三维高密度组装技术的发展及新成果
三维立体织物复合材料研究与进展
三维立体织物复合材料研究与进展随着科技的发展，复合材料在工业、民用和军事领域中被广泛应用。
三维立体织物复合材料是一种新型的增强材料，具有高强度、高刚度、高韧性、成型性好等优点，已经成为各种工业材料中不可或缺的一种。
本文将从三维立体织物的结构、制备及其应用方面综述其研究现状及进展。
1. 结构三维立体织物复合材料是由不同面密度的织物构成的。
由于三维立体织物的结构特殊，其性能比二维复合材料更优异。
三维立体织物的结构通常由一个或多个三维交织的体和两个被称为“二面”的两个表层。
其中，三维交织的体是由纵向纤维、横向纤维和Z 向纤维相互交织构成。
在制备过程中，纵向纤维通过贯穿织物的织机械设备撬开，经过钩针或喷织设备将横向纤维和Z 向纤维与其相互交织。
每个层次的纱线和织物的间隔尺寸都是可调节的，这使得三维立体织物的结构通过控制纵向、横向和Z 向的纱线结构来实现。
2. 制备三维立体织物复合材料制备技术是目前研究的热点之一，目前已经研制出许多相应的生产工艺，包括针织法、喷织法、无纺布法、编织法等。
( 1)针织法：是一种纱线由一台细针织机械编成的三维结构。
它采用针织设备排列的行和针织面来构造一个连续的、无缝的三维结构织物。
在织物的表面和内部织有不同的纱线密度或纺织结构。
( 2)喷织法：是一种通过喷织纤维来制造三维立体织物的方法。
将树脂/纤维复合材料从喷嘴或泵喷出，并通过喷嘴将复合材料沉积在三维织物上。
在制备过程中，纵向纤维通过喷嘴或滚轮决定，横向纤维和Z向纤维则通过喷射进行构造。
( 3)无纺布法：是一种制造无纺布的方法，其特点是不需要经过织造过程，可以快速制造出优质的三维立体织物。
目前，无纺布法主要采用热风交织、喷丝和湿法交织等方法来实现。
(4) 编织法：与纺织品的编法类似，纵向纤维被编织成为连续结构，然后横向纤维和Z 向纤维被插入编织的结构中，形成一个具有三维立体结构的织物。
3. 应用三维立体织物复合材料具有优异的力学性能及成型性等特点，因此广泛应用于航空航天、军事、汽车、建筑和医疗等领域。
三维封装技术创新发展
三维封装技术创新发展（2020年版）先进封测环节将扮演越来越重要的角色。
如何把环环相扣的芯片技术链系统整合到一起，才是未来发展的重心。
有了先进封装技术，与芯片设计和制造紧密配合，半导体世界将会开创一片新天地。
从半导体发展趋势和微电子产品系统层面来看，先进封测环节将扮演越来越重要的角色。
如何把环环相扣的芯片技术链系统整合到一起，才是未来发展的重心。
有了先进封装技术，与芯片设计和制造紧密配合，半导体世界将会开创一片新天地。
现在需要让跑龙套三十年的封装技术走到舞台中央。
日前，厦门大学特聘教授、云天半导体创始人于大全博士在直播节目中指出，随着摩尔定律发展趋缓，通过先进封装技术来满足系统微型化、多功能化成为集成电路产业发展的新的引擎。
在人工智能、自动驾驶、5G网络、物联网等新兴产业的加持下，使得三维（3D）集成先进封装的需求越来越强烈，发展迅猛。
一、先进封装发展背景封装技术伴随集成电路发明应运而生，主要功能是完成电源分配、信号分配、散热和保护。
伴随着芯片技术的发展，封装技术不断革新。
封装互连密度不断提高，封装厚度不断减小，三维封装、系统封装手段不断演进。
随着集成电路应用多元化，智能手机、物联网、汽车电子、高性能计算、5G、人工智能等新兴领域对先进封装提出更高要求，封装技术发展迅速，创新技术不断出现。
于大全博士在分享中也指出，之前由于集成电路技术按照摩尔定律飞速发展，封装技术跟随发展。
高性能芯片需要高性能封装技术。
进入2010年后，中道封装技术出现，例如晶圆级封装（WLP，Wafer Level Package）、硅通孔技术（TSV，Through Silicon Via）、2.5D Interposer、3DIC、Fan-Out 等技术的产业化，极大地提升了先进封装技术水平。
当前，随着摩尔定律趋缓，封装技术重要性凸显，成为电子产品小型化、多功能化、降低功耗，提高带宽的重要手段。
先进封装向着系统集成、高速、高频、三维方向发展。
集成电路封装与封装技术进展与挑战
集成电路封装与封装技术进展与挑战集成电路封装与封装技术是现代电子产业中至关重要的一环，它对电路性能的稳定性、可靠性和尺寸紧凑性等方面都起到了关键作用。
随着科技的不断发展，封装与封装技术也在不断进步与演变，同时也面临着一些挑战。
一、集成电路封装的发展20世纪70年代，集成电路封装技术处于起步阶段，常见的封装形式是DIP（Dual Inline Package）和TO（Transistor Outline）等形式。
这些封装方式体积庞大，占据大量的空间，制约了集成电路的发展。
在80年代初，芯片的集成度不断提高，对封装技术也提出了更高的要求。
为了解决封装体积大的问题，引入了PLCC （Plastic Leaded Chip Carrier）和PGA（Pin Grid Array）等新型封装技术。
这些技术不仅能够以更小的尺寸实现更高的集成度，而且还能够提高电路的可靠性和耐热性能。
到了90年代，为了满足半导体工艺短板和市场需求的不断提高，传统二维封装开始不再适应集成电路的发展需求。
于是开始出现三维封装技术的研究，如BGA（Ball Grid Array）和CSP（Chip Scale Package）等封装技术应运而生。
这些封装方式不仅实现了电路更高的集成度和更小的体积，而且还提高了电路的散热和信号传输能力。
进入21世纪，人们对集成电路封装技术提出了更高的要求。
在追求更高集成度和更小体积的同时，还要保证封装的可靠性和可制造性。
为此，现代集成电路封装技术不仅在封装材料、封装工艺和封装结构上做了大量的创新和研究，还开始引入了新的封装材料和封装工艺，如无铅封装技术、微机电系统封装技术等，以满足不同应用领域的需求。
二、集成电路封装技术的挑战尽管集成电路封装技术取得了巨大的发展，但仍面临着一些挑战。
首先，封装技术需要不断适应集成电路的快速发展。
集成度和功耗的不断增加意味着封装在制造工艺和材料上要有更高的要求。
如何实现更高的集成度和更小的体积，同时保证封装的可靠性和可制造性，是一个重要的挑战。
高精度三维重建技术研究
高精度三维重建技术研究随着计算机技术、传感器技术、图像处理技术的不断发展，三维重建技术已经有了很大的进步和发展。
三维重建技术是将现实世界的三维场景数字化，使之成为电脑模型，在虚拟空间中进行分析、设计和交互。
高精度三维重建技术是实现这一目标的重要手段之一。
一、高精度三维重建技术是什么？高精度三维重建技术是指利用高精度的设备和技术，对目标场景进行三维数据采集、处理和重建，以获取尽可能真实、精确的三维模型。
这种技术可以广泛应用于建筑、城市规划、文化遗产保护、汽车、机器人、医学等领域。
二、高精度三维重建技术的主要技术手段高精度三维重建技术包含三个主要技术手段：三维数据采集、三维数据处理、三维模型重建。
其中，三维数据采集是获取第一手数据，包括光学测量、激光测量、重力测量等技术；三维数据处理是将数据进行清洗、分类、配准、纠正等处理，保证数据质量；而三维模型重建是将处理后的数据进行拼接、填补、光照、纹理等处理，以获得高质量的三维模型。
三、高精度三维重建技术的发展现状高精度三维重建技术已经具有广泛的应用前景和市场潜力，因此各国的研究机构、大学和企业都在进行相关的研究和开发。
目前，全球的三维重建技术正在向数码化、高精度化和自动化方向发展。
在三维数据采集方面，激光雷达、立体摄像头、结构光等设备正逐渐取代传统的测量设备，实现了更高效、更高精度的三维数据采集。
在三维数据处理方面，计算机算法的进步使得数据的自动化处理变得更加容易和高效。
在三维模型重建方面，逐渐采用了深度学习等技术，使得三维模型的质量得到了进一步的提升。
四、高精度三维重建技术的应用高精度三维重建技术在建筑、文化遗产保护、机器人、汽车、医学等领域都有广泛的应用。
在建筑领域，可以利用三维重建技术实现建筑模型的精细化设计、制造和施工管理。
在文化遗产保护领域，可以对文物、古建筑等进行精确的三维数据采集和模型重建，从而做到保存和传承的一体化管理。
在机器人和汽车领域，可以利用三维重建技术进行自动导航和避障。
BGA多芯片组件及三维立体封装(3D)技术
BGA多芯片组件及三维立体封装(3D)技术2003-10-4 9:39:59 本文摘自《电子与封装》杨建生(天水永红器材厂，甘肃天水741000)摘要：本文主要对BGA多芯片组件技术和三维立体(3D)封装技术进行了浅析，同时简述了它们的主要特点及应用前景。
关键词：BGA多芯片组件；三维立体封装(3D)；特点中图分类号：TN305．94 文献标识码：A1引言目前半导体IC封装的主要发展趋势为多引脚、窄间距、小型、薄型、高性能、多功能、高可靠性和低成本，因而对系统集成的要求也越来越迫切。
通过由二维多芯片组件到三维多芯片组件(3D-MCM或MCM-V)技术，实现WSI的功能是实现系统集成技术的主要途径之一。
三维封装技术是现代微组装技术发展的重要方向，是微电子技术领域跨世纪的一项关键技术。
2 BGA多芯片组件多芯片组件最简单的定义是在封装(芯片载体)中有多于一个的芯片。
过去的几年已证明，在MCM的研究与开发方面出现了突飞猛进的增长现象，这是单芯片组件密度和性能受限的直接结果。
充分利用IC性能优点方面传统设计的基板结构，MCM把好几个IC芯片结合成为相当于一百多个高性能IC的功能。
复杂的基板结构是MCM技术的核心。
运用薄膜、厚膜、共烧及分层等方法，可把它装配于各类多层陶瓷、聚合物、各类金属、玻璃陶瓷和PCB上等。
电子电路互连封装协会(IPC)已给出了MCM的标准定义，确定了三种主要的MCM的类型。
MCM-C是使用厚膜技术诸如可共烧金属以形成导体图形的多芯片组件。
整个构成材料为陶瓷或玻璃一陶瓷材料或介电常数高于5的别的材料。
一言以蔽之，即在陶瓷或玻璃瓷板上形成MCM-C。
MCM-L是使用叠层结构和印制电路板技术以形成主要的铜导体及通孔的多芯片组件。
这些构造也许有时包含热膨胀控制金属层。
简言之，MCM-L使用加强的塑料叠层PCB技术。
MCM-D 就是在多芯片组件上或在硅、陶瓷或金属支撑的介电常数低于5的未加强介电材料上，通过薄膜金属淀积而形成的多层信号导体。
高密度数据存储技术及其未来发展趋势
高密度数据存储技术及其未来发展趋势随着信息时代的到来，人们对数据存储的需求越来越大。
为了满足日益增长的数据储存需求，高密度数据存储技术的研究和发展变得非常重要。
高密度数据存储技术是指在单位面积或体积内存储更多的数据的技术方法和手段。
本文将介绍几种当前被广泛研究和应用的高密度数据存储技术，并探讨其未来的发展趋势。
一、具有潜力的高密度数据存储技术1. 三维垂直存储技术三维垂直存储技术是通过堆积多层存储单元来实现高密度数据存储。
这种技术能够在较小的面积或体积内存储大量的数据。
目前，三维垂直存储技术已经进入商业化阶段，并得到了广泛的应用。
在未来，随着技术的不断创新和进步，三维垂直存储技术有望实现更高的存储密度，为数据存储带来更多的可能性。
2. DNA存储技术DNA存储技术是利用DNA分子的巨大存储容量和长期稳定性来存储数据。
DNA分子可以存储的数据量非常大，据估计，1克DNA可以存储1019字节的数据。
此外，DNA存储技术还具有较长的存储时间，DNA样本可以在适当的条件下保存数千年。
尽管目前DNA存储技术仍处于研究阶段，但它具有巨大的潜力，可以在未来解决数据存储容量不足的问题。
3. 光存储技术光存储技术是通过激光或光纤来储存数据的技术。
相较于传统的磁存储和固态存储，光存储技术具有更高的存储密度和更长的存储寿命。
光存储技术已在一些领域得到了广泛应用，例如光盘和蓝光光盘。
未来，光存储技术有望通过进一步的研究和发展，实现更高的存储容量，并成为高密度数据存储的重要手段之一。
二、高密度数据存储技术的未来发展趋势1. 存储介质材料的创新未来高密度数据存储技术的发展需要新的存储介质材料的创新。
当前的存储介质材料已经接近极限，很难进一步提高存储密度。
因此，研究人员正在寻找新的存储介质材料，例如石墨烯和钙钛矿材料，这些材料具有更高的存储密度和更好的性能。
2. 存储设备的小型化和集成化随着技术的进步，未来高密度数据存储设备将越来越小型化和集成化。
SMT贴片工艺(双面)
第一章绪论1.1 简介随着我国电子工艺水平的不断提高，我国已成为世界电子产业的加工厂。
表面贴装技术(SMT)是电子先进制造技术的重要组成部分。
SMT的迅速发展和普及，对于推动当代信息产业的发展起到了独特的作用。
目前，SMT已广泛应用于各行各业的电子产品组件和器件的组装中。
与SMT的这种发展现状和趋势相应，与信息产业和电子产品的飞速发展带来的对SMT的技术需求相应，我国电子制造业急需大量掌握SMT知识的专业技术人才。
1.2 SMT工艺的发展SMT工艺技术的发展和进步主要朝着4个方向。
一是与新型表面组装元器件的组装要求相适应；二是与新型组装材料的发展相适应；三是与现代电子产品的品种多，更新快特征相适应；四是与高密度组装、三维立体组装、微机电系统组装等新型组装形式的组装要求相适应。
主要体现在：啊1. 随着元器件引脚细间距化，0.3mm引脚间距的微组装技术已趋向成熟，并正在向着提高组装质量和提高一次组装通过率方向发展；2. 随着器件底部阵列化球型引脚形式的普及，与之相应的组装工艺及检测，返修技术已趋向成熟，同时仍在不断完善之中；3. 为适应绿色组装的发展和无铅焊等新型组装材料投入使用后的组装工艺要求，相关工艺技术研究正在进行当中；4. 为适应多品种，小批量生产和产品快速更新的组装要求，组装工序快速重组技术，组装工艺优化技术，组装设计制造一体化技术正在不断提出和正在进行研究当中；5. 为适应高密度组装，三维立体组装的组装工艺技术，是今后一个时期内需要研究的主要内容；6. 要严格安装方位，精度要求等特殊组装要求的表面组装工艺技术，也是今后一个时期内需要研究的内容，如机电系统的表面组装等。
第二章贴片工艺要求2.1 工艺目的本工序是用贴片机将片式元器件准确地贴放到印好焊膏或贴片胶的PCB表面相对应的位置上。
2.2 贴片工艺要求一、贴装元器件的工艺要求1. 各装配位号元器件的类型、型号、标称值和极性等特征标记要符合产品的装配图和明细表要求。
三维高密度电法的简单介绍
三维高密度电法的简单介绍什么是三维高密度电法？三维高密度电法（3D HDEM）是一种地球物理勘探技术，通过测量地下电阻率来确定地下的物性结构。
与传统电法相比，3D HDEM具有更高的空间分辨率和更强的深部探测能力，能够探测到深达数千米的地下构造。
原理及方法3D HDEM的原理是测量地下的电阻率分布来确定地下物性结构。
在勘探区域内铺设一定数目的电极，并通过交替施加电源电压和测量电阻来获得地下电阻率数据。
通过多组电极测量，可以构建出区域内的三维电阻率分布模型。
在3D HDEM勘探中，一般采用电极排列方式，可以分为正方体、十字形、三角形等各种方式。
在测量时，一组电极作为电源，另一组电极作为接收器，记录电压和电流的变化。
依据欧姆定律和电势分布规律求解各个节点的电阻率。
应用及优势三维高密度电法广泛用于矿产勘探、地质调查、灾害评估、环境监测等领域，尤其在复杂地质构造区域的勘探中具有独特优势。
例如在煤层气勘探中，3D HDEM可以高精度、高效地定位煤层气藏体积，并有效预测附近地质环境。
与传统二维电法相比，3D HDEM有以下优势：•空间分辨率更高，可以获得更精细的地下结构信息；•深部探测能力更强，能够探测到更深的地层；•可以生成真实三维模型，更直观、全面地反映地下情况；•可以测量大范围区域，覆盖面积更广。
总结三维高密度电法作为地球物理勘探技术的一种，具有高空间、深度探测能力的特点，能够为勘探、调查和监测等领域提供更加详尽和全面的地下信息。
作为地质探测技术的一种，它发挥着重要作用，而随着科技的不断发展，它的应用范围和优势还在不断扩展和提升，为各行各业的人们提供无穷的帮助。
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课题：三维高密度组装技术的发展及新成果院（系）专业：学生姓名：学号：三维高密度组装技术的发展及新成果XXX（桂林电子科技大学机电工程学院，广西桂林 541004）摘要：三维高密度封装技术是一种可实现电子产品小尺寸、轻重量、低功耗、高性能和低成本的先进封装技术，该技术已广泛用于手机、数码相机、MP4及其他的便携式无线产品, 是微电子学领域的一项重大变革技术，对现代化的计算机、自动化、通讯业等领域将产生重大影响。
随着人们对手持式电子设备不断提出的微型化、多功能化和集成化的需求，转化为采用三维（3D）方式装配印制电路板（PCB）强大推动力。
为满足电子产品轻、薄、小以及系统集成的需求,各种新的封装结构正在不断推出. 三维封装(3D packages)愈来愈受到重视。
本文概述了三维高密度组装思想在芯片封装领域的应用。
关键词：三维组装技术；3D-MCM；PIP；PoP；TSV；高密度封装；芯片堆叠Three-dimensional high-density assembly technologydevelopment and new achievementsXXX(School of Mechanical and Electrical Engineering of the Guilin University of Electronic Technology , Guilin, Guangxi 541004,China)Abstract: Three-dimensional high-density packaging technology is an enabling electronic products small size, light weight, low power consumption, high performance and low cost advanced packaging technology, which has been widely used in mobile phones, digital cameras, MP4 and other portable wireless products, is a major field of microelectronics revolution technology, the modern computer, automation, communications and other areas will have a significant impact. As people continue to raise handheld electronic device miniaturization, multi-functional and integration requirements, into a three-dimensional (3D) mode assembled printed circuit board (PCB) a strong force. Electronic products to meet the light, thin, small, and system integration requirements, a variety of new packaging structure is being constantly introduced. Dimensional package (3D packages) more and more attention. This article outlines the three-dimensional high-density chip package assembly of thought in the field of application.Key words: three-dimensional assembly technology, 3D-MCM, PIP, PoP, TSV;high-density packaging, chip stacking1.三维高密度电子组装发展概述在某种意义上，电子学近几十年的历史可以看作是逐渐小型化的历史，推动电子产品朝小型化过渡的主要动力是元器件和集成电路IC的微型化。
所谓封装是指将半导体集成电路芯片可靠地安装到一定的外壳上，封装用的外壳不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁，即芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。
因此，封装对集成电路和整个电路系统都起着重要的作用。
随着手机、PDA 、数码相机、MP4等移动消费型电子产品对于功能集成、大存储空间、高可靠性及小型化等封装的要求程度越来越高，及宇航、卫星、计算机及通信等军事和民用领域对提高组装密度、减轻重量、减小体积、高性能和高可靠性等方面的迫切需求,加之3D-MCM在满足上述要求方面具有的独特优点,因此在MCM（多芯片组件）X 、Y平面内的二维封装的基础上，沿Z方向堆叠的更高密度的三维封装技术近年来得到了迅速发展。
新的三维封装技术形式，或是将裸芯片，或是将封装体（如MCM）沿z 轴叠层在一起，这样，在小型化方面就取得了极大的改进。
同时，由于z 平面技术总互连长度更短，产生寄生电容更小，因而系统功耗可大幅降低。
2.三维高密度电子组装的类型三维立体组装就是把IC芯片(MCM片、WSI晶圆规模集成片)一片片叠合起来，利用芯片的侧面边缘或者平面分布，在垂直方向进行互连，将平面组装向垂直方向发展为立体组装。
三维组装可大致分为二类：板级组装和器件级组装。
对于板级组装，目前还未见有公开的报导。
器件级组装还可细分为三种：埋置型、有源基扳型和叠层型。
埋置型是在各类基板内或多层布线中“埋置”SMC/SMD,顶层再贴装SMC/SMD来实现立体封装；有源基板型是Si园片规模集成(WSI)后作为基扳，在其上再实施多层布线，最上层贴装SMC/SMD，实现立体封装；迭层型则是在二维平面电子封装(2D)的基础上，将每一层封装(如MCM)上下层层互连起来，或直接将两个LSI、VLSI面对面“对接”起来完成立体封装。
叠层式封装是把平面封装的每一层叠装互连，实现高密度三维封装，叠层式三维封装在研制开发中比较活跃，具体形式将在下文节中做介绍。
三维叠层封装主要分为三种形式: 载体叠层、裸芯片叠层和晶圆叠层。
3D裸芯片叠层封装技术主要有多芯片封装( multi-chip packaging,MCP)、内置封装技术( package-in-package , PiP )和叠层封装技术(package-on-package , PoP)。
2.1 MCM（multichip module)多芯片模块封装为了解决单一的芯片集成度和功能不够完善的问题，把多个高集成度、高性能、高可靠性的芯片，在高密度多层互联基板上用SMD技术组成多种多样电子组件系统，从而出现了MCM多芯片组件系统。
MCM（MCP）－Multi Chip Module 是单芯片封装在两维空间里的延伸，也是专用集成电路封装的一种模式。
MCM 具有系统尺寸小、引线框架互连基板芯片、系统功能强、节省PCB 空间、屏蔽和频率特性好、开发风险小、成本低。
MCM技术是将多个LSI/VLSI/ASIC裸芯片和其它元器件组装在同一块多层互连基板上，然后进行封装，从而形成高密度和高可靠性的微电子组件。
根据所用多层布线基板的类型不同，MCM可分为叠层多芯片组件（MCM -L）、陶瓷多芯片组件（MCM -C）、淀积多芯片组件（MCM -D）以及混合多芯片组件（MCM –C/D）等。
多芯片模块。
多芯片组件。
在这种技术中，IC模片不是安装在单独的塑料或陶瓷封装（外壳）里，而是把高速子系统（如处理器和它得高速缓存）的IC模片直接绑定到基座上，这种基座包含多个层所需的连接。
MCM是密封的，并且有自己的用于连接电源和接地的外部引脚，以及所处系统所需要的那些信号线。
将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装技术。
CM是在混合集成电路技术基础上发展起来的一项微电子技术，其与混合集成电路产品并没有本质的区别，只不过MCM具有更高的性能、更多的功能和更小的体积，可以说MCM属于高级混合集成电路产品。
2.1.1 MCM与MCP最近两三年来，MCM技术通过少芯片封装(FCP)形式获得了新生。
FCP有时也称为多重芯片封装(MCP)，已有越来越多公司出于技术和商业原因正在接受FCP。
虽然这些FCP看起来与它们单芯片同类没什么区别，但它们确实完全不同于90年代初期MCM，今天FCP不再使用多达二十个裸片，一般只用2～4个裸片装在球栅阵列封装基板上。
这一“再生”应部分归功于裸片测试和运送技术改善以及低成本高性能基板出现，随着FCP逐渐成为系统级芯片(SoC)替代方案，进一步还产生了系统级封装(SiP) 。
图1 MCM结构图2 MCP结构2.2 内置封装技术PiPPiP（Package in Package）是一种在BAP（Basic Assembly Package，基础装配封装）上部堆叠，再经过完全测试的内部堆叠模块（ISM，Inside Stacked Module），以形成单个CSP解决方案的3D封装，如图3所示。
PiP封装技术是Kingmax融合了TinyBGA内存封装技术而研发出的小型存储卡的一体化封装技术。
该技术整合了PCB基板组装及半导体封装制作流程。
PiP封装的外形高度较低，可以采用标准的SMT 电路板装配工艺。
但由于在封装之前单个芯片不可以单独测试，所以总成本较高(封装良率问题)，而且事先需要确定存储器结构，器件只能由设计服务公司决定，没有终端使用者选择的自由。
图3 PiP封装结构2.3 叠层封装技术PoPPoP（Package on Package）是以多层封装进行堆叠实现三维封装的技术方案，通常是相同功能封装的堆叠，引线框架型和基板型封装均可实现PoP封装，如图4所示。
其中基板型封装相对而言具有更高的封装密度、更薄的封装外形和更大的工艺灵活性等，同时具有更高的可靠性。
PoP封装技术的出现模糊了一级封装与二级装配之间的界线，在大大提高逻辑运算功能和存储空间的同时，也为终端用户提供了自由选择元器件组合的可能，生产成本也得以更有效的控制。
PoP封装技术的出现，更加丰富了3D叠层封装的形式。
图4 PoP封装结构3 三维高密度组装的优缺点3.1 三维高密度组装的优点近几年来，先进的封装技术已在I C制造行业开始出现，如多芯片模块(MCM)就是将多个I C芯片按功能组合进行封装，特别是三维( 3 D)封装首先突破传统的平面封装的概念，组装效率高达20 0％以上。