晶体管的检测方法

晶体管的检测方法
晶体管的检测方法

晶体管的检测方法

1、检测小功率晶体二极管

A、判别正、负电极

(a)、观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头的一端为正极,另一端是负极。

(b)、观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上,通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环,带色环的一端则为负极。

(c)、以阻值较小的一次测量为准,黑表笔所接的一端为正极,红表笔所接的一端则为负极。

B、检测最高工作频率fM。晶体二极管工作频率,除了可从有关特性表中查阅出外,实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分,如点接触型二极管属于高频管,面接触型二极管多为低频管。另外,也可以用万用表R×1k挡进行测试,一般正向电阻小于1k的多为高频管。

C、检测最高反向击穿电压VRM。对于交流电来说,因为不断变化,因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是,最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下,二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。

2、检测玻封硅高速开关二极管

检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是,这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量,一般正向电阻值为5k~10k,反向电阻值为无穷大。

3、检测快恢复、超快恢复二极管

用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性,一般正向电阻为4.5k左右,反向电阻为无穷大;再用R×1挡复测一次,一般正向电阻为几欧,反向电阻仍为无穷大。

4、检测双向触发二极管

A、将万用表置于R×1k挡,测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量,万用表指针向右摆动,说明被测管有漏电性故障。

将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时,摇动兆欧表,万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚,用同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较,两者的绝对值之差越小,说明被测双向触发二极管的对称性越好。

5、瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测

A、用万用表R×1k挡测量管子的好坏

对于单极型的TVS,按照测量普通二极管的方法,可测出其正、反向电阻,

一般正向电阻为4kΩ左右,反向电阻为无穷大。

对于双向极型的TVS,任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大,否则,说明管子性能不良或已经损坏。

6、高频变阻二极管的检测

A、识别正、负极

高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同,普通二极管的色标颜色一般为黑色,而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似,即带绿色环的一端为负极,不带绿色环的一端为正极。

B、测量正、反向电阻来判断其好坏

具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同,当使用500型万用表R×1k挡测量时,正常的高频变阻二极管的正向电阻为5k~5.5k,反向电阻为无穷大。

7、变容二极管的检测

将万用表置于R×10k挡,无论红、黑表笔怎样对调测量,变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中,发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零,说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。对于变容二极管容量消失或内部的开路性故障,用万用表是无法检测判别的。必要时,可用替换法进行检查判断。

8、单色发光二极管的检测

在万用表外部附接一节1.5V干电池,将万用表置R×10或R×100挡。这种接法就相当于给万用表串接上了1.5V电压,使检测电压增加至3V(发光二极管的开启电压为2V)。检测时,用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子性能良好,必定有一次能正常发光,此时,黑表笔所接的为正极,红表笔所接的为负极。

9、红外发光二极管的检测

A、判别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚,通常长引脚为正极,短引脚为负极。因红外发光二极管呈透明状,所以管壳内的电极清晰可见,内部电极较宽较大的一个为负极,而较窄且小的一个为正极。

B、将万用表置于R×1k挡,测量红外发光二极管的正、反向电阻,通常,正向电阻应在30k左右,反向电阻要在500k以上,这样的管子才可正常使用。要求反向电阻越大越好。

10、红外接收二极管的检测

A、识别管脚极性

(a)、从外观上识别。常见的红外接收二极管外观颜色呈黑色。识别引脚时,面对受光窗口,从左至右,分别为正极和负极。另外,在红外接收二极管的管体顶端有一个小斜切平面,通常带有此斜切平面一端的引脚为负极,另一端为正极。

(b)、将万用表置于R×1k挡,用来判别普通二极管正、负电极的方法进行检查,即交换红、黑表笔两次测量管子两引脚间的电阻值,正常时,所得阻值应

为一大一小。以阻值较小的一次为准,红表笔所接的管脚为负极,黑表笔所接的管脚为正极。

B、检测性能好坏。用万用表电阻挡测量红外接收二极管正、反向电阻,根据正、反向电阻值的大小,即可初步判定红外接收二极管的好坏。

11、激光二极管的检测

A、将万用表置于R×1k挡,按照检测普通二极管正、反向电阻的方法,即可将激光二极管的管脚排列顺序确定。但检测时要注意,由于激光二极管的正向压降比普通二极管要大,所以检测正向电阻时,万用表指针仅略微向右偏转而已,而反向电阻则为无穷大。

三极管的检测方法

1、中、小功率三极管的检测

A、已知型号和管脚排列的三极管,可按下述方法来判断其性能好坏

(a)、测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1k挡,按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中,发射结和集电结的正向电阻值比较低,其他四种接法测得的电阻值都很高,约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻,硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。

(b)、三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快,ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性,所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。

通过用万用表电阻直接测量三极管e-c极之间的电阻方法,可间接估计IC EO的大小,具体方法如下:

万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1k挡,对于PNP管,黑表管接e 极,红表笔接c极,对于NPN型三极管,黑表笔接c极,红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e-c间的阻值越大,说明管子的ICEO越小;反之,所测阻值越小,说明被测管的ICEO越大。一般说来,中、小功率硅管、锗材料低频管,其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上,如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动,则表明ICEO很大,管子的性能不稳定。

(c)、测量放大能力(β)。目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座,可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至挡,量程开关拨到ADJ位置,把红、黑表笔短接,调整调零旋钮,使万用表指针指示为零,然后将量程开关拨到hFE位置,并使两短接的表笔分开,把被测三极管插入测试插座,即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。

另外:有此型号的中、小功率三极管,生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数β值,其颜色和β值的对应关系如表所示,但要注意,各厂家所用色标并不一定完全相同。

B、检测判别电极

(a)、判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个

极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测三极管为PNP型管;如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN型管。

(b)、判定集电极c和发射极e。(以PNP为例)将万用表置于R×100或R×1 k挡,红表笔基极b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一个大一些,一个小一些。在阻值小的一次测量中,黑表笔所接管脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接管脚为发射极。

C、判别高频管与低频管

高频管的截止频率大于3MHz,而低频管的截止频率则小于3MHz,一般情况下,二者是不能互换的。

D、在路电压检测判断法

在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上,由于元件的安装密度大,拆卸比较麻烦,所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡,去测量被测三极管各引脚的电压值,来推断其工作是否正常,进而判断其好坏。

2、大功率晶体三极管的检测

利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法,对检测大功率三极管来说基本上适用。但是,由于大功率三极管的工作电流比较大,因而其PN结的面积也较大。PN结较大,其反向饱和电流也必然增大。所以,若像测量中、小功率三极管极间电阻那样,使用万用表的R×1k挡测量,必然测得的电阻值很小,好像极间短路一样,所以通常使用R×10或R×1挡检测大功率三极管。

3、普通达林顿管的检测

用万用表对普通达林顿管的检测包括识别电极、区分PNP和NPN类型、估测放大能力等项内容。因为达林顿管的E-B极之间包含多个发射结,所以应该使用万用表能提供较高电压的R×10k挡进行测量。

4、大功率达林顿管的检测

检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。但由于大功率达林顿管内部设置了V3、R1、R2等保护和泄放漏电流元件,所以在检测量应将这些元件对测量数据的影响加以区分,以免造成误判。具体可按下述几个步骤进行:

A、用万用表R×10k挡测量

B、C之间PN结电阻值,应明显测出具有单向导电性能。正、反向电阻值应有较大差异。

B、在大功率达林顿管B-E之间有两个PN结,并且接有电阻R1和R2。用万用表电阻挡检测时,当正向测量时,测到的阻值是B-E结正向电阻与R1、R2阻值并联的结果;当反向测量时,发射结截止,测出的则是(R1+R2)电阻之和,大约为几百欧,且阻值固定,不随电阻挡位的变换而改变。但需要注意的是,有些大功率达林顿管在R1、R2、上还并有二极管,此时所测得的则不是(R1+R2)

之和,而是(R1+R2)与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。

5、带阻尼行输出三极管的检测

将万用表置于R×1挡,通过单独测量带阻尼行输出三极管各电极之间的电阻值,即可判断其是否正常。具体测试原理,方法及步骤如下:

A、将红表笔接E,黑表笔接B,此时相当于测量大功率管B-E结的等效二极管与保护电阻R并联后的阻值,由于等效二极管的正向电阻较小,而保护电阻R的阻值一般也仅有20Ω~50Ω,所以,二者并联后的阻值也较小;反之,将表笔对调,即红表笔接B,黑表笔接E,则测得的是大功率管B-E结等效二极管的反向电阻值与保护电阻R的并联阻值,由于等效二极管反向电阻值较大,所以,此时测得的阻值即是保护电阻R的值,此值仍然较小。

B、将红表笔接C,黑表笔接B,此时相当于测量管内大功率管B-C结等效二极管的正向电阻,一般测得的阻值也较小;将红、黑表笔对调,即将红表笔接B,黑表笔接C,则相当于测量管内大功率管B-C结等效二极管的反向电阻,测得的阻值通常为无穷大。

C、将红表笔接E,黑表笔接C,相当于测量管内阻尼二极管的反向电阻,测得的阻值一般都较大,约300Ω~∞;将红、黑表笔对调,即红表笔接C,黑表笔接E,则相当于测量管内阻尼二极管的正向电阻,测得的阻值一般都较小,约几Ω至几十Ω。

场效应晶体管特性

场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。 工作原理场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的漏极电流,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制漏极电流ID”。更正确地说,漏极电流ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流漏极电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,漏极电流ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。 在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。 分类场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。 按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。 场效应管与双极性晶体管的比较,场效应管具有如下特点。 1. 场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏 极电流);而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流。因此,在信号源额定电流极小的情况,应选用场效应管。 2. 场效应管是多子导电,而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、 辐射等外界条件很敏感,因此,它的温度稳定性较好;对于环境变化较大的场合,采用场效应管比较合适。 3. 场效应管的源极和漏极在结构上是对称的,可以互换使用,耗尽型MOS 管的栅——源电压可正可负。因此,使用场效应管比晶体管灵活。 4 . 场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外,还可作压控可变线性电阻使用 特点与双极型晶体管相比,(1)场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。 (2)场效应管的抗辐射能力强; (3)由于不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。

晶体管测试仪使用说明

晶体管测试仪使用说明 输入电压:直流6.8V-12V 工作电流30mA左右,输入7.5V直流电压时实测 ●晶体管测试仪控制 测试仪由一个旋转编码器开关控制,旋转编码器开关一共可以有4种操作,短按、长按、左旋、右旋。 在关机状态下短按一次,就能打开电源,开始测试。 在一次测试完成后,如果没有检测到器件。长按开关或者左右旋转开关可以进入功能菜单,进入功能菜单后,左旋或者右旋开关可以在菜单项上下选择,要进入某一个功能项,则短按一次开关。当需要从某个功能里退出时,则长按开关。 ●测试器件 测试仪一共有3个测试点,TP1、TP2、TP3。这三个测试点在测试座里的分布如下:

在测试座的右边是贴片元件的测试位置,上面分别有数字1,2,3,各代表TP1、TP2、TP3 测试只有2个引脚的元件时,引脚不分测试顺序,2个引脚任意选择2个测试点,3个脚的器件引脚分别放到三个测试点中,不分顺序。经过测试后,测试仪自动识别出元件的引脚名称、所在的测试点,并显示在屏幕上。 测试只有2个脚的元件时,如果使用的是TP1和TP3两个测试点,则测试完成后自动进入连续测试模式,这样可以连续的同步测量TP1和TP3上的元件,不用再按开关。如果使用的是“TP1和TP2”或者“TP2和TP3”测试,则只测试一次。要再一次测试则按一次开关。 测试电容器前,先给电容器放电,再插入测试座测量,否则有可能损坏测试仪的单片机。 ●校准 测试仪校准是用于消除自身元器件的误差,使得最后的测试结果更加精确。校准分为快速校准和全功能校准。 快速校准的操作方法:用导线将三个测试点TP1、TP2、TP3短接,然后按下测试按钮,同时注意观察屏幕。屏幕颜色会变成黑底白字,在出现提示信息”Selftest mode..? ”后,按一下测试按钮,就进入到快速校准过程;如果在出现提示信息“Selftest mode..?”后,2秒钟内没有按键,则进行一次正常的测试过程,最后显示出短接TP1、TP2、TP3三个测试点导线的电阻值。进入快速校准过程后,屏幕上会出现一些数据,不用管他。等待直到屏幕上出现闪烁的字符串“isolate Probes!”后,去掉短接TP1、TP2、TP3的导线。直到屏幕出现字符串“Test End”后,快速校准完成。首次校准时,使用全功能校准方式。 全功能校准需要从功能菜单里进入,还需要另外准备一个220nf的电容器。全功能校准执行更加全面的校准过程,会花费更长的时间。进入功能菜单后,旋转测试按钮来到菜单项“Selftest”,然后按下测试按钮就进入全功能校准过程,屏幕上首先冒出闪烁的字符串“short Probes!”, 这时和快速校准一样,用导线把三个测试点短接,等待校准过程进行,在屏幕冒出闪烁的字符串“isolate Probes!”时,去掉短接在三个测试点的导线,继续等待校准过程进行,在屏幕冒出字符串“1-||-3 > 100nf”时,把准备好的220nf电容器安装在测试点TP1和TP3上。等待直到屏幕提示“Test End”,全功能校准过程完成。 ●功能菜单 Switch off 关机。 Transistor 晶体管测试,也即是开机后的默认功能。 Frequency 测量频率。长按测试按钮可以退出频率测量功能。频率测量范围从1Hz到1MHz以上,当被测频率低于25KHz时,显示周期。 f-Generator 方波发生器,有多档方波频率可选,左旋或右旋测试按钮切换不同的方波频率,长按测试按钮退出方波发生器。 10-bit PWM 脉冲信号发生器,左旋或右旋测试按钮调节脉冲的占空比,从1% - 99%。长按测试按钮退出脉冲信号发生器。 C+ESR@TP1:3 电容在线测量功能,可以从TP1和TP3引出两根导线,对2uF-50mF 电容器在线测量其电容值和ESR,注意测试前被测电容需完全放电,如果是在线测量,电容所在的电路需完全断电后才能进行。 1- - 3 电阻连续测量方式,不断测试安装在TP1和TP3上的电阻值,电感值。被测电阻小于2100欧姆时才会测量其电感,电感测量范围从0.01mH-20H .长按测试按钮退出。

场效应管特性

根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件 -------------------------------------------------------------- 1.概念: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 作用: 场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器. 场效应管可以用作电子开关. 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源. 2.场效应管的分类:

场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类 按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.见下图: 3.场效应管的主要参数: Idss —饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流. Up —夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压. Ut —开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压. gM —跨导.是表示栅源电压UGS —对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数. BVDS —漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS. PDSM —最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量. IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比(占空系数,外电路参数) di/dt---电流上升率(外电路参数) dv/dt---电压上升率(外电路参数) ID---漏极电流(直流) IDM---漏极脉冲电流 ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流(射频功率管)

晶体管测试仪简介

开始/测试按键 SMD 器件测试座电容放电电阻外接表笔座 DC 电源接口 LCD 显示屏 开始/测试按键小元件放置区插件元件测试座 一. 产品概述 本仪表是一款针对于电子爱好者、开发者、电子维修及生产工厂研发的小仪器。可测直插式器件,也可测试贴片器件,可测各种二极管、三极管、可控硅、MOS管;能判断器件类型、引脚的极性、输出HFE、阀电压,场效应管的结电容,可测电容和电阻等。 二. 注意事项 ● 在测试电容前,请务必先进行放电,否则有可能损坏仪表。 ● 使用适配器供电时,请使用DC 9V -12V(含9V,12V)电压范围的适配器。● 本仪表不会对电池进行充电,当电池电量低于6V 时,请更换电池。 三. 技术指标 电阻:0Ω-50MΩ 分辨率: 0.01Ω电容:25pF-100mF 分辨率:1pF 电感:0.01mH-20H 分辨率:0.01mH 测量电容ESR 的分辨率: 0.01Ω 四. 使用方法 a. 按“开机/测试”可以实现开机和一次测试的功能,多次测量可重复按此键;测完后20秒无操作自动关机。 b. 本仪表提供贴片、插件和外置表笔三种测量方式,每种方式的1,2,3脚都是相同的对应关系。 c. 放置器件无需区分管脚顺序,测量完成后屏幕会显每个管脚对应的器件功能。 d. 仪表背面印有电解电容对应的ESR 典型值参照表,该表仅供参考,请以各生产厂家公布的数据为准。 五. 校准 短接1,2,3 测试点,按“开机/测试”按键,屏幕提示是否进入校准,在2秒内此按“开机/测试”按键确认,进入校准。之后屏幕提示断开1, 2,3 测试点,断开后继续,直到提示校准结束。 POWER/TEST SMD Devices Socket Capacitor Discharge Resistor Probe Socket DC IN LCD Screen POWER/TEST Small Devices Container Plug-in Devices Socket 1. Product Description This Meter is a small tool design for Engineer, Electronic Maintenance and Factory. It’s very easy to test plug-in and SMD devices, also can test di?erent kinds of Diodes, Triodes, Thyristors, MOSFET; able to analysis the device type, the polarity of the pin, the output HFE, the valve voltage, the junction capacitance of the FET. 2. Cautions ● Before testing the capacitor, be sure to discharge it, otherwise it may damage the internal circuit.● If using DC supply , please choose DC 9V -12V adapter(including 9V and 12V).● When the battery power is under 6V, please replace a new one . 3. Measuring parameters Resistor : 0Ω-50MΩ Resolution : 0.01ΩCapacitor: 25pF-100mF Resolution : 1pF Inductor: 0.01mH-20H Resolution : 0.01mH Capacitor ESR measuring resolution : 0.01Ω 4. Instructions a. Push "POWER/TEST" to power on and start a test, multiple measurements can be repeated by this key; auto power o? 20 seconds after measurement. b. Provide three kinds of socket, each socket pin1, pin2 and pin3 are connected. c. There 's a table "Typical ESR value of Electrolytic Capacitor" at the back, it’s for guide only, these are typical value for standard grade Electrolytic capacitor at room temperature. 5. Calibration Short the test pin 1,2,3 together, and push "POWER/TEST" button, then the screen prompts to enter Calibration, push the button again whin 2 seconds to con?rm. Few seconds latter the screen prompts to release pin 1,2,3, release them and wait for calibration ?nish. 晶体管测试仪

自制晶体管耐压测试仪

自制晶体管耐压测试仪 本测试仪,可用于测试晶体二极管、三极管、可控硅等元件的反向耐压值或稳压管的稳压值等。 一、工作原理:电路原理如图所示。时基电路NE555、R1、R2和C2等组成了振荡频率约16MHZ的自激振荡器,其输出信号通过三极管Q1放大后驱动升压变压器T,在T的次级感应输出脉动电压。此电压经D1整流、C5滤波,在a点取得左右的测试用只留高压电源。Q2、R7(或R8)、R3和R4等组成测试保护电路,当被测试管反向击穿电流大于一定值(大功率管,小功率管70uA)时,三极管Q2饱和导通,NE555因④脚为低电位而停振,a点电压降低,被测管的反向击穿电流下降,然后NE555再次起振,a点电压上升,这种负反馈的作用结果使XA、XB两点间的电压稳定在被测管的稳压值上。测试时,将被测管按极性接于XA、XB之间,测小功率管时,转换开关S在“1”端,测大功率管时,S 在“2”端,按动按键SB,由外接的电压表PV直接读出被测管的耐压值。二极管D2用于抵消Q2基极电位,使电压表读数更接近于被测管的耐压值。 二、元件选择:升压变压器T用35cm(14英寸)黑白电视级分体式输出变压器改制。将其低压绕组全部拆除,再用线径为的漆包线在原骨架上绕30匝作为初级绕组L1,次级绕组L2和整流管D1用高压包及硅柱代替。三极管Q1选β>50Icm>2A的中大功率管(如3DD15,DD03等)。电阻除R4、R5、R6选1W电阻外,其他均选1/8W的碳膜电阻。C5应选耐压在2KV以上的的瓷介电容。为降低成本,电压表PV可用内阻大于2KΩ/V。直流电压档最大量程大于2KV的万用表代替。其他元件如图1所示。 三、调试及注意事项:电路装好后,先不加装C5,接上电源,然后用万用表检测a点电压,按动SB按钮使电路加电工作。在正常情况下,在a点可监测到左右的直流电压。若无高压输出,可检查振荡电路及其相关器件;若电压略低或略高,可以更换不同阻值的R4,使输出电压为左右,若电压偏离太多,可通过换用不同β值得Q1来解决。由实验可知,Q1的β值越大,则输出电压越高,反之则越低。当电压基本正常后,加装C5,再测a点电压约为即为正常,然后将万用表串入XA、XB之间,直接测量通过R6的电流。当S拨在1端时约为70uA,S拨在2端时,约为为正常。否则,可通过改变R7或R8的阻值来解决。到此调试工作即告结束,本仪器即可投入使用。 四、注意事项:1.由于本测试仪线路中存在高压,因此在线路布局上要防止高压打火,在使用中要防遭电击;2.测试前把万用表量程拨到大于被测元件耐压值档,若被测元件耐压值不楚时,需先用较大量程档测量;3.由于电路工作时电流较大(200~500mA),故电源GB最好选用镍镉电池或5号干电池。

什么是结型场效应管

什么是结型场效应管 场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。 它不仅具有双极型三极管的体积小,重量轻,耗电少,寿命长等优点,而且还具有输入电阻高,热稳定性好,抗辐射能力强,噪声低,制造工艺简单,便于集成等特点.因而,在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用.根据结构和工作原理不同,场效应管可分为两大类: 结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。 在两个高掺杂的P区中间,夹着一层低掺杂的N区(N区一般做得很薄),形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极,在两个P区上也做上欧姆电极,并把这两个P 区连起来,就构成了一个场效应管。从N型区引出的两个电极分别为源极S和漏极D,从两个P区引出的电极叫栅极G,很薄的N区称为导电沟道。 结型场效应管分类:N沟道和P沟道两种。如下图所示为N沟道管的结构和符号。 如右图所示为N沟道结型场效应管的结构示意图。 N沟道结型场效应管正常工作时,在漏-源之间加正向电压,形成漏极电流。 <0,耗尽层承受反向电压,既保证栅-源之间内阻很高,又实现对沟道电流的控制。 ★=0时,对导电沟道的控制作用,如下图所示。

◆=0时,=0,耗尽层很窄,导电沟道很宽。 ◆│增大时,耗尽层加宽,沟道变窄,沟道电阻增大。 ◆│增大到某一数值时,耗尽层闭合,沟道消失,沟道电阻趋于无穷大,称此时的值为夹断电压。 ★为~0中某一固定值时,对漏极电流的影响 ▲=0,由所确定的一定宽的导电沟道,但由于d-s间电压为零,多子不会产生定向移动,=0。 ▲>0,有电流从漏极流向源极,从而使沟道各点与栅极间的电压不再相等,沿沟道从源极到漏极逐渐增大,造成靠近漏极一边的耗尽层比靠近源极一边的宽。如下图(a)所示。 ▲从零逐渐增大时,=- 逐渐减小,靠近漏极一边的导电沟道随之变窄。电流随线性增大。

结型场效应管

结型场效应管 如图XX_01(a)所示,在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的 P型区(用P+表示),就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起,引 出一个电极,称为栅极(g),在N型半导体的两端各引出一个电极,分别称为 源极(s)和漏极(d)。它们分别与三极管的基极(b)、发射极(e)和集电 极(c)相对应。夹在两个P+N结中间的N区是电流的通道,称为导电沟道(简 称沟道)。这种结构的管子称为N沟道结型场效应管,它在电路中用图XX_01(b) 所示的符号表示,栅极上的箭头表示栅、源极间P+N结正向偏置时,栅极电流的 方向(由P区指向N区)。 实际的JFET结构和制造工艺比上述复杂。N沟道JFET的剖面图如图XX_01(c)所示。图中衬底和中间顶部都是P+型半导体,它们连接在一起(图中未画出)作为栅极g。分别与源极s和漏极d相连的N+区,是通过光刻和扩散等工艺来完成的隐埋层,其作用是为源极s、漏极d提供低阻通路。三个电极s、g、d分别由不同的铝接触层引出。

如果在一块P 型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N +区,就可以制成一个P 沟道的结型场效应管。图XX_02给出了这种管子的结构示意图和它在电路中的代表符号。 由结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向,可以确认沟道的类型。 N 沟道和P 沟道结型场效应管的工作原理完全相同,现以N 沟道结型场效应管为例,分析其工作原理。 N 沟道结型场效应管工作时,也需要外加如图XX_01所示的偏置电压,即在栅极与源极间加一负电压(v GS <0),使栅、源极间的P +N 结反偏,栅极电流i G ≈0,场效应管呈现很高的输入电阻(高达108 左右)。在漏极与源极间加一正电压(v DS >0),使N 沟道中的多数载流子电子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动,形成漏极电流i D 。i D 的大小主要受栅源电压v GS 控制,同时也受漏源电压v DS 的影响。因此,讨论场效应管的工作原理就是讨论栅源电压v GS 对漏极电流i D (或沟道电阻)的控制作用,以及漏源电压v DS 对漏极电流i D 的影响 1.v GS 对i D 的控制作用 图XX_02所示电路说明了v GS 对沟道电阻的控制作用。为便于讨论,先假设漏源极间所加电压v DS =0。 当栅源电压v GS =0时,沟道较宽,其电阻较小。当v GS <0,且其大小增加时,在这个反偏电压的作用下,两个P +N 结耗尽层将加宽。由于N 区掺杂浓度小于P +区,因此,随着 的增加,耗尽层将主要向N 沟道中扩展,使沟道变窄,沟道电阻增大,如图XX_02(b)所示。 当 进一步增大到一定值 时,两侧的耗尽层将在中间合拢,沟道全部被夹断,如图XX_02(c)所示。由于耗尽层中没有载流子, 因此这时漏源极间的电阻将趋于无穷大,即使加上一定的v DS ,漏极电流i D 也将为零。这时的栅源电压称为夹断电压,用V P 表示。 2.v DS 对i D 的影响 图XX_01

结型场效应管(JFET)的结构和工作原理

结型场效应管(JFET)的结构和工作原理 1. JFET的结构和符号 N沟道JFET P沟道JFET 2. 工作原理(以N沟道JFET为例) N沟道JFET工作时,必须在栅极和源极之间加一个负电压——V GS< 0,在D-S间加一个正电压——V DS>0. 栅极—沟道间的PN结反偏,栅极电流i G≈0,栅极输入电阻很高(高达107Ω以上)。 N沟道中的多子(电子)由S向D运动,形成漏极电流i D。i D的大小取决于V DS的大小和沟道电阻。改变V GS可改变沟道电阻,从而改变i D。

主要讨论V GS对i D的控制作用以及V DS对i D的影响。 ①栅源电压V GS对i D的控制作用 当V GS<0时,PN结反偏,耗尽层变宽,沟道变窄,沟道电阻变大,I D减小;V GS更负时,沟道更窄,I D更小;直至沟道被耗尽层全部覆盖,沟道被夹断,I D≈0。这时所对应的栅源电压V GS称为夹断电压V P。 ②漏源电压V DS对i D的影响 在栅源间加电压V GS< 0 ,漏源间加正电压V DS > 0。则因漏端耗尽层所受的反偏电压为V GD=V GS-V DS,比源端耗尽层所受的反偏电压V GS大,(如:V GS=-2V, V DS =3V, V P=-9V,则漏端耗尽层受反偏电压为V GD=-5V,源端耗尽层受反偏电压为-2V),使靠近漏端的耗尽层比源端宽,沟道比源端窄,故V DS对沟道的影响是不均匀的,使沟道呈楔形。 当V DS增加到使V GD=V GS-V DS =V P时,耗尽层在漏端靠拢,称为预夹断。 当V DS继续增加时,预夹断点下移,夹断区向源极方向延伸。由于夹断处电阻很大,使V DS主要降落在该区,产生强电场力把未夹断区的载流子都拉至漏极,形成漏极电流I D。预夹断后I D基本不随V DS增大而变化。

晶体管测试仪

XJ4810型半导体管特性图示仪的使用方法晶体管测试仪的使用方法 晶体管特性图示仪的使用 晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础,以半导体器件为测量对象的电子仪器。用它可以测试晶体三极管(NPN型和PNP型)的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性;测试各种反向饱和电流和击穿电压,还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。 XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示: 1. 集电极电源极性按钮,极性可按面板指示选择。 2. 集电极峰值电压保险丝:1.5A。 3. 峰值电压%:峰值电压可在0~10V、0~50V、0~100V、0~500V之连续可调,面板上的标称值是近似值,参考用。 4. 功耗限制电阻:它是串联在被测管的集电极电路中,限制超过功耗,亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。 5. 峰值电压范围:分0~10V/5A、0~50V/1A、0~100V/0.5A、0~500V/0.1A 四挡。当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时,须先将峰值电压调到零值,换挡后再按需要的电压逐渐增加,否则容易击穿被测晶体管。

AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描,以便能同时显示器件正反向的特性曲线。 6. 电容平衡:由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容,都将形成电容性电流,因而在电流取样电阻上产生电压降,造成测量误差。为了尽量减小电容性电流,测试前应调节电容平衡,使容性电流减至最小。 7. 辅助电容平衡:是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称,而再次进行电容平衡调节。 8. 电源开关及辉度调节:旋钮拉出,接通仪器电源,旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。 9. 电源指示:接通电源时灯亮。 10. 聚焦旋钮:调节旋钮可使光迹最清晰。 11. 荧光屏幕:示波管屏幕,外有座标刻度片。 12. 辅助聚焦:与聚焦旋钮配合使用。 13. Y轴选择(电流/度)开关:具有22挡四种偏转作用的开关。可以进行集电极电流、基极电压、基极电流和外接的不同转换。 14. 电流/度×0.1倍率指示灯:灯亮时,仪器进入电流/度×0.1倍工作状态。 15. 垂直移位及电流/度倍率开关:调节迹线在垂直方向的移位。旋钮拉出,放大器增益扩大10倍,电流/度各挡IC标值×0.1,同时指示灯14亮. 16. Y轴增益:校正Y轴增益。 17. X轴增益:校正X轴增益。 18.显示开关:分转换、接地、校准三挡,其作用是: ⑴转换:使图像在Ⅰ、Ⅲ象限内相互转换,便于由NPN管转测PNP管时简化测试操作。 ⑵接地:放大器输入接地,表示输入为零的基准点。 ⑶校准:按下校准键,光点在X、Y轴方向移动的距离刚好为10度,以达到10度校正目的。 19. X轴移位:调节光迹在水平方向的移位。 20. X轴选择(电压/度)开关:可以进行集电极电压、基极电流、基极电压和外接四种功能的转换,共17挡。 21. “级/簇”调节:在0~10的范围内可连续调节阶梯信号的级数。

晶体管在线测试仪原理

6.15 晶体管在线测试仪 在维修家用电路时经常 会对晶体三极管的好坏进行判别,特别是焊在电路板上的三极管,如果不焊开引脚,则判别好坏比较困难,如果用本节介绍的小仪器便可使该问题迎刃而解。 1、电路原理 晶体管在线测试仪电路如图所示,测试仪主要由对称方波发生器、反向器、测试电路等部分组成。 对称方波发生器由555时基电路A2和阻容元件R3、C1构成,A2第三脚输出的方波频率f=0.722/R3*C1≈4.6Hz。反向器由555时基电路A1构成,它接成施密特触发器,A1的2、6两脚输入电平直接取自A2的第3脚,当输入低电平时,A1置位,第3脚输出高电平;当输入高电平时,A1复位,第3脚输出低电平,所以A1输出与A2输出始终保持反向。A1与A2共同为仪器的测试部分提供极性定时改变的交变电源。 测试电路由三极管VT1、VT2、电位器RP1、RP2等组成的双向辅助电源与LED1、LED2极性相反的并联发光二极管构成的显示电路两部分构成。 合上电源开关S,仪器工作指示灯LED3长亮发光、LED1、LED2则交替发光。若用鳄鱼夹将一只完好的NPN三极管按电路所示连接相应c、b、e插孔,由于被测管集电极c和发射极e之间存在饱和压降,负半周时,LED1、LED2均不发光,正半周时,通过R1提供基极偏流使被测管导通,LED2被旁路不发光而LED1发光;当待测的是PNP三极管时,情况正好相反,LED1被旁路不发光而LED2发光,从而可判断晶体管是PNP型还是NPN型。 如果被测管是坏管则有3种情况:①集电极与发射极间短路:此时c-e间无压降,发光管LED1、LED2被旁路,且是双向旁路均不发光;②集电极与发射极间开路:这时相当于电路未接入待测管,LED1、LED2都发光;③基极与集电极(或基极与发射极)存在短路或开路:它们都会使LED1、LED2、发光。 2、元器件选择 LED1、LED2和LED3最好分别采用红色、绿色、和黄色3种不同颜色的发光二极管。 RP1、RP2选用WS型有机实心微调电位器。R1~R4可选用RTX-1/8W型碳膜电阻器。C1选用CT4型独石电容器,C2选用CD11-16V型铝电解电容器。 S为1×1小型拨动式电源开关。G选用4F22型6V层叠式电池或4节7号电池串联供给。

绝缘栅场效应晶体管工作原理及特性

绝缘栅场效应晶体管工作原理及特性 场效应管(MOSFET)是一种外形与普通晶体管相似,但控制特性不同的半导体器件。它的输入电阻可高达1015W,而且制造工艺简单,适用于制造大规模及超大规模集成电路。场效应管也称为MOS管,按其结构不同,分为结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管两种类型。在本文只简单介绍后一种场效应晶体管。 绝缘栅场效应晶体管按其结构不同,分为N沟道和P沟道两种。每种又有增强型和耗尽型两类。下面简单介绍它们的工作原理。 1、增强型绝缘栅场效应管 2、图6-38是N沟道增强型绝缘栅场效应管示意图。 在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上,用光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,称为漏极D和源极S如图6-38(a)所示。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层,在漏-源极间的绝缘层上再装一个铝电极,称为栅极G。另外在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。它的栅极与其他电极间是绝缘的。图6-38(b)所示是它的符号。其箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。 图6-38 N沟道增强型场效应管 场效应管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数场效应管在出厂前已联结好)。从图 6-39(a)可以看出,漏极D和源极S之间被P型存底隔开,则漏极D和源极S之间是两个背靠背的PN结。当栅-源电压UGS=0时,即使加上漏-源电压UDS,而且不论UDS的极性如何,总有一个PN结处于反偏状态,漏-源极间没有导电沟道,所以这时漏极电流ID≈0。 若在栅-源极间加上正向电压,即UGS>0,则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场,这个电场能排斥空穴而吸引电子,因而使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥,剩下不能移动的受主离子(负离子),形成耗尽层,同时P衬底中的电子(少子)被吸引到衬底表面。当UGS数值较小,吸引电子的能力不强时,漏-源极之间仍无导电沟道出现,如图6-39(b)所示。UGS增加时,吸引到P衬底表面层的电子就增多,当UGS达到某一数值时,这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层,且与两个N+区相连通,在漏-源极间形成N型导电沟道,其导电类型与P衬底相反,故又称为反型层,如图6-39(c)所示。UGS越大,作用于半导体表面的电场就越强,吸引到P衬底

多功能晶体管测试仪毕设论文

摘要 晶体管的出现在电子器件的历史上具有划时代的意义,在当今社会的重要性更是不容忽略,它实际上是所有现代电器的关键活动元件。因而研究测量其参数的测试仪器的具有重大的意义。 在分析传统XJ4810 型晶体管特性图示仪的电路结构和功能实现的基础上,结合模拟和数字电子技术的特点,确立了整个系统构成。本系统以凌阳16位单片机SPCE061A 为核心,其内部集成了两路10位DA和7通道的AD,用一路DA输出作为压控电压源的输入端,压控电压源的输出端作为集电极电压的控制端;另一路DA则作为压控恒流源的输入端,压控恒流源的输出端则作为基极的电流控制端。用其中的两路AD分别采样基极和集电极电压,采样结果送CPU处理后再送液晶显示器显示。系统采用的液晶显示器是LCM12664ZK点阵图形液晶模块,显示效果好。系统软件采用C语言在凌阳单片机集成开发环境μ’nSP? IDE 2.0.0上编程,利用模块化的程序设计方法编写系统各模块程序,使整个系统性能稳定,易于扩展。 本系统的压控恒流源和压控电压源都是采用运放构成,电路简单,精度能满足设计要求。经测定恒流源的输出范围为±100uA,误差为±0.5uA;电压源的输出范围±10V, 误差为±0.02V。 本测试系统目前能够完成三极管管型和极性判别、输入、输出特性曲线、放大倍数等参数以及二极管一些参数的测定。它具有功能稳定,精确度较高,易于功能扩展等特点。 关键词:SPCE061A;LCM12864ZK;晶体管参数;压控恒流源;压控电压源

Abstract The appearance of transistor has an epochal impact on the history of electronic element, and its significance could not ignore as the active component of all most of electronic devices. So, taking a research on the transistor tester for measuring its parameter has great importance. Based on the analysis of general configuration and working principle the tradition instrument XJ4810, combined with the analog and digital electronic technology, we ascertain the system’s structure. This system bases on SPCE061A, which contains two DAC and seven ADC, one DAC is used as the input of VCVS(V oltage Controlled V oltage Source), which output is used to control the voltage of collector. The other DAC is used as the input of VCCS(V oltage Controlled Current Source), which output is used to control the current of base. The two of seven ADC are used to sample the voltage of collector and base respectively, and the result is send to the display after processing of processor. This system used LCM12864ZK as the display, which has nice display effect. This system software is developed on Integrated Development Environment μ’nSP? 2.0.0 using C langue, and we utilize the modularization method of program design to make the system stable function and to be pronged to other function. This system’s VCCS and VCVS are both compose of amplifier. The circuit is simple, and the precision can meet the demands of design. The result of experiments proves that the range of output current of VCCS is from -100uA to +100uA, the error is ±2.0uA and the range of output voltage of VCVS is from -10V to +10V, and the error is ±0.05V. The system can measure the type and polarity, the input characteristic curve, the output characteristic curve, and amplification of transistor parameter and diodes. It has the stable function and high accuracy. It is easy to be expanded its function. Key words:SPCE061A;LCM12864ZK;Transistor Parameter ;VCCS;VCVS

结型场效应管的特性.

结型场效应管的特性 结型场效应管的特性 类别:消费电子 (1)转移特性栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性,若用曲线表示,该曲线就称为转移特性曲线。它的定义是:漏极电压UDS恒定时,漏极电流ID同栅极电压UGS的关系,即结型场效应管的转移特性曲线如图所示。图中的Up为夹断电压,此时源极与漏极间的电阻趋于无穷大,管子截止。在UP电压之后,若继续增大UGS就可能会出现反向击穿现象而损坏管子。在测量结型场效应管的转移特性曲线时,要求UDS要足够大,一般令 UDS=|UP|,这时再令UCS从零开始增大百到Up,测出对应的ID值,便可得到转移特性曲线。图中UGS=O时对应的札称为漏极饱和电流IDSS°随着UGS变负,IS将下降,一直到UGS=UP,即图中的一3.4V时,ID才等于零。有了转移特性曲线,只要给出UDS,便可查出对应的ID。(2)输出特性UDS与ID的关系称为输出特性,若用曲线表示,该曲线就称为输出特性曲线。它的定义是:当栅极电压UGS恒定时,ID随UDS的变化关系,即结型场效应管的输出特性曲线如图所示。从图中可以看出,结型场效应管的输出特性曲线分为三个区,即可变电阻区、饱和区及击穿区。当UDS较小时,漏极附近不会发生预夹断,因此随着UDS的增加,斤也增加。这就是曲线的上升部分,它基本上是通过原点的一条直线,这时可以把管子看成是一个可变电阻。当UDS增加到一定程度后,就会产生预夹断,因此尽管UDS再增加,但IS基本不变。因此预夹断点的轨迹就是两种工作状态的分界线。把曲线上UDS=UGS-UP的点连接起来,便可得到预夹断时的轨迹,如图中左边虚线所示。轨迹左边对应不同UGS值的各条直线,通称为可变电阻区;轨迹右边的水平直线区称为饱和区,结型场效应管作放大用时,一般都工作在饱和区。结型场效碰管的输出特性曲线如果冉继续增大UDS,将使反向偏置的PN结击穿,这时IS将会突然增大,管子进入击穿区。管子进入击穿区后,如果不加限制,将会导致管子损坏。结型场效应管的输出特性曲线P1沟道结型场效应管的特性曲线,除了电流、电压的方向与N沟道结型场效应管相反外,两者的其他特性完全类似。(3)结型场效应管的放大作用结型场效应管的放大作用一般指的是电压放大作用,可以通过图所示电路来说明这一作用。当把变化的电压加入输入回路时,将引起漏极电流的变化。如果负载电阻RL选得合适,就完全可以使输出端的电压变化比输入端的电压变化大许多倍,这样电压便得到了放大。例如,输入电压从OV变化到-1V,变化了1V,此时ID则由5mA降到2.1mA,变化了2.9mA,便可在5.1kΩ的负载电阻的两端得到2.95X5.1≈14.8V的电压变化,这样场效应管便把输人电压放大了14.8倍。结型场效应管的放大作用

MOS管特性

MOS管开关 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍。 在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。 2,MOS管导通特性 导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC 时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。 3,MOS开关管损失

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