模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第八章
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案解析

WORD 文档下载可编辑模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D=0.7V 。
试画出i u 与ou 的波形图,并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流 ()/ 2.6DD I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。
试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。
模拟电子技术基础课后习题答案童诗白

模拟电子技术基础课后习题答案童诗白模拟电子技术基础课后习题答案童诗白第一章半导体基础知识一、(1)√(2)×(4)×(5)√二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈1.3VUO2=0UO3≈-1.3VUO4≈2VUO5≈2.3V四、UO1=6VUO2=5VUO6≈-2V五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。
图略。
VBB−UBE=26μARbIC=β IB=2.6mAUCE=VCC−ICRC=2VUO=UCE=2V。
2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以VCC−UCES=2.86mA=28.6μAβRb=BB≈45.4kΩ七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。
1.1(1)AC(2)A(3)C(4)A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3ui和uo的波形如图所示。
1.4ui和uo的波形如图所示。
1.5uo的波形如图所示。
1.6ID=(V-UD)/R=2.6mA,rD≈UT/ID=10Ω,Id=Ui/rD≈1mA。
1.7(1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8IZM=PZM/UZ=25mA,R=UZ/IDZ=0.24~1.2kΩ。
1.9(1)当UI=10V时,若UO=UZ=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
故⋅UI≈3.33V当UI=15V时,由于上述同样的原因,UO=5V。
当UI=35V时,UO=UZ=5V。
(2)IDZ=(UI−UZ)R=29mA>IZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。
模拟电子技术基础第四版课后答案童诗白

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确�用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素�可将其改型为P型半导体。
(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子�所以它带负电。
(×)(3)P N结在无光照、无外加电压时�结电流为零。
(√)(4)处于放大状态的晶体管�集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压�才能保证R大的特点。
(√)其G S(6)若耗尽型N沟道M O S管的G S U大于零�则其输入电阻会明显变小。
(×)二、选择正确答案填入空内。
(l)P N结加正向电压时�空间电荷区将A。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在C。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时�发射结电压和集电结电压应为B。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)U G S=0V时�能够工作在恒流区的场效应管有A、C。
A.结型管B.增强型M O S管C.耗尽型M O S管三、写出图T l.3所示各电路的输出电压值�设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解�U O1=1.3V,U O2=0V,U O3=-1.3V,U O4=2V,U O5=1.3V,U O6=-2V。
模电第四版习题解答

模电第四版习题解答 YUKI was compiled on the morning of December 16, 2020模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
模拟电子技术基础课后习题答案(童诗白,华成英版,高教版)8章 波形的发生和信号的转换题解

基础课程教学资料第八章波形的发生和信号的转换自测题一、判断下列说法是否正确,用“√”或“×”表示判断结果。
(1)在图T8.1所示方框图中,若φF=180°,则只有当φA=±180°时,电路才能产生正弦波振荡。
()图T8.1(2)只要电路引入了正反馈,就一定会产生正弦波振荡。
()(3)凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。
()(4)非正弦波振荡电路与正弦波振荡电路的振荡条件完全相同。
()解:(1)√(2)×(3)×(4)×二、改错:改正图T8.2所示各电路中的错误,使电路可能产生正弦波振荡。
要求不能改变放大电路的基本接法(共射、共基、共集)。
图T8.2解:(a)加集电极电阻R c及放大电路输入端的耦合电容。
(b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容,改同铭端。
三、试将图T8.3所示电路合理连线,组成RC桥式正弦波振荡电路。
图T8.3解:④、⑤与⑨相连,③与⑧相连,①与⑥相连,②与⑦相连。
如解图T8.3所示。
解图T8.3四、已知图T8.4(a)所示方框图各点的波形如图(b)所示,填写各电路的名称。
电路1为,电路2为,电路3为,电路4为。
图T8.4解:正弦波振荡电路,同相输入过零比较器,反相输入积分运算电路,同相输入滞回比较器。
五、试分别求出图T8.5所示各电路的电压传输特性。
图T8.5解:图(a)所示电路为同相输入的过零比较器;图(b)所示电路为同相输入的滞回比较器,两个阈值电压为±U T=±0.5 U Z。
两个电路的电压传输特性如解图T8.5所示解图T8.5六、电路如图T8.6所示。
图T8.6(1)分别说明A 1和A 2各构成哪种基本电路;(2)求出u O 1与u O 的关系曲线u O 1=f (u O );(3)求出u O 与u O 1的运算关系式u O =f (u O 1);(4)定性画出u O 1与u O 的波形;(5)说明若要提高振荡频率,则可以改变哪些电路参数,如何改变。
模电-童诗白(第四版)课后题全解

模拟电子技术(第四版)童诗白课后习题答案第一章 半导体基础知识自测题一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 μA26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O =U CE =2V 。
2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。
习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D =(V -U D )/R =2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。
1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
tttt1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
童诗白《模拟电子技术基础》(第4版)笔记和课后习题(含考研真题)详波形的发生器和信号的转换)【圣才出

第8章 波形的发生器和信号的转换8.1 复习笔记一、正弦波振荡电路1.产生正弦波振荡的条件(1)振幅平衡条件:(2)相位平衡条件:(3)起振条件:2.正弦波振荡电路的组成(1)放大电路:保证电路有从起振到动态平衡的过程,使电路获得一定幅值的输出量,实现能量的控制。
(2)选频网络:确定电路的振荡频率,使电路产生单一频率的振荡,即保证电路产生正弦波振荡。
(3)正反馈网络:引入正反馈,使放大电路的输入信号等于反馈信号。
(4)稳幅环节:也是非线性环节,使输出信号幅值稳定。
在不少实用电路中,常将选频网络和正反馈网络“合二而一”,且对于分立元件放大电路,也不再另加稳幅环节,而依靠晶体管特性的非线性来起到稳幅作用。
3.判断电路能否震荡的方法(1)观察电路是否包含了放大电路、选频网络、正反馈网络和稳幅环节四个组成部分。
(2)判断电路是否有合适的静态工作点且动态信号是否能够输入、输出和放大。
(3)判断电路是否满足振荡的相位条件、幅值条件。
3.RC 正弦波振荡电路(1)振荡条件:反馈系数,电压放大倍数。
(2)起振条件:,即。
12f R R (3)振荡频率:。
(4)典型的RC 正弦波振荡电路:文氏电桥正弦波振荡电路,如图8.1所示。
图8.1 RC 文氏电桥正弦波振荡电路4.LC正弦波振荡电路(1)谐振时,回路等效阻抗为纯阻性,阻值最大,值为:其中,为品质因数;为谐振频率。
(2)如图8.2所示,LC并联谐振回路等效阻抗为:图8.2 LC 并联网络(3)变压器反馈式振荡电路的振荡频率为:(4)三点式LC 正弦波振荡器(1MHz 以上频率),典型电路如图8.3所示。
(a)电感三点式振荡器(b)电容三点式振荡器图8.3 典型三点式LC正弦波振荡器①组成原则:与晶体管发射极相联的电抗是相反性质的,不与发射极相联的另一电抗是相同性质的。
②振荡频率:计算振荡频率时,只需分离出LC总回路求谐振频率即可。
电容式:电感式:5.石英晶体振荡器(1)石英晶体等效电路:R、C、L串联后与Co并联,如图8.4所示。
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(a) (b)
(c) (d)
(e)
图P8.14
解:图(a)所示电路为单限比较器, , ,其电压传输特性如解图P8.14(a)所示。
图(b)所示电路为过零比较器, , , 。其电压传输特性如解图P8.14(b)所示。
图(c)所示电路为反相输入的滞回比较器, 。令
求出阈值电压:
其电压传输特性如解图P8.14(c)所示。
图(d)所示电路为同相输入的滞回比较器, 。令
求出阈值电压:
其电压传输特性如解图P8.14(d)所示。
图(e)所示电路为窗口比较器, , ,
其电压传输特性如解图P8.14(e)所示。
(a) (b) (c)
(d) (e)
解图P8.14
8.15已知三个电压比较器的电压传输特性分别如图P8.15(a)、(b)、(c)所示,它们的输入电压波形均如图(d)所示,试画出uO1、uO2和uO3的波形。
(c)不能(①同(b),②同名端错误。)
(d)可能(电容三点式)
8.12改正图P8.11(b)、(c)所示两电路中的错误,使之有可能产生正弦波振荡。
解:应在(b)所示电路电感反馈回路中加耦合电容。
应在(c)所示电路放大电路的输入端(基极)加耦合电容,且将变压器的同名端改为原边的上端和副边的上端为同名端,或它们的下端为同名端。改正后的电路如解图P8.11(b)、(c)所示。
(3)uO与uO1的运算关系式
(4)uO1与uO的波形如解图T8.5(b)所示。
(5)要提高振荡频率,可以减小R4、C、Rl或增大R2。
(a) (b)
解图T8.5
习题
8.1判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果。
(1)在图T8.1所示方框图中,产生正弦波振荡的相位条件是 。(×)
(2)因为RC串并联选频网络作为反馈网络时的 ,单管共集放大电路的 ,满足正弦波振荡电路的相位条件 ,故合理连接它们可以构成正弦波振荡电路。(×)
第8章波形的发生和信号的转换
自测题
一、改错:改正图T8.1所示各电路中的错误,使电路可能产生正弦波振荡。要求不能改变放大电路的基本接法(共射、共基、共集)。
(a) (b)
图T8.1
解:(a)加集电极电阻Rc及放大电路输入端的耦合电容。
(b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容,改同名端。
二、试将图T8.2所示电路合理连线,组成RC桥式正弦波振荡电路。
图P8.9
(1)试分析电路为什么能够满足产生正弦波振荡的条件;
(2)求出电路的振荡频率;
(3)画出 和 的波形图,要求表示出它们的相位关系,并分别求出它们的峰值。
解:(1)在特定频率下,由A2组成的积分运算电路的输出电压 超前输入电压 90o,而由A1组成的电路的输出电压 滞后输入电压 90o,因而 和 互为依存条件,即存在f0满足相位条件。在参数选择合适时也满足幅值条件,故电路在两个集成运放的输出同时产生正弦和余弦信号。
(a) (b)
(c) (d)
图P8.10
解:图P8.10所示各电路中变压器的同名端如解图P8.10所示。
(a) (b)
(c) (d)
解图P8.10
8.11分别判断图P8.11所示各电路是否可能产生正弦波振荡。
(a) (b)
(c) (d)
图P8.11
解:(a)可能(电容三点式)
(b)不能(电感与Re之间的连线应串入隔直电容)
(3)在RC桥式正弦波振荡电路中,若RC串并联选频网络中的电阻均为R,电容均为C,则其振荡频率 。(×)
(4)电路只要满足 ,就一定会产生正弦波振荡。(×)
(5)负反馈放大电路不可能产生自激振荡。(×)
(6)在LC正弦波振荡电路中,不用通用型集成运放作放大电路的原因是其上限截止频率太低。(√)
8.2判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果。
四、试分别求出图T8.4所示各电路的电压传输特性。
(a) (b)
图T8.4
解:图(a)所示电路为同相输入的过零比较器;图(b)所示电路为同相输入的滞回比较器,两个阈值电压为±UT=±UZ。两个电路的电压传输特性如解图T8.5所示。
解图T8.4
五、电路如图T8.5所示。
图T8.5
(1)分别说明A1和A2各构成哪种基本电路;
(2)试求出表示uO与iI关系的传输特性。
图P8.16
解:(1)Al工作在线性区(电路引入了负反馈);A2工作在非线性区(电路仅引入了正反馈)。
(2)uO1与iI关系式为:
uO与uOl的电压传输特性如解图P8.16(a)所示( , ),因此uO与iI关系的传输特性如解图P8.16(b)所示。与 、 所对应的 、 分别为:5 和55 。
(1)为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平,就应在其电路中使集成运放不是工作在开环状态,就是仅仅引入正反馈。(√)
(2)如果一个滞回比较器的两个阈值电压和一个窗口比较器的相同,那么当它们的输入电压相同时,它们的输出电压波形也相同。(×)
(3)输入电压在单调变化的过程中,单限比较器和滞回比较器的输出电压均只跃变一次。(√)
(b) (c)
解图P8.11
8.13试分别指出图P8.13所示电路中的选频网络、正反馈网络和负反馈网络,并说明电路是否满足正弦波振荡的条件。
(a) (b)
图P8.13
解:在图(a)所示电路中,选频网络:C和L;正反馈网络:R3、C2和Rw;负反馈网络:C和L。电路满足正弦波振荡的相位条件。
在图(b)所示电路中,选频网络:C2和L;正反馈网络:C2和L;负反馈网络:R8。电路满足正弦波振荡的相位条件。
8.6电路如图P8.6所示,试求解:(1)RW的下限值;(2)振荡频率的调节范围。
图P8.6
解:(1)根据起振条件
故Rw的下限值为2 。
(2)振荡频率的最大值和最小值分别为
, 。
8.7电路如图P8.7所示,稳压管起稳幅作用,
其稳压值为±6V。试估算:
(1)输出电压不失真情况下的有效值;
(2)振荡频率。
(2)根据题意列出方程组:
或改写为:
解图8.9
解方程组,可得: ,或 。即 。
(3)输出电压u2最大值U02max=UZ=6V
对方程组中的第三式取模,并将
代入可得 ,故 。
若uO1为正弦波,则uO2为余弦波,如解图8.9所示。
8.10分别标出图P8.10所示各电路中变压器的同名端,使之满足正弦波振荡的相位条件。
(a)(b)
(c) (d)
图P8.15
解:根据三个电压比较器的电压传输特性,画出在输入电压作用下它们的输出电压波形,如解图P8.15所示。
解图P8.15
8.16图P8.16所示为光控电路的一部分,它将连续变化的光电信号转换成离散信号(即不是高电平,就是低电平),电流I随光照的强弱而变化。
(1)在Al和A2中,哪个工作在线性区?哪个工作在非线性区?为什么?
8.20波形发生电路如图P8.20所示,设振荡周期为T,在一个周期内 的时间为Tl,则占空比为Tl/T;在电路某一参数变化时,其余参数不变。选择①增大、②不变或③减小填入空内:
图P8.20
当R1增大时,uO1的占空比将,振荡频率将,uO2的幅值将;
若RWl的滑动端向上移动,则uO1的占空比将,振荡频率将,uO2的幅值将;若RW2的滑动端向上移动,则uO1的占空比将,振荡频率将,uO2的幅值将。
(2)若在两个电路中再加一级RC电路,则两个电路是否可能产生正弦波振荡?为什么?
解:(1)不能。因为图(a)所示电路在信号频率为0到无穷大时相移为+180o~0o,图(b)所示电路在信号频率为0到无穷大时相移为0o~−180o,在相移为±180o时反馈量为,因而不可能产生正弦波振荡。
(2)可能。因为存在相移为±180o的频率,满足正弦波振荡的相位条件,且电路有可能满足幅值条件,因此可能产生正弦波振荡。
(4)若Rf短路,则电路将产生什么现象?
(5)若Rf断路,则电路将产生什么现象?
解:(1)上“-”下“+ "。
(2)输出严重失真,几乎为方波。
(3)输出为零。图P 8.8
(4)输出为零。
(5)输出严重失真,几乎为方波。
8.9图P8.9所示电路为正交正弦波振荡电路,它可产生频率相同的正弦信号和余弦信号。已知稳压管的稳定电压±UZ=±6V,Rl=R2=R3=R4=R5=R,Cl=C2=C。
∴uO和uC的波形如解图8.18所示。
8.19图P8.19所示电路为某同学所接的方波发生电路,试找出图中的三个错误,并改正。
图P 8.19解图P8.19
解:图P8.19所示电路中有三处错误:(1)集成运放“+”、“−”接反;( 2 )R、C位置接反;(3)输出限幅电路无限流电阻。改正后的电路如解图8.19所在图P8.18所示电路中,已知R1=10kΩ,R2=20kΩ,C=0.01μF,集成运放的最大输出电压幅值为±12V,二极管的动态电阻可忽略不计。(1)求出电路的振荡周期;(2)画出uO和uC的波形。
图P8.18解图P8.18
解:(1)振荡周期:
(2)脉冲宽度:
(2)求出uO1与uO的关系曲线uO1=f(uO);
(3)求出uO与uO1的运算关系式uO=f(uO1);
(4)定性画出uO1与uO的波形;
(5)说明若要提高振荡频率,则可以改变哪些电路参数,如何改变?
解:(1)A1:滞回比较器;A2:积分运算电路。
(2)根据
可得:
uO1与uO的关系曲线如解图T8.5(a)所示。
具有图P8.15(b)所示电压传输特性的电压比较器为反相输入的滞回比较器。输出电压 ;阈值电压: ,说明电路输入有UREF作用,根据: