EPI 缺陷介绍.
PCB各种线路缺陷分析汇总
十二、蚀板不净（夹菲林）
切片图
1、蚀板不净(夹菲林)不会发亮,底部很平,没有坡度,呈阶梯状，会有一些被蚀的痕迹. 2、从切片上看，蚀板不净处没有图电层。
十三、针孔
1、针孔一般发生在线路或孔环的边缘，不会出现在线路中间。 2、针孔的切片是一个非常平滑的圆弧，有图电层。
十四、绿油钉床压伤
1、绿油钉床压伤是定位性的，线路压伤 处一般呈现圆形凹陷，底部会有延伸突出。 2、切片图形呈弓状，图电层被挤压向 板电层。
八、显影不净
1、较少发生、一般面积较大
2、断口及附近线路边缘发亮，
九、图电后擦花
切片图
1、图电后的擦花，一般擦花处的基材和铜面都较为粗糙，基材上会有铜粒， 擦花的线路处会有明显被擦花的痕迹，线路边会有顺着擦花方向的突出。 2、从切片上看，擦花处的线路会被压向基材方向，有明显的弯曲。
十、甩膜
十、干膜余胶导致的线路不良
各种线路缺陷分析汇总
制作：科惠
皮东明
日期：2012年6月3日
一、板电后图电前擦花
切片图
1、断口处的铜表面光滑、没有被蚀痕迹。 2、OPEN处的基材有或轻或重的被损伤痕迹（发白）。 3、形状多为条状或块状。 ４、附近的线路可能有渗镀或线路不良出现。 ５、从切片上看，图电层会包裹板电层和底铜。
二、铜面附着干膜碎
切片图
1、干膜余胶造成的线路不良，基材位不会有残铜。 2、线路不良处底部一般都非常平整，会露出铜的颜色，与周围线路的颜色不一样。 3、从切片上看，线路不良处板电层和底铜完整，但镀不上二铜，周围的图电层 有一个包裹的动作。
十一、渗镀
1、从平面上看,渗镀处会发亮,渗镀的地方会有一个圆滑的坡度,没有被蚀的痕迹 。 2、从切片上看，渗镀处有图电层。
注塑缺陷描述及解决方案
注塑缺陷描述及解决方案一、缺陷描述注塑是一种常见的塑料加工方法，广泛应用于各个行业。
然而，在注塑过程中，常常会出现一些缺陷，影响产品的质量和性能。
下面将描述一些常见的注塑缺陷。
1. 气泡缺陷：气泡是注塑过程中常见的缺陷之一。
它们通常出现在塑料制品的表面或内部，给产品的外观和强度带来不利影响。
气泡的形成可能是由于塑料材料中含有挥发性成分，或者注塑过程中存在过高的温度或压力。
2. 热流痕缺陷：热流痕是由于注塑过程中塑料材料的流动受到阻碍而形成的。
它们通常呈线状或条状，并且会降低产品的外观质量。
热流痕的形成可能是由于模具设计不合理、注塑温度过高或注塑速度过快等原因。
3. 毛刺缺陷：毛刺是指产品表面出现的细小突起，给产品的触感和外观带来不良影响。
毛刺的形成可能是由于模具表面粗糙、注塑温度过高或注塑压力过大等原因。
4. 缩孔缺陷：缩孔是指塑料制品内部出现的空洞或凹陷，降低了产品的强度和密封性能。
缩孔的形成可能是由于注塑过程中塑料材料的收缩不均匀或注塑温度不合适。
5. 热胀冷缩缺陷：热胀冷缩是指注塑制品在冷却过程中由于温度变化而引起的尺寸变化。
如果注塑制品的尺寸与设计要求不符，就会影响产品的装配和使用。
热胀冷缩的控制需要合理设计模具和控制注塑工艺参数。
二、解决方案针对上述注塑缺陷，以下是一些常见的解决方案，以帮助改善产品质量和性能。
1. 气泡缺陷解决方案：- 选择低挥发性的塑料材料，减少挥发性成分的含量。
- 调整注塑过程中的温度和压力，避免过高的温度或压力导致气泡的形成。
- 使用真空抽气装置，帮助排除塑料材料中的气泡。
2. 热流痕缺陷解决方案：- 优化模具设计，确保塑料材料的流动畅通无阻。
- 降低注塑温度，避免过高的温度导致热流痕的形成。
- 控制注塑速度，避免过快的注塑速度导致热流痕的产生。
3. 毛刺缺陷解决方案：- 改善模具表面的光洁度，减少毛刺的形成。
- 调整注塑温度和压力，避免过高的温度或压力导致毛刺的产生。
流行病学应用软件包──Epi Info
#2 6.实用工具
1）EPIINFO2000版整合了统计地图软件EPIMAP，它自带美国、墨西哥的行政区图，同时提供自制边界图的工具。它可直接用EPIINFO的数据作图，只需在数据库中设立地图字段。在Analysis窗口选Statistics\Map，选取预先准备的边界文件（Shape File）和数据变量（Data Variable）即可完成统计地图的绘制，进而分析地理与疾病的关系。
#2 3.查看与统计
点击\Analyze Data出现图4（^15050201d^），在此窗口可以对数据进行查看、编辑和统计分析。在Analysis窗口中显示了Epiinfo的全部命令。选择READ命令，在弹出的对话框中确定数据库及其中的表，再运行LIST命令对话框设置过滤，右上方OUT窗口即显示表内容。你也可以用SORT命令排序，DEFINE设置新字段，并用ASSIGN给它赋值。如果你要进行统计，只需接着选取统计命令并设置对话框就能在OUT窗口看到结果了。对于熟悉其命令的用户可在图4右下方的Program Editor中直接用命令操作。
流行病学应用软件包──Epi Info
王劲松
2001年 15期
Epi Info是美国CDC（疾病控制中心）和WHO联合研制的流行病学工作专用软件包，其5.0和6.0版以DOS为平台，在90年代曾风靡一时，上海医科大学俞顺章教授曾对5.0版作过汉化。最新的2000版是适用于WIN9X、NT、2000平台的产品，它还将EPIMAP也整合进来。能够便捷地制作适用于公共卫生和医学专业的各种调查表、定制数据输入文件、分析数据、疾病监测等。流行病学常用分析、表格、统计图、疾病分布地图等只须使用一些简单的命令如FREQ、TABLES、GRAPH和MAP就可以完成。2000版改用VB 6重写了全部程序，增加了所支持的数据文件的种类，它自身的数据文件从以前的.REC格式变成了.MDB格式，虽向下兼容但需要转换。此外还提供了WWW浏览器，支持HTML文本，Epi Map还支持ArcView GIS。各版本的EPI软件包都是免费的，且可从CDC官方站点下载（/epo/epi/epiinfo.htm），2000版有37MB可分割成27张软盘下载。下面我们就对它作一介绍。
本地化测试软件缺陷分类详解
本地化测试软件缺陷分类详解本地化测试发现的软件缺陷特征明显，便于分类。
本文按照本地化测试软件缺陷的特征进行分类，详细地分析各种缺陷的表现特征，简要描述各类缺陷的产生原因，最后给出各类缺陷的修正方法。
1. 缺陷类型概括地讲，软件本地化的缺陷主要分为两大类：核心缺陷和本地化缺陷。
两类缺陷的详细分类如下图所示：各类缺陷对应的英文名称如下表所示：中文名称英文名称说明本地化缺陷Localization Bug L10N Bug核心缺陷Core Bug语言质量缺陷Linguistic Bug用户界面缺陷UI Bug Cosmetic Bug本地化功能缺陷Localization Functionality Bug源语言功能缺陷Source Functionality Bug源语言国际化缺陷Source Internationalization Bug Source L18N Bug2. 缺陷表现特征由于本地化缺陷是本地化测试中出现的数量最多的缺陷，所以首先分析本地化缺陷的表现特征。
而本地化测试中发现的核心缺陷虽然数量不多，但是它们的危害程度更大，所以需要认真对待，接下来分析它们的表现特征。
2.1 用户界面缺陷•控件的文字被截断（Truncation）o对话框中的文本框、按钮、列表框、状态栏中的本地化文字只显示一部分•控件或文字没有对齐（Misaligned）o对话框中的同类控件或本地化文字没有对齐•控件位置重叠（Overlapped）o对话框中的控件彼此重叠•多余的文字（Extra strings）o软件程序的窗口或对话框中的出现多余的文字•丢失的文字（Missed strings）o软件程序的窗口或对话框中的文字部分或全部丢失•不一致的控件布局（Inconsistent layout）o本地化软件的控件布局与源语言软件不一致•丢失的文字（Missed strings）o软件程序的窗口或对话框中的文字部分或全部丢失•文字的字体、字号错误（Incorrect font name and font size）o控件的文字显示不美观，不符合本地化语言的正确字体和字号•多余的空格（Extra space）o本地化文字字符之间存在多余的空格2.2 语言质量缺陷•字符没有本地化（Unlocalized strings）o对话框或软件程序窗口中的应该本地化的文字没有本地化•字符不完整地本地化（Incomplete localized strings）o对话框或软件程序窗口中的应该本地化的文字只有一部分本地化•错误的本地化字符（Error localization）o源语言文字被错误地本地化，或者对政治敏感的文字错误地进行了本地化•不一致的本地化字符（Inconsistent localized string）o相同的文字前后翻译不一致o相同的文字各语言之间不一致o相同的文字软件用户界面与联机帮助文件不一致•过度本地化（Over localization）o不应该本地化的字符进行了本地化•标点符号、版权、商标符号错误（Incorrect punctuation, Copyright）o标点符号、版权和商标的本地化不符合本地化语言的使用习惯2.3 本地化功能缺陷本地化功能缺陷是本地化软件中的某些功能不起作用，或者功能错误，与源语言功能不一致。
注塑缺陷描述及解决方案
注塑缺陷描述及解决方案一、缺陷描述注塑是一种常见的塑料加工方法，用于制造各种塑料制品。
然而，在注塑过程中，可能会出现一些缺陷，影响产品的质量和性能。
以下是一些常见的注塑缺陷描述：1. 短射（Short Shot）：指注塑过程中，塑料未能完全充填模具的情况。
这可能是由于塑料料温度过低、注射速度过快或模具设计不合理等原因引起的。
2. 气泡（Air Trap）：指注塑制品内部出现气泡的情况。
气泡可能是由于塑料中含有水分或挥发性物质，或注射过程中未能完全排除空气引起的。
3. 热裂纹（Thermal Cracking）：指注塑制品表面或内部出现裂纹的情况。
这可能是由于塑料料温度过高、注射速度过快或冷却时间不足等原因引起的。
4. 毛刺（Flash）：指注塑制品边缘或模具接缝处出现多余的塑料。
这可能是由于模具不合理设计、注射压力过大或模具磨损等原因引起的。
5. 毛边（Burrs）：指注塑制品边缘出现不平整或多余的塑料。
这可能是由于模具磨损、注射压力不均匀或模具未正确对齐等原因引起的。
6. 缩水（Shrinkage）：指注塑制品尺寸缩小的情况。
这可能是由于塑料料温度过高、冷却时间不足或模具设计不合理等原因引起的。
二、解决方案针对以上注塑缺陷，可以采取一些解决方案来改善产品质量和性能：1. 控制注塑工艺参数：合理调整塑料料温度、注射速度、注射压力和冷却时间等工艺参数，确保塑料充填模具完全，避免短射和热裂纹等缺陷的发生。
2. 增加模具通气系统：在模具设计中增加通气系统，有助于排除塑料中的气泡，减少气泡缺陷的发生。
3. 增加冷却时间：适当延长冷却时间，有助于减少热裂纹和缩水等缺陷的发生。
同时，可以采用冷却水或冷却气体等辅助冷却手段，提高冷却效果。
4. 优化模具结构：对于出现毛刺和毛边等缺陷的产品，可以优化模具结构，增加模具冷却系统，降低注射压力，减少多余塑料的产生。
5. 选择合适的塑料材料：根据产品的要求和注塑工艺的特点，选择合适的塑料材料，具有良好的流动性和收缩性，有助于减少缺陷的发生。
常染色体显性遗传性少毛症分子遗传学研究进展
常染色体显性遗传性少毛症分子遗传学研究进展黄鹤群;汤华阳;孙良丹;陈梦云;徐明贵;许奕荟;许静凯;张学军【摘要】遗传性少毛症是一种表现为毛发永久性部分或完全缺失的单基因遗传性疾病,按遗传异质性分为常染色体显性遗传、常染色体隐性遗传、X连锁显性遗传、X连锁隐性遗传.本文重点介绍常染色体显性遗传性少毛症的各种亚型:遗传性单纯性头皮性少毛症(HSS)、遗传性单纯性少毛症(HHS)、Marie Unna型少毛症(MUHH)、常染色体显性羊毛状发(ADWH)、生长期毛发松动综合征(LAHS)等分子遗传学研究进展.%Hereditary hypotrichosis is a single gene genetic disease and the manifestation is partial or total hair losspermanently.According to the hereditary model, hereditary hypotrichosis includes the autosomal dominant, autosomal recessive, X-linked dominant and X-linked recessive hereditary hypotrichosis.This article focuses on the update of autosomal dominant hereditary hair less, including various subtypes, hypotrichosis simplex of scalp, hereditary hypotrichosis simplex, marie Unna hereditary hypotrichosis, autosomal dominant woolly hair and loose anagen hair syndrome.【期刊名称】《中国麻风皮肤病杂志》【年(卷),期】2017(033)008【总页数】4页(P502-505)【关键词】少毛症;突变位点;分子遗传【作者】黄鹤群;汤华阳;孙良丹;陈梦云;徐明贵;许奕荟;许静凯;张学军【作者单位】安徽医科大学皮肤病研究所,合肥,230000;安徽医科大学皮肤病研究所,合肥,230000;安徽医科大学皮肤病研究所,合肥,230000;安徽医科大学皮肤病研究所,合肥,230000;安徽医科大学皮肤病研究所,合肥,230000;安徽医科大学皮肤病研究所,合肥,230000;安徽医科大学皮肤病研究所,合肥,230000;安徽医科大学皮肤病研究所,合肥,230000【正文语种】中文遗传性少毛症是一组罕见的单基因遗传性疾病，主要表现为毛发局限性或弥漫性的稀少或缺失，活组织检查可以发现毛囊的减少、缺失或毛球萎缩。
EPI 缺陷介绍
沾污（Stain or Contamination ）
定义
硅片表面上只凭目测可见到的众多名目外来异物 的统称。可通过清洗和进一步研磨或抛光去除。 如（药液残留、水迹、手指印、吸笔迹等）
指纹 聚光灯下
沾污（Stain or Contamination ）
检查方法
表面——聚光灯下检查并按检查规格判定。 背面——在荧光灯下检查并按检查规格进行判定。
EPI 缺陷介绍
表面缺陷主要有：
堆垛层错、颗粒、凹坑、凸起、滑移线、擦 伤、沾污、雾
另外还有其它一些缺陷如：
崩边、缺口、裂纹、图形畸变、边缘皇冠等。
堆垛层错（stacking fault）
定义
晶体结构中原子偏离正常堆垛顺序而引起的一种 面缺陷。（原子排列次序发生错乱所引起）
硅晶格结构由三种面(A、B、C）构成。在完美的晶体中， 这三种面按一定的顺序堆积起来（象…ABCABC…）这样。 如果有一个面插入（或移出）晶格结构，原有正确的层的 顺序就被扰乱，层错就产生了。 产生层错的原因：衬底表面的损伤和沾污、残留氧化物、 掺杂剂不纯、颗粒、生长速度太快等。减少硅片表面的
凹坑（Pit and Dimple）
检查方法
Pit: 聚光灯下检查为亮点，在荧光灯下进行确认， 看荧光灯在硅片表面的波形是否凹陷。 Dimple:在荧光灯下进行检查，确认荧光灯在硅片 表面的波形是否凹陷。
突起（Spike and Mound）
定义
Spike:硅片表面高而瘦的突起，在显微镜下看类似 “女皇头”。 Mound:硅片表面不规则形状的乳突。
图形畸变
定义
外延前后光刻对准的图形宽度绝对值的变化。
外延前
外延后
外延前
外延后
epi工艺流程
epi工艺流程Epi工艺流程其实就像是一场奇妙的魔法之旅呢。
一、Epi的概念。
Epi呀，它是外延层的简称。
这外延层就像是给原本的半导体材料穿上了一件特制的“衣服”。
为啥要穿这件“衣服”呢？因为这件“衣服”可以赋予半导体一些新的特性，让它在电子设备里能更好地发挥作用。
比如说，它可以改变半导体的电学性能，让电子在里面跑得更顺畅或者更有规律。
二、原材料准备。
在这个工艺流程里，原材料的准备可是很重要的一环哦。
我们得挑选合适的衬底材料，就像盖房子要选好地基一样。
这个衬底材料要纯净，杂质越少越好。
要是杂质太多了，就像是在平坦的马路上突然出现好多小石子，电子跑起来就会磕磕绊绊的。
而且，这些衬底材料的尺寸和质量都得严格把关。
就像我们选水果，又大又好的才是我们想要的。
三、生长环境。
接下来就是生长环境啦。
这就像是给我们的外延层创造一个舒适的“家”。
这个“家”得保持非常干净，一点点灰尘都不能有。
而且温度、压力还有气体流量这些条件都得恰到好处。
温度就像是这个“家”里的空调温度，太高或者太低都不行。
压力呢，就像是这个“家”里的气压，要稳定在一个合适的数值。
气体流量就像是这个“家”里的空气流动速度，得刚刚好才能让外延层健康地“生长”。
四、生长过程。
然后就到了生长过程啦。
这个过程就像是植物生长一样，不过比植物生长要复杂得多。
我们要通过化学气相沉积（CVD）的方法来让外延层一点点长出来。
在这个过程中，各种气体像是小工匠一样，按照一定的比例和顺序进入反应室。
这些气体分子在反应室里就像是在开一场盛大的舞会，它们相互碰撞、结合，然后就慢慢地在衬底材料上形成了我们想要的外延层。
这个过程可不能着急，得一步一步来，就像我们做蛋糕，每个步骤都得做对了，蛋糕才能又好看又好吃。
五、检测环节。
外延层生长出来了，可还不能松口气呢。
我们得对它进行检测，看看这个外延层是不是符合我们的要求。
检测就像是给外延层做一次全面的身体检查。
我们会检查它的厚度，要是厚度不均匀，那就像是衣服有的地方厚有的地方薄，肯定不行啦。
外延工艺在集成电路制造产业中的应用(doc5)(1)
外延工艺在集成电路制造产业中的应用外延(Epitaxy,简称Epi)工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层能够是同质外延层(Si/Si)，也能够是异质外延层(SiGe/Si或SiC/Si等)；同样实现外延生长也有许多方法，包括分子束外延(MBE)，超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)，常压及减压外延(ATM&RPEpi)等等。
本文仅介绍广泛应用于半导体集成电路生产中衬底为硅材料的硅(Si)和锗硅(SiGe)外延工艺。
依据生长方法能够将外延工艺分为两大类(表1)：全外延(BlanketEpi)和选择性外延(SelectiveEpi,简称SEG)。
工艺气体中常用三种含硅气体源：硅烷(SiH4)，二氯硅烷(SiH2Cl2,简称DCS)和三氯硅烷(SiHCl3,简称TCS)；某些特别外延工艺中还要用到含Ge和C的气体锗烷(GeH4)和甲基硅烷(SiH3CH3)；选择性外延工艺中还需要用到刻蚀性气体氯化氢(HCl)，相应中的载气一般选用氢气(H2)。
外延选择性的实现一般通过调节外延沉积和原位(in-situ)刻蚀的相对速率大小来实现，所用气体一般为含氯(Cl)的硅源气体DCS，利用相应中Cl原子在硅表层的吸附小于氧化物或者氮化物来实现外延生长的选择性；由于SiH4不含Cl原子而且活化能低，一般仅应用于低温全外延工艺；而另外一种常用硅源TCS蒸气压低，在常温下呈液态，需要通过H2鼓泡来导进相应腔，但价格相对低廉，常利用其快速的生长率〔可抵达5um/min〕来生长对比厚的硅外延层，这在硅外延片生产中得到了广泛的应用。
IV族元素中Ge的晶格常数(5.646A与Si的晶格常数(5.431A区不最小，这使得SiGe与Si工艺易集成。
在单晶Si中引进Ge形成的SiGe单晶层能够落低带隙宽度，增大晶体管的特征截止频率fT(cut-offfrequency)，这使得它在无线及光通信高频器件方面应用十分广泛；另外在先进的CMOS集成电路工艺中还会利用Ge跟Si的晶格常数失配(4%)引进的晶格应力来提高电子或者空穴的迁移率(mobility)，从而增大器件的工作饱和电流以及响应速度，这正成为各国半导体集成电路工艺研究中的热点。
原发性免疫缺陷病PPT
调节免疫应答及免疫细胞与炎性细胞的相互反应 新生儿呈Th2偏移
13
小儿免疫系统发育及特点
• 特异性体液免疫（B细胞免疫）
– 骨髓：是B细胞分化成熟的场所 – B细胞
• 在抗原刺激和细胞因子诱导分化为浆细胞 产生免疫球蛋白（Ig）
• 足月新生儿B细胞数量略高于成人
14
小儿免疫系统发育及特点
抗
维清
免识
感
持 自
除 衰 老
身、
疫 监
别 、 清
视除
染
稳 定
死 亡 和
功 能
突 变 细
损
胞
伤
细
胞
5
免疫基础理论
• 免疫系统的组成 • 免疫器官和组织
中枢免疫器官：骨髓和胸腺 • 外周免疫器官：淋巴结、脾
6
免疫基础理论
• 免疫系统的组成
免疫细胞 T、B淋巴细胞和吞噬细胞等 免疫活性分子 免疫球蛋白、细胞因子和其他免疫分子等
16
g/L
14 12 10 8 6 4 2
Total IgG
Baby IgG
Maternal IgG 0.6
1 3 5 6ms 2 4 8 10 12yrs
生后血清免疫球蛋白IgG的浓度变化
小儿免疫系统发育及特点
• 特异性体液免疫—免疫球蛋白
IgM：
不能通过胎盘 胚胎第12周即能合成，个体发育最早的Ig 脐血含量极低，新生儿脐血IgM过高提示宫内感染（ IgM >0.2～0.3g/L) 3～4月为成人的50%，1岁时为75%，于6～8岁达成 人水平 IgM是抗G-杆菌的主要抗体
体相关性疾病
原发性免疫缺陷病分类
疾
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沾污（Stain or Contamination ）
定义
硅片表面上只凭目测可见到的众多名目外来异物 的统称。可通过清洗和进一步研磨或抛光去除。 如（药液残留、水迹、手指印、吸笔迹等）
指纹 聚光灯下
沾污（Stain or Contamination ）
检查方法
表面——聚光灯下检查并按检查规格判定。 背面——在荧光灯下检查并按检查规格进行判定。
硅片表面的微小附着物。
颗粒来源：环境；药液；生产设备；净空服；操作等 环境：10级（一立方尺寸的空间中0.5μm以上的颗粒在 10个以下）。勤于清洁，减少堆积。 药液：选择高纯度，按先进先出原则进行管理，预防过 期药品的使用。 生产设备：使用颗粒较少的材料（如防静电材料）、设 备要接地（防止接地）等。 净空服：通过选材、定期清洗、保管等进行控制。 操作：操作时尽可能不经过硅片表面、不跑动、不拍打 衣服等动作的发生。
图形畸变
定义
外延前后光刻对准的图形宽度绝对值的变化。
外延前
外延后
外延前
外延后
边缘皇冠（Edge crown)
定义
由于生长速率的不同，硅片外周（倒角边缘）的 外延层厚度增加形成皇冠状缺陷。
That’s over Thank you
定义
硅片外周的缺损,从硅片的一面贯穿到另一面的不 规则缺损。
检查方法
聚光灯下或荧光灯下检查，但以荧光灯下检查结 果进行判定。 (可以通过理平机理平时检查)
裂纹（Crack)
定义
硅片表面解理或裂痕，可能贯穿、也可能不贯穿 整个硅片厚度。
鸦爪式裂纹
检查方法
Crows foot
聚光灯下或荧光灯下检查，但以荧光灯下检查结 果进行判定。
凹坑（Pit and Dimple）
检查方法
Pit: 聚光灯下检查为亮点，在荧光灯下进行确认， 看荧光灯在硅片表面的波形是否凹陷。 Dimple:在荧光灯下进行检查，确认荧光灯在硅片 表面的波形是否凹陷。
突起（Spike and Mound）
定义
Spike:硅片表面高而瘦的突起，在显微镜下看类似 “女皇头”。 Mound:硅片表面不规则形状的乳突。
颗粒（Particle）
检查方法
聚光灯检查：在聚光灯下显现为亮点，不随观察 角度的变化而消失。一般通过清洗可以去除。
聚光灯下
显微镜下）
凹坑（Pit and Dimple）
定义
Pit:硅片表面小的急剧凹陷。 Dimple:硅片表面有一定面积的浅的凹陷。 类似“浅酒窝”
Dimple
显微镜下
EPI 缺陷介绍
表面缺陷主要有：
堆垛层错、颗粒、凹坑、凸起、滑移线、擦 伤、沾污、雾
另外还有其它一些缺陷如：
崩边、缺口、裂纹、图形畸变、边缘皇冠等。
堆垛层错（stacking fault）
定义
晶体结构中原子偏离正常堆垛顺序而引起的一种 面缺陷。（原子排列次序发生错乱所引起）
硅晶格结构由三种面(A、B、C）构成。在完美的晶体中， 这三种面按一定的顺序堆积起来（象…ABCABC…）这样。 如果有一个面插入（或移出）晶格结构，原有正确的层的 顺序就被扰乱，层错就产生了。 产生层错的原因：衬底表面的损伤和沾污、残留氧化物、 掺杂剂不纯、颗粒、生长速度太快等。减少硅片表面的
雾（Haze）
定义
因硅片微观表面不规则性，而引起的光散射现象。 在强光下呈云朵和雾状，白色或彩色。
硅片表面微粗糙度非常小， 也就是说镜面程度非常高时， 聚光灯照在硅片表面的强光束 （Spot Light）会几乎全部被 反射，眼睛在主光束以外的地 方不会有光照入，因而看不到 Spot Light照在硅片表面的光 斑。 而硅片表面微粗糙度较大或表 面有一层雾状物时，聚光灯照在硅片 表面的强光（Spot Light）会发生 漫反射，因此从主光束以外某个方向 可以看到照在硅片表面的光斑，这就 是我们所说的“雾”。
损伤，洁净的表面很重要。
堆垛层错（stacking fault）
堆垛层错（stacking fault）
检查方法
聚光灯检查：在聚光灯下显示为亮点，且需在一 定的角度下才能发现。 显微镜检查：图形如下
a On (111) T=0.816L
b On (100)
颗粒（Particle）
定义
显微镜下164×
显微镜下200×
突起（Spike and Mound）
检查方法
聚光灯下检查：在聚光灯下表现为亮点，改变观 察角度确认该亮点是否高出硅片表面。一般不需 要区分是Spike 还是Mound。 如果特别要区分时，利用显微镜进行观察。
滑移线（Slip）
定义
由于硅片表面受热温度不均匀，晶体的一部分相 对于另一部分做剪切位移而形成的位错线。
雾（Haze）
检查方法
聚光灯下检查
聚光灯下
聚光灯下
显微镜下
崩边（Chip）
定义
硅片外周的不规则单面缺损,但不完全贯穿硅片的 区域。可以通过径向长度、圆周方向长度和深度 定义该大小。
检查方法
显微镜下37×
聚光灯下或荧光灯下检查，但以荧光灯下检查结 果进行判定。(可以通过理平机理平时检查)
缺口（Indent)
a On (111) 60°
a On (100) 90°
滑移线（Slip）
检查方法
聚光灯下检查或荧光灯下检查，具体根据相应的 检查规格进行判定
擦伤（Scratch）
定义
硅片表面上的微小损伤,一般长、宽之比大于5：1。 多为因操作不当造成。
聚光灯下
显微镜下
擦பைடு நூலகம்（Scratch）
检查方法
表面——聚光灯下检查并按检查规格判定。 背面——在荧光灯下检查并按检查规格进行判定。