美国国家半导体(NS)(已被TI收购)
案例二 美日半导体谈判答辩
案例二美日半导体谈判一、导言20世纪80年代初期，美国政府开始着手处理美国市场上不断增长的来自日本产业竞争的问题，以及美国产业界要求美国政府采取行动实施对产业的保护的呼吁。
美国政府希望日本方面能主动限制日本对美国的出口，这种自愿限制出口措施曾用于销往美国的钢铁和汽车等产品上。
同时美国人还不断地寻求使美国产品进入日本市场的办法，因为美国人认为日本市场是一个封闭的市场。
由于美国对日本的贸易长期处于逆差状态，使得美国国会为缩减贸易赤字的努力不断受挫，这种挫折感在美国与日本的半导体谈判期间达到了高潮。
日本人在贸易领域对美国形成的威胁成为共和党人可以大做文章的事件，因为里根政府能利用这一事件宣扬它的“自由”和“公平”的贸易思想，并且借此采用更为强硬的措施给日本人施加压力。
随着美国方面的压力和指责不断升级，日本方面感到愤愤不平，但同时也越来越对美国方面的保护主义情绪表示关注，因为这种情绪有可能影响日本产品进入有利可图的美国市场。
日本人还希望避免在国际上被贴上“不公平贸易伙伴”的标签，这将是令人十分尴尬的政治上的污名。
二、事件到20世纪80年代中期，日本在美国所占有的半导体市场份额已经超过了美国在日本所占有的半导体市场份额，而且日本供应商在全世界的市场份额正逐渐超过美国公司所占有的市场份额（见表6—1）。
美日两国在半导体上的冲突涉及两个既彼此分离又相互联系的事件：美国人指控日本芯片制造商以低于公平的市场价格在美国市场倾销半导体，并且指控日本不准许外国制造商进入其国内市场。
这两个事件有着重要的联系。
首先，美国产业界把市场准入视为在美国市场进行竞争的关键，受到保护的日本国内市场使日本芯片生产商能够保持低廉的生产成本，从而削弱了美国制造商的市场竞争力。
其次，除了可以使用301条款进行贸易报复以外，几起针对日本半导体销售商的反倾销案为美国在与日本进行市场准入的谈判中提供了可以借用的手段。
资料来源：美国半导体工业协会。
IC芯片logo
Burr-Brown简介伯尔-布朗Burr-Brown成立于1956年，是一家制造模拟集成电路的公司，于2000年被Texas Instruments美国德州仪器公司收购，纳入其下的高性能模拟器件部门，专门从事生产模拟器件（ADC,DAC等）。
Burr-Brown于1956年成立于图森*亚利桑那州，公司位置是其创始人汤姆布朗的400平方英尺车库。
ooo美国-ADIo美信-MAXIMo国半-NSo德州仪器-TIo阿尔特拉-ALTERA o仙童-FAIRCHLDo爱特梅尔-ATMEL o英特尔-INTELo达拉斯-DALLASo单片机-MICROCHIP o IRo哈里斯-HARRISo POWERo MIDTELo日立-HITACHIo飞利浦-PHILIPS o赛意法-STo赛林思-XILINXo华邦-WINBONDo英飞凌-INFINEONo瑞萨-RENEASAo三洋-SANYOo罗姆-ROHMo三肯-SANKENo摩托罗拉-MOTOROLA o雅马哈-YAMAHAo三星-SAMSUNGo三菱-MITUDBISHI o飞思卡尔-FREESo赛普拉思-CYRESS o东芝-TOSHIBAo安森美-ONo松下-PANASONICo安捷伦-AVAGOo日电-NECo IDTo凌特-LTo CHEERTEKo CONEXANTo PULSEo GWo立奇-RICHTEKo AVERLOGIo PERICOMo SIRENZAo MINIo UTCo托雷斯-TOREXo MARVELLo铁电-FMo SEIKOo JRCo INTERLo AHAo MEDIAPTo BROADCOMo ZORANo GENEGYSo MATRIXo PTCo斯普-VISHAYo SEMTECHo VWEBo夏普-SHARPo CIRRUSo LATTICEo SONY-索尼o FUJI-富士通o新茂-SYNCMOo SILICON-单片机o STC-单片机o台湾-STC单片机o ISDo单片机-SILICONo OKIo富士通-FUJIo XICORo SYNCMO-新茂o精工o SIPEXo SONYo其他品牌TI/BB(德州仪器)TOSHIBA(东芝半导体)NXP(恩智浦半导体)MAXIM(美信)FAIRCHILD[仙童][飞兆]RENESAS[瑞萨电子]FUJITSU[富士通]SAMSUNG[三星半导体]ST[意法半导体]ADI[亚德诺半导体]NS[美国国家半导体]INFINEON[英飞凌]ON[安森美半导体]IR[国际整流器]NEC(日电电子]INTEL[英特尔]FREESCALE[飞思卡尔] DALLAS[达拉斯]SONY[索尼]SANYO[三洋]PANASONIC[松下]ROHM[罗姆]NUVOTON[华邦]ATMEL[爱特梅尔]MITUSBIS[三菱]EPSON[爱普生]HOLTEK[合泰]LATTICE[莱达斯]PTC[普诚]HITACHI[日立]LINEAR[凌力尔特]。
IC命名 封装 批号 常识等大全 IC基本认识
IC命名封装批号常识等大全IC基本认识德州仪器( TI ), 安森美( ON ), 国半( NSC ), 国半( NSC ),德意志半导体( STM ),恩智浦 (NXP ),欧司朗( OSRAM ),威世半导体( VISHAY ),英飞凌( INFINEON ),飞兆半导体( FAIRCHILD ),东芝( TOSHIBA )志半导体( STM ),恩智浦 (NXP ),欧司朗( OSRAM ),威世半导体( VISHAY ),英飞凌( INFINEON ),飞兆半导体( FAIRCHILD ),东芝( TOSHIBA )↑IC封装如上IC产品的命名规则：大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MA XIM公司的以MA X为前缀，AD公司的以A D为前缀，ATMEL公司的以A T为前缀，C Y公司的以C Y为前缀，像A MD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。
但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；A LTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice（莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。
A L TERA的以EP，EPM，EPF为前缀，它在亚洲国家卖得比较好，XILINX的以XC为前缀，它在欧洲国家卖得比较好，功能相当好。
Lattice一般以M4A，LSP，LSIG 为前缀，NS的以LM为前缀居多等等，这里就不一一做介绍了。
紧跟前缀后面的几位字母或数字一般表示其系列及功能，每个厂家规则都不一样，这里不做介绐，之后跟的几位字母（一般指的是尾缀）表示温度系数和管脚及封装，一般情况下，C表示民用级，I表示工业级，E表示扩展工业级，A表示航空级，M表示军品级下面几个介比较具有代表性的生产厂家，简单介绍一下：AMD公司F LASH常识：AM29L V 640 D（1）U（2）90R WH（3）I（4）1：表示工艺：B=0.32uM C=0.32uM thin-film D=0.23uM thin-film G=0.16uM thin-film M=MirrorBit2：表示扇区方式：T=TOP B=BOTTOM H=U nifom highest address L=U nifom low est address U、BL A NK=U nifom3：表示封装：P=PDIP J=PL CC S=SOP Z=SSOP E/F=TSSOP M/P/W=FPGA4：温度范围C=0℃TO+60℃I=-40℃TO+85℃E=-55TO℃+85℃MA XIMMA XIM产品命名信息(专有命名体系)MA XIM推出的专有产品数量在以下相当可观的速度增长.这些器件都按以功能划分的产品类别进行归类。
进口网络安全芯片品牌
进口网络安全芯片品牌中国的网络安全形势日益严峻，网络攻击事件频发，于是人们对网络安全芯片的需求也越来越大。
进口网络安全芯片品牌因其高质量、高性能和可靠性受到了广大用户的青睐，下面就为大家介绍几个知名的进口网络安全芯片品牌。
1. 英特尔（Intel）：英特尔是全球领先的半导体芯片制造商，旗下的网络安全芯片为其客户提供了高度安全的网络和信息保护。
其网络安全芯片采用了先进的技术，具有强大的防护能力，可以有效防止各类网络攻击。
2. 德州仪器（Texas Instruments）：德州仪器是一家领先的半导体制造商，其网络安全芯片广泛应用于物联网、通信、汽车等领域。
该品牌的网络安全芯片具有高效的数据加密能力和安全认证功能，能够有效保护用户的数据和隐私。
3. 恩智浦（NXP）：恩智浦是一家专注于半导体解决方案的公司，其网络安全芯片被广泛使用于智能卡、无线通信和物联网等领域。
该品牌的网络安全芯片采用了多重安全机制，能够防御各种网络攻击，保护用户的信息安全。
4. 威盛电子（VIA Technologies）：威盛电子是一家专注于芯片设计的公司，其网络安全芯片被广泛应用于网络设备、电子支付机具等领域。
该品牌的网络安全芯片具有出色的防火墙和数据加密功能，能够有效抵御网络攻击和数据泄露。
5. 博通（Broadcom）：博通是一家全球顶级的半导体解决方案供应商，其网络安全芯片被广泛应用于无线通信、云计算和数据中心等领域。
该品牌的网络安全芯片具有高度集成和高性能的特点，能够提供全面的网络安全保护。
综上所述，以上这些主要的进口网络安全芯片品牌都在网络安全领域有着较强的技术实力和优秀的产品品质。
用户在选择时可以根据自身需求和实际情况进行选择，以确保网络的安全性和可靠性。
芯片的发展历史（一）
芯⽚的发展历史（⼀）⾸先做个声明：第⼀，本⼈不是从事芯⽚产业⼯作的，只是理⼯科毕业，知道⼀些，但是对于芯⽚及技术⽅⾯的，⼤部分是不懂的。
第⼆，⽂中会提到很多上市公司，只是作为⼀个分析，不做买卖参考。
如果有⼈要去操作，⼀定⾃⼰研究⼀下基本⾯，我尽量保证引⽤的资料正确，但是买卖操作还是要⾃⼰负责。
近期在研究半导体产业链，所以想写⼀些⽂章，尤其是希望能够分享⾃⼰研究的⼼得，希望⼤家能够多多⽀持。
本⽂主要是讲讲芯⽚技术的发展。
半导体产业中，集成电路（IC）占⽐超过80%，所以集成电路基本上等同于半导体产业。
所以经常说到的芯⽚，集成电路，IC，半导体产业都是同⼀个意思，都是是指将⼀定数量的元器件及其连线，通过半导体⼯艺集成在⼀起的具有特定功能的电路，可细分为逻辑电路、存储器、微处理器、模拟电路。
半导体技术从19世纪开始诞⽣，发展⾄今扮演着越来越重要的⾓⾊，我们⽇常所熟知的⼿机（移动终端）、宽带（⽹络通信）、摄像头（安防监控）等都跟IC有关，就连美国硅⾕的诞⽣也跟IC有关。
1、半导体技术发展的基础半导体导电能⼒随着温度、光照条件、输⼊电压（电流）和掺⼊杂质的不同⽽发⽣很⼤变化，这四⼤特性的发现顺序分别如下：1833年：法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升⽽降低。
这是半导体现象的⾸次发现；1839年：法国贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产⽣⼀个电压,这就是半导体的第⼆个特性：光⽣伏特效应；1873年：英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体的第三种特性；1874年：德国布劳恩观察到某些硫化物的导电有⽅向性，也就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第四种特性。
半导体的这四个特性，虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词⼤概到1911年才被考尼⽩格和维斯⾸次使⽤。
直到1947年12⽉，⼈类历史上的第⼀个半导体点接触式晶体管才诞⽣于美国贝尔实验室，从此开创了⼈类的硅⽂明时代。
运算放大器使用的4个步骤以及Ri、Rf的选取
运算放大器使用的4个步骤以及Ri、Rf的选取运算放大器的使用是电工的必修课，有人依据经验和网友讨论，总结了使用三大步骤。
一、如何实现微弱信号放大?传感器+运算放大器+ADC+处理器是运算放大器的典型应用电路，在这种应用中，一个典型的问题是传感器提供的电流非常低，在这种情况下，如何完成信号放大?对于微弱信号的放大，只用单个放大器难以达到好的效果，必须使用一些较特别的方法和传感器激励手段，而使用同步检测电路结构可以得到非常好的测量效果。
这种同步检测电路类似于锁相放大器结构，包括传感器的方波激励，电流转电压放大器，和同步解调三部分。
需要注意的是电流转电压放大器需选用输入偏置电流极低的运放。
另外同步解调需选用双路的SPDT模拟开关。
另有工程师朋友建议，在运放、电容、电阻的选择和布板时，要特别注意选择高阻抗、低噪声运算和低噪声电阻。
有网友对这类问题的解决也进行了补充，如：1) 电路设计时注意平衡的处理，尽量平衡，对于抑制干扰有效，这些在美国国家半导体、BB(已被TI收购)、ADI等公司关于运放的设计手册中均可以查到。
2) 推荐加金属屏蔽罩，将微弱信号部分罩起来(开个小模具)，金属体接电路地，可以大大改善电路抗干扰能力。
3) 对于传感器输出的nA级，选择输入电流pA级的运放即可。
如果对速度没有多大的要求，运放也不贵。
仪表放大器当然最好了，就是成本高些。
4) 若选用非仪表运放，反馈电阻就不要太大了，M欧级好一些。
否则对电阻要求比较高。
后级再进行2级放大，中间加入简单的高通电路，抑制50Hz干扰。
二、运算放大器的偏置设置在双电源运放在接成单电源电路时，工程师朋友在偏置电压的设置方面会遇到一些两难选择，比如作为偏置的直流电压是用电阻分压好还是接参考电压源好?有的网友建议用参考电压源，理由是精度高，此外还能提供较低的交流旁路，有的网友建议用电阻，理由是成本低而且方便。
对此，我认为，双电源运放改成单电源电路时，如果采用基准电压的话，效果最好。
运算放大器的几个容易忽略的问题
运算放大器的几个容易忽略的问题2008-05-27 11:571：正向放大器和反向放大器除过放大倍数的计算不一样外，还有其他不同吗？在不计较正反向的前提下，选哪种好对信号质量一点。
2：在放大倍数一定的情况下，电阻的值的大小有无严格规定，阻值的大与小有关系吗？比方说：放大倍数k=r1/r2，r1=100k，r2=10k和r1=10k，r2=1k，虽然k相同，但电阻不同，效果有什么不同呢？3：我要用到6级运放，是用一个4运放（lm324）和2运放（lm358），还是用3个2运放（lm358）。
ANSWER:以上问题涉及精密运算等问题. 1,关于两者的区别:还有输入阻抗,运算电流的流通途径与共模输入电压等不同.同向放大器输入阻抗高,不从前级信号源吸取电流或吸取极少,这是优点;反向比例器则需要运算电流Iop=Vi/Ri,这是缺点.但反向比例器的运算电流只在正负电源和和运放输出端之间流动,不会进入参考地线(实际上,其阻抗并不为零)容易形成信号干扰(直流约十微伏量级或更大,交流甚至达几毫伏量级).而这正是同向放大器不能避免的情况.同向放大器的共模输入电压Vicom=Vi,而运算放大器的CMRR--共模抑制比通常为:60dB-110dB(@DC-10Hz,并随频率升高而降低),约引入:0.1%-3ppm的运算误差.相比,反向比例器Vicom=0V,没有此误差项.另外,同向放大器的公式:K=1+Rf/Ri也使运算电阻的选配比较麻烦.因此,在多级比例放大的情况下,在下比较偏爱反向比例器. 2,关于运算电阻大小的选择:由于通用运放的典型最大精密输出电流不超过10mA,较大运算电流会造成芯片发热,导致直流零点的漂移,形成直流运算误差.因此,在要求直流运算精度较高的情况下,控制最大总输出电流,通常不超过3mA.使用反向比例器时,这里需要包括:本级与后级的运算电流;而同向放大器不需要前级负载,减轻了前级的负担.减小运算电流,运算电阻就高.由此引入两个问题:Rf与Cf(杂散分布等效并联电容约:3pF-10pF)的时间常数(如:100K*10pF=0.1uS,不过对LM324这种低速运放的应用,不会有明显影响)会限制信号带宽;还会引入由于Ib引起的直流误差:Ibmax*Rf(如:0.1uA*10K=1mV).不过,通过精心匹配补偿(参考ADI公司的运放相关文献,网站上有)和选择Ib小的运放,仍能获得较高的运算精度. 3,若要求运算精度高,建议单运放封装.以减少多运放内部的热反馈,提高直流精度;若精度许可或有成本或小空间要求,可酌情采用多运放.运算放大器在电路中发挥重要的作用，其应用已经延伸到汽车电子、通信、消费等各个领域，并将在支持未来技术方面扮演重要角色。
奥宝科技被美国半导体设备厂商科磊以34亿美元收购
资讯NFORMATION南亚塑胶拟在惠增资4.2亿美元 扩建铜箔基板玻纤布厂4月12日，惠州市委台办吴少忠主任到博罗县石湾镇南亚塑胶（惠 州）有限公司调研，公司负责人杨锡 村先生介绍了企业生产经营和发展情况。
杨锡村先生说，南亚塑胶是台塑集团子公司，2001年正式落户博罗县石湾镇，公司累计总投资约4.4 亿美元，占地50万平方米。
近年来，随着国内人工智能(AI)、电动车行业迅猛发展，南亚塑胶旗下电子材料行业迎来了高速发展期，工厂一直在满负荷生产，2017年公司营收达27亿元人民币，预计2018年将达到 33亿元人民币。
为满足华南市场电子基础材料需求，集团总部决定今年增资4.2亿 美元在惠州投资新建铜箔基板厂和玻纤布厂。
投产后，惠州厂区的铜箔基板年产规模达U20万张，玻纤 布1-02亿米。
建滔召开2017年度业缋发布会3月23日，建滔化工(00148)、建滔积层板(01888)在香港召开2017 年度业绩发布会。
根据早前公布的业绩数据，公司实现营业额431.59 亿港元（单位下同）；同比增长20%;基本净利（不包括非经常性项目）55.89亿元，同比增长70%。
公告称，2017年铜箔、玻璃丝及环氧树脂等覆铜面板上游物料均由于供应短缺而出现价格上扬，推 动覆铜面板单价多次提升，覆铜面板部门利润率因而大增。
覆铜面板部门营业额增长20%。
印刷线路板部门营业额增长10%。
公司表示，在建中的新增覆铜面板及铜箔产能亦将分阶段陆续投产，以配合现时旺盛的下游需求和未来市场的发展。
南亞塑脬工業股份有限公惠州廠N A N VA P L A S T!C S C O R P O R A T IO N HUI ZHOU f>L A M T大族激光登中国上市企业市值500强2018 —季度中国上市公司市值500强榜单日前重镑出炉，本次500强榜单入围门槛为市值310.05亿元人民币，大族激光以584亿元市值排在193名，较去年排名上升26名。
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产品数目：15,000种以上
美国国家半导体公司总部位于加利福尼亚州的圣克拉(Santa Clara)，是一家居于领导地位的模拟电源管理技术开发商，所生产的电源管理产品种类繁多，其中包括易于使用的集成电路、可提高系统能源效率的PowerWise产品以及可提高太阳能系统发电量的SolarMagic产品。
现在已被德州仪器（TI）收购
公司产品
公司将模拟技术和数字技术相结合，专注基于模拟技术的半导体产品，包括电源管理、图像技术、显示驱动器、音频及运算放大器、接口产品以及数据转换解决方案等领域的独立元件和子系统。模拟芯片产品主要面向移动电话、显示器、各种便携式应用及广泛的电子产品市场，其中包括医疗设备、汽车电子系统、工业系统以及测试和测量设备等产品市场。
美国国家半导体公司
公司总部大楼
美国国家半导体 National Semiconductor
美国国家半导体简介
成立日期：1959年
总部：美国加州圣克拉拉
首席执行长：贺百恩（Brian L. Halla）
雇员人数：约7000人
美国纽约证券交易所上市代码：NSM
财年：每年6月至次年5月
2008财年营业额： 18.9亿美元
其网络接口芯片在90年代被广泛使用，成为事实上的标准，特别是其宽范围的温度环境特性，使得其被应用在工业场景，室外等气候恶劣的环境。2001年在业界率先推出千兆网络控制器芯片。
功能
工业级: -40C to 85C
扩展级: -40C to 105C
超级: -40C to 125C
10/100 PHY Single
2011年4月4日，被德州仪器（TI）以65亿美元收购
DP83848I
DP83848VYB
DP83848YB
10/100 PHY Mini
DP83848K, DP83848T
DP83848H
10/100 Dual PHY
DP83849I, DP83849ID, DP83849IF
10/100 MAC+PHY
DP83816EX
最新状况
2009 年财年的营业额达 14.6亿美元