微电子技术发展趋势及未来发展展望
微电子制造技术的新进展与发展趋势
微电子制造技术的新进展与发展趋势微电子制造技术是当今信息时代的重要支撑之一。
随着信息技术的高速发展，微电子制造技术也在不断进步和发展。
本文将从微电子制造技术的新进展和未来发展趋势两个方面进行探讨。
一、微电子制造技术的新进展随着国内外市场对高品质电子产品需求的日渐增加，微电子制造技术在整个电子产业链中的作用越来越明显。
与此同时，随着人工智能、物联网、云计算等新技术的不断涌现，微电子制造技术也在不断革新和升级。
1、新型晶体管的涌现在微电子制造技术中，晶体器件是非常重要的一环。
传统的CMOS（互补金属氧化物半导体）技术，在达到4nm左右时遇到了困境。
但随着新型晶体管的涌现，这一限制得到了很大程度的突破。
例如，半金属半绝缘体场效应晶体管（FinFET）和多峰形蜗牛晶体管（MBCFET）等，在提高晶体管性能的同时，降低了功耗和散热问题，有望成为未来计算机芯片制造的新选择。
2、3D打印技术的应用3D打印技术的出现，为微电子制造技术带来了全新的突破。
该技术可以用于制造传统的电子元器件，也可以用于制造微纳米制造模板，甚至可以用于直接打印出基于碳纳米管和石墨烯等材料的电子元件。
这些技术对于微电子制造的材料和器件研究，带来了更为广阔的空间。
3、高清晰度显示器的生产高清晰度（High-Definition，简称HD）显示器可以提供更加清晰明晰的显示效果，已经成为移动设备、电视机等电子产品市场的主流趋势。
为了满足市场需求，微电子制造技术也在不断加强高清晰度显示器的制造技术。
例如，在制造宽色域显示器时，采用了类似于“白色LED + 红绿蓝荧光粉”的方式，提高了显示器的亮度和色彩还原度。
二、微电子制造技术的发展趋势除了新型晶体管、3D打印和高清晰度显示器等技术的突破，微电子制造技术在未来的发展趋势中还有以下几个方面的重点发展：1、低功耗和高信噪比低功耗和高信噪比是微电子制造技术需要持续发展的一个方向。
随着物联网的兴起，各种传感器的应用日益广泛。
微电子技术发展趋势及未来发展展望
微电子技术发展趋势及未来发展展望论文概要：本文介绍了穆尔定律及其相关内容，并阐述对微电子技术发展趋势的展望。
针对日前世界局势紧张，战争不断的状况，本文在最后浅析了微电子技术在未来轻兵器上的应用。
由于这是我第一次写正式论文，恳请老师及时指出文中的错误，以便我及时改正。
一．微电子技术发展趋势微电子技术是当代发展最快的技术之一，是电子信息产业的基础和心脏。
微电子技术的发展，大大推动了航天航空技术、遥测传感技术、通讯技术、计算机技术、网络技术及家用电器产业的迅猛发展。
微电子技术的发展和应用，几乎使现代战争成为信息战、电子战。
在我国，已经把电子信息产业列为国民经济的支拄性产业。
如今，微电子技术已成为衡量一个国家科学技术进步和综合国力的重要标志。
集成电路(IC)是微电子技术的核心，是电子工业的“粮食”。
集成电路已发展到超大规模和甚大规模、深亚微米(0.25μm)精度和可集成数百万晶体管的水平，现在已把整个电子系统集成在一个芯片上。
人们认为：微电子技术的发展和应用使全球发生了第三次工业革命。
1965年，Intel公司创始人之一的董事长Gorden Moore在研究存贮器芯片上晶体管增长数的时间关系时发现，每过18～24个月，芯片集成度提高一倍。
这一关系被称为穆尔定律(Moores Law)，一直沿用至今。
穆尔定律受两个因素制约，首先是事业的限制(business Limitations)。
随着芯片集成度的提高，生产成本几乎呈指数增长。
其次是物理限制(Physical Limitations)。
当芯片设计及工艺进入到原子级时就会出现问题。
DRAM的生产设备每更新一代，投资费用将增加1.7倍，被称为V3法则。
目前建设一条月产5000万块16MDRAM的生产线，至少需要10亿美元。
据此，64M位的生产线就要17亿美元，256M位的生产线需要29亿美元，1G位生产线需要将近50亿美元。
至于物理限制，人们普遍认为，电路线宽达到0.05μm时，制作器件就会碰到严重问题。
微电子器件的发展趋势和应用前景
微电子器件的发展趋势和应用前景随着人们对科技的不断追求，微电子器件逐渐成为当今这个时代的热点话题。
微电子器件是指通过微纳制造技术制造出来的大小只有几毫米甚至几微米的电子器件。
它最大的特点就是体积小、功耗低、集成度高、性能优异。
那么微电子器件的发展趋势和应用前景又是怎样的呢？一、微电子器件的发展趋势1. 多元化和应用化微电子器件的发展趋势是多元化和应用化。
随着各行各业的需求不断增长，微电子器件不可避免地要不断扩大其应用领域，除了常见的消费级电子产品、汽车电子、安防监控、医疗、教育信息化之外，微电子器件的应用领域还在逐渐拓宽。
2. 芯片智能化随着人工智能、大数据、云计算等技术的推动，微电子器件将越来越注重实现芯片的智能化。
智能化的芯片将更好地支持各种人工智能算法，为智能家居、自动驾驶、智能医疗、可穿戴电子设备等应用提供更好的技术支持。
同时，微电子器件还将越来越注重安全性和可靠性，保障用户数据安全。
3. 低功耗和高效能电池寿命、体积和重量是影响消费者购买微电子设备的重要因素。
未来微电子器件的发展趋势是低功耗和高效能，以确保电池寿命长且能保持稳定高效性能，同时体积轻便，方便携带。
二、微电子器件的应用前景1. 智能物联网的发展智能物联网将是未来微电子器件的一个非常重要的应用领域。
当前，随着物联网技术的不断发展和应用，物联网设备的数量正不断扩大。
通过对微电子器件的适配，可以实现对数据的采集、传输和处理，为人们提供更加智能化的生活服务和工业制造应用。
2. 绿色能源的发展微电子器件可以广泛应用在绿色能源的开发和利用上，如：光伏发电、风力发电、生物质能、地热能等。
微电子器件可以提高绿色能源的输出效率、增强系统的可靠性，降低系统的成本。
3. 细分市场的开发未来微电子器件的应用将越来越注重对各种行业的细分市场的开发。
比如工业自动化、医疗器械、仪器仪表、安防监控、航空航天等领域。
通过提供更加智能化、高效化、经济化的微电子器件产品和服务，可以为各行各业提供支持，实现产品的升级换代。
微电子技术的发展现状与未来趋势
微电子技术的发展现状与未来趋势随着科技的迅猛发展，微电子技术作为电子领域的重要组成部分，正以令人瞩目的速度不断发展。
在今天的社会中，微电子技术已经无处不在，从我们日常使用的手机、电脑到各种智能设备，都离不开微电子技术的应用。
本文将从多个角度来探讨微电子技术的发展现状和未来趋势。
首先，我们来看看微电子技术的现状。
目前，微电子技术在各个领域都发挥着重要作用。
在通信领域，微电子技术使得无线通信更加便捷和高效，推动了移动互联网的迅猛发展。
在医疗领域，微电子技术被广泛应用于生物传感器、医疗设备等方面，为医疗行业带来了巨大的进步。
另外，在能源领域，微电子技术也有重要作用，例如太阳能电池、高效节能的微处理器等。
总之，微电子技术的广泛应用使得我们的生活变得更加便利和高效。
然而，我们也应该认识到，微电子技术发展中存在一些挑战和问题。
首先，尽管微电子技术已经取得了巨大的进步，但是其制造成本仍然较高，这限制了其应用范围的扩大。
其次，由于微电子技术对环境的敏感性，电子废弃物的增加成为了一个难题。
此外，微电子技术的安全性问题也备受关注。
随着互联网的普及，网络安全问题对于微电子技术的发展具有重要影响。
因此，在微电子技术的发展过程中，我们需要找到解决这些问题的方法，以推动其向更高水平发展。
接下来，我们来探讨一下微电子技术的未来趋势。
可以预见的是，随着人工智能和物联网技术的不断发展，微电子技术将会在更多领域得到应用。
例如，在智能家居领域，微电子技术可以实现设备之间的互联互通，使得家居设备更加智能化和便捷。
此外，随着可穿戴设备的普及，微电子技术也将在健康监测、运动追踪等方面发挥作用。
更重要的是，微电子技术的应用将会渗透到更广泛的生活领域，从而改变我们的生活方式。
未来，微电子技术的发展还将面临新的挑战和机遇。
首先，研发更先进的微电子器件和材料将是发展的关键。
例如，研究新型半导体材料、设计更小尺寸的集成电路等将推动微电子技术向更高级别发展。
微电子技术发展现状与未来趋势分析
微电子技术发展现状与未来趋势分析随着科技的不断进步，微电子技术已经成为了现代社会中不可或缺的一部分。
从计算机到智能手机，从家电到汽车，微电子技术的应用无处不在。
本文将从微电子技术的发展现状以及未来趋势两方面进行分析。
首先，我们来看微电子技术的发展现状。
近年来，微电子技术在多个领域取得了巨大的进展。
在计算机领域，微电子技术的快速发展推动了计算机性能的大幅提升。
从最初的大型机到个人电脑，再到如今的云计算和人工智能，微电子技术的进步使得计算能力呈指数级增长。
在通信领域，微电子技术的应用使得信息传输更加快捷和稳定。
无线网络的发展以及5G技术的推动，都离不开微电子技术的支持。
此外，微电子技术在医疗、能源、航空航天等领域也有着广泛的应用，不断创造了各种奇迹。
然而，微电子技术的发展并不是一帆风顺的。
随着集成电路规模逐渐缩小，遇到了一系列的挑战。
首先是材料的选择。
传统的硅材料已经无法满足微电子技术对更高性能和更低功耗的需求，因此研究人员开始寻找新的替代材料，如石墨烯、硅基上部分极和氮化镓等。
其次是工艺的突破。
微电子器件的制造需要高精度的加工和控制技术，这对制造工艺提出了更高的要求。
再次是集成度的提升。
随着技术的进步，集成电路上的晶体管数量不断增加，但是其面积却有限。
如何在有限的空间内安置更多的晶体管成为了一个难题。
最后是功耗和散热问题。
随着晶体管数量的增加，功耗和散热都会变得更加复杂。
如何保持微电子器件的稳定运行成为了一项重要的研究领域。
接下来，让我们来探讨一下微电子技术未来的发展趋势。
首先是人工智能和物联网的大力推动。
随着人工智能和物联网的兴起，对计算能力的需求将进一步增大，这将推动微电子技术更加快速地发展。
其次是可穿戴设备的普及。
随着人们对健康的关注日益增加，可穿戴设备将会成为一个重要的市场。
微电子技术的发展将为可穿戴设备提供更高效、更稳定的性能。
再次是能源领域的突破。
微电子技术的应用将推动能源领域的创新，例如太阳能电池、燃料电池等。
微电子技术的发展和应用前景
微电子技术的发展和应用前景随着计算机的不断普及，人们对微电子技术的需求也越来越高。
微电子技术是目前最先进和应用最广泛的一种电子技术。
它的应用范围涵盖了电子信息、半导体、集成电路等多个领域，为人们的生活带来了极大的方便和进步。
本文将从三个方面探讨微电子技术的发展和应用前景。
一、微电子技术的发展历程微电子技术已经存在了几十年，并由此不断发展。
20世纪60年代至70年代末，大规模集成电路（LSI）技术得到迅猛发展。
80年代，计算机技术应用于社会生产和科学研究，精密型、高速型LIS逐渐发展出来。
90年代末至21世纪初，随着纳米技术、超大规模集成电路和直接砷化镓（GaAs）材料的发展，微电子技术得到了前所未有的提高。
二、微电子技术的应用前景1. 5G通信技术5G通信技术是现代化通信技术的重要标志。
5G技术运用有机半导体、量子点电荷输运效应、光纤通信、高效低功耗芯片技术等微电子技术，具有更高的传输速度、更快的响应时间和更低的功耗。
未来，基于5G通信技术的智能家居、自动驾驶、智慧医疗等应用将会成为人们工作和生活中的常态。
2. 物联网技术物联网技术是将人、物、事互相连接，进行智能综合管控和服务的技术，是微电子技术最为重要的一种应用。
物联网技术运用了计算机技术、通信技术、数据采集与处理技术，可以实现各种设备之间的联网，进行数据通信以及信息传输。
未来，物联网技术将应用于智慧城市、智能制造、智能医疗、智能家居等更多领域。
3. 人工智能技术人工智能技术是目前最受瞩目的技术之一。
人工智能技术运用了微电子技术的高精度芯片和高速计算能力，在图像、语音、自然语言处理、大数据分析等方面取得了不错的成绩。
未来，人工智能技术将应用于医疗保健、金融、安全等多个领域，为人们的生活带来更多便利和改变。
三、微电子技术的未来发展趋势随着物联网、5G、人工智能等新技术的不断发展，微电子技术的应用前景将更加广阔。
下一个五年，芯片技术将突破50纳米的晶体管制作工艺，集成度将达到数千万级别。
微电子发展趋势
微电子发展趋势微电子是指尺寸在纳米至微米级别的电子器件和系统。
在过去几十年中，微电子领域取得了巨大的发展，并且其发展趋势也在不断变化和演进。
以下是微电子发展的一些趋势：1. 小型化和集成化：微电子器件逐渐实现小型化和集成化的发展。
其尺寸不断缩小，功能不断增加。
例如，原本需要多个电子器件才能实现的功能现在可以集成到一个芯片中，减小了体积和功耗。
2. 低功耗和高性能：随着移动设备和物联网的发展，对微电子器件的功耗和性能要求也越来越高。
微电子技术不断提升功耗效率，同时提高性能和稳定性，以满足不同应用的需求。
3. 高集成度和3D技术：为了满足多功能和高性能的需求，微电子器件的集成度也越来越高。
通过3D技术，可以在三维空间中布置电子器件，提高了空间利用率，同时降低了电路布线的复杂性。
4. 新材料和制造工艺：微电子器件的发展还受益于新材料的引入和制造工艺的改进。
例如，石墨烯、碳纳米管等新材料的应用使得器件性能得到了提升。
同时，新的制造工艺也使得器件的制造成本和周期得到了降低。
5. 医疗和生物应用：微电子技术在医疗和生物领域的应用也越来越广泛。
例如，微机械系统（MEMS）可以用于制造微型传感器和生物芯片，用于监测人体健康状况和进行基因研究等。
6. 量子计算和量子通信：微电子领域还涌现出了量子计算和量子通信等新兴技术。
量子计算利用量子叠加和量子纠缠等性质，可以进行超快速计算，并且具有极高的安全性。
量子通信则利用量子纠缠实现了绝对安全的通信。
7. 人工智能和边缘计算：随着人工智能的兴起，微电子领域也在努力满足人工智能的需求。
边缘计算技术可以在网络边缘进行数据处理和决策，减少了数据传输的延迟和压力。
微电子器件和系统的发展将进一步推动人工智能的应用。
总之，微电子领域的发展趋势是小型化、集成化、功耗和性能的提升、新材料和制造工艺的引入、医疗和生物应用的拓展、量子技术的发展以及与人工智能的结合等。
这些趋势将不断推动微电子技术的创新和应用，为我们的生活和工作带来更多的便利和可能性。
微电子技术与未来发展
微电子技术与未来发展方向1.微电子技术1 .引言综观人类社会发展的文明史，一切生产方式和生活方式的重大变革都是由于新的科学发现和新技术的产生而引发的，科学技术作为革命的力量，推动着人类社会向前发展。
从50多年前晶体管的发明到目前微电子技术成为整个信息社会的基础和核心的发展历史充分证明了“科学技术是第一生产力”。
信息是客观事物状态和运动特征的一种普遍形式，与材料和能源一起是人类社会的重要资源，但对它的利用却仅仅是开始。
当前面临的信息革命以数字化和网络化作为特征。
数字化大大改善了人们对信息的利用，更好地满足了人们对信息的需求；而网络化则使人们更为方便地交换信息，使整个地球成为一个“地球村”。
以数字化和网络化为特征的信息技术同一般技术不同，它具有极强的渗透性和基础性，它可以渗透和改造各种产业和行业，改变着人类的生产和生活方式，改变着经济形态和社会、政治、文化等各个领域。
而它的基础之一就是微电子技术。
可以毫不夸张地说，没有微电子技术的进步，就不可能有今天信息技术的蓬勃发展，微电子已经成为整个信息社会发展的基石。
50多年来微电子技术的发展历史，实际上就是不断创新的过程，这里指的创新包括原始创新、技术创新和应用创新等。
晶体管的发明并不是一个孤立的精心设计的实验，而是一系列固体物理、半导体物理、材料科学等取得重大突破后的必然结果。
1947年发明点接触型晶体管、1948年发明结型场效应晶体管以及以后的硅平面工艺、集成电路、CMOS技术、半导体随机存储器、CPU、非挥发存储器等微电子领域的重大发明也都是一系列创新成果的体现。
同时，每一项重大发明又都开拓出一个新的领域，带来了新的巨大市场，对我们的生产、生活方式产生了重大的影响。
也正是由于微电子技术领域的不断创新，才能使微电子能够以每三年集成度翻两番、特征尺寸缩小倍的速度持续发展几十年。
自1968年开始，与硅技术有关的学术论文数量已经超过了与钢铁有关的学术论文，所以有人认为，1968年以后人类进入了继石器、青铜器、铁器时代之后硅石时代（silicon age）〖1〗。
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微电子技术发展趋势及未来发展展望论文概要：本文介绍了穆尔定律及其相关内容，并阐述对微电子技术发展趋势的展望。
针对日前世界局势紧张，战争不断的状况，本文在最后浅析了微电子技术在未来轻兵器上的应用。
由于这是我第一次写正式论文，恳请老师及时指出文中的错误，以便我及时改正。
一．微电子技术发展趋势微电子技术是当代发展最快的技术之一，是电子信息产业的基础和心脏。
微电子技术的发展，大大推动了航天航空技术、遥测传感技术、通讯技术、计算机技术、网络技术及家用电器产业的迅猛发展。
微电子技术的发展和应用，几乎使现代战争成为信息战、电子战。
在我国，已经把电子信息产业列为国民经济的支拄性产业。
如今，微电子技术已成为衡量一个国家科学技术进步和综合国力的重要标志。
集成电路(IC)是微电子技术的核心，是电子工业的“粮食”。
集成电路已发展到超大规模和甚大规模、深亚微米(0.25μm)精度和可集成数百万晶体管的水平，现在已把整个电子系统集成在一个芯片上。
人们认为：微电子技术的发展和应用使全球发生了第三次工业革命。
1965年，Intel公司创始人之一的董事长Gorden Moore在研究存贮器芯片上晶体管增长数的时间关系时发现，每过18～24个月，芯片集成度提高一倍。
这一关系被称为穆尔定律(Moores Law)，一直沿用至今。
穆尔定律受两个因素制约，首先是事业的限制(business Limitations)。
随着芯片集成度的提高，生产成本几乎呈指数增长。
其次是物理限制(Physical Limitations)。
当芯片设计及工艺进入到原子级时就会出现问题。
DRAM的生产设备每更新一代，投资费用将增加1.7倍，被称为V3法则。
目前建设一条月产5000万块16MDRAM的生产线，至少需要10亿美元。
据此，64M位的生产线就要17亿美元，256M位的生产线需要29亿美元，1G位生产线需要将近50亿美元。
至于物理限制，人们普遍认为，电路线宽达到0.05μm时，制作器件就会碰到严重问题。
从集成电路的发展看，每前进一步，线宽将乘上一个0.7的常数。
即：如果把0.25μm看作下一代技术,那么几年后又一代新产品将达到0.18μm(0.25μm×0.7)，再过几年则会达到0.13μm。
依次类推，这样再经过两三代，集成电路即将到达0.05μm。
每一代大约需要经过3年左右。
二.微电子技术的发展趋势几十年来集成电路(IC)技术一直以极高的速度发展。
如前文中提到的，著名的穆尔(Moore)定则指出，IC的集成度(每个微电子芯片上集成的器件数)，每3年左右为一代，每代翻两番。
对应于IC制作工艺中的特征线宽则每代缩小30％。
根据按比例缩小原理(Scaling Down Principle)，特征线条越窄，IC的工作速度越快，单元功能消耗的功率越低。
所以，IC的每一代发展不仅使集成度提高，同时也使其性能(速度、功耗、可靠性等)大大改善。
与IC加工精度提高的同时，加工的硅圆片的尺寸却在不断增大，生产硅片的批量也不断提高。
以上这些导致了微电子产品发展的一种奇妙景观：在集成度一代代提高的同时，芯片的性能、功能不断增强，而价格却不断下跌。
这一现象的深远意义在于，随着微电子芯片技术的快速发展，一切微电子产品(计算机、通信及消费类产品等)也加速更新、换代；不仅新一代产品性能、功能大大超过前一代，而且价格的越来越便宜又为电子信息技术的不断推进及其迅速推广应用到各个领域创造了条件，导致了人类信息化社会的到来。
由于集成电路栅长度的减小和集成度的增大，因此必须发展相应的制造技术，即光刻技术、氧化和扩散技术、多层布线技术和电容器材料技术。
①光刻技术利用波长436nm光线，形成亚微米尺寸图形，制造出集成度1M位和4M位的DRAM。
i射线(波长365nm)曝光设备问世后，可形成半微米尺寸和深亚微米尺寸的图形，制造出16M位和64M位的DRAM。
目前，采用KrF准分子激光器的光刻设备已经投入实用，可以形成四分之一微米尺寸的图形，制造出64M位DRAM。
采用波长更短的ArF激光器的光刻设备，有可能在21世纪初投入实用。
当然，为了实现这一目标，必须开发出适用的掩膜形成技术和光刻胶材料。
X射线光刻设备的研制开发工作，已经进行了相当的时间，电子束曝光技术和3nm真空紫外线曝光技术，也在积极开发之中，哪一种技术将会率先投入实用并成为下一阶段的主流技术，现在还难以预料。
②蚀刻技术在高密度集成电路制造过程中，氧化膜、多晶硅与布线金属的蚀刻技术，随着特征尺寸的不断缩小将变得越来越困难。
显然，如果能够研制出一种可以产生均匀的平面状高密度等离子源的技术，就会获得更为理想的蚀刻效果。
利用CER(电子回旋共振)等离子源或ICP(电感耦合等离子)高密度等离子源，并同特殊气体(如HBr等)及静电卡盘(用于精密温度控制)技术相结合，就可以满足上述电路蚀刻工艺的要求。
③扩散氧化技术要想以低成本保证晶体的良好质量，必须采用外延生长技术。
其理由是，同在晶体制作上下工夫保证质量所需要花费的成本相比，外延生长技术的成本低得多。
离子注入的技术水平已经有很大提高，可以将MeV(兆电子伏特)的高能量离子注入到晶体内部达几微米深度。
迄今采用的气体扩散法，需要在高温中长时间地扩散杂质才能形成扩散层。
而现在，利用离子注入技术，可以分别地将杂质注入到任意位置，再经一次低温热处理，就可以获得同样的结果。
同时，低能量离子注入技术也取得很大进展，可以形成深度小于0.1μm的浅扩散层，而且精度相当高。
另外，斜方向离子注入技术也大有进展，可以在任何位置注入杂质，从而可以在低温条件下按照设计要求，完成决定晶体管性能的杂质扩散工序作业。
用固相扩散法制造源漏极浅结极为有效，已经获得35nm的浅结。
④多层布线技术把电阻小于铝的铜，作为下一代布线材料正在引起人们的关注。
美国半导体工业协会(SIA)已经将“以铜代替铝”列入其发展规划，并制定出相应的目标和技术标准。
铜布线采用镶嵌方法制作，并利用CMP(化学机械抛光)技术进行研磨，布线形成则使用半导体级电镀技术。
铜容易在绝缘膜中扩散，所以，在采用铜布线时，需要同时采用能够防止铜扩散的势垒金属技术。
用离子束喷射法替代常用的真空溅射法，将金属喷射到硅圆片表面，这种方法使硅圆片不需要金属化的一侧带负电荷，然后让金属离子带正电荷，在负电荷吸引下，金属粒子沉积在硅圆片表面，形成十分均匀的金属薄膜。
预计离子喷射法三年后可达到实用。
在高速电路的布线中，必须同时形成低介电系数的层间膜。
氧化膜的介电系数为4.0，添加氟(F)的氧化膜，其介电系数现在可以达到3.6，利用高密度等离子CVD(化学气相淀积)技术可制作含氟的氧化膜。
⑤电容器材料随着DRAM集成度的提高，电容器材料——氧化膜的厚度变得越来越薄。
进入90年代以来，氮化硅膜技术不断改进，并改用立体的电容器结构，以确保所必需的电容值。
但是，这种技术似乎已经接近其极限，今后有可能采用迄今没有用过的新材料，如氧化钽膜(Ta2O5)和高电容率材料(BST)等。
三．微电子技术在未来轻兵器上的应用当今世界，高新技术的浪潮推动着世纪战车，正飞速驶入一个全新的时代。
各类传统观念上的兵器在高技术的洗礼下，都产生了革命性的变化。
在诸多高技术中，雄踞榜首的是微电子技术。
微电子技术是使电子元器件和由它组成的电子设备微型化的技术，其核心是集成电路技术。
先进的微电子技术在军事领域中的广泛应用打破了千百年形成的武器装备唯大、唯多和大规模破坏等传统观念，使武器系统小而轻，功耗低，可靠性高，作战效能和威力增强。
如军用通信指挥系统，高空卫星侦察监视，海底导弹发射及海、陆、空各军兵种的配合与联络，靠的都是微电子技术。
微电子技术在轻武器中的应用方兴未艾，有许多应用正在研制中，如数字地图计划：为提供士兵所需要的一切信息，可把天气数据、情报、敌友军的位置、空中成像等一切信息融合到一起，以数字方式存储，并通过无线计算机网络送到任何需要的地方，甚至是前线。
若将这种数字地图直接接入武器，不仅可以大大提高武器的精度，而且能使后勤得到可靠保障。
随着光学、电子、材料、机械等各方面技术的发展，微电子技术必将广泛地应用于轻武器，发挥更大的作用。
小结：21世纪人类将全面进入信息化社会，对微电子信息技术将不断提出更高的发展要求，微电子技术仍将继续是21世纪若干年代中最为重要的和最有活力的高科技领域之一。
参考文献：[1]蒋建飞《蔡琪玉.纳米电子学——电子学的前沿.固体电子学研究与发》，1997；17(3)：218～226[2]汤庭熬《面向21世纪微电子发展预测和一些关键技术介绍.》（第一届半导体与集成电路成品率研讨会），1997年11月[3]邵虞.穆尔定律，B/B值和硅周期评介.电子产品世界，1999(10)：6～7[4]李志坚《21世纪微电子技术发展展望》，2001年0世纪90年代中期，由于BGA、CSP封装方式的引入，IC产业迈入高密度封装时代。
目前它的主要特征及发展趋势是：①IC封装正从引线封装向球栅阵列封装发展。
②BGA封装正向增强型BGA、倒装片积层多层基板BGA、带载BGA等方向进展，以适应多端子、大芯片、薄型封装及高频信号的要求。
③CSP的球栅节距正由1.0mm向0.8m m、0.5mm，封装厚度正向0.5mm以下的方向发展，以适应超小型封装的要求。
④晶圆级的封装工艺(wafer level package，WLP)则采用将半导体技术与高密度封装技术有机结合在一起，其工艺特点是：在硅圆片状态下，在芯片表面再布线，并由树脂作绝缘保护，构成球形凸点后再切片。
由此可以获得真正与芯片尺寸大小一致的CSP封装，以降低单位芯片的生产成本。
⑤为适应市场快速增长的以手机、笔记本电脑、平板显示等为代表的便携式电子产品的需求，IC封装正在向着微型化、薄型化、不对称化、低成本化方向发展。
⑥为了适应绿色环保的需要，IC封装正向无铅化、无溴阻燃化、无毒低毒化方向快速发展。
⑦为了适应多功能化需要，多芯片封装成为发展潮流，采用两芯片重叠，三芯片重叠或多芯片叠装构成存储器模块等方式，以满足系统功能的需要。
⑧ 三维封装可实现超大容量存储，有利于高速信号传播，最大限度地提高封装密度，并有可能降低价格，因此，它将成为发展高密度封装的一大亮点。
从封装产业角度来看，集成电路产业已经逐步演变为设计、制造和封装三个相对独立的产业。
根据SEMI资料，2003年-2007年集成电路制造业与封装业产值预测对比如下图所示：目前台湾日月光(ASE)公司和美国安可科技(Amkor)公司，分别占据世界前两大封装测试厂的位置。
而新加坡新科封装测试(STATS) 公司与金朋(ChipPAC)公司于2004年三季度起正式合并后，实力大增，其封装产量已与台湾第二大封装测试厂家———矽品公司不相上下(见下图)。