武汉理工大学模电
高输入阻抗放大电路的设计仿真与实现要点

武汉理工大学《模拟电子技术基础》课程设计说明书课程设计任务书学生姓名:指导教师:专业班级:工作单位:电信1101班信息工程学院题目:高输入阻抗放大电路的设计仿真与实现初始条件:可选元件:运算放大器,三极管,电阻、电位器、电容、二极管若干,直流电源Vcc= +12V,V EE= -12V,或自选元器件。
可用仪器:示波器,万用表,直流稳压源,毫伏表等。
要求完成的主要任务:(1)设计任务根据要求,完成对高输入阻抗放大电路的设计、装配与调试,鼓励自制稳压电源。
(2)设计要求①电压增益>=100,输入信号频率<100HZ,共模抑制比≥60dB;②选择电路方案,完成对确定方案电路的设计;③利用Proteus或Multisim仿真设计电路原理图,确定电路元件参数、掌握电路工作原理并仿真实现系统功能;④安装调试并按规范要求格式完成课程设计报告书;⑤选做:利用仿真软件的PCB设计功能进行PCB设计。
时间安排:1、前半周,完成仿真设计调试;并制作实物。
2、后半周,硬件调试,撰写、提交课程设计报告,进行验收和答辩。
指导教师签名:年月日系主任(或责任教师)签名:年月日目录摘要∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙31.电路方案选择∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙42.高输入阻抗放大电路设计∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙52.1差分放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙52.1.1零点漂移∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙52.1.2差模信号与共模信号∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙52.1.3.共模抑制比∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙62.1.4差分放大电路的分析∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙6 2.2镜像恒流源∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙72.2.1镜像电流源电路特点∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙8 2.2.2镜像电流源电路分析∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙82.3同向比例放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙82.4电压串联负反馈∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙92.5电路原理设计图∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙10 3.直流稳压电源的设计∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙103.1理论分析∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙103.2原理图∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙113.3直流稳压电源仿真结果∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙114高输入阻抗放大电路仿真∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙12 5实物安装和调试∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙175.1布局焊接∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙175.2调试方法∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙17 5.3测试结果分析∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙175.4实物展示∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙18 5.PCB制作∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙19 7.个人总结∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙23参考文献∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙24摘要本课程设计是基于模拟电子技术基础课程的高输入阻抗放大器的设计,需要运用书中所学的模电知识。
“模拟电子技术基础”教学改革与探讨

“模拟电子技术基础”教学改革与探讨作者:许建霞来源:《中国电力教育》2012年第33期摘要:“模拟电子技术基础”是一门理论性和实践性都很强的课程,学生在学习过程中普遍感到内容抽象,不容易理解。
针对这些特点,在课堂中利用Multisim强大的电路仿真功能,将抽象的理论知识用图形展示给学生看,这样既丰富了教学手段,又加深了学生对理论知识的理解,从而有效地提高了教学质量。
关键词:模拟电子技术基础;Multisim;射极偏置放大电路作者简介:许建霞(1975-),女,江西南城人,武汉理工大学信息学院,讲师。
(湖北武汉430070)基金项目:本文系武汉理工大学教研项目资助:“模拟电子技术基础”辅助教学平台研制的研究成果。
中图分类号:G642.0 文献标识码:A 文章编号:1007-0079(2012)33-0047-02“模拟电子技术基础”是电气自动化、电子科学与技术、电子信息、通信与信息系统等学科的基础课程。
为了让学生能更好地适应新技术的发展,掌握模拟电子技术的基础知识,有必要加强学生对“模拟电子技术基础”课程的学习。
但“模拟电子技术基础”课程所涉及到的电路以及分析方法比较抽象,讲解起来非常困难,学生也普遍反应比较难学,素来有“魔鬼模电”之说,[1]在学习过程中,常感到比较枯燥,难于理解,影响了学生对学习这门课的兴趣,学习质量也相应的下降。
为了保证学生能真正理解其基本概念和方法,为其将来自学其他内容打下基础,这就要求教师在教学过程中必须采取一定的技巧和方法,将“模拟电子技术基础”的理论知识与Multisim软件有机结合起来,利用Multisim强大的电路仿真功能,[2-3]将一些抽象的概念和技术理论用易于理解的可视化图形演示给学生看,有助于学生对知识点的理解和掌握。
一、丰富课堂教学手段为了提高教学质量,提高学生的学习兴趣,激发他们学习的热情,首先要注重课堂教学过程设计的连贯性,上课时,可以以提出问题的方式引入本节课的教学内容,然后围绕要解决的问题展开教学,这样可以让学生对本节课要学的内容有一个清晰的认识。
音频功率放大器设计TDA2030模电课设

号计设课程目题高保真音频功率放大器设计院学业专级班姓名指导教师日月年武汉理工大学《模拟电子技术基础》课程设计说明书课程设计任务书学生姓名:专业班级:指导教师:工作单位:题目: 高保真音频功率放大器设计初始条件:可选元件:集成功放LA4100或LA4102;集成功放4430;集成功放TD2030;集成功放TDA2004、2009;集成功放TA7240AP(集成功放的选择应满足技术指标)。
电容、电阻、电位器若干;或自备元器件。
直流电源±12V,或自备电源。
可用仪器:示波器,万用表,毫伏表要求完成的主要任务:(1)设计任务根据技术指标和已知条件,选择合适的功放电路,如:OCL、OTL或BTL电路。
完成对高保真音频功率放大器的设计、装配与调试。
(2)设计要求①输出功率10W/8Ω;频率响应20~20KHz;效率>60﹪;失真小。
②选择电路方案,完成对确定方案电路的设计。
计算电路元件参数与元件选择、并画出总体电路原理图,阐述基本原理。
(选做:用PSPICE或EWB软件完成仿真)③安装调试并按规定格式写出课程设计报告书。
时间安排:1、年月日集中,作课设具体实施计划与课程设计报告格式的要求说明。
2、年月日,查阅相关资料,学习电路的工作原理。
2、年月日至年月日,方案选择和电路设计。
2、年月日至年月日,电路调试和设计说明书撰写。
3、年月日上交课程设计成果及报告,同时进行答辩。
指导教师签名:年月日日系主任(或责任教师)签名:年月1武汉理工大学《模拟电子技术基础》课程设计说明书摘要本文设计的高保真音频功率放大器,带八欧负载,输出功率可达10W,整体电路分为四级:电源、前置放大电路、音调调节电路、功率放大电路;正负电源用7815和7915设计,前置放大和音调调节电路用NE5532设计,功率放大电路用TDA2030设计,制作和调试后,各项指标已实现。
关键字:音频功率放大器,音调调节,TDA2030,NE5532。
武汉理工大学模拟电子技术课程设计

武汉理工大学模拟电子技术课程设计武汉理工大学模拟电子技术课程设计是该校电子信息工程专业的必修课程之一,旨在培养学生对模拟电子电路设计和制作的能力,以及对电子元器件及其参数的深入理解。
本文将从课程设计的整体构架、内容和重点、难点及解决方法等方面进行介绍和探讨。
一、课程设计的整体构架武汉理工大学模拟电子技术课程设计主要分为三个环节:理论授课、实验操作和课程设计。
其中理论授课部分主要包括模拟电子电路、常用电子元器件和电路参数、模拟信号与数字信号的基本概念等方面的知识;实验操作部分则是在实验室里进行模拟电路设计、搭建、调试和测试的实践环节;而课程设计则是将前两个环节所得知识和技能应用到实际的电子电路中,完成一定难度的模拟电路设计。
二、课程设计的内容和重点课程设计的内容主要包括三个方面:设计需求确定、电路原理设计和最终电路实现。
在这三个方面,主要涉及到的知识和技能有:1. 了解电子电路中常用的电子元器件及其参数,对于电路中各元器件的特性和使用方法进行深入理解。
2. 了解模拟电子电路的基本工作原理,掌握其在电路设计中的应用方法和技巧。
3. 熟练掌握基本的电路设计方法,比如赫兹尔电桥法、威恩电桥法、放大器设计等。
在这些知识和技能的掌握过程中,需要重点培养学生的以下能力:1. 分析问题和解决问题的能力。
2. 良好的动手能力和实验操作技能。
3. 对技术资料的理解和分析能力。
4. 能够灵活地运用所学知识解决实际问题的能力。
三、课程设计的难点及解决方法在进行模拟电子技术课程设计过程中,学生通常会面临以下难点:1. 对于某些复杂电路元器件参数的理解和掌握。
2. 如何将实验操作中所学到的知识和技能应用到设计中。
3. 如何将策划和设计的工作有效组织起来。
针对以上难点,在设计中,可以注意以下几点:1. 积极探索不同的电路元器件特性,加深理解及掌握。
2. 在实验操作前,需明确实验的目的和内容,便于将实验中的知识、技能及经验应用到设计中。
三极管状态判断

三极管状态判断NPN管:放大状态Vc>Vb>Ve,饱和状态Vb>ve,Vb>vc,截止状态Vc=+V,Vb=0PNP管:放大状态Ve>Vb>Vc,饱和状态Vb<ve,Vb<vc,截止状态Vc=-V(负电源供电)饱和状态时Vce为0.2V(npn和pnp管都是一样的)静态工作点可以测量出来发射结和集电结都是正向偏置时就已经饱和了.此时,Ube>Uce.当晶体管的Ube增大时,Ic不是明显的增大说明进入饱和状态,对于小功率管,可以认为当Uce=Ube,即Ucb=0时,处于临界饱三极管简介晶体三极管的结构和类型晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。
发射极箭头向外。
发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律,底视图位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c。
目前,国内各种类型的晶体三极管有许多种,管脚的排列不尽相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置,或查找晶体管使用手册,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
1~4章习题课 模电 武汉理工

iD1
V1 uI V2 uI ( i1 iD2 ) ( ) R1 R2
iD1 iD2
2uI 24 5 18 uI 5
+
iD1 D1 i1
iD2 D2 i2 R2 V2
+
D1导通的条件是uI>12 V
uI
R1 5 kW
模拟电子技术基础
2.3.1 在题图2.3.1所示电路中,发光二极管导通 电压VD=1.5V,正向电流在5~15mA时才能正 常工作。试问: (1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光? (2)R的取值范围是多少?
解:(1)当开关S闭合时发光二极管才能发光。 (2)为了让二极管正常发光,ID=5~15mA, R的范围为
R i R b //[rbe (1 )R L ] 18 //(0.56 101 0.11) 7kW
Avs
Ri ( 1 )RL Ri Rs rbe ( 1 )RL
7 101 0.11 0.877 。 7 0.6 0.56 101 0.11
2.2.5 电路如题图所示,设所有稳压管均为硅管 (正向导通电压为VD=0.7V),且稳定电压VZ= 8V,已知vi=15sinωt (V),试画出vO1和vO2的 波形。
模拟电子技术基础
当 vi VZ 8V 时,稳压管 DZ 反向击穿,vo=8V ; 当 vi VD 0.7V 时,稳压 管 DZ 正向导通,vo=−0.7V ; 当 0.7V VD vi VZ 8V 时,稳压管 DZ1 和 DZ2 未击穿,vo=vi 。
50 3 3 0.5
150
Vi
Ri Rb1 Rb 2 rbe 0.5k W
《武汉理工大学理学院电信科培养计划》

《武汉理工大学理学院电信科培养计划》电子信息科学与技术专业本科培养计划undergraduateprogramforelectronicinformationscienceandtechnology一、业务培养目标Ⅰeducationalobjectives本专业培养电子信息科学与技术高级专门人才,具备电子信息科学与技术的基础理论和基本知识,接受严格的科学实验训练和科学研究初步训练,有较强的创新意识,能够在电子、信息、计算机及相关领域和行政部门从事科学研究、教学、科技开发、产品设计、生产技术或管理的工作。
thisprogramaimsattrainingadvancedandspecialtalentsinthefieldofele ctronicinformationscienceandtechnologyandelectronicscienceandtechno logy,whoshouldreceivebasictrainingsonscientificexperimentandresearch,masterbasictheory,knowledgeandskillsinelectronicinformationscienceandtechnology,andarecapableofjobsaboutresearching,teaching,sci-techdevelopment,engineeringdesignormanagementinfieldsofelectronics,information,puterandgovernmentaladministration.二、业务培养要求Ⅱeducationalrequirements本专业学生主要学习电子信息科学与技术的基础理论和技术,受到科学实验与科学思维的训练,具备本学科及相关领域的应用研究与技术开发的能力。
毕业生应具备以下几方面的知识和能力:1.掌握数学、物理等方面的基础理论和基本知识;2.掌握电子信息科学与技术、计算机科学与技术等方面的基础理论、专业知识与技能;3.了解相近专业的一般原理和知识;4.熟悉国家电子信息产业政策及国内外有关知识产权的法律法规;5.了解电子信息科学与技术的理论前沿、应用前景和最新发展动态,以及电子信息产业发展状况;6.掌握资料查询、文献检索及运用现代信息技术获取相关信息的基本方法,具有初步的电子设计、科学实验、论文撰写及学术交流的能力;7.具有较强的外语综合应用能力,特别是听说能力。
武汉理工大学《超大规模集成电路设计》考试习题及答案

24 . 分别说明硬 IP、软 IP、固 IP 的主要特征。 24. 硬 IP,也是针对某一工艺完成的版图设计,并经过后仿真和投片验证。 硬核已完成了全部的前端和后端设计, 制造也已确定。 它的特点是灵活性 最小,知识产权的保护比较简单。软 IP 是包括逻辑描述、网表和不能物 理实现的用于测试的文档(test bench file) 方式存在的 IP,是一段可综合 的高级语言(用 C 语言或硬件描述语言完成)源程序,用于功能仿真。 在进行电路设计时,可以改动 IP 的内部代码以适应不同的电路需要,或 者 IP 本身就带有各种可设置的参数来调整具体的功能。 固核是一种介于软核和硬核之间的 IP,通常以 RTL 代码和对应具体工艺 网表的混合形式提供。固核既不是独立的,也不是固定的,它可根据用户 要求进行修改, 使它适合用于某种可实现的工艺过程。 固核允许用户重新 确定关键的性能参数。 25、说明 MOS 器件的基本工作原理。它与 BJT 基本工作原理的区别是 什么? MOS 器件基于表面感应的原理, 是利用垂直的栅压 VGS 实现对水平 IDS 的控制。它是多子(多数载流子)器件。用跨导描述其放大能力。 双极型晶体管(BJT)是利用发射结、集电结成的体内器件,由基极电流控 制集电极电流的两种载流子均起作用的器件。 用电流放大系数描述其放大 能力。 26、画出 MOS 器件的输出特性曲线。指出 MOS 器件和 BJT 输出特性 曲线的异同。 双极性晶体管的输出特性曲线形状与 MOS 器件的输出特性曲线相似, 但 线性区与饱和区恰好相反。 MOS 器件的输出特性曲线的参变量是 VGS , 双极性晶体管的输出特性曲线的参变量是基极电流 IB。
门阵列基片结构如下页图所阵 ( ) 列单元结构见下页图所示。 ( ) ( )
. 为什么 CMOS(含 BiCMOS)工艺成为 VLSI 主流工艺?其最大特 20 20. 点是什么? 在微电子技术领域, 集成电路的制造有两个主要的实现技术: 双极技术 与 MOS 技术。CMOS 以其结构简单,集成度高,耗散功率小等优点, 成为当今 VLSI 制造的主流技术。其最大特点是耗散功率小。 21 简要说明深亚微米电路设计对设计流程的影响。 在深亚微米级电路设计中的一个突出矛盾是时序问题。到了深亚微米 水平, 互连线的延迟将超过门延迟。 要求在逻辑设计过程中引入物理设计 阶段的数据; 如何把布局布线工具、 寄生参数提取工具的时序分析统计工 具集成到逻辑综合中去。 还有一个功耗问题必须考虑。 总之是要求将前端 设计和后端设计及测试融为一体。 . 为什么说嵌入式 SoC 的设计代表了高科技的设计方法和软硬件系 22 22. 统? 嵌入式 SoC 是集系统性能于一块芯片上的系统组芯片,它通常含有一 个或多个微处理器 IP 核(CPU) ,有时再增加一个或多个 DSP IP 核, 以 及多个或几十个的外围特殊功能模块,和一定规模的存储器( RAM , ROM)等。针对应用所需的性能将其设计集成在芯片上,而成为系统操 作芯片。 芯片的规模常常可以达到数百万门甚至上千万门以上, 所以嵌入 式 SoC 是满足应用的系统组成的集成电路产品。 嵌入式 SoC 一方面要满 足复杂的系统性能的需要, 另一方面也要满足市场上日新月异的对新产品 的需求,因此嵌入式 SoC 的设计代表了高科技的设计方法和软硬件系统 23 IP 的基本定义是什么? IP 核 即知识产权产品是在集成电路设计中, IP 特指可以通过知识产权 贸易,在各设计公司间流通的完成特定功能的电路模块。
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2 放大电路的基本知识
• 放大电路的主要性能指标:(放大电路的性能
指标是衡量它的品质优劣的标准,并决定其适用范围, 主要包括如下几项)
– 输入电阻 – 输出电阻 – 增益 – 频率响应及带宽 – 非线性失真
电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础
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2 放大电路的基本知识
• 输入电阻和输出电阻
– 数字电路
• 处理数字信号的电子电路-称为数字电路 • 数字信号:在时间和幅值上均为不连续的、突变的信号
(在数字电路中常用0和1表示) • 典型代表:方波、脉冲波
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2 放大电路的基本知识
• 模电研究的核心:放大电路(放大器)
– 放大是最基本的模拟信号处理功能,它是通过放 大电路实现的,大多数模拟电子系统中都应用了 不同类型的放大电路。放大电路也是构成其他模 拟电路,如滤波、振荡、稳压等功能电路的基本 单元电路。
1 电子系统与信号
• 电子技术的三个方面
– 电子器件 – 电子电路
• 分立元件电路 • 集成电路
– 电子系统
• 电子系统通常是指由若干相互联接、相互作用的 基本电路组成的具有特定功能的电路整体。
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1 电子系统与信号
• 电子电路的分类
– 模拟电路
• 处理模拟信号的电子电路-称为模拟电路 • 模拟信号:在时间和幅值上均为连续的信号 • 典型代表:正弦波
• 互阻放大
I·i
·
I
Rs
s
Ro
+
+
Ri
A·RO·Ii
V·o
RL
-
-
图3 互阻放大电路模型
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• 互导放大
2 放大电路的基本知识
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
Rs
I·o
+
+
V·s
-
.
Vi
-
Ri
Ro ··
AGSVi
RL
图4 互导放大电路模型
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·
Ri =
Vi I·i
– 对输入为电压信号的放大电路,即电压放大和互导放 大,Ri 愈大,则放大电路输入端V·i 的值愈大。反之,
输入为电流信号的放大电路,即电流放大和互阻放大, Ri 愈小,注入放大电路的输入电流 Ii 愈大·。
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2 放大电路的基本知识
Rs I·i
Ro
+
+
+
+
V·s
. Vi
Ri
A·VoV·i
· Vo
RL
-
-
-
-
Ri
Ro
图5 放大电路的输入电阻和输出电阻
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2 放大电路的基本知识
• 输入电阻(其大小决定了放大电路从信号源吸取信号
幅值的大小)
– 输入电阻等于输入电压与输入电流的比值,即
–
路中的一些问题,抓主要矛盾,忽略次要矛盾,用 实际观点分析问题,允许有一定的误差(±20%工 程误差)
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引言
• 研究内容
– 以器件为基础 – 研究各种模拟电子电路(以放大为主)的工作
原理、特点及性能指标等。
• 教学目标
– 通过本课程的学习,使学生获得电子技术方面 的基本理论、基本知识和基本技能。
– 能读懂典型的模拟电子电路,并能分析计算。 – 会查阅电子器件手册,从而具备一定的设计制
作模拟电子电路的能力。
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曾经用过的教材
• 本届选用教材 – 《模拟电子技术基础》
– 吴友宇主编 – 清华大学出版社
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引言
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2 放大电路的基本知识
• 放大电路模型
– 根据实际的输入信号和所需的输出信号是电压或 者电流,放大电路可分为四种类型:
• 电压放大 • 电流放大 • 互阻放大 • 互导放大
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• 电压放大
2 放大电路的基本知识
第0章 绪论
武汉理工大学 信息工程学院 电子技术基础课程组
模拟电子技术——电子技术基础精品课程
引言
• 本课程的性质
– 《模拟电子技术》是电气信息类专业的一门必修学 科基础课,是联系基础课和专业课的桥梁课程,其 系统性和实践性较强。
• 本课程的特点
– 非纯理论性课程,实践性很强,学习动手能力 – 定性分析多,定量估算多,以工程的观点来处理电
Rs
Ro
+
+
+
+
V·s
. Vi
Ri
A·VoV·i
· Vo
RL
-
-
-
-
图1 电压放大电路模型
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• 电流放大
2 放大电路的基本知识
I·i
·
I
Rs
s
I·o
Ri
Ro
RL
A·ISI·i
图2 电流放大电路模型
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2 放大电路的基本知识
• 定量分析时也可用以下方式求输入电阻
·
IT
+
V·T
放大电路
RL
-
Ri
图6 放大电路的输入电阻计算
Ri=
V·T I·T
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2 放大电路的基本知识
• 输出电阻
– -放大电路的输出电阻Ro的大小决定它带负载 的能力。
– -对输出为电压信号的放大电路,即电压放大 和 出互 电阻 压V放·o大的,影R响o愈愈小小,。负对载输电出阻为R电L流的信变号化的对放输 大电路,即电流放大和互导放大,与受控电流 源 流I并·o的联影的响Ro愈愈小大。,负载电阻RL的变化对输出电
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2 放大电路的基本知识
• 输出电阻的计算
Rs + · VS=0
-
放大电路
I·T
+ · VT
-
Ro 图7 放大电路的输出电阻计算
·
Ro=
VT I·T
V·s= 0
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2 放大电路的基本知识
• 增益(亦称放大倍数,工程上常用以10为底的对
引言
• 主要参考书
❖ 《模拟电子技术基础》 童诗白、华成英 主编 高等教育出版社
❖ 《模拟电子技术》 王 远 主编 机械工业出版社出版
❖ 《模拟电子技术基础》 陈大钦 主编 华中理工大学出版
❖ 《模拟电子技术基础习题集》 XXX 主编 XXXX出版社
电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础
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数形式表示)
– 电压放大电路——只考虑电压增益的电路
A·V = VV··oi or V·o= A·V V·i (AV·为电路的电压增益)
– 电流放大电路——只考虑电流增益的电路