转为SEMI标准后，我们感到虽然标准的更新 速度更快，使我们更及时的了解了国际硅行业的动态，但是 我们也无法买到所有标准的英文版的相关卷册。而每一标准 的价格对企业来说，特别是要经常更新是难以承受的。对此 我们深感遗憾。
（T/4）F 194 100
μm μm
表2 取向要求
特 性 要 求
切 口 中 心 线 取 向A 副参考面位置 表面取向
<110>±1° 无副参考面 [100]±1°
除此之外，SEMI标准中涉及300mm的标准还有，SEMI M8 《硅单晶抛光试验片规范》， SEMI M24《优质硅单晶抛光片规 范》。标准中包含术语、订货单内容、合格证、抽样标准、详尽 的各个参数的测试方法、表面缺陷的判别标准、包装和标志的内 容，但其中也有不少项目是没有具体规定或者要求按照用户规格 或由供需双方协商。 SEMI M8是针对半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅 单晶抛光试验片。对2英寸到300mm的试验片的订货项目及要求。 以及0.13μm线宽的300mm试验片规范指南。 SEMI M24《优质硅单晶抛光片规范》是针对150-300mm直 径， 用于颗粒检测、金属沾污监控、和光刻工艺图形测量的硅单 晶抛光片。针对0.25-0.13μm不同线宽的要求的抛光片规格，给 出了三种不同用途硅片的项目要求。
2006年备案的企业标准指标
项目 晶向 掺杂元素 电阻率范围Ω.cm 径向电阻率变化 氧含量 atoms/cm3 碳含量 atoms/cm3 位错密度 个/ cm3 体金属含量（Fe） atoms/cm3 指标 <100>±0.5º 硼 0.5-20 ≤10％ ≤1.1e18 ≤2.0e16 ≤10 ≤5.0e10
项目 硅片直径及允许偏差mm 硅片厚度及允许偏差 μm 总厚度变化 μm 翘曲度 μm 总平整度 μm 局部平整度(SFQR) μm (25*25) 局部光散射体 ≥0.12μm LLSs ≥0.16μm （个/片） ≥0.2μm Cu/Cr/Fe/Ni/Zn 表面金属 atoms/cm2 Al /K/Na/Ca
8.0 8.1A 8.2B 8.3 8.4 8.5 8.6 8.7 8.8 8.9 8.10 8.11 8.12 8.13 8.14 8.15 9.0 9.1 9.6
正表面要求 划伤(宏观)－累计长度 划伤(微观)－累计长度 蚀坑 雾 局部光散射体 沾污／区域 崩边 边缘、裂纹 裂纹、鸦爪 火山口 凹坑 沟槽 小丘 桔皮 刀痕 背表面要求 崩边 无 无 ＜0.10×直径 无 无 见注4 无 无 无 无 无 无 无 无 无 无
大值为80 个/片。表面金属低于1E10atoms/cm2。
3.提供的12 英寸硅抛光片用于A（Particle）、B（Super Flat）、C（Control）
和E（Mechanical）规格评估 。评估项目最关键的三项指标：表面颗粒、COP
和表面金属污染。评估结果认为：样品全部能够满足C E类片子的表面缺 陷和金属污染的要求，95.7%的片子可以满足A B类硅片的表面金属和金属 污染要求。
有研硅股1997年成功拉制了第一根300mm硅单晶。近几年 来一直生产直径230-450mm的硅单晶。2007年生产的300mm硅 抛光片作为陪片已经通过用户的评估测试。并完成了12寸硅 外延主体设备、配套管路及检测设备的调试和外延片的研 制，样品已通过用户的测试。 下面我们给出了WACKER的产品标准；我们2006年在质量 技术监督局备案的企业标准中对300mm单晶及抛光试验片的 主要技术指标要求；以及我们生产的300mm抛光片送到用 户，用户的测试数据。