常用晶体材料(互联网+)
晶体三极管型号命名方法
各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA 注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
神奇的硅了解硅元素在电子产业中的重要性
神奇的硅了解硅元素在电子产业中的重要性神奇的硅-了解硅元素在电子产业中的重要性硅（Si）是一种常见的非金属元素，它以它的丰富特性而在电子产业中扮演着重要的角色。
硅是地壳上第二丰富的元素，其广泛应用于半导体器件的制造中，为电子技术的发展提供了重要的支持。
本文将重点介绍硅在电子产业中的重要性，并探讨其在不同领域中的应用。
1. 硅在半导体领域中的重要性硅在制造半导体器件中发挥着至关重要的作用。
半导体是一种材料，其电导度介于导体和绝缘体之间。
硅通过掺杂（添加少量杂质）和控制晶体结构的方式，可以制备出具有特定电导性能的半导体材料。
硅制成的半导体器件，如集成电路（Integrated Circuit，IC）和晶体管（Transistor），使得现代电子产品可以变得更小、更轻、更快。
2. 硅在集成电路制造中的应用硅作为基础材料被广泛应用于集成电路制造中。
集成电路是电子器件中的核心部件，它将数百万个晶体管、电容器、电阻器和其他电子组件集成到一个小芯片上。
硅材料的稳定性、可靠性和成本效益使其成为首选材料。
此外，硅材料的电学性能以及对高温、高压的稳定性也使其成为制造高性能电子芯片的理想选择。
3. 硅在太阳能产业中的应用硅也在太阳能产业中扮演着重要角色。
太阳能电池板是一种将太阳能转化为电能的设备，其中的光伏电池就是利用硅制造而成。
光伏电池板的制造主要依赖于硅材料的半导体特性。
硅光伏电池板具有高效性能、长寿命和可再生等特点，成为清洁能源的重要组成部分。
4. 硅在玻璃与光纤产业中的应用硅也被广泛应用于玻璃制造和光纤产业中。
硅基玻璃具有优良的物理性能和化学稳定性，被广泛用于制造光纤、光学仪器和太阳能镜片等。
光纤是一种传输光信号的材料，其制造过程依靠硅材料的先进技术。
硅光纤作为信息传输的主要媒介，使得互联网、通信和数据传输变得更加快速和可靠。
5. 硅在电子组装和封装中的应用硅还在电子组装和封装中发挥着重要作用。
电子组装和封装是将各个元器件组合成最终的电子产品的过程。
电子产品常用英文词汇
电子产品常用英文词汇基础词汇Electronics (电子学): 研究电子设备、电路及其应用的科学。
Electronic device (电子设备): 任何使用电子元件来执行特定功能的设备，例如手机、电脑、电视等。
Circuit (电路): 由电子元件连接而成的路径，用于传输和控制电子信号。
Component (元件): 电路中的基本单元，例如电阻、电容、晶体管等。
Semiconductor (半导体): 导电性介于导体和绝缘体之间的材料，例如硅和锗。
Integrated circuit (集成电路): 将多个电子元件集成到一个芯片上的电路。
Microprocessor (微处理器): 执行计算机指令的集成电路。
Memory (存储器): 存储计算机数据的设备，例如 RAM、ROM、硬盘等。
Input device (输入设备): 将数据输入计算机的设备，例如键盘、鼠标、扫描仪等。
Output device (输出设备): 将计算机数据输出为人类可读形式的设备，例如显示器、打印机、扬声器等。
手机相关词汇Smartphone (智能手机): 集成了电话、计算机、相机等功能的手机。
Operating system (操作系统): 管理手机硬件和软件资源的系统，例如 Android、iOS 等。
App (应用程序): 在智能手机上运行的软件程序。
Battery (电池): 为手机提供电力的装置。
Camera (相机): 用于拍照和录像的设备。
Display (显示器): 显示手机信息的屏幕。
Speaker (扬声器): 将电信号转换为声音的装置。
电脑相关词汇Computer (电脑): 用于处理数据、存储信息和执行程序的设备。
Laptop (笔记本电脑): 便携式电脑。
Tablet (平板电脑): 介于手机和笔记本电脑之间的便携式设备。
Motherboard (主板): 连接电脑各个组件的电路板。
CPU (中央处理器): 执行电脑指令的芯片。
IC专业术语-通信-电子-网络专业术语(中英文对照表)-DSP常用接口中英文对照
封装形式：封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。
它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接。
衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。
封装大致经过了如下发展进程：结构方面：TO－>DIP－>LCC－>QFP－>BGA －>CSP；材料方面：金属、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；引脚形状：长引线直插－>短引线或无引线贴装－>球状凸点；装配方式：通孔插装－>表面组装－>直接安装。
常见英文缩写解释（按字母顺序排列）：模拟滤波器光纤通信高速信号处理和转换无线/射频光线通讯，模拟显示支持电路高频模拟和混合信号ASIC数字转换器，接口，电源管理，电池监控 DC/DC电源电压基准MAXIM前缀是“MAX”。
DALLAS则是以“DS”开头。
MAX×××或MAX××××说明：1后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。
2 后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。
3 CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。
举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）说明 E指抗静电保护MAXIM数字排列分类1字头模拟器 2字头滤波器 3字头多路开关4字头放大器 5字头数模转换器 6字头电压基准7字头电压转换 8字头复位器 9字头比较器DALLAS命名规则例如DS1210N.S. DS1225Y-100INDN=工业级S=表贴宽体 MCG=DIP封Z=表贴宽体 MNG=DIP工业级IND=工业级 QCG=PLCC封 Q=QFP下面是MAXIM的命名规则：三字母后缀：例如：MAX358CPDC = 温度范围P = 封装类型D = 管脚数温度范围：C = 0℃至 70℃（商业级）I = -20℃至 +85℃（工业级）E = -40℃至 +85℃（扩展工业级）A = -40℃至 +85℃（航空级）M = -55℃至 +125℃（军品级）封装类型：A SSOP(缩小外型封装)B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)D 陶瓷铜顶封装四字母后缀：例如：MAX1480ACPIA = 指标等级或附带功能C = 温度范围P = 封装类型I = 管脚数管脚数：A: 8 B: 10，64C: 12，192 D: 14E: 16 F: 22，256G: 24 H: 44I: 28 J: 32K: 5，68 L: 40M: 7，48 N: 18O: 42 P: 20Q: 2，100 R: 3，84S: 4，80 T: 6，160U: 60 V: 8（圆形）W: 10（圆形）X: 36Y: 8（圆形）Z: 10（圆形）E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP)J CERDIP (陶瓷双列直插)K TO-3 塑料接脚栅格阵列L LCC (无引线芯片承载封装)M MQFP (公制四方扁平封装)N 窄体塑封双列直插P 塑封双列直插Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)S 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装（300mil）X SC-70（3脚，5脚，6脚）Y 窄体铜顶封装Z TO-92，MQUAD/D 裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆DSP信号处理器放大器工业用器件通信电源管理移动通信视频/图像处理器等模拟A/D D/A 转换器传感器模拟器件AD产品以“AD”、“ADV”居多，也有“OP”或者“REF”、“AMP”、“SMP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等开头的。
磷化铟晶体半导体材料的研究综述
文献综述课题名称磷化铟晶体半导体材料的研究学生学院机电工程学院专业班级2013级机电（3）班学号135学生姓名王琮指导教师路家斌2017年01月06日中文摘要磷化铟(InP)已成为光电器件和微电子器件不可或缺的重要半导体材料。
本文详细研究了快速大容量合成高纯及各种熔体配比条件的InP材料；大直径 lnP 单晶生长；与熔体配比相关的缺陷性质；lnP中的VIn心相关的缺陷性质和有关InP材料的应用，本文回顾了磷化铟( InP)晶体材料的发展过程,介绍了磷化铟材料的多种用途和优越特性，深入分析InP合成的物理化学过程，国际上首次采用双管合成技术，通过对热场和其他工艺参数的优化，实现在60—90分钟内合成4．6Kg 高纯InP多晶。
通过对配比量的调节，实现了熔体的富铟、近化学配比，富磷等状态，为进一步开展不同熔体配比对InP性质的影响奠定了基础.关键词：磷化铟磷注入合成晶体材料器件ABSTRACTIndium Phosphide (InP) has been indispensable to both optical and electronic devices．This paper used a direct P—injection synthesis and LEC crystal growth method to prepare high purity and various melt stoichiometry conditions polycrystalline InP and to grow high quality,large diameter InP single crystal in our homemade pullers．In this work，we have obtained the abstract this paper looks back the developing process on the bulk InP crystals, introduces vario us uses a nd superior character of the InP ma terials and a large quantity of high purity InP crystal materialhas been produced by the phosphorus in-situ injection synthesis and liquid encapsulated Czochralski(LEC) growth process．In the injection method，phosphorus reacts with indium very quickly so that the rapid polycrystalline synthesis is possible．The quartz injector with two Or multi-transfer tubes was used to improve the synthesis result．It will avoid quartz injector blast when the melt was indraft into the transfer tube．The injection speed，melt temperature，phosphorus excess，and SO on are also important for a successful synthesis process．About 4000—60009 stoichiometric high purity poly InP is synthesized reproducibly by improved P-injection method in the high—pressure puller．Keywords：InP , P-injection synthesis, Crystal , Material, Device引言磷化铟( InP) 是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一,是继Si、Ga As之后的新一代电子功能材料。
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中国化工网址大全1.21世纪精细化工网介绍化工基础知识。
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IC 知 识 简 介
IC 知识简介IC知识一一、IC的分类IC按功能可分为：数字IC、模拟IC、微波IC及其他IC，其中，数字IC是近年来应用最广、发展最快的IC品种。
数字IC就是传递、加工、处理数字信号的IC，可分为通用数字IC和专用数字IC。
通用IC：是指那些用户多、使用领域广泛、标准型的电路，如存储器（DRAM）、微处理器（MPU）及微控制器（MCU）等，反映了数字IC的现状和水平。
专用IC（ASIC）：是指为特定的用户、某种专门或特别的用途而设计的电路。
目前，集成电路产品有以下几种设计、生产、销售模式。
1．IC制造商（IDM）自行设计，由自己的生产线加工、封装，测试后的成品芯片自行销售。
2．IC设计公司（Fabless）与标准工艺加工线（Foundry）相结合的方式。
设计公司将所设计芯片最终的物理版图交给Foundry 加工制造，同样，封装测试也委托专业厂家完成，最后的成品芯片作为IC设计公司的产品而自行销售。
打个比方，Fabless相当于作者和出版商，而Foundry相当于印刷厂，起到产业"龙头"作用的应该是前者。
二、世界集成电路产业结构的变化及其发展历程自1958年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路（IC）后，随着硅平面技术的发展，二十世纪六十年代先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路，它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和质的飞跃，创造了一个前所未有的具有极强渗透力和旺盛生命力的新兴产业集成电路产业。
回顾集成电路的发展历程，我们可以看到，自发明集成电路至今40多年以来，"从电路集成到系统集成"这句话是对IC产品从小规模集成电路（SSI）到今天特大规模集成电路（ULSI）发展过程的最好总结，即整个集成电路产品的发展经历了从传统的板上系统（System-on-board）到片上系统（System-on-a-chip）的过程。
在这历史过程中，世界IC产业为适应技术的发展和市场的需求，其产业结构经历了三次变革。
芯片常用英文单词对照表
芯片常用英文单词对照表芯片（Chip）：指电子设备中用于存储和处理数据的微型电子元件。
半导体（Semiconductor）：指介于导体和绝缘体之间的材料，用于制造芯片。
集成电路（Integrated Circuit）：指由多个电子元件组成的微型电路，通常用于芯片中。
硅（Silicon）：指一种化学元素，常用于制造芯片。
晶圆（Wafer）：指制造芯片所用的圆形硅片。
蚀刻（Etching）：指在晶圆上制作微细电路的一种工艺。
光刻（Photolithography）：指在晶圆上制作微细电路的一种工艺，使用光刻机将电路图案转移到晶圆上。
掺杂（Doping）：指在半导体材料中添加杂质，以改变其电导性质。
氧化（Oxidation）：指在半导体材料表面形成一层氧化物的过程。
电镀（Electroplating）：指在芯片表面镀上一层金属的过程。
封装（Packaging）：指将芯片封装在保护壳中，以便于使用和安装。
引脚（Pin）：指芯片上的金属接点，用于与外部电路连接。
基板（Substrate）：指芯片上的底层材料，通常为硅片。
金属层（Metal Layer）：指芯片上的金属导线层，用于连接各个电子元件。
绝缘层（Insulation Layer）：指芯片上的绝缘材料层，用于隔离不同电子元件。
电源（Power Supply）：指为芯片提供电能的电源。
地线（Ground）：指芯片上的接地线，用于连接到电路的公共接地端。
时钟（Clock）：指芯片上的时钟信号，用于控制芯片内部各个电子元件的运行。
寄存器（Register）：指芯片上的存储单元，用于存储数据。
缓存（Cache）：指芯片上的高速存储器，用于存储经常使用的数据。
控制器（Controller）：指芯片上的控制单元，用于控制芯片内部各个电子元件的运行。
接口（Interface）：指芯片上的接口电路，用于与其他设备进行通信。
操作系统（Operating System）：指用于管理计算机硬件和软件资源的系统软件，通常运行在芯片上。
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Al2O3晶体氧化铝晶体（白宝石，蓝宝石，Al2O3）是一种很重要的光学晶体。
它具有高硬度、高熔点、高强度、高透过率、耐高温和抗腐蚀的特性，广泛地用于航空航天仪器的红外和紫外的窗口、激光工作窗口、高炉测温窗口以及太阳能电池保护罩和永不磨损手表镜面等。
在窗口应用方面，它具有如下优良的特性：(1)光透过范围从300nm到5.5μm(2)3-5μm波段红外透过率大于85%(3)具有高硬度，高透过率,抗挠曲强度和抗风蚀、雨蚀的能力(4)优良的热传导性能(5)低散射率0.02在λ=26到31μm，880℃熔点2050 o C密度 3.91g/m3莫氏硬度9杨氏模量53 Mpsi透过波段300nm-5.5μmCaF2晶体密度 3.18 g/cm3熔点1357~1360℃晶格常数 5.46 Å努普硬度178 [100], 160 [110]kg/mm2介电常数 6.76 ，105HZ晶体类型cubic, CaF2 type structure解离面(111)应用紫外激光窗口材料折射率：波长,0.19 0.21 0.25 0.33 0.41 0.88 2.65 3.90 5.00 6.20 7.00 8.22µm折射率 1.51 1.49 1.47 1.45 1.44 1.43 1.42 1.41 1.40 1.38 1.36 1.34MgF2晶体氟化镁晶体被应用在环境要求很苛刻的光学系统中，它的透过波段为0.11μm--8.5μm。
辐照不会导致色心的产生，它有良好的机械性能，可以承受热和机械震动，很大的外力才能使氟化镁解理。
氟化镁单晶由于有微弱的双折射性能，通常的切向为光轴垂直于晶片表面。
氟化镁是一种应用很广泛的晶体，具有如下特性：(1)、在真空紫外到红外(0.11～8.5μm)波段有很高的透过率.(2)、抗撞击和热波动以及辐照(3)、良好的化学稳定性.(4)、可用于光学棱透镜、锲角片、窗口和相关光学系统中(5)、四方双折射晶体性能，可用于光通讯.(6)、UV 窗口材料Ba F2密度 4.89 g/cm3, at 20°C熔点1354°C摩尔质量175.36晶格常数 6.196 Å热导率7.1 W/(m K), at 38°C比热456 J/(kg K)热膨胀系数16.5 ~ 19.2 ×10–6 / K,± 60°C努普硬度82kg/mm2莫氏硬度 3杨氏模量53.05GPa剪切模量25.4GPa体积弹性模量56.4GPa介电常数7.33,2×106HZ水中溶解度0.17 g / 100 g，10℃晶体类型立方晶系解离面(111)泊松比0.343带隙9.1eV透过范围0.18 ~ 12.0 µmin IR, UV and DUV折射率：波长,µm 0.2 0.5 1.0 3.0 6.0 9.0 12.0 15.01.5573 1.4779 1.4686 1.4612 1.4441 1.4144 1.3696 1.3050n(Lambda)LiF氟化锂晶体是一种很重要的光学晶体，它具有如下优良的特性：1、在真空紫外到红外(0.12-6μm)的波段有很高的透过率，特别是在真空紫外有优良的透过率。
材料性能：密度 2.64g/cm3熔点870℃摩尔质量25.9394晶格常数 4.0279 Å热导率 4.01 W/(m K)比热1562 (J kg-1 K-1)热膨胀系数28.1 - 34.8 (10-6/K)努普硬度102–103kg/mm2莫氏硬度 3杨氏模量64.79GPa剪切模量55.14 GPa体积弹性模量62.03 GPa断裂强度10.8 MPa弹性系数C11 = 112 / C12 = 45.6 / C44 = 3.2 GPa晶体类型Fm3m ,cubic, NaCl type structure介电常数9.0 @ 25 °C, f = 100...109 Hz水中溶解度0.27 (g/100 cm3) @ 18 °C应用VUV,DUVYVO4晶体钒酸钇晶体是一种具有优良的物理和光学特性的双折射单晶。
由于它具有较大的透过范围、透光度高、大的双折射、易于加工等特点，所以广泛应用于光学组件如光纤光隔离器、环形器、分光器，还有其它的偏振光学器件等。
透过范围0.4 - 5μm高透晶体对称性四方晶系,点群D4h晶包参数a=b=7.12 Å; c=6.29 Å密度 4.22 g/cm3莫氏硬度5, 类似玻璃潮解性不潮解热膨胀系数: aa = 4.43 x 10-6/K; a c = 11.37 x 10-6/K热导率//C: 5.23 W/m/K; ⊥C: 5.10 W/m/K晶类正单轴晶，no=na=nb, ne=nc折射率、双折率(D n = ne- no)走离角45o (r)no = 1.9929, ne = 2.2154, D n = 0.2225, r = 6.04o (0.63 μ m) no = 1.9500, ne = 2.1554,D n = 0.2054, r = 5.72o (1.30 μm)no = 1.9447, ne = 2.1486, D n = 0.2039, r = 5.69o (1.55 μ m)钒酸钇是用提拉法生长的正向单轴晶体,具有较好的机械和物理特性，宽的透过范围和大的双折射率使它成为了理想的光偏振组件。
在许多的应用方面，它是方解石和金红石的多种应用优良的人造的替代品，如光纤光学隔离器和循环器、分束器，格兰起偏器以及其它起偏器等。
与其它双折射晶体相比较:与方解石相比，钒酸钇具有更好的温度稳定性及物理和机械特性。
方解石易潮解和低硬度是使得很难得到高光学质量晶体。
与高硬度的金红石(TiO2)相比，钒酸钇更易于进行光学表面加工，这也就相应降低了加工成本，尤其对批量生产来说。
与铌酸锂相比，它们具有相似的机械和物理性能，钒酸钇的双折率确比铌酸锂大三倍，这使得设计更加紧凑。
ZnS晶体和ZnSe晶体硫化锌和硒化锌（ZnS和ZnSe）晶体具有如下优良的特性，是一种很重要的光学晶体，特别是应用于远红外波段。
CVD ZnSe的透光范围为0.5μm--22μm，用于高能CO2激光。
单晶的ZnSe具有更低的吸收，从而更适合CO2光学系统。
CVD ZnS的透光范围为8μm--14μm，高透过，低吸收。
多光谱级通过热等静压(HIP) 改进波长, μm0.405 0.436 0.468 0.480 0.509 0.546 0.588 0.644 0.668 0.706折射率2.5452.4892.4492.4372.4132.3882.3682.3472.3402.331波长, μm0.780 0.795 0.852 0.894 1.014 1.129 1.530 2.058 3.000 3.500折射率 2.317 2.314 2.306 2.302 2.292 2.285 2.272 2.264 2.258 2.255波长, μm 4.000 4.500 5.000 8.000 9.000 10.00 11.25 12.00 13.00折射率 2.252 2.250 2.247 2.223 2.213 2.201 2.183 2.171 2.153光学石英晶体人造石英单晶是用水热法在高压釜中生长的，具有左旋和右旋形态。
石英晶体的应力双折射低且折射率均匀性高，透光范围为0.15-4μm。
由于其压电特性、低热膨胀系数、优良的力学和光学特性，石英晶体被用于电子、精密光学和激光技术、光通信、X-射线光学和压力传感器等方面。
投射范围0.150--4.0µm and 50--1000 µm反射率n o=1.5350, n e=1.5438 @ 1 µmReflectiveLoss8.2% @ 2µm密度 2.65 g/cm3熔点1710°C, 1657°C分子量60.06热导率||C:11.7 W/(m·K) 20°C; ⊥C: 6.5比热744 J/(kg·K)热膨胀系数|| C: 7.97 x 10-6 /°C ; ⊥C: 13.37 x 10-6 /°C @0°--80°C硬度740 (Indenter load 500g)杨氏模量|| C: 97; ⊥C: 76.5 GPa @ 25°C弹力系数C11 = 86.6; C12 = 6.7; C13 = 12.4; C14 = 17.8; C33= 106.4; C44 = 58 GPa介电常量|| C: 4.27 @ 30 MHz @ 25°C; ⊥C: 4.34材料类型单晶晶体结构三角晶系，32, a = 4.9138 Å, c = 5.4052 Å。