晶体及半导体材料
半导体晶体类型
半导体晶体类型半导体是一种电阻率介于导体和绝缘体之间的材料，其中电子的能隙小于导体，但大于绝缘体。
半导体的导电性能受温度、杂质等多种因素影响，因此可以通过控制这些因素来实现半导体材料的性能调控和应用。
半导体材料的晶体结构不同，可以分为以下几种类型。
1. 硅晶体硅晶体是最常见的半导体材料，其结构为面心立方格子结构。
硅晶体的晶格常数为5.43Å，其中每个原子有四个共价键，形成四面体结构。
硅晶体的导电性能随温度升高而增强，但是当温度过高时，硅晶体会失去半导体特性，成为导体。
硅晶体在电子学领域应用广泛，例如制作集成电路、太阳能电池等。
2. 锗晶体类似于硅晶体，锗晶体的结构也是面心立方格子结构，但是其晶格常数为5.66Å，每个原子有四个共价键，形成类似于四面体的结构。
锗晶体的导电性能也随温度升高而增强，但是其导电度比硅晶体低。
锗晶体在电子学领域的应用相对较少，主要用于制作红外光电器件等。
3. 碲化镉晶体碲化镉晶体的结构为六角最密堆积结构，其中每个镉原子都被六个碲原子包围，每个碲原子都被三个镉原子包围。
碲化镉晶体的导电性能比硅晶体和锗晶体好，其电阻率约为10-3 Ω·cm。
碲化镉晶体在红外光电领域应用广泛，例如制作红外探测器、激光器等。
4. 氮化硅晶体氮化硅晶体的结构为六角最密堆积结构，其中硅原子和氮原子交替排列。
氮化硅晶体的导电性能比硅晶体和锗晶体好，其电阻率约为10-2 Ω·cm，且具有优良的热稳定性。
氮化硅晶体在电子学领域应用广泛，例如制作高功率电子器件、蓝色LED等。
5. 砷化镓晶体砷化镓晶体的结构为锌切面结构，其中镓原子和砷原子交替排列。
砷化镓晶体的导电性能比氮化硅晶体更好，其电阻率约为10-6 Ω·cm，具有高移动率和快速响应特性。
砷化镓晶体在光电领域应用广泛，例如制作高速光电器件、半导体激光器等。
半导体材料的晶体类型不同，其性能和应用也各有特点。
半导体物理与器件(尼曼第四版)答案
半导体物理与器件(尼曼第四版)答案第一章：半导体材料与晶体1.1 半导体材料的基本特性半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料。
它的基本特性包括：1.带隙：半导体材料的价带与导带之间存在一个禁带或带隙，是电子在能量上所能占据的禁止区域。
2.拉伸系统：半导体材料的结构是由原子或分子构成的晶格结构，其中的原子或分子以确定的方式排列。
3.载流子：在半导体中，存在两种载流子，即自由电子和空穴。
自由电子是在导带上的，在外加电场存在的情况下能够自由移动的电子。
空穴是在价带上的，当一个价带上的电子从该位置离开时，会留下一个类似电子的空位，空穴可以看作电子离开后的痕迹。
4.掺杂：为了改变半导体材料的导电性能，通常会对其进行掺杂。
掺杂是将少量元素添加到半导体材料中，以改变载流子浓度和导电性质。
1.2 半导体材料的结构与晶体缺陷半导体材料的结构包括晶体结构和非晶态结构。
晶体结构是指材料具有有序的周期性排列的结构，而非晶态结构是指无序排列的结构。
晶体结构的特点包括：1.晶体结构的基本单位是晶胞，晶胞在三维空间中重复排列。
2.晶格常数是晶胞边长的倍数，用于描述晶格的大小。
3.晶体结构可分为离子晶体、共价晶体和金属晶体等不同类型。
晶体结构中可能存在各种晶体缺陷，包括：1.点缺陷：晶体中原子位置的缺陷，主要包括实际缺陷和自间隙缺陷两种类型。
2.线缺陷：晶体中存在的晶面上或晶内的线状缺陷，主要包括位错和脆性断裂两种类型。
3.面缺陷：晶体中存在的晶面上的缺陷，主要包括晶面位错和穿孔两种类型。
1.3 半导体制备与加工半导体制备与加工是指将半导体材料制备成具有特定电性能的器件的过程。
它包括晶体生长、掺杂、薄膜制备和微电子加工等步骤。
晶体生长是将半导体材料从溶液或气相中生长出来的过程。
常用的晶体生长方法包括液相外延法、分子束外延法和气相外延法等。
掺杂是为了改变半导体材料的导电性能，通常会对其进行掺杂。
常用的掺杂方法包括扩散法、离子注入和分子束外延法等。
常用半导体材料有哪些
常用半导体材料有哪些在现代电子领域，半导体材料扮演着至关重要的角色，它们既可以用来制造电子器件，也可以应用在光电学、激光学等领域。
以下是一些常用的半导体材料：硅（Silicon）硅是最常见的半导体材料之一，它具有晶体结构，广泛用于制造各种半导体器件。
硅具有稳定性高、热导率好、便于加工等优点，因此被广泛应用于集成电路（IC）制造。
锗（Germanium）锗是另一种常见的半导体材料，它在半导体早期的发展中起到了关键作用。
锗具有比硅更高的电子迁移率，因此被用于高频器件的制造。
然而，由于成本较高，现在在某些领域已经被硅所取代。
化合物半导体（Compound Semiconductors）化合物半导体是由两种或多种元素化合而成的半导体材料，如氮化镓（GaN）、磷化铟（InP）等。
这些材料具有优异的电子特性，可应用于LED、激光二极管等器件的制造。
硒化镉（Cadmium Selenide）硒化镉是一种II-VI族化合物半导体，具有较宽的能隙，因此在光电学领域有着广泛的应用，如太阳能电池、红外探测器等。
砷化镓（Gallium Arsenide）砷化镓是一种常见的III-V族化合物半导体，具有高速、高频特性，因此广泛用于雷达、微波通信等领域。
硼化铝（Aluminum Boride）硼化铝是一种新型的半导体材料，具有优异的热传导性能，因此被应用于高功率电子器件的散热结构。
总的来说，半导体材料种类繁多，每种材料都有其独特的特性和应用领域。
随着科技的不断发展，半导体材料的研究也在不断进步，为现代电子技术的发展提供了坚实基础。
半导体分类 晶体 非晶 有机
半导体分类晶体非晶有机
半导体可以分为晶体半导体、非晶半导体和有机半导体三类。
晶体半导体是指具有长程有序结构的半导体材料，如硅、锗、砷化镓等。
晶体半导体的电子结构与晶体结构密切相关，具有良好的电子传输性能和稳定性，广泛应用于电子器件中。
其中，硅是最常用的晶体半导体材料之一，其优势在于晶体稳定性好、生产工艺成熟、价格相对便宜。
非晶半导体是指不具有长程有序结构的半导体材料，如非晶硅、非晶氮化硅等。
由于其结构不规则，导致其电子性质受杂质和缺陷影响显著，使其电子传输性能和稳定性相对较差，但其制备工艺相对简单，生产成本低，应用领域主要在平板显示、太阳能电池等领域。
有机半导体是指具有碳基化合物的半导体材料，如聚合物、小分子等。
有机半导体因具有良好的可溶性、可成膜性等特点，使其制备工艺简单、成本低廉。
同时，由于有机半导体的分子结构多样，可以通过调节其分子结构来改变其电子传输性能，因此在柔性电子器件、有机光电器件等领域具有广泛应用前景。
总体来说，不同类型的半导体材料具有各自的特点和应用领域。
在半导体产业的发展趋势中，晶体半导体、非晶半导体和有机半导体将会在不同领域得到广泛的应用。
半导体的主要原材料
半导体的主要原材料
半导体的主要原材料包括：
1. 硅（Silicon）：硅是最常用的半导体材料，因为它具有适合
制造晶体管的特性，如稳定性和可控性。
2. 砷化镓（Gallium Arsenide）：砷化镓是另一种常用的半导
体材料，特别适用于高频和高功率应用，如雷达和通信设备。
3. 砷化磷（Gallium Phosphide）：砷化磷在光电子器件中具有
广泛应用，如光纤通信和光伏电池。
4. 碳化硅（Silicon Carbide）：碳化硅具有优异的热导性和耐
高温特性，因此被广泛应用于高功率电子设备和高温工况下的应用。
5. 硒化铟（Indium Selenide）：硒化铟主要应用于太阳能电池、光传感器和半导体激光器等领域。
6. 砷化铟（Indium Arsenide）和砷化铟磷（Indium Gallium Arsenide）：砷化铟和砷化铟磷在光电子器件中具有重要应用，如光传感器和红外探测器。
7. 氮化镓（Gallium Nitride）：氮化镓在光电子和功率电子器
件中广泛应用，如LED和功率放大器等。
除了以上主要的半导体原材料外，还有一些其他材料如硒化锌（Zinc Selenide）、氮化硼（Boron Nitride）等也被用于特定
的半导体器件制造中。
半导体材料与工艺之晶体生长原理
半导体材料与工艺之晶体生长原理晶体生长是半导体制备过程中至关重要的步骤，它直接决定了半导体材料的质量和性能。
具体来说，晶体生长是指在合适的条件下，使已有的晶体生长并形成更大晶体的过程。
在半导体材料与工艺中，晶体生长原理包括物质迁移、晶格匹配以及晶体生长动力学。
首先，半导体晶体的生长需要物质源。
一般来说，常用的半导体材料生长方法有气相传输、分子束外延、液相生长和金属有机气相沉积等。
这些方法都需要提供适当的物质源，如气体、液体或固体，以供原子或分子向生长界面输送。
物质源中的原子或分子通过蒸发、溶解或反应等方式进入生长介质，并在生长界面上沉积形成晶体。
其次，晶体生长过程中晶格匹配是一个重要的考虑因素。
晶体的生长需要满足晶格的连续性和匹配性，使得新生长的晶体与已有晶体之间具有较好的相容性。
晶格匹配可以通过不同材料之间的共面性和插层性来实现。
共面性是指两种晶体的晶格面能够完全重合，插层性是指两种晶体之间存在一定的晶格距离差异，但可以通过引入插入层来实现晶格匹配。
在晶格匹配的基础上，可以通过控制生长条件和材料搭配选择合适的晶体生长方法，以得到质量较好的半导体晶体。
最后，晶体的生长动力学是影响晶体生长的决定性因素之一、晶体生长动力学涉及物质输运、界面平衡、表面反应和晶格扩散等多个方面的过程。
物质输运指的是物质在生长介质中的迁移过程，分为质量传递和热量传递两部分。
质量传递主要与物质扩散有关，而热传递则与温度梯度和热导率有关。
界面平衡是指晶体与生长介质之间的界面存在的不平衡情况，通过调控界面吸附行为和界面能量来实现界面平衡。
表面反应是指晶体在界面上发生的表面化学反应，如表面吸附、解吸和表面扩散等。
晶格扩散是指晶体内部原子之间的迁移，它对晶体生长速率和晶格缺陷的形成有着重要的影响。
总的来说，半导体材料与工艺中的晶体生长原理包括物质迁移、晶格匹配和晶体生长动力学等多个方面的考虑。
只有深入了解并掌握这些原理，才能够高效地制备出质量优良的半导体晶体。
半导体材料结构
半导体材料结构半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料，在现代电子技术中起到关键作用。
它的结构对于其电学性质和应用能力具有重要影响。
本文将介绍半导体材料的结构特点和相关性质。
一、晶体结构半导体材料的基本结构是晶体结构，晶体是由原子或分子按照一定的规则排列而成的固态物质。
晶体的结构决定了半导体材料的电学特性。
半导体材料晶体结构通常可以分为两类：共价结构和离子结构。
1. 共价结构共价结构的半导体材料，如硅和锗，原子之间通过共用电子形成共价键。
这种结构中，每个原子都与它周围的四个原子共享电子，形成一个稳定的晶格。
共价结构的半导体材料通常具有较高的电阻率和较小的载流子浓度。
2. 离子结构离子结构的半导体材料，如化合物半导体，由正负离子组成。
这些正负离子通过离子键相互结合，形成晶体结构。
离子结构的半导体材料通常具有较低的电阻率和较大的载流子浓度。
二、能带结构半导体材料的能带结构是指在宏观尺度下，电子能级如何分布的情况。
能带结构决定了半导体材料的导电性质。
1. 价带和导带半导体材料中的电子能级被分为两个主要部分：价带和导带。
价带是指靠近原子核的能级，电子填充满时半满的能级。
导带是指离原子核较远的能级，当电子填充时，半满或未满的能级。
2. 禁带宽度价带和导带之间存在一个能量较大的空隙，称为禁带。
禁带宽度是指价带和导带之间的能量差。
半导体材料的禁带宽度决定了其导电性质。
禁带宽度较小的半导体材料易于导电，而禁带宽度较大的半导体材料难以导电。
三、掺杂通过掺杂可以改变半导体材料的导电性质。
掺杂是指在晶体中引入少量杂质，以改变其电子结构和导电性质。
1. N型半导体N型半导体是指通过掺入少量五价元素，如磷或砷，将半导体材料中的部分硅原子取代为五价元素原子。
五价元素原子比四价硅原子多一个电子，这个多出来的电子被称为自由电子，能够在晶体中自由移动，增加了半导体材料的导电性能。
2. P型半导体P型半导体是指通过掺入少量三价元素，如硼或铝，将半导体材料中的部分硅原子取代为三价元素原子。
半导体蓝宝石晶体材料
半导体蓝宝石晶体材料
半导体蓝宝石晶体材料是一种具有广泛应用的材料。
它由
氧化铝构成，具有高纯度、良好的光学特性以及优异的机械性能。
蓝宝石晶体材料在光学、电子、光电子学等领域具有重要的应用价值。
蓝宝石晶体材料在光学领域有着广泛的应用。
它具有高透
光率、低散射率和良好的热稳定性，使其成为制作光学器件的理想选择。
蓝宝石晶体可以用于制作激光器、LED和光纤通
信等光学器件。
在激光领域，蓝宝石晶体材料可以产生红、绿、蓝等多种波长的激光，广泛应用于医疗、材料加工、显示技术等行业。
蓝宝石晶体材料在电子领域也有着重要的应用。
蓝宝石晶
体可以作为衬底材料，用于制备半导体器件，如硅片、LED
芯片等。
由于其热稳定性好、机械强度高以及优异的绝缘性能，蓝宝石晶体能够保护和支撑半导体器件，在电子行业中具有重要的地位。
蓝宝石晶体材料在光电子学领域也有着广泛的应用。
光电
子学是研究光与电子的相互作用以及光电器件的学科，而蓝宝石晶体材料能够提供优异的光学性能和电学特性，使其成为光电子器件的重要材料之一。
例如，蓝宝石晶体可以用于制作光电子器件中的光电二极管、光电探测器等。
半导体蓝宝石晶体材料是一种多功能的材料，具有广泛的
应用前景。
它在光学、电子、光电子学等领域都具有重要的应用，为相关技术的发展提供了坚实的基础。
随着科技的不断进步，蓝宝石晶体材料的性能和应用将会得到进一步的拓展和优化。
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* 区熔法避免了坩埚和加热器带来的污染，是生长高纯单晶的唯一方法；
FZ法工艺示意
夹 保护气氛中 头
籽
晶
单 加热感应圈
晶
熔 硅 锭
区
底
座
FZ法设备和产品-1
FZ法设备和产品-2
其它单晶生长方法 CVD和PVD法
• 化学或物理气相沉积法可在单晶硅/锗片衬底上生长厚度以
微米计的单晶薄膜。 • 气相沉积法可生长出不同单质和化合物材料的单晶薄膜，如
保护气氛中
CZ法工艺示意
籽
晶
单晶体 石墨坩埚（锗） 石英坩埚（硅）
硅(锗)熔体 石墨加热器
电
缆
晶体运转系统（提拉钢 缆或硬轴提拉头）
CZ法设备和产品—1
CZ法设备和产品—2
FZ法生长单晶
( Float zone grown crystal ) 在多晶硅棒上截取一段内外均无裂纹硅锭，或使用模具熔铸出一根硅锭。滚 磨至一定直径，腐蚀清洁处理； 将硅锭竖直安装在区熔炉底座上。感应圈套在锭外； 将切割清洁处理的单晶籽晶安装在炉体上端夹头内，并下移与硅锭接触； 在保护气氛(Ar气)或真空环境中，通过感应加热，使硅锭上产生一段熔化区 域； 籽晶与熔区充分熔接后，向上移动籽晶；控制温度，使熔化硅料沿籽晶的晶 格结构排列凝固在籽晶周围。由于硅液的表面张力较大，熔区不会断开； 随着硅料向上结晶，感应圈和熔区也逐渐向下移动，直至到达硅锭底端，晶 体生长完成。 区熔法只能生长熔体表面张力较大的单晶材料；受硅熔体自身表面张力的限 制，区熔法生长的单晶直径有限（一般不超过150mm）。
主要有半导体材料、微波器件和光电器件几类。
小贴士：电阻率
电阻率：
• • • 表示各种物质导电性能和电阻特性的物理量。 某种材料制成的长1m、横截面积1mm2的导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。 符号：ρ。
单位
•
•
国际单位制中，电阻率单位是Ω·mm2/m。常用导出单位Ω·m或Ω·cm。
1 Ω·mm2/m = 1×10-6Ω·m = 1×10-4Ω·cm
晶体特性 一定的几何形状
• 一般为规则的多面体结构。
各向异性(力学、光学等)
• 晶体在不同方向上具有不同的机械和物理特性。
* 溶融晶体物质结晶（凝固）时在各个方向生长速度不一致。 * 晶体很容易沿粒子密排面（解理面）断裂，断面呈平整面。 * 多晶体内的很多个晶粒排列方向不同，各晶粒的方向性互相抵消；加之晶界的作用， 整个多晶体呈现出各向同性。
晶体及硅材料简介
目
录
晶体 半导体 掺杂和杂质
晶
体
晶体
• 组成物质的原子、分子或离子在空间呈现具有规律性、周期 性的排列，这样的物质就是晶体。晶体一般呈固体形态 。
* 食盐是氯化钠的结晶体，味精是谷氨酸钠的结晶体，冬天窗户玻璃
上的冰花和天上飘下的雪花，是水的结晶体。
食盐（NaCl）晶体
硅衬底上生长碳(金刚石)、砷化镓、磷化铟等薄膜，称为外
延生长。
溶液内生长单晶法
• 通过饱和溶液的析出方法，生长一些可溶性离子晶体。
*
以上方法都不能用于大规模生长单晶体。
目
晶体
录
半导体 掺杂和杂质
半导体 导体、绝缘体、半导体
• 导体（Conductor）：容易导通电流的物体。
电阻率小于1×10-5Ω·cm。
•
•
空穴导电型半导体称为P型半导体（Positive-type）。
P型掺杂称为受主杂质（Acceptor）。
N型(VA族)掺杂
•
• •
P（As、Sb）：最外层有5个价电子。取代晶格结点中硅原子构成共键价时，
多余的第五个价电子容易摆脱磷原子核束缚形成自由电子。 电子导电型半导体称为N型半导体（Negative-type）。 N型掺杂称为施主杂质（Donor）。
最外层价电子
+14
内层电子
原子核 共价键
硅的本征激发示意
电子-空穴对
目
晶体
录
半导体 掺杂和杂质
半导体的掺杂 掺杂的意义
• 电子-空穴数量相同，在本征半导体体内达到一个动态平衡。即同 一时间既有激发的电子与空穴复合，也有新的位臵上价电子的激发。 • 本征激发所产生的自由电子与空穴统称非平衡载流子，数量较少。 正常情况下半导体导电性很弱，没有实际应用意义。 • 为了应用于实际生产、生活中，人们有意识地在高纯半导体中掺入 特定种类和特定数量的杂质，以使半导体表现出特定的电学和光学 等性能。
• 绝缘体（Insulator）：不容易导通电流的物体。
电阻率大于1×1011Ω·cm。
• 半导体（Semiconductor）：导电性能介于导体和绝缘 体之间的物体。
电阻率在1×10-4~1×1010Ω·cm左右的范围内。
导体导电原理
金属导体
• 绝大多数金属都是导体
• 金属之间以金属键结合为一个整体，原子外层价电子成为自由电子，在电 场作用下产生电流。
结构排列凝固在籽晶周围；
缓慢扩大结晶部份，待直径达到要求时，控制温度和籽晶向上提拉的 速度，进入等径生长； 满足要求长度后，升温逐渐收细晶体直径，直至晶体脱离熔体表面， 完成单晶生长。 * 这就是国际主流的直拉单晶工艺(切克劳斯基法)； 直拉法可生长很大直径的单晶体(目前国际上直拉法硅单晶直径已达
300～400mm，12～16")。
• 这种人为有意识掺入的杂质称为掺杂杂质。
* 掺杂是在高纯半导体材料基础上进行的，为此，首先要得到高纯材料 。 对半导体粗材料的提纯与掺杂过程相反，是除去材料内原有的不需要 的杂质。
P型和N型掺杂
P型(IIIA族)掺杂
• B（Al）：最外层有3个价电子。取代晶格结点中硅原子构成共键价时，因 缺少一个价电子而形成一个空穴。其它位臵的电子补位可看作空穴的移动。
单质半导体材料：以锗、硅、碳*为代表。
* 以不同的原子排列方式，碳可呈现不同的性状：
石墨：层状结构，黑色，良导体； 金刚石：四面体金刚石结构，透明，半导体。
* 金刚石薄膜半导体技术是当今方兴未艾的半导体电子学热点。
化合物半导体材料：如GaAs、InP、GaN、SiC和ZnO等
• 化合物半导体材料根据用途分类
* 注意：不论P型或N型半导体，尽管其中有一种载流子占多数，但整个晶体
仍然是不带电的，即电中性。
硅(金刚石)晶格结构
—— 晶胞在空间重复排列
结点
键(虚拟)
单晶和多晶 单晶体
• 整个物质内部的原子都按照一定的规律（晶胞结构）定向排列，
组成的物体称为单晶体。
多晶体
• 由很多不同取向的小尺寸单晶体（晶粒）组成的物体称为多晶体。
单晶硅锭
多晶硅锭
单晶生长 为什么要生长单晶
• 只有体内原子排列长程有序的单晶体，才能充分表现出材料
的半导体特性，特别是表现出其特异的电学性质，也才能在 电子工业中加以应用。
单晶生长方法
• 工业上的单晶生长方法有两种
直拉（CZ： Czochralski ）法，也称为坩埚法；
区熔（FZ： Float Zone ）法，也称为无坩埚法。
CZ法生长单晶
( Czochralski grown crystal )
溶液
• 离子晶体的溶液（如氯化钠）内存在正、负两种离子，外加电场时，两种 离子分别向不同的电极性方向运动，产生电流。
半导体
• 半导体（特别是IVA族硅、锗）原子最外层4个电子，全部互相结合形成 共价键，材料体内没有自由电子，也没有正、负离子。
半导体与晶体 半导体材料几乎都是晶体
• 半导体材料种类：
本征半导体
本征半导体
• 没有掺杂且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体(intrinsicsemiconductor) 。
载流子
• 晶体中荷载电流（或传导电流）的粒子。可以是电子或空穴。
电子-空穴对
• 本征半导体受到光电注入或热激发时，部分电子会挣脱共价键的束缚， 跃迁成为自由电子。原来位臵形成带正电的空位，称为空穴。电子和空
小贴士：自然晶体
自然界的奇迹
• 自然界非生命形态中最具有规律性美感的物体。
• 所有的宝石都是晶体，而且很多都是单晶体。
水晶（SiO2）单晶体
晶体结构 晶体结构
• 组成晶体结构的粒子(分子、原子、离子)在空间有规则地排 列在一定的点上，这些点群有一定的几何形状，叫做晶格。 排有结构粒子的那些点叫做晶格的结点。
半导体其它特性-2 掺杂效应（杂质敏感性）
• 半导体的电导（阻）率与材料中的杂质元素含量有关
• 高纯半导体材料几乎不导电，极少量的杂质即可大大提高半导体材料 的电导率。
热敏特性（负温度电阻系数）
• 导电性能随环境温度的改变而明显变化 • 与多数金属导体相反，电阻率随温度升高而降低
各向异性
* 铜电阻率：1.7×10-6Ω·cm；超纯理想硅电阻率：～50000Ω·cm
*
电导率：
• • 物体传导电流的能力，电导率的倒数为电阻率。 电导率的基本单位是西门子（S），原来被称为姆欧，取电阻单位欧姆倒数之意。标 准的测量中用单位电导率（S/cm）来表示 。
半导体其它特性-1
光敏特性-光生伏特(打)效应
固定的熔点
• 达到熔点温度，晶体才会熔化为液体。熔点也是溶融态晶体 的凝固点。