电磁场与电磁兼容习题答案(1)
电磁场与电磁兼容_北京交通大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

电磁场与电磁兼容_北京交通大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.电磁兼容研究的频率范围非常窄。
参考答案:错误2.麦克斯韦方程组的微分形式描述了空间电磁场与场源之间的关系。
参考答案:正确3.滤波器的金属外壳不一定要大面积地贴在金属机箱的导电表面上。
参考答案:错误4.传播系数是一复数,其实部为相位系数,虚部为衰减系数。
参考答案:错误5.对低频磁场的屏蔽采取()参考答案:高导磁率材料6.电磁波在导体中传播时,不会产生欧姆损耗。
参考答案:错误7.高频电路中使用镀银导线,目的不是降低损耗。
参考答案:错误8.同一根导线,传输的信号频率越高其阻抗()参考答案:越大9.选用合适的特性阻抗的传输线,用()的传输线可以实现两个阻抗之间的阻抗匹配。
参考答案:λ/410.正弦均匀平面波电场与传播方向()。
参考答案:垂直11.对于无损耗传输线衰减系数为()参考答案:12.屏蔽效能表征了屏蔽体对电磁波的衰减程度。
参考答案:正确13.下列哪些措施不能够减小地线阻抗()参考答案:导线加长14.偶极子天线的终端始终是电流的波腹。
参考答案:错误15.天线用作发射和接收的方向性函数相等。
参考答案:正确16.对静电场的屏蔽采取()参考答案:良好接地的良导体17.电磁兼容三要素包括电磁骚扰源、传输途径(耦合途径)和敏感设备。
参考答案:正确18.电磁干扰不能够造成设备损坏。
参考答案:错误19.强电磁辐射不会影响人体健康。
参考答案:错误20.国家对强制性产品认证使用统一的标志()参考答案:CCC21.1W=( )dBm参考答案:3022.1V=( )dBmV参考答案:6023.改善敏感设备抗干扰性能是一项系统工程。
参考答案:正确24.电偶极子辐射的波在远区为()。
参考答案:横电磁波25.在自由空间,电偶极子的辐射功率与频率的平方成()关系。
参考答案:正比26.偶极子天线辐射功率最大值在与天线夹角()度处。
参考答案:9027.磁场强度沿任意闭合路径的环流量等于回路所包围的()的代数和。
EMC工程师电磁兼容考题附答案

EMC工程师电磁兼容考题附答案1.下列哪一个是欧盟强制认证标志(D)A、CCCB、FCCC、KCCD、CE2.下列哪一项不属于EMI(C)A、CEB、CTEC、CSD、RE3.EMC控制技术主要有滤波、屏蔽和(A)A、接地B、隔离C、降噪D、铺地4.如果要降低电容谐振点的阻抗,可以采取(A)A、两个相同容值的电容并联B、两个不同容值的电容并联C、两个相同容值的电容串联D、两个不同容值的电容并联5.下面哪个是CE标准(A)A、EN55032B、EN61000-6-3C、EN61000-4-3D、EN61000-3-36.关于峰值检波、准峰值检波、平均值检波,测量时间最短的是(A)A、峰值检波B、准峰值检波C、平均值检波D、峰值检波与准峰值检波两种7.SURGE LV3等级,线对地测试电压是多少kV?(C)A、2B、1C、4D、0.58.ESD测试中,对金属部件进行静电放电,采用哪种枪头?(B)A、圆形B、尖形C、椭圆形D、正方形9.一般企业EMC标准中,对EMI的余量要求是多少dB?(A)A、6B、3C、0D、210.EMC包含哪两个部分?(C)A、CE&REB、CS&RSC、EMI&EMSD、ESD&EFT/B11. 电磁干扰的三要素是(C)A、传导干扰辐射干扰空间干扰B、EMIEMSEMCC、干扰源耦合路径敏感设备D、干扰源、耦合路径、被干扰设备12. GB4343.2标准中对于浪涌试验相位角要求的变化是(D)A、正负脉冲分别0︒90︒ 180︒ 270︒B、正负脉冲分别90︒ 270︒C、正负脉冲分别0︒180︒D、正脉冲90︒负脉冲270︒13.信息技术设备的EMC发射试验依据标准为(C)A、GB17443B、GB4824C、GB9254D、GB4343.114.照明器具和灯具的EMC发射试验依据标准为(A )A、GB17443B、GB4824C、GB9254D、GB4343.115.家用电器和电动工具的EMC发射试验依据标准为(D)A、GB17443B、GB4824C、GB9254D、GB4343.116.工科医(ISM)射频设备的EMC发射试验依据标准为(B)A、GB17443B、GB4824C、GB9254D、GB4343.117.导致地线骚扰问题的根本原因是(A)A、地线阻抗B、负载阻抗C、辐射骚扰D、传导骚扰18.电源线滤波器的作用是抑制(C)沿着电源线传播。
电磁兼容原理及应用试题及答案

电磁兼容原理及应用试题及答案一、填空题(每空0.5分,共20分)1.构成电磁干扰的三要素是【干扰源】、【传输通道】和【接收器】;如果按照传输途径划分,电磁干扰可分为【传导干扰】和【辐射干扰】。
2.电磁兼容裕量是指【抗扰度限值】和【发射限值】之间的差值。
3.抑制电磁干扰的三大技术措施是【滤波】、【屏蔽】和【接地】。
4.常见的机电类产品的电磁兼容标志有中国的【CCC】标志、欧洲的【CE】标志和美国的【FCC】标志。
5.IEC/TC77主要负责指定频率低于【9kHz】和【开关操作】等引起的高频瞬间发射的抗扰性标准。
6.电容性干扰的干扰量是【变化的电场】;电感性干扰在干扰源和接受体之间存在【交连的磁通】;电路性干扰是经【公共阻抗】耦合产生的。
7.辐射干扰源可归纳为【电偶极子】辐射和【磁偶极子】辐射。
如果根据场区远近划分,【近区场】主要是干扰源的感应场,而【远区场】呈现出辐射场特性。
8.随着频率的【增加】,孔隙的泄漏越来越严重。
因此,金属网对【微波或超高频】频段不具备屏蔽效能。
9.电磁干扰耦合通道非线性作用模式有互调制、【交叉调制】和【直接混频】10.静电屏蔽必须具备完整的【屏蔽导体】和良好的【接地】。
11.电磁屏蔽的材料特性主要由它的【电导率】和【磁导率】所决定。
12.滤波器按工作原理分为【反射式滤波器】和【吸收式滤波器】,其中一种是由有耗元件如【铁氧体】材料所组成的。
13.设U1和U2分别是接入滤波器前后信号源在同一负载阻抗上建立的电压,则插入损耗可定义为【20lg(U2/U1)】分贝。
14.多级电路的接地点应选择在【低电平级】电路的输入端。
15.电子设备的信号接地方式有【单点接地】、【多点接地】、【混合接地】和【悬浮接地】。
其中,若设备工作频率高于10MHz,应采用【多点接地】方式。
二、简答题(每题5分,共20分)1.电磁兼容的基本概念?答:电磁兼容一般指电气及电子设备在共同的电磁环境中能够执行各自功能的共存状态,即要求在同一电磁环境中的上述各种设备都能正常工作,且不对该环境中任何其它设备构成不能承担的电磁骚扰的能力。
电磁兼容复习题(带答案)更新

选择题1、媒体常提及以下令人头疼的环境污染公害有水质、空气、噪音和电磁污染等,属于电磁兼容涉及内容的是_ _2、1881年英国科学家希维赛德发表了《__论干扰_》一文,从此拉开了电磁干扰问题的序幕。
P113、电磁兼容的英文名称或简称是_EMC___p74、我国2000年正式启动中国电磁兼容认证制度,被包含在其后发布推行的3C认证内容中(3C标志)电子产品需要通过3C认证,3C认证是指___中国强制认证___5、理想的电磁屏蔽材料应该有良好的导电性和导磁性,因此,下述材料(铜、钢、铝、硅钢等)作为屏蔽材料时,其电磁屏蔽效能最好的是___硅钢___6、EMI(Electromagnetic interface 电磁干扰)滤波器在安装时,正确的是___可靠地接机壳____P168【可靠地接机壳】7、常用EMI滤波原件是电容(C)电感(L)具有独特的材料和结构,其主要目的_______ 【减少寄生】p1558、共模扼流圈常常被附加做电源输入线,其主要作用是________【抑制共模干扰】P1559、通常EMI滤波器可以分为低通、高通、带通和带阻滤波器四类。
但由于干扰信号频谱通常远高于有用信号频谱,所以,_低通__滤波器最为常用。
P13310、为保持电磁屏蔽的完整性,需在屏蔽体开显示窗口的地方,必须进行特殊处理,下面处理“不当”的是_普通处理(加玻璃)、特殊处理(加金属网,隔离舱,截止波导管)__P198 11、有人说:接地对电子系统的重要性无论如何强调都不过分。
下述关于“接地”的说法正确的是_P203___12、当双面PCB板布线时,为减少线间的信号寄生耦合,两面的导线应尽量避免_相互平行P220_【相互垂直、平行、斜交、弯曲走线】13、在PCB布线中,尽量_减少_信号线与地线(最短)围成的面积,是增强电路抑制噪声能力的“武林秘笈”之一。
接地或电源的图形尽可能要与数据流动的方向平行,就是这个秘笈具体的体现。
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电磁场与电磁兼容习题答案第4章 天线基础4.1精确的一般表达式:2221()21()41(4jkr r jkr jkr Idl e E j jk r r Idl e jk E j k r r r Idle H jk r rθφπωεπωεπ−−−=−⋅+=−⋅−++=+远场近似表达式:22r jkrjkrE Idl k E je r Idl H j er θφλωελ−−≈=⋅= 带入以下参数可得计算结果0.12,0.05,1,100223,3I A dl m r m f MHzm k ππλλ=======4.3均匀平面波的功率密度222502av E I S rηη== 则天线的总辐射功率222004av av I P S dS S r ππη==⋅=∫可得辐射电阻220053P R I τπη===Ω 4.4(1)利用公式22280dl P I πλ=其中,100.1dl cm m ==,8631065010c m f λ×===× 由此得到 ()222360.1805105.48106P W π−− =×××=× (2)由题意,功率为1W, 则2220.18016I π=,即 2.14I A == 4.5将此天线看做线天线,其中 22222222222()sin sin 120sin 3024av Idl I dl dl S I r r r θηθπθππλλ ==××= 取最大 222130av dl S I rπλ = 而且2(,)av U r S θφ=,22280rad dl P I πλ=,4rad av P U π= 由此得到: (1)2222222130(,) 1.580/4av dl r I U r D U dl I πθφλππλ × === (2)222280(/)0.77880(/)1rad rad in rad P P R dl e P P P R R dl ττπλπλΩ=====+++ 则0.778 1.5 1.167G eD ==×= (3)2221.1670.092944e A G λλλππ==×= (5)2222218080 3.50615r dl R ππλ ==×=4.6(1)根据课本式4-75和4-77可知:60()j rm I e E j F rE H βθθφθη−==对于半波偶极子天线由式4-78可知:(90)1F =o 则天线两端的功率密度:721Re[]21600.5600.5Re[]2300030001201112100120001.3310/av j r j r S E H e e w m ββππ∗−−=×××=××=××=× (2)利用方向性来计算利用课本123页得结论可知:无耗半波偶极子的方向性 1.64D G == 总辐射功率2732m radI P =根据式4-54可知272220.57321.64 1.3210/443000rad av P S D w m r ππ−==×=××4.7入射波功率密度ηθ22E S av =,接收功率rad rad R R dl E R U P 8)(8220θ== 半波偶极子天线的最大有效孔径为radav R em R dl S P A 4)(2η== 其中Ω====73,5.02,120rad R m dl λπη,带入上式得323.0=em A 4.8由题意知1T rad P dB P −= 那么47146T P dBmW =−+=−,而10lg 46T P dBuW =−,得到52.510TP mW −=× 由此可得 0.0245/5E mV m == 4.9天线所在位置的电场强度(/)()(/)602080E dB V m V dB V AF dB m µµ=+=+=4.11FRISS 方程2()4R T R T P G G P d λπ=即: 10lg()()()20lg 20lg 147.56RT R TP G dB G dB f d P =+−−+ 代入9110,0.1,100,384403078.808,12R T T P w P w f MHz d m G dB −=×====可得:92.13R G dB =4.12利用公式10lg ()()20lg 20lg 147.56RT R TP G dB G dB f d P=+−−+ 即3911010lg 454520lg31020lg48280.32147.5645.655T P − ×=+−×−+=− 得到36.77T P W = 4.132.11012==dB G T ,kW P T 5=,m d 688.3218= 接收处m V dG P E TT /677.060==4.14对于半波偶极子天线(7342.5)in Z j =+Ω 01000.076518.9750730.6342.5m I A j ∠==∠−+++ 由此可得 210.2142T m rad P I R W == 则利用Friss传输方程可得: 434.5910/1010E V m −===×× 在远场区 4460600.0765 4.5910/10m m I E V m r −×===× 4.15证明:由题意可知0121,0,0,4m d d λϕ==== 对于子午面 1cos(cos cos )cos(cos )cos(cos cos )222()sin sin sin kl kl f πππθθθθθθθ−−===2sin sin sin 0sin 421()12cos(sin )4n jk j jkd jk c n f eeeeππθθθθθπθ===+=+==∑g g g g 由此得到 12cos(sin )cos(cos )42()()()sin c f f f ππθθθθθθ=×= 所以 2cos(sin )cos(cos )6042sin I E j r ππθθθ= 作图略 4.16赤道面上00=ϕ, 12cos1cos 1)(1=−=−=πφφk f )cos 4cos(2)(21cos φπφφ==∑=n k jkd c n e f )cos 4cos(2)()()(1φπφφφ=×=c f f f 作图略 第5章 传输线5.1对于同轴电缆,分布电容012ln(C r r πε=,特性阻抗01ln()rZ r = 由题意知,分布电容为1101260061010ln(pFC F r m r πε−===× 即01112ln()610r r πε−=× 其中0r εεε=,20.1t us =, 得8610/210/0.110/2s v m s m s t −===×× 而88210v ====×,得到 1.5= 由此可得 0011121261083.3rr Z r πεεπ−==××==Ω 5.2L L L jX R Z Z +=Ω=,750 (1)由311=Γ−Γ+=VSWR 得21=Γ, 由21757500=++−+=+−=ΓL L L L L L jX R jX R Z Z Z Z 得0562525022=+−+L L L R X R (2)Ω=150L R ,代入第一问得出的式子中,得Ω==8.961525L X (3)1525150,750j Z Z L +=Ω= 终端反射系数15915300j j Z Z Z Z L L ++=+−=Γ, 幅角πφ16.096.28)915arctan(315arctan(=°=−= )2cos(25.15.0)(φββφββφβ−′+=+=Γ+=+′−′+′−+′+′z U e e U e e U e U U z j z j z j j z j z 当……=±=−′210,22、、k k z ππφβ时,z U ′最小, 此时……=+=′210k ,k)5.029.0(、、λz离负载最近的电压最小点距负载的距离为λ29.0=′z5.3(1)传输线的反射系数 00000.26100507555.963.4100507518215.90.347.50.30.210.23L L j Z Z j Z Z j e j π−−−−∠−Γ===+−+∠−=∠−==− (2)传输线的电压表达式: ()(1)(1.210.23)U z U U j ++=+Γ=− 传输线的电流表达式: ()(1)(0.790.23)I z U U j ++=−Γ=+ (3)根据定义式 '''''()0.3j z j z j z j z z U U e U e U e e Uβββφβ++−+−=+Γ=+= 其中,20.26,πφπβλ== 当'22z πβφ−=时,得到第一个电压波节点的距离min10.19Z λ= 当'22z βφπ−=时,得到第一个电压波腹点的距离max10.435Z λ= 5.5同轴线的特性阻抗为)b Z a=(1)当填充介质为空气时: 123ln()ln()49.97210bZaπ===Ω (2)当填充介质为无损耗介质时: 123)ln()33.32210bZaπ===Ω 5.6(1)对于双线传输线 ln()3000.6s sZr rs====Ω得到25.51s mm= (2)对于同轴线 0011ln(ln()1ln(7520.6r rZr rrπ====Ω得到3.91r mm= 5.8(1)电场场强2qErπε= 则ln()22b ba aq q bU E dr drr aπεπε===∫∫g g 得到2ln()qCbUaπε== (2)磁场强度2IHrπ=,则02IBrµπ= 则00ln()22bms aI I bB ds drr aµµψππ===∫∫g 得到0ln()2m b L a I ψµπ== 5.9(1)3040j Z L −=,无耗传输线0Z 为实数 Γ−Γ+=11VSWR ,若使VSWR越小,则Γ越小02202200000250080160130)40(30)40(30)40(30)40(Z Z Z Z j Z j Z Z Z Z Z L L ++−=+++−=++−−=+−=Γ 当500=Z 时,Γ最小,此时31=Γ(2)2311311=−+=VSWR ,393100j j Z Z Z Z L L −−−=+−=Γ 5.10(1)此时无反射,处于行波状态,那么070L Z Z ==Ω (2)反射系数1315S S −Γ==+ 在负载端出现电压最大值,此时是波腹点,则反射系数为35Γ= 即0035L L Z Z Z Z −=+,得到280L Z =Ω (3)此时的反射系数35Γ=− 即0035L L Z Z Z Z −=−+,得到17.5L Z =Ω 第6章 电磁兼容概述6.3dBmW mWWW 3010lg 1011lg1013=== V dB VVV µµ12010lg 2011lg2016=== mV dB mV mV m dBmV m mV mV m dBV m V mV m V /12010lg 20/1/1lg 20/6010lg 20/1/1lg 20/0/1/1lg20/163µµ======== 6.6证明:天线因子k,电场E,同轴电缆损耗L,负载两端电压V,负载R=50欧姆。
电磁场与电磁兼容习题答案与详解_第2章

电磁场与电磁兼容习题答案与详解第二章麦克斯韦方程组:.在均匀的非导电媒质(0=σ,1=r μ)中,已知时变电磁场为()V /m 34cos 300⎪⎭⎫ ⎝⎛-=y t z ωπa E ,()A/m 34cos 10⎪⎭⎫ ⎝⎛-=y t x ωa H ,利用麦克斯韦方程组求出ω和r ε。
解:将E 和H 用复数表示:由复数形式的麦克斯韦方程,有:比较(1)与(3),(2)与(4),得 :…由此得:16/108==r srad εϖ.已知无源空间中的电场为()()()V/m 106cos 100.1sin 9z t x y βππ-⨯=a E , 利用麦克斯韦方程求H 及常数β。
解:E 复数形式:由复数形式麦克斯韦方程&将上式与题给的电场E 相比较,即可得:而磁场的瞬时表达式为:高斯定理:.两个相同的均匀线电荷沿x 轴和y 轴放置,电荷密度μc/m l 20=ρ,求点(3,3,3)处的电位移矢量D 。
【解:设x 轴上线电荷在P (3,3,3)点上产生的电位移矢量为D 1,x 轴上线电荷在P (3,3,3)点上产生的电位移矢量为D 2。
D 122y z + D 222x z 因为以x 轴为轴心,32l ds D ρ=⋅⎰1l D ρπ=⋅⋅2321 即πμπμ2310232201=⋅=D同理πμ23102=Dz y x z y x a a a a a a D D D πμπμπμπμ3103535)22121(231021++=++=+=.μc/m l 30=ρ的均匀线电荷沿z 轴放置,以z 轴为轴心另有一半径为2m 的无限长圆柱面,其上分布有密度为2μc/m 41.5πρ-=s 的电荷,利用高斯定理求各区域内的电位移矢量D 。
解:建立圆柱坐标系,以z 轴为轴心,设一单位长度的圆柱面 (1) 》(2) 当r<2m 时 因为⎰=⋅l ds D ρ,所以l r D ρπ=⋅2故r D l πρ2=,D =l l l a rua r ππρ152=(2)当r>2m 时1221⋅⋅⋅+⋅=⋅⎰πρρs l ds D故c u c u c u r D ⋅⋅=⋅⋅-⋅⋅=⋅5.285.1302π 所以l a rcu D π25.28⋅⋅=安培定律:.半径为a 的实心圆柱导体,电流I 在其截面上均匀分布,求磁场强度H 。
最新电磁兼容考题及答案

电磁兼容原理与应用考题一、简答题(每题8分)1、写出电磁干扰三要素,并简要说明其含义。
2、写出电振子和磁振子的远区场电磁分布(注意矢量方向)。
3、叙述瞬态干扰的特征,并举出三种瞬态干扰。
4、写出电磁兼容性预测算法的四级筛选。
5、写出四种常见的抑制电磁干扰技术,简要说明其含义。
6、写出电磁干扰滤波器安装时需要注意的的事项。
二、某无线发射机频率为450MHz ,基波辐射功率为10dBW ,预测其其二次谐波和三次谐波辐射功率。
已知发射机谐波模型统计如表。
(12分)三、电磁兼容中常用纵向扼流圈抑制地线干扰,其等效电路图如图所示。
已知信号频率为f ,12,12,22RC RC RL L L M fM RC π=<<==>>,分析证明纵向扼流圈的差模低阻抗,共模高阻抗。
(14分)四、已知反射损耗()20lg 20lg4w w Z R t Z ηη+=-=,其中Z w 为空间波阻抗,金属特性阻抗7(1)(1 3.6910j j η-=+≈+⨯gLR1)计算厚度为0.5mm的铜板在远区场对频率100MHz的入射平面波的屏蔽效能。
(8分)2)把该铜板换成两块厚度分别为0.5mm的铜板,中间间隔空气隙,隙厚度为d,计算当d分别为多少时,多层屏蔽体取得最大和最小的屏蔽效能,并计算屏蔽效能的值。
(6分)五:如图所示的部分屏蔽的电容耦合模型,U1为骚扰源电压。
1)、将电路化简单为平面电路图,写出U N的表达式;(5分)2)、当R分别为低阻抗的时,化简U N;(3分)3)、说明相应的抑制措施。
(4分)答案简答题(每题8分)一、 简答题:1、写出电磁干扰三要素,并简要说明其含义。
电磁干扰源,耦合路径,敏感设备称作电磁干扰的三要素。
电磁干扰源指产生电磁干扰的元件。
器件,设备等;偶和途径又称耦合通道,指能量从干扰源到敏感设备的媒介和通道;敏感设备,是指对电磁干扰产生响应的设备。
2、写出电振子和磁振子的远区场电磁分布(注意矢量方向)。
电磁兼容原理及应用试题及答案

电磁兼容原理及应用试题及答案一、填空题(每空0.5分,共20分)1. 构成电磁干扰的三要素是【干扰源】、【传输通道】和【接收器】;如果按照传输途径划分,电磁干扰可分为【传导干扰】和【辐射干扰】。
2. 电磁兼容裕量是指【抗扰度限值】和【发射限值】之间的差值。
3. 抑制电磁干扰的三大技术措施是【滤波】、【屏蔽】和【接地】。
4. 常见的机电类产品的电磁兼容标志有中国的【CCC标志、欧洲的【CE标志和美国的【FCC 标志。
5. IEC/TC77主要负责指定频率低于【9kHz】和【开关操作】等引起的高频瞬间发射的抗扰性标准。
6. 电容性干扰的干扰量是【变化的电场】;电感性干扰在干扰源和接受体之间存在【交连的磁通】;电路性干扰是经【公共阻抗】耦合产生的。
7. 辐射干扰源可归纳为【电偶极子】辐射和【磁偶极子】辐射。
如果根据场区远近划分,【近区场】主要是干扰源的感应场,而【远区场】呈现出辐射场特性。
& 随着频率的【增加】,孔隙的泄漏越来越严重。
因此,金属网对【微波或超高频】频段不具备屏蔽效能。
9. 电磁干扰耦合通道非线性作用模式有互调制、【交叉调制】和【直接混频】10. 静电屏蔽必须具备完整的【屏蔽导体】和良好的【接地】。
11. 电磁屏蔽的材料特性主要由它的【电导率】和【磁导率】所决定。
12. 滤波器按工作原理分为【反射式滤波器】和【吸收式滤波器】,其中一种是由有耗元件如【铁氧体】材料所组成的。
13. 设U1和U2分别是接入滤波器前后信号源在同一负载阻抗上建立的电压,则插入损耗可定义为【20lg(U2/U1)】分贝。
14. 多级电路的接地点应选择在【低电平级】电路的输入端。
15. 电子设备的信号接地方式有【单点接地】、【多点接地】、【混合接地】和【悬浮接地】。
其中,若设备工作频率高于10MHz应采用【多点接地】方式。
二、简答题(每题5分,共20分)1 .电磁兼容的基本概念?答:电磁兼容一般指电气及电子设备在共同的电磁环境中能够执行各自功能的共存状态,即要求在同一电磁环境中的上述各种设备都能正常工作,且不对该环境中任何其它设备构成不能承担的电磁骚扰的能力。
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4.16
赤道面上 ϕ 0 = 0 ,
f 1 (φ ) = 1 − cos kφ = 1 − cos π = 1 2
f c (φ ) =
∑e
n =1
2
jkdn cos kφ
π = 2 cos( cos φ ) 4
π f (φ ) = f 1 (φ ) × f c (φ ) = 2 cos( cos φ ) 4 作图略
5.5
同轴线的特性阻抗为 Z =
1 2π
µ0 b ln( ) ε a
(1)当填充介质为空气时: 1 Z= 2π µ0 b 1 ln( ) = × ε0 a 2π 4π ×10 −7 23 × ln( ) = 49.97 Ω 1 10 ×10 −9 36π
(2)传输线的电压表达式: U ( z ) = U + (1 + Γ) = U + (1.21 − j 0.23) 传输线的电流表达式: I ( z ) = U + (1 − Γ) =U + (0.79 + j 0.23) (3)根据定义式
U z' = U + e jβ z + U + Γ e− jβ z = U + e jβ z + 0.3e j(φ − β z ) =U
15 15 ) − arctan( ) = 28.96° = 0.16π 3 9
U z′ = U + e jβz′ + U + Γe jφ e − jβ z′ = U + e jβz′ + 0.5e j(φ −β z′) = U + 1.25 + cos( 2β z ′ − φ ) 当 2 βz ′ − φ = π ± 2 kπ , k = 0、 1、 2 …… 时, U z′ 最小, 此时 z ′ = ( 0.29 + 0.5k)λ , k = 0、 1、 2… … 离负载最近的电压最小点距负载的距离为 z ′ = 0.29λ
半波偶极子天线的最大有效孔径为 Aem 其中η = 120π , dl =
λ = 0.5m, Rrad = 73Ω ,带入上式得 Aem = 0.323 2
4.8
由题意知 PT − 1dB = Prad
−5 那么 PT = −47 + 1 = −46dBmW ,而 10lg P T = −46dBuW ,得到 P T = 2.5 × 10 mW
得到 PT = 36.77W
4.13
GT = 12dB = 101.2 , PT = 5kW , d = 3218.688m 接收处 E =
60PT GT d
= 0.677V / m
4.14
对于半波偶极子天线 Zin = (73 + j 42.5) Ω
Im =
10∠0 0 = 0.0765∠− 18.970 A 50 + 73 + 0.63 + j 42.5
E 2 50 I 2 均匀平面波的功率密度 Sav = = 2η η r 2
则天线的总辐射功率 P = ∫ Sav dS = Sav ⋅ 4π r 2 = 可得辐射电阻 Rτ = P 200π 5 = = Ω I2 η 3
200π I 2 η
4.4
dl (1)利用公式 P = 80π 2 I 2 λ
73
0.52 P 2 根据式 4-54 可知 Sav = D rad 2 = 1.64 × = 1.32 ×10−7 w / m2 2 4π r 4π × 3000
4.7
入射波功率密度 S av = U 02 ( E dl ) 2 Eθ2 ,接收功率 PR = = θ 2η 8Rrad 8 Rrad PR η ( dl ) 2 = = S av 4Rrad
4.15
证明:由题意可知 m = 1, ϕ0 = 0, d1 = 0, d2 = 对于子午面 π π π cos( kl cos θ − cos kl ) cos( 2 cos θ − cos 2 ) cos( 2 cos θ ) f 1(θ ) = = = sin θ sin θ sin θ
λ 4
f c (θ ) =
∑ e jkdn sinθ = e jkg0 gsinθ + e
n =1
2
π jk g gsin θ 4
= 1+ e
π j sin θ 2
π π = 2 1+ cos( sin θ ) = 2cos( sin θ ) 2 4 由此得到 π π 2cos( sin θ )cos( cos θ ) 4 2 f (θ ) = f 1 (θ ) × f c (θ ) = sinθ 所以 π π 60 I 2cos( 4 sin θ )cos( 2 cos θ ) E= j r sinθ 作图略
பைடு நூலகம்
第 5 章 传输线
5.1
对于同轴电缆,分布电容 C =
2πε 1 ,特性阻抗 Z = r 2π ln( 0 ) r 1
µ0 r ln( 0 ) ε r1
由题意知,分布电容为 C =
2πε 600 pF = = 6 ×10 −11 F r0 10m ln( ) r 1
r 2πε 即 ln( 0 ) = −11 r1 6 ×10
(2) RL = 150Ω ,代入第一问得出的式子中,得 X L = 25 15 = 96.8Ω
(3) Z 0 = 75Ω , Z L = 150 + j 25 15 终端反射系数 Γ =
Z L − Z 0 3 + j 15 = , Z L + Z 0 9 + j 15
幅角 φ = arctan(
由此可得 1 2 PT = I m Rrad = 0.214W 2 则利用 Friss 传输方程可得:
E=
60PT GT d
=
60 × 0.214 ×1.64 = 4.59 ×10−4 V / m 3 10 ×10
在远场区 60 I m 60 × 0.0765 Em = = = 4.59 ×10− 4V / m 4 r 10
电磁场与电磁兼容习题答案
第 4 章 天线基础
4.1
精确的一般表达式:
Idl e− jkr 1 ⋅ 2 ( jk + ) 2πωε r r − jkr Idl e jk 1 Eθ = − j ⋅ (− k2 + + ) 4πωε r r r2 Idle− jkr 1 Hφ = ( jk + ) 4π r r Er = − j
由此可得
E=
60GP T a
=
60 × 2.5 ×10−5 ×10 0.0245mV / m 5
4.9
天线所在位置的电场强度 E (dB µ V / m ) = V ( dBµV ) + AF ( dB / m ) = 60 + 20 = 80
4.11
FRISS 方程
PR λ 2 = GT GR ( ) 即: PT 4π d 10lg( PR ) = GT (dB ) + GR ( dB) − 20lg f − 20lg d + 147.56 PT
由此可得
Z=
1 2π
µ 0ε 0ε r = = 83.3Ω 6 ×10 −11
5.2
Z 0 = 75Ω , Z L = RL + jX L (1)由 VSWR =
1+ Γ 1− Γ
= 3得 Γ =
1 , 2
由Γ =
ZL − Z 0 R + jX L − 75 1 2 2 = L = 得 RL + XL − 250 RL + 5625 = 0 ZL + Z0 RL + jX L + 75 2
远场近似表达式:
Er ≈ 0 Idl k − jkr ⋅ e 2λ r ωε Idl − jkr Hφ = j e 2λ r Eθ = j
带入以下参数可得计算结果 I = 0.12 A, dl = 0.05m, r = 1m, f = 100MHz 2π 2π λ = 3m, k = = λ 3
4.3
其中 ε = ε 0ε r , 2t = 0.1us , 得v = 而v =
s 10 = m / s = 2 ×108 m / s −6 t 0.1× 10 / 2
1 1 3 ×108 = = = 2 ×108 ,得到 ε r = 1.5 εµ ε 0 ε r µ0 εr
µ0 r 1 1 µ 2πε 0ε r ln( 0 ) = × × 0 × ε 0ε r r1 2π ε 0 6 ×10 −11 εr
2
(2) e =
Prad Prad Rτ 80π 2( dl / λ) 2 = = = = 0.778 2 Pin Prad + PΩ Rτ + R 80π 2 (dl / λ ) +1
则 G = eD = 0.778 ×1.5 = 1.167 (3) Ae = λ2 λ2 G= × 1.167 = 0.0929λ 2 4π 4π
dl 1 2 (5) Rr = 80π 2 2 = 80π × = 3.506 λ 15
2
2
4.6
(1)根据课本式 4-75 和 4-77 可知:
60 I me − jβ r F (θ ) r E Hφ = θ η Eθ = j
对于半波偶极子天线由式 4-78 可知: F (90o ) = 1 则天线两端的功率密度: 1 Re[ E × H ∗ ] 2 1 60 × 0.5e − jβ r 60 × 0.5e jβ r = Re[ × ] 2 3000 3000 ×120π 1 1 1 = × × 2 100 12000π = 1.33 × 10−7 w / m2 Sav = (2)利用方向性来计算 利用课本 123 页得结论可知:无耗半波偶极子的方向性 D = G = 1.64 总辐射功率 Prad = 73 I m2 2