IC设计与制造流程
IC芯片设计制造到封装全流程
IC芯片设计制造到封装全流程IC（Integrated Circuit）芯片是一种集成电路，将多个电子元件（晶体管、电容器、电阻器等）以及互连线路集成到一个硅片上，从而实现多个电子元件之间的功能互联。
芯片制造过程包括设计、加工制造、封装测试三个主要阶段。
首先是IC芯片设计阶段。
这个阶段主要包括功能设计、电路设计、物理设计和验证等步骤。
功能设计是根据芯片应用场景和需求，确定芯片的功能、性能和特性要求。
电路设计是根据功能设计的要求，使用逻辑门和基本电子元件组成电路，并进行仿真验证。
物理设计是将电路设计转化为硅片上的布图，包括电路布局、布线、填充等步骤。
验证阶段是对设计的功能和性能进行仿真和验证，确保芯片可以满足要求。
接下来是IC芯片加工制造阶段。
这个阶段主要包括晶圆加工和工序加工两个部分。
晶圆加工是将硅片进行切割和清洗，然后在表面涂覆一层绝缘层。
工序加工是在绝缘层上逐层添加金属、半导体等材料，通过光刻、薄膜沉积、离子注入、扩散等工艺步骤，形成多层电路的结构。
每个层次的电路都会进行检测和测试，确保加工质量和性能。
最后是IC芯片封装测试阶段。
这个阶段主要包括封装、测试和分选三个环节。
封装是将加工好的晶圆切割成单个芯片，并通过焊接等方式固定在封装底座上，形成完成的芯片。
测试是对封装完成的芯片进行功能和性能测试，以确保芯片的质量和性能符合设计要求。
最后，对测试合格的芯片进行分选，按照不同的要求和规格进行分级和分批。
整个IC芯片的设计制造到封装全流程，需要多个部门和环节的紧密协作。
设计部门负责芯片功能设计和物理设计，加工制造部门负责硅片加工和工序加工，封装测试部门负责芯片的封装和测试。
在整个流程中，还需要严格的质量控制和管理，确保产品的稳定性和可靠性。
随着科技的不断发展，IC芯片的设计与制造流程也在不断演进和改进。
更高集成度、更小尺寸、更高性能的芯片正在不断涌现，为各行各业的发展提供了强大的技术支持。
IC的生产工序流程以及其结构
IC的生产工序流程以及其结构IC（集成电路）是一种通过技术手段将多个电子器件集成到一个芯片上的电子器件。
IC的生产工序流程包含了多个环节，每个环节都需要严格的控制和测试，以确保最终产品的质量和性能。
IC的生产工序流程可以大致分为晶圆制备、晶圆加工、封装和测试四个阶段。
第一阶段：晶圆制备晶圆制备是IC生产的第一步，即将选择好的硅片制备成适用于IC加工的基片。
该阶段主要包括以下步骤：1.基片选择：选择具有较高晶片质量的硅片作为基片。
2.磨平：使用化学机械研磨等技术将硅片的表面进行磨平，以提高晶片的表面质量。
3.清洗：通过化学清洗等方法清除硅片表面的杂质，以增加晶片的纯度。
4.涂覆：将具有特殊光敏性的光刻胶均匀涂覆在硅片表面，用于后续的芯片图案制作。
第二阶段：晶圆加工晶圆加工是IC生产的核心阶段，主要是通过光刻、蚀刻、沉积等工艺，将芯片的电路图案逐层刻制在硅片上。
该阶段主要包括以下步骤：1.光刻：使用光刻胶模具和紫外光照射，将芯片电路的设计图案转移到硅片上。
2.蚀刻：使用化学或物理蚀刻方法，将光刻胶以外的硅片材料去除，形成芯片电路的各个层次。
3.沉积：使用化学气相沉积、物理气相沉积等方法，将金属、氧化物等材料沉积在芯片表面，形成电路的导线、阻抗等元件。
4.清洗和检查：对加工后的芯片进行清洗和检查，确保电路图案和元件的质量和完整性。
第三阶段：封装封装是将完成加工的芯片封装成IC产品的过程，主要是为了保护芯片、便于使用和连接外部元件。
该阶段主要包括以下步骤：1.切割和研磨：将加工好的硅片切割成单个的芯片，并通过研磨等方法将芯片的厚度调整到设计要求。
2.封装设计：根据芯片的功能和尺寸要求，设计适用的封装结构和材料，并设计电路连接引脚和封装外壳。
3.芯片安装：将芯片粘贴或焊接到封装结构的基座上，并通过线键和焊球等方法与引脚进行连接。
4.密封：将芯片和引脚密封在封装外壳中，以保护芯片免受环境影响。
5.清洗和测试：对封装好的芯片进行清洗和测试，确保封装的质量和性能。
IC设计与制造流程
IC设计与制造流程1.前端设计阶段：在IC设计流程的前端设计阶段，设计师根据需求和规格书制定电路架构，并进行逻辑设计。
首先，设计师分析需求和功能要求，确定所需的电路类型和规模，并使用硬件描述语言（HDL）进行逻辑设计。
在逻辑设计完成后，设计师使用设计综合工具将逻辑设计转换为等效的网表描述。
然后，在逻辑设计的基础上，设计师对电路进行逻辑综合和优化，通常使用逻辑综合工具来将逻辑描述转化为逻辑门级的描述。
在逻辑综合之后，设计师进行布线规划和时序分析，以确保电路满足性能要求。
2.物理设计阶段：物理设计阶段是将逻辑设计转化为物理实现的过程。
物理设计包括库元件的选择与配置、版图设计、布局布线等步骤。
首先，根据设计需求，设计师选择和配置合适的库元件，这些元件包括逻辑门、存储器单元和标准单元等。
库元件的选择与配置对电路的面积、功耗和性能都有着重要影响。
接下来，设计师进行版图设计。
版图设计是将逻辑电路布局在芯片表面的过程，其中包括将电路划分为不同的模块和子模块，确定它们的相对位置和连接方式。
然后，设计师进行布局布线。
布局是指将版图中的逻辑电路转换为实际的物理结构，确定每个元件的位置和大小。
布线是将元件之间的连线进行规划和优化，以满足电路的性能要求。
3.验证与测试阶段：在IC设计完成后，需要进行验证和测试，以确保电路的功能和性能符合需求。
验证过程涉及功能验证、仿真和电路级测试。
功能验证主要通过对设计规格进行一系列测试和验证，以确保设计的功能和逻辑正确。
仿真是通过使用相应的仿真工具对电路的行为进行模拟和分析，以验证设计的正确性和性能。
电路级测试是指对制造的芯片进行测试，以确保在实际使用中的性能和可靠性。
这些测试通常包括功能测试、时序测试、功耗测试等。
4.生产制造阶段：在经过验证和测试后，需要进行芯片的生产制造。
生产制造过程主要包括掩膜制作、晶圆加工、封装和测试等步骤。
首先，掩膜制作是将版图转化为掩膜，掩膜是通过使用光刻技术将电路图案转化到硅晶圆上的工具。
ic设计流程的先后顺序
ic设计流程的先后顺序IC设计流程的先后顺序可以分为以下几个步骤：1.定义设计规格：在开始IC设计之前，需要明确这个芯片的设计规格和需求。
这包括确定芯片的功能、性能要求、功耗、工作频率等等。
设计规格的准确定义对后续设计步骤非常重要。
2.系统级设计：在系统级设计阶段，设计人员会将整个系统的功能进行划分和定义，确定各个模块之间的接口和通信方式。
这一阶段还可能包括算法设计和建立性能模型等。
3.架构设计：架构设计进行具体芯片内部功能的划分和组织。
设计人员需要根据功能要求和非功能要求，确定芯片中各个模块的划分，并建立模块之间的逻辑结构和通信方式。
4. 逻辑设计：在逻辑设计阶段，设计人员主要负责将功能要求转化为数字逻辑电路。
这一阶段的主要任务是使用硬件描述语言（如Verilog或VHDL）来描述各个功能模块的功能，然后对这些模块进行综合、优化和验证。
5.线路和物理设计：线路设计包括电路设计、布局设计和布线设计。
电路设计是指将逻辑电路转化为物理电路，包括选择和设计电路的各个组成部分，如逻辑门、触发器等。
布局设计是指确定电路中各个元件的位置和相互关系。
布线设计是将元件之间连接的路径进行规划和优化。
6.设计验证：设计验证是确保设计工作符合规格要求的一个重要步骤。
在设计验证中，设计人员使用仿真工具来验证设计的正确性，并进行功能验证、时序验证和功耗验证等。
这一步骤帮助设计人员发现和修复设计中的错误和问题。
7.物理验证：物理验证主要是为了保证物理设计的正确性，并确保设计在布局和布线阶段的实现是否满足规定的约束和特定的目标。
物理验证通常包括设计规则检查（DRC）、布局与尺寸规则检查（LVS）、电器规则检查（ERC）等。
8.仿真和验证：设计完成后，需要对芯片进行全面的仿真和验证以确保芯片的正确性和性能。
这包括行为仿真、时序仿真、功耗仿真等。
9.制造准备：制造准备是确定制造芯片所需的流程、工艺和设备，并生成相应的工艺文件和掩模文件。
半导体IC制造流程
半导体IC制造流程半导体IC（集成电路）制造是一个复杂的过程，包括多个步骤和工序。
本文将详细介绍半导体IC制造的各行流程管理。
1.设计阶段：在制造IC之前，首先需要进行设计阶段。
这一阶段包括集成电路的功能设计、电路模拟和验证、物理布局设计等工作。
设计团队使用EDA （电子设计自动化）软件工具来完成这些任务。
在设计完成后，需要进行设计规则检查，以确保设计符合制造工艺的要求。
2.掩膜制备：在IC制造的下一个阶段是掩膜制备。
掩膜是制造半导体晶体管的关键工具。
它是通过将光敏胶涂在光刻板上，并使用电子束或光刻技术在光敏胶上绘制模式来制备的。
每个芯片层都需要使用不同的掩模来定义其电路结构。
3.晶圆清洗：在制备掩膜之后，需要对晶圆进行清洗。
晶圆是指用于制造芯片的硅片。
由于制备过程中会产生尘埃和杂质，所以必须将其清洗干净，以确保后续步骤的正确进行。
清洗过程通常包括使用酸、碱和溶剂等化学物质来去除污染物。
4.晶圆涂覆：在晶圆清洗后，需要对其进行涂覆。
涂覆工艺的目的是在晶圆表面形成均匀的保护层，以便实施浅掺杂、沉积和刻蚀等步骤。
现代涂覆工艺通常使用化学机械抛光（CMP）技术，它可以在晶圆表面形成非常平整的薄层。
5.光刻：光刻是制造IC中最重要的步骤之一、在光刻过程中，使用之前制备的掩模将光蚀胶涂在晶圆上，并使用紫外光暴露仪将掩模上的图案投影到光蚀胶上。
接下来，经过显影等步骤，将图案转移到晶圆上，形成需要的电路结构。
6.薄膜沉积：在光刻后，需要在晶圆表面形成薄膜。
薄膜通常由金属、氮化物或氧化物等材料组成，用于电极、绝缘层和导线等部分。
薄膜沉积可以通过物理蒸发、化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等方法来实现。
7.刻蚀和除膜：在薄膜沉积后，需要进行刻蚀和除膜步骤。
刻蚀是指通过化学或物理手段将不需要的材料从晶圆表面去除，以形成所需的结构。
刻蚀通常使用等离子体刻蚀技术。
而除膜是指将光蚀胶和其他保护层从晶圆表面去除。
芯片设计制造流程
芯片设计制造流程芯片设计制造流程是指从芯片设计开始到最终芯片制造完成的整个过程。
下面是一个典型的芯片设计制造流程的概述：1. 需求分析和规划：在芯片设计制造之前，首先进行需求分析，确定芯片的功能和性能要求。
根据需求，规划整个设计制造流程。
2. 芯片设计：在芯片设计阶段，设计工程师使用专业的电子设计自动化（EDA）工具进行电路设计和布局。
这包括逻辑设计、电路模拟、物理布局和电路验证等步骤。
3. 电路验证：设计完成后，进行电路验证，以确保设计符合规范并满足性能要求。
验证包括功能验证、时序验证、功耗分析和电磁兼容性等方面。
4. 掩膜制作：设计验证通过后，将设计转化为掩膜（Mask），掩膜包含了芯片的图形信息。
掩膜制作是通过光刻技术将设计图案转移到硅片表面的过程。
5. 芯片制造：在芯片制造过程中，使用掩膜进行一系列工艺步骤，包括沉积、刻蚀、光刻、清洗等，来逐步构建芯片的结构和电路。
6. 探针测试：制造完成的芯片经过探针测试，用于验证芯片的电性能和功能。
这是在芯片封装之前进行的测试。
7. 芯片封装：探针测试合格的芯片进入封装阶段。
芯片被封装在塑料或陶瓷封装中，形成最终的芯片产品。
8. 最终测试：封装完成后，进行最终测试，以验证芯片的功能、性能和质量。
这些测试包括功能测试、时序测试、温度测试等。
9. 封装和出货：通过最终测试合格的芯片，进行封装和标识，1/ 2准备出货给客户。
整个芯片设计制造流程是一个复杂而精细的过程，需要严格的设计规范、高度的技术要求和精密的制造设备。
不同的芯片类型和应用领域可能会有略微不同的制造流程，但以上概述了一般的流程步骤。
2/ 2。
集成电路设计与制造的主要流程
集成电路设计与制造的主要流程集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是由许多晶体管、电阻、电容和其他电子器件组成的微小芯片。
它广泛应用于计算机、手机、汽车、医疗设备等各个领域。
本文将介绍集成电路设计与制造的主要流程。
1. 需求分析与规划集成电路设计的第一步是进行需求分析和规划。
这一阶段中，设计团队与客户和市场调研团队合作，明确产品的功能需求、性能要求和市场定位。
同时，还需要考虑技术可行性和经济可行性，确定设计和制造的目标。
2. 电路设计在电路设计阶段，设计团队将根据需求分析的结果，设计电路图。
他们使用EDA（Electronic Design Automation）工具，如Cadence、Mentor Graphics等，进行原理图设计，包括选择器件、连接电路等。
3. 电路模拟与验证电路设计完成后，设计团队使用模拟器对电路进行仿真和验证。
他们会通过仿真进行各种测试，以确保电路设计的正确性和性能是否满足需求。
如果需要，还可以进行电路优化，提升性能。
4. 物理设计与版图布局物理设计阶段是将原理图转化为实际物理结构的过程。
设计团队使用EDA工具进行版图布局和布线，将电路元件放置在芯片上，并根据需要进行电路逻辑换位和时序优化。
5. 设计规则检查（DRC）与逻辑等效检查（LEC）在物理设计完成后，需要进行设计规则检查（DRC）和逻辑等效检查（LEC）。
DRC检查确保设计规则与制造工艺的兼容性，而LEC检查则确保逻辑及电气规格与原始电路设计的一致性。
6. 掩膜制作与掩膜层压在确定物理设计没有问题后，接下来需要制作芯片的掩膜。
掩膜是一种精确描绘芯片电路图案的遮罩。
设计团队将设计好的版图转化为掩膜，并将其层压在某种光刻胶上。
7. 掩膜曝光与光刻掩膜制作完成后，需要使用光刻机将掩膜上的电路图案曝光到芯片表面的硅片上。
光刻过程包括对光刻胶曝光、显影和刻蚀等步骤，最终得到芯片的图案。
8. 清洗与离子放置经过光刻后，芯片上会有大量的光刻胶残留物和掩膜层。
数字ic流程
数字ic流程数字IC流程。
数字IC（Integrated Circuit）是一种集成了数百万个晶体管、电容器和电阻器等电子元件的微小芯片。
数字IC的制造过程包括设计、掩膜制作、晶圆制造、封装测试等多个环节，下面将为大家详细介绍数字IC的制造流程。
首先，数字IC的制造始于设计阶段。
设计师根据产品需求和市场趋势，进行功能设计、电路设计和版图设计等工作。
在功能设计阶段，设计师确定IC的功能和性能指标；在电路设计阶段，设计师设计IC的电路原理图和逻辑功能；在版图设计阶段，设计师将电路图转化为版图，确定晶体管的位置和连线规则等。
接下来是掩膜制作阶段。
在这个阶段，设计好的版图被转换成掩膜，掩膜是用于光刻的模板，通过光刻技术将版图上的线路、晶体管等元件图案转移到硅片上。
然后是晶圆制造阶段。
经过掩膜制作后，版图被转移到硅片上，形成了晶圆。
然后对晶圆进行清洗、离子注入、腐蚀、沉积等工艺步骤，最终形成IC芯片的各种元件和线路。
随后是封装测试阶段。
在这个阶段，IC芯片被封装在塑料封装体中，以保护芯片并便于安装。
然后进行功能测试、可靠性测试、温度测试等，确保IC芯片符合设计要求。
最后是成品制造阶段。
通过切割、焊接、组装等工艺，将IC芯片组装成成品，并进行最终测试和质量检验，最终形成可供市场销售的数字IC产品。
总的来说，数字IC的制造流程包括设计、掩膜制作、晶圆制造、封装测试和成品制造等多个环节，每个环节都需要精密的工艺和严格的质量控制。
只有每个环节都做到位，才能保证数字IC产品的质量和性能达到设计要求。
希望以上内容能够帮助大家更加深入地了解数字IC的制造流程，对数字IC的工作原理和应用具有更清晰的认识。
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IC 制造流程
<16> 修正和定型（分离和铸型） 把芯片和FRAME 导线分离，使芯片外部 的导线形成一定的形状。
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IC 制造流程
<17> 老化（温度电压）测试 在提高环境温度和芯片工作电压的情况下 模拟芯片的老化过程，以去除发生早期故障 的产品.
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IC 制造流程
<9> 磨平（CMP） 将WAFER 表面磨平。重复<5> 到<9>， 在WAFER 上形成所需的各类器件
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IC 制造流程
<10> 形成电极 把铝注入WAFER 表面的相应位置， 形成电极。
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IC 制造流程
<11>WAFER 测试 对WAFER 进行测试，把不合格的 芯片标记出来
Ø 数字集成电路：主要是针对数字信号处理的 模块。如：计算机里的2近制、8近制、10近 制、16近制的数据进行处理的集成模块。
两者最主要的区别是：模拟集成电路信号是连续的， 数字集成电路信号是非连续的。
4
→ IC基础知识
双极型和单极型的区别
Ø 双极型集成电路是: 由NPN或PNP型晶体管组成。由 于电路中载流子有电子和空穴两种极性，因此取名为 双极型集成电路，就是人们平时说的TTL集成电路。
按其功能 按导电类型 按集成度高低 按其制作工艺
模拟集成电路 数字集成电路 双极型集成电路 单极型集成电路
小规模 中规模 大规模 超大规模 半导体集成电路 膜集成电路 混合集成电路
ห้องสมุดไป่ตู้
3
→ IC基础知识
Ø 模拟集成电路：主要是针对模拟信号处理的 模块。如：话筒里的声音信号，电视信号和 VCD输出的图象信号、温度采集的模拟信号 和其它模拟量的信号处理的集成模块。
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IC 测试
Ø 后道测试中需要使用的设备： (1) 测试系统（test system）：测试系统
生成测试IC 时所需的各种信号，并且检测IC 的输出信号。根据检测的结果，测试系统判 断所测的IC 是否合格，并将测试的结果传输 给wafer prober。
(2) Wafer prober：wafer prober 将 wafer 从工作台上移送到测试头下面，并将 探针卡上的针脚压在IC芯片上，形成良好的 电气接触。Wafer prober 还要根据测试系统 的测试结果，给不合格的IC 打上墨印。
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IC 制造流程
<12> 切割WAFER 把芯片从WAFER 上切割下来。
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IC 制造流程
<13> 固定芯片 把芯片安置在特定的FRAME 上
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IC 制造流程
<14> 连接管脚 用25 微米的纯金线将芯片和FRAME上 的引脚连接起来。
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IC 制造流程
IC的透视图
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IC 制造流程
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IC制造流程回顾
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IC 制造流程
Ø IC 制造流程简介 制造一块IC 芯片通常需要400 到500 道
工序。但是概括起来说，它一般分为两大部 分：
前道工序（front-end production） 后道工序（back-end production）
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IC 制造流程
Ø 前道工序 (1) 将粗糙的硅矿石转变成高纯度的单晶硅。 (2) 在wafer 上制造各种IC 元件。
能测试，这样做可以避免对不合格的IC 芯片 进行封装，从而减少不必要的浪费，减少生 产成本。
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IC 测试
Ø 剔除废品IC 的方法：
1 ．使用墨印器（Inker）给不合格的IC 芯 片上打上墨印。在后道工序中，在划片的时 候丢弃被打上墨印的IC 。
2 ．也可以不用墨印器，而直接记录下出问 题的IC 芯片在wafer 上的坐标。在后道工序 中（切割wafer 时）根据该坐标丢弃IC。
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IC设计流程介绍1
系统设计 Matlab/SPW/Cocentric
第 三 方
ＩＰ
库
标 准 单 元 库
数字电路RTL代码设计 Novas
模拟电路行为设计 Verilog-A Input Tools
数字电路RTL代码仿真 VCS / NC-Verilog Modelsim / Scirocco
RTL代码综合设计 DC Ultra / Blast-RTL
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IC 测试
Ø TRAY （托盘）是什么？ 通常在使用HANDLER 把芯片放在一个
TRAY 中，对于各种不同形状的IC，我们相 对有不同的TRAY。在测试台，HANDLER 根据P/F 把IC 放在两个不同的TRAY 中。
45
QUESTIONS ANSWERS
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<5> 覆上光刻胶 通过旋转离心力，均匀地在WAFER表面 覆上一层光刻胶。
甩胶机
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IC 制造流程
<6> 在WAFER 表面形成图案 通过光学掩模板和曝光技术在WAFER 表面形成图案。
光刻示意图
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IC 制造流程
<7> 蚀刻 使用蚀刻来移除相应的氧化层。
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IC 制造流程
<8> 氧化、扩散、CVD 和注入离子 对WAFER 注入离子（磷、硼），然后 进行高温扩散，形成各种集成器件。
时序/形式/测试验证 PT-Si / Formality Encounter / DFT
模拟电路设计 Virtuoso
模拟电路仿真 Hspice / Spectre / Eldo / Hsim
混合仿真 MMSIM / Nanosim / ADMS
8
FPGA / ASIC 原型验证 FPGA Advantage Synplify / Amplify
Ø 单极型集成电路是: 由MOS场效应晶体管组成的。因 场效应晶体管只有多数载流子参加导电，故称场效应 晶体管为单极型晶体管，由这种单极晶体管组成的集 成电路就得名为单极型集成电路，就是平时说的MOS 集成电路。
5
→ IC基础知识
Ø 小规模集成电路：一般每片上的集成度小于十个逻 辑门个数（或含元件数少于一百个）。
Ø Ncsim (nc-verilog\nc-vhdl)逻辑仿真工具 Ø Encounter平台是一个综合的RTL-to-GDSII
流程，面向90纳米及以下级别的复杂和低功 耗设计 . Encounter包括以下几个功能块： （1）硅虚拟原型(SVP) 。 （2）RTL实现-针对时序设计的全局综合。 （3）物理综合 。 （4）布线和信号完整性设计 。 （5）纳米分析与sign-off。 （6）可测性设计。 （7）成品率诊断 。
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IC 测试
(3) 探针卡（probe card）：
探针卡负责测试系统与IC 芯片之间的电 气连接。在探针卡上有很多的探针（needle ）。测试时，这些探针被压到IC 芯片的电极 板上，从而完成与IC 芯片的电气连接。
41
IC 测试
42
IC 测试
Ø 封装测试/ 最终测试 在完成封装测试的过程中，我们要用到
的测试系统和HANDLER。
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IC 测试
Ø 测试系统到底做些什么？
测试系统会向所测试的IC 加上信号，然后从IC 的输出端接受IC 的输出信号，以判断该IC 芯片是否 合格。
Ø HANDLER 到底是什么？
HANDLER 即是机械手，它把所要测试的IC 芯 片从托盘里移至测试平台上。在测试结束后，它通 过接受信号，把合格与不合格的IC 芯片移至相应的 平台 。HANDLER 还能根据测试要求对IC 芯片进行 加热和冷却。
Ø 后道工序 (1) 对wafer 的测试与划片。 (2) 对IC 芯片进行封装和测试。
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IC 制造流程
Ø 前道生产流程： <1> 硅棒的拉伸 将多晶硅熔解在石英炉中，然后依靠一 根石英棒慢慢的拉出纯净的单晶硅棒。
晶棒成長
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IC 制造流程
<2> 切割单晶硅棒 用金刚石刀把单晶硅棒切成一定的厚度形成WAFER 单晶硅棒的晶向有三个方向分别为：111、110、100
Ø 厚膜集成电路: 在同一基片上用丝网印刷、烧结 等厚膜工艺制作无源网络，并在其上组装分立的 微型元件、器件，再外加封装而成 。
Ø 注：两者之间最大的区别是制作工艺的不同。厚 膜电路的膜厚一般大于10μm，薄膜的膜厚小于 10μm，大多处于小于1μm 。
Ø 混合集成电路 ：由半导体集成工艺与薄（厚）膜 工艺结合而制成的集成电路。
切片(Slicing)
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IC 制造流程
<3> 抛光WAFER WAFER 的表面被抛光成镜面。
拋光(Polishing)
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IC 制造流程
<4> 氧化WAFER 表面 WAFER 放在900 度——1100 度的氧化炉中， 并通入纯净的氧气，在WAFER 表面形成氧化 硅。
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IC 制造流程
验证技术 .
Ø Power Compiler 功耗优化能力.
Ø PrimeTime
静态时序分析的工具.
Ø Formality
形式验证工具。
Ø Astro 或ICC
自动布局、布线的工具.
Ø Star-RCXT
寄生参数提取工具.
Ø HSPICE
模拟电路仿真工具。
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IC数字设计流程主要工具—Cadence工具
Ø 中规模集成电路：一般每片上的集成度在十至一百 个门电路之间(或在一百至一千个元件数之间) 。
Ø 大规模集成电路：一般每片上的集成度在一百个门 电路以上(或一千个元件以上) 。
Ø 超大规模集成电路：一般每片上的集成度达一万个 门电路(或十万个元件以上) 。