第十章 常用半导体器件
什么是半导体器件常见的半导体器件有哪些
什么是半导体器件常见的半导体器件有哪些半导体器件是指在半导体材料基础上制造的电子器件。
它具有介于导体与绝缘体之间的特性，既能够传导电流，又能够控制电流的大小和方向。
半导体器件广泛应用于电子、通信、计算机、光电等领域，是现代科技发展的基础之一。
半导体器件的种类繁多，涵盖了许多不同的功能和应用。
下面将介绍一些常见的半导体器件：1. 整流器件整流器件用于将交流电转换为直流电，常见的整流器件有二极管和整流桥。
二极管是最基础的半导体器件之一，通过正向电压使电流通路畅通，而反向电压则阻止电流流动。
整流桥由四个二极管组成，可以实现更高效的电流转换。
2. 放大器件放大器件可以将输入信号信号放大输出，常见的放大器件有晶体管和场效应晶体管（FET）。
晶体管通过控制输入电流，改变输出电流的放大倍数，广泛应用于各种放大和开关电路中。
FET则是利用场效应原理，通过控制栅极电压来调节输出电流。
3. 逻辑器件逻辑器件用于实现逻辑运算和数据处理，常见的逻辑器件有门电路、触发器和寄存器。
门电路包括与门、或门、非门等，用于实现与、或、非等逻辑运算。
触发器和寄存器则用于存储和传输数据，实现时序逻辑功能。
4. 可控器件可控器件可以通过控制信号来改变器件的电特性，常见的可控器件有可控硅（SCR）和可控开关。
可控硅是一种具有双向导电性的半导体器件，可以实现高压大电流的控制。
可控开关通过改变输入信号的状态，控制输出电路的导通和断开。
5. 光电器件光电器件将光信号转换为电信号，或将电信号转换为光信号。
常见的光电器件有光电二极管、光敏电阻和光电晶体管。
光电二极管具有较快的响应速度，可用于光电转换和光通信。
光敏电阻对光信号具有较大的灵敏度，常用于光控开关和光敏电路。
光电晶体管通过光控电流来控制电流的通断，常用于光电触发器和光电继电器。
除了以上提到的常见半导体器件，还有诸如二极管激光器、发光二极管（LED）、MOSFET、IGBT等。
这些器件在不同的应用领域发挥着重要的作用，推动着科技的不断进步和创新。
半导体及其常用器件资料
章目录
电工电子技术
1. 半导体中少子的浓度虽然很低 ，但少子对温度 非常敏感，因此温度对半导体器件的性能影响很 大。而多子因浓度基本上等于杂质原子的掺杂浓
是这种半导体的导 电主流。
＋4
＋4
＋4
在室温情况下，本征硅中的磷杂质等于10-6数量级时，电 子载流子的数目将增加几十万倍。掺入五价元素的杂质半导
体由于自由电子多而称为电子型半导体，也叫做N型半导体。
章目录
电工电子技术
＋4
＋－ 4
＋4
掺入硼杂质的硅半
+
B
导体晶格中，空穴 载流子的数量大大
＋4
＋4
＋4
章目录
电工电子技术
＋4
＋4
＋4
自由电子载流子运动可以形
容为没有座位人的移动；空穴
载流子运动则可形容为有座位
＋4
＋4
＋4 的人依次向前挪动座位的运动。
半导体内部的这两种运动总是
共存的，且在一定温度下达到
动态平衡。
＋4
＋4
＋4
半导体的导电机理
半导体的导电机理与金属导体导电机理有本质上的区别： 金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电；而半导体中 则是本征激发下的自由电子和复合运动形成的空穴两种载流 子同时参与导电。两种载流子电量相等、符号相反，即自由 电子载流子和空穴载流子的运动方向相反。
学习与归纳 度，所以说多子的数量基本上不受温度的影响。
2. 半导体受温度和光照影响，产生本征激发现象而出现电子、空 穴对；同时，其它价电子又不断地 “转移跳进”本征激发出现 的空穴中，产生价电子与空穴的复合。在一定温度下，电子、空 穴对的激发和复合最终达到动态平衡状态。平衡状态下，半导体 中的载流子浓度一定，即反向电流的数值基本不发生变化。
电工电子技术基础第十章
第二节 晶体三极管
不同的晶体管， 值不同，即电流的放大能力不同，一般为 20 ～ 200。 ② 直流电流放大系数 I C IB 通常 晶体管的放大作用的意义： 基极电流的微小变化引起集电极电流的较大变化，当基极 电路中输入一个小的信号电流 ib ，就可以在集电极电路中得到 一个与输入信号规律相同的放大的电流信号ic。 可见，晶体管是一个电流控制元件。
操作：调节(或改变 E1 )以改变基极电流 IB 的大小,记录 每一次测得的数据。
次数
电流
IB/mA IC/mA
1
0 0.01
2
0.01 0.56
3
0.02 1.14
4
0.03 1.74
5
0.04 2.33
IE/mA
0.01
0.57
1.16
1.77
2.37
（1）直流电流分配关系：
IE IC IB
晶体三极管
一、晶体管的结构 二、晶体管的放大作用
三、晶体管的三种工作状态
四、晶体管的主要参数 五、晶体管的管型和管脚判断
第二节 晶体三极管
一、晶体管的结构
1．结构和符号
、发射区 三个区：集电区、基区 （1）结构： 两个PN 结：集电结、发射结 发射极：e 三个区对应引出三个极： 基极：b 集电极：c
第二节 晶体三极管
（2）放大状态 UBE 大于死区电压，IB > 0，集电极电流 IC 受 IB 控制，即
I C I B 或 ΔI C Δ I B
晶体管处于放大状态的条件是：发射结正偏，集电结反偏， 即VC > VB > VE （NPN管，PNP管正好相反） 。
第二节 晶体三极管
半导体器件物理教案课件
半导体器件物理教案课件PPT第一章：半导体物理基础知识1.1 半导体的基本概念介绍半导体的定义、特点和分类解释n型和p型半导体的概念1.2 能带理论介绍能带的概念和能带结构解释导带和价带的概念讲解半导体的导电机制第二章：半导体材料与制备2.1 半导体材料介绍常见的半导体材料，如硅、锗、砷化镓等解释半导体材料的制备方法，如拉晶、外延等2.2 半导体器件的制备工艺介绍半导体器件的制备工艺，如掺杂、氧化、光刻等解释各种制备工艺的作用和重要性第三章：半导体器件的基本原理3.1 晶体管的基本原理介绍晶体管的结构和工作原理解释n型和p型晶体管的概念讲解晶体管的导电特性3.2 半导体二极管的基本原理介绍半导体二极管的结构和工作原理解释PN结的概念和特性讲解二极管的导电特性第四章：半导体器件的特性与测量4.1 晶体管的特性介绍晶体管的主要参数，如电流放大倍数、截止电流等解释晶体管的转移特性、输出特性和开关特性4.2 半导体二极管的特性介绍半导体二极管的主要参数，如正向压降、反向漏电流等解释二极管的伏安特性、温度特性和频率特性第五章：半导体器件的应用5.1 晶体管的应用介绍晶体管在放大电路、开关电路和模拟电路中的应用解释晶体管在不同应用电路中的作用和性能要求5.2 半导体二极管的应用介绍半导体二极管在整流电路、滤波电路和稳压电路中的应用解释二极管在不同应用电路中的作用和性能要求第六章：场效应晶体管（FET）6.1 FET的基本结构和工作原理介绍FET的结构类型，包括MOSFET、JFET等解释FET的工作原理和导电机制讲解FET的输入阻抗和输出阻抗6.2 FET的特性介绍FET的主要参数，如饱和电流、跨导、漏极电流等解释FET的转移特性、输出特性和开关特性分析FET的静态和动态特性第七章：双极型晶体管（BJT）7.1 BJT的基本结构和工作原理介绍BJT的结构类型，包括NPN型和PNP型解释BJT的工作原理和导电机制讲解BJT的输入阻抗和输出阻抗7.2 BJT的特性介绍BJT的主要参数，如放大倍数、截止电流、饱和电流等解释BJT的转移特性、输出特性和开关特性分析BJT的静态和动态特性第八章：半导体存储器8.1 动态随机存储器（DRAM）介绍DRAM的基本结构和工作原理解释DRAM的存储原理和读写过程分析DRAM的性能特点和应用领域8.2 静态随机存储器（SRAM）介绍SRAM的基本结构和工作原理解释SRAM的存储原理和读写过程分析SRAM的性能特点和应用领域第九章：半导体集成电路9.1 集成电路的基本概念介绍集成电路的定义、分类和特点解释集成电路的制造工艺和封装方式9.2 集成电路的设计与应用介绍集成电路的设计方法和流程分析集成电路在电子设备中的应用和性能要求第十章：半导体器件的测试与故障诊断10.1 半导体器件的测试方法介绍半导体器件测试的基本原理和方法解释半导体器件测试仪器和测试电路10.2 半导体器件的故障诊断介绍半导体器件故障的类型和原因讲解半导体器件故障诊断的方法和步骤第十一章：功率半导体器件11.1 功率二极管和晶闸管介绍功率二极管和晶闸管的结构、原理和特性分析功率二极管和晶闸管在电力电子设备中的应用11.2 功率MOSFET和IGBT介绍功率MOSFET和IGBT的结构、原理和特性分析功率MOSFET和IGBT在电力电子设备中的应用第十二章：光电器件12.1 光电二极管和太阳能电池介绍光电二极管和太阳能电池的结构、原理和特性分析光电二极管和太阳能电池在光电子设备中的应用12.2 光电晶体管和光开关介绍光电晶体管和光开关的结构、原理和特性分析光电晶体管和光开关在光电子设备中的应用第十三章：半导体传感器13.1 温度传感器和压力传感器介绍温度传感器和压力传感器的结构、原理和特性分析温度传感器和压力传感器在电子测量中的应用13.2 光传感器和磁传感器介绍光传感器和磁传感器的结构、原理和特性分析光传感器和磁传感器在电子测量中的应用第十四章：半导体器件的可靠性14.1 半导体器件的可靠性基本概念介绍半导体器件可靠性的定义、指标和分类解释半导体器件可靠性的重要性14.2 半导体器件可靠性的影响因素分析半导体器件可靠性受材料、工艺、封装等因素的影响14.3 提高半导体器件可靠性的方法介绍提高半导体器件可靠性的设计和工艺措施第十五章：半导体器件的发展趋势15.1 纳米晶体管和新型存储器介绍纳米晶体管和新型存储器的研究进展和应用前景15.2 新型半导体材料和器件介绍石墨烯、碳纳米管等新型半导体材料和器件的研究进展和应用前景15.3 半导体器件技术的未来发展趋势分析半导体器件技术的未来发展趋势和挑战重点和难点解析重点：1. 半导体的基本概念、分类和特点。
《电工电子技术与技能》(文春帆主编)习题参考答案
第一章 直流电路 复习与考工模拟参考答案一、填空题1．12 V 、24 V 、36 V 2．5 W 3．2.178×108 J 4．并联 5．12 K Ω 二、选择题 1．D2．A3．D4．D5．C三、判断题1．× 2．× 3．× 4．√ 5．√ 四、分析与计算题1．0.01 A ；10 mA ；1.0×104 μA 2．（1）A 115（或0.45 A ）（2）5.6 KW •h （3）2.8元第二章 电容与电感 复习与考工模拟参考答案一、填空题 1．106；1012 2．耐压3．储能；磁场；电场 4．103；1065．电阻（或欧姆） 二、选择题 1．D2．A3．C4．B5．A三、判断题1．√2．×3．×4．√5．√四、简答题略第三章磁场及电磁感应复习与考工模拟参考答案一、填空题1．安培定则（或右手螺旋定则）2．安培；BIlF=3．软磁物质；硬磁物质；矩磁物质4．电磁感应现象5．楞次二、选择题1．B 2．A 3．C 4．A 5．B三、判断题1．√2．√3．√4．×5．×四、分析与作图题1．略2．电流方向：BADCB第四章单相正弦交流电复习与考工模拟参考答案一、填空题1．振幅（最大值或有效值）；频率（周期或角频率）；初相2．V220（或311 V）；s2.0；rad/s)02（或314πrad/s1003．有效值4．电压与电流同频同相；电压超前电流900；电流超前电压9005．正比；反比6．在电感性负载两端并联一容量适当的电容器二、选择题1．B 2．B 3．B 4．D 5．C三、判断题1．×2．√3．×4．×5．√ 6. ×7. ×四、分析与计算题1．最大值：10 A；有效值：A5；周期：0.2 s；频率：5 Hz；初相：150022．440 W3．（1）R＝6Ω；L＝25.5 mH （2）0.6第五章三相正弦交流电复习与考工模拟参考答案一、填空题1．线电压；相电压；相电压；线电压2．220 V；380 V3．3；等于4．使不对称负载获得对称的相电压5．3；等于二、选择题1．D2．C3．A4．B5． A三、判断题1．√2．√3．√4．√5．×四、分析与作图题1．星形和三角形两种；画图略2．星形联结承受220V相电压；三角形联结时则承受380V线电压。
电工学半导体器件ppt课件
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C
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t
ui R uR RL uo t
uo
t
1.电路分析
例1：求VDD=10V时，二
极管的 电流ID、电压VD
值解。1：
VD 0V
IDVR DD110K V 01mA
解2：
正向偏置时： 管压降为0，电阻也为0。 反向偏置时： 电流为0，电阻为∞。
VD0.7V IDV DR D V D1V 1 0 K 0 0 .7 V0.9m 3 A
D流1过承D受2反的向电电流压为为－I6D2V1324mA位作在作用这用。里，，D1D起2 隔起离钳
前往
例5：求(1).vI=0V,vI=4V,vI=6V 时，输出v0的值。
(2). Vi=6sinωt V 时，输出v0的 波形。
解：(1) . vI=0V时，D截止。v0 =
vvI=I 4V时，D导通。 vI=6V时，D导通vi 。
空间电荷
区的厚度
扩散运动
固定不变。
10.2.2 PN结的单向导电性
PN结加上正向电压、正向偏置的意 思都是： P区加正、N区加负电压。
PN结加上反向电压、反向偏置的意 思都是： P区加负、N区加正电压。
PN结正向偏置
空间电荷区变薄
P
－+
+
－+
－+ 正向电流
－+
N _
内电场减弱，使扩散加强， 分散 飘移，正向电流大
UQ
性） 动态电阻：
（非线
rD = UQ/ IQ
U
u 在工作点Q附近，动态电
Q
阻近似为线性，故动态电
阻又称为微变等效电阻
例1：二极管：死区电压=0 .5V，正向压降 ＝0.7V(硅二极管)
半导体器件的基本概念和应用有哪些
半导体器件的基本概念和应用有哪些一、半导体器件的基本概念1.半导体的定义：半导体是一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，常见的有硅、锗、砷化镓等。
2.半导体的导电原理：半导体中的载流子（电子和空穴）在外界条件（如温度、光照、杂质）的影响下，其浓度和移动性会发生变化，从而改变半导体的导电性能。
3.半导体器件的分类：根据半导体器件的工作原理和用途，可分为二极管、三极管、晶闸管、场效应晶体管等。
二、半导体器件的应用1.二极管：用于整流、调制、稳压、开关等电路，如电源整流器、数字逻辑电路、光敏器件等。
2.三极管：作为放大器和开关使用，如音频放大器、数字电路中的逻辑门等。
3.晶闸管：用于可控整流、交流调速、电路控制等，如电力电子设备、灯光调节等。
4.场效应晶体管：主要作为放大器和开关使用，如场效应晶体管放大器、数字逻辑电路等。
5.集成电路：由多个半导体器件组成的微型电子器件，用于实现复杂的电子电路功能，如微处理器、存储器、传感器等。
6.光电器件：利用半导体材料的光电效应，实现光信号与电信号的转换，如太阳能电池、光敏电阻等。
7.半导体存储器：用于存储信息，如随机存储器（RAM）、只读存储器（ROM）等。
8.半导体传感器：将各种物理量（如温度、压力、光照等）转换为电信号，用于检测和控制，如温度传感器、光敏传感器等。
9.半导体通信器件：用于实现无线通信功能，如晶体振荡器、射频放大器等。
10.半导体器件在计算机、通信、家电、工业控制等领域的应用：计算机中的微处理器、内存、显卡等；通信设备中的射频放大器、滤波器等；家电中的集成电路、传感器等；工业控制中的电路控制器、传感器等。
以上就是关于半导体器件的基本概念和应用的详细介绍，希望对您有所帮助。
习题及方法：1.习题：请简述半导体的导电原理。
方法：半导体中的载流子（电子和空穴）在外界条件（如温度、光照、杂质）的影响下，其浓度和移动性会发生变化，从而改变半导体的导电性能。
什么是半导体器件有哪些常见的半导体器件
什么是半导体器件有哪些常见的半导体器件半导体器件是指由半导体材料制成的用于电子、光电子、光学和微波等领域的电子元器件。
它具有半导体材料固有的特性，可以在不同的电压和电流条件下改变其电子特性，从而实现电子器件的各种功能。
常见的半导体器件有以下几种：1. 二极管（Diode）：二极管是最简单的半导体器件之一。
它由一个P型半导体和一个N型半导体组成。
二极管具有单向导电性，可以将电流限制在一个方向。
常见的二极管应用包括整流器、稳压器和光电二极管等。
2. 晶体管（Transistor）：晶体管是一种电子放大器和开关器件，由三层或两层不同类型的半导体材料构成。
晶体管可分为双极型（BJT）和场效应型（FET）两种。
它广泛应用于放大器、开关电路和逻辑电路等领域。
3. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：MOSFET是一种常用的场效应晶体管。
它具有低功耗、高开关速度和可控性强等特点，被广泛应用于数字电路、功率放大器和片上系统等领域。
4. 整流器（Rectifier）：整流器是一种将交流电转换为直流电的器件。
它主要由二极管组成，可以实现电能的转换和电源的稳定。
整流器广泛应用于电源供电、电动机驱动和电子设备等领域。
5. 发光二极管（LED）：发光二极管是一种能够将电能转换为光能的器件。
它具有高亮度、低功耗和长寿命等特点，被广泛应用于照明、显示和通信等领域。
6. 激光二极管（LD）：激光二极管是一种能够产生相干光的器件。
它具有高亮度、窄光谱和调制速度快等特点，广泛应用于激光打印、激光切割和光纤通信等领域。
7. 三极管（Triode）：三极管是晶体管的前身，它由三层不同类型的半导体材料构成。
三极管可以放大电流和电压，被广泛应用于放大器、调制器和振荡器等领域。
8. 可控硅（SCR）：可控硅是一种具有开关特性的器件。
它可以控制电流的导通和截止，广泛应用于交流电控制、功率调节和电能转换等领域。
9. 电压稳压器（Voltage Regulator）：电压稳压器是一种用于稳定输出电压的器件。
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新授课
．二极管的分类
常见二极管的分类：
）以材料分类：硅二极管和锗二极管。
）以PN结面积大小分类：点接触型、面接触型。
）以用途分类：整流二极管、稳压二极管、开关二极管、光敏二极管、热敏二极管、发光二极管等。
．二极管的命名方法
由五部分组成，各部分意义如图所示。
2、3位字母含义如下表所示。
第2位第3位
意义字母意义字母
N型锗材料P 普通管S
P型锗材料W 稳压管U
N型硅材料Z 整流管N
P型硅材料K 开关管L
2BS21的含义：
二极管正极加低电平（－），负极加高电平（＋）时，指示灯灭，说明
二极管加正向电压导通，反向电压截止，这一导电特性，
二极管是用半导体材料制成的单向导电性器件，电路中的符号如图所示。
电路中具有广泛应用。
二极管的核心就是一个PN结。
四、二极管的伏安特性
二极管正、反向特性实验
）在实验线路板上安装如图所示电路。
）在实验线路板上安装如图所示电路。
P R ，可改变二极管VD 的反向电压VD U 和反向电流上图第三象限所示曲线。
上图曲线即为二极管的伏安特性曲线，它描述了二极管两端的电压和流过二极管的：如上图第一象限的曲线。
起始阶段，正向电压较小，正向电流极小，称为死区，二极管电阻很大，处于正向电压超过门坎电压或死区电压（硅管0.5V ，锗管0.2V 升急剧增大，二极管电阻得变很小，进入导通状态，二极管导通后，正向电流与正向电正向电流变化较大时，二极管两端正向压降近于定值，，锗管约为0.3V 。
检波二极管的特点是PN结的结电容小、工作频率高、反向电流小。
多用点接触型结构。
多数采用玻璃封装。
检波二极管要正常工作必须加正偏电压。
：识别整流二极管
如图所示为整流二极管的实物图，塑封二极管的外壳上有色环的一端为负极，
封装二极管的螺栓一端为负极，金属封装二极管、大功率二极管和贴片二极管的表面一
塑封(b)金属封装(c)大功率二极管(d)贴片二极管
整流二极管的特点是允许通过大电流。
多用面接触型结构。
多数采用金属或塑料封装。
整流二极管要正常工作必须加正偏电压。
项目3：识别稳压二极管
如图所示为稳压二极管的实物图，外壳上有色环一端为负极。
稳压二极管的特点是工作在反向击穿区，起稳压作用。
多数采用金属、玻璃或塑料封装，较多采用塑料封装。
稳压二极管要正常工作必须加反偏电压。
：识别发光二极管
光电二极管的特点是反向电流与光照强度成正比。
采用金属或黑色树脂封装，其顶端有玻璃窗口或者侧面开有受光窗口。
光电二极管要正常工作必须加反偏电压。
变容二极管的特点是变容二极管的电容量与其两端所加的反向电压成反比。
电路中变容二极管相当于一只微调电容，
万用表调零
如下图所示，万用表的红、黑表笔分别接二极管两端，若测得电阻小
再将红、黑表笔对调后接二极管两端，而测得的电阻大（几百千欧以上），两次测量的电阻值差别越大，说明二极管的性能越好。
阻值小的那一次黑表笔接的是二极管的正极，
（a）正偏导通（b）反偏截止
如果两次测量的电阻差别不大，则说明二极管的性能不好；如果两次测量的电阻均很小，则说明二极管内部已击穿短路；如果两次测量的电阻均很大，则说明二极管内部已断路。
以上三种二极管均不能使用。
159
新授课
发射极的箭头表示电流的方向，文字符号用“V”表示，电路符号如下图所示。
常见三极管的外形如图所示。
160
161
．晶体三极管类型
按结构分⎩⎨⎧型型
PNP NPN 硅管锗管
162
E 1)以改变基极电流I B 的大小,记录每一次测得的数据2 3 0.01 0.02 0.56 1.14 0.57
1.16
）直流电流分配关系：B C E I I I += C I 5801
.002.056
.014.1ΔΔB C =--=I I 基极电流的微小变化可引起集电极电流的较大变化，B
C ΔΔI I =β
值不同，即电流的放大能力不同，一般为β
B
C
I I =
β 晶体三极管的放大作用的意义：
163
低于发射结的死区电压时，0B =I ，此时0C ≠I ，称为穿透电流晶体三极管处于截止状态，c 、e 间呈现很大电阻，故晶体三极管处于截止状态的条件：发射结反偏（或零偏）判断方法：用万用表的直流电压挡三极点电位，有V C 0>，集电极电流C I 受B I 控制，即晶体三极管处于放大状态的条件是：发射结正偏，集电结反偏，即不断增大，当B I 增大到一定数值时，C I 不再随c C 2CE R I E U -=
增加而增大时，CE U 逐渐下降，
由于CE U 的下降有一定的限度，增加也是有一定限度的。
假设0CE =U ，那么C I 达到最大，即大了，这就是饱和状态，此时，B I 失去了对C I 的控制作用。
集电极和发射极之间相当于短路或认为是一个导通开关。
晶体三极管处于饱和状态的条件：集电结、发射结处于正偏状态，
164
165
新授课
166
万用表转换开关，选择R ⨯ 100或R ⨯ 1k挡。
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新授课
晶闸管由P1、N1、P2、N2四层半导体组成，从P1引出的是阳极A，从N2
的是阴极K，控制极G从P2引出，显然，有三个PN结，分别用J1、J2、J3表示。
．单向晶闸管的特点及工作原理
199
200
图10-31 常见单向晶闸管的管脚排列
项目2：万用表判断单向晶闸管的管脚
单向晶闸管的管脚识别：将万用表拨至欧姆挡
定的控制极相接，红表笔分别与另外两只脚相接。
摆），则假定的控制极是对的，而导通那次红表笔所接一端为阴极
A。
如果两次均不导通，则说明假定的不是控制极，可重新设定一端为控制极重复上述
201
(a) 双向晶闸管实物
符号中的T1、T2称为两个主电极，无所谓阳极和阴极之分，其中电极，T2称为第二主电极，G
2．导电特性
202
203
204
21b
b e 第二基极第一基极发射极
结
故称单结晶体管或双基极二极管。
图示箭头指向表示电流方向，只流向b 1极。
BT33、BT35等。
）等效电路分析：
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新授课 ⎪⎩
⎪
⎨⎧D S G 漏极源极栅极三个电极
二、场效晶体管的放大作用
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——场效晶体管的直流偏置电阻，产生静态输出电流I D 。
——静态输出电流，I S = I D 。
——静态栅偏压U R S = U G -U S = 0 - I S R S = -I D R S 。
GS ，使场效晶体管工作于放大区。
所以上图称为自偏压放大电路。
——交流旁路电容，相当于共射放大电路中的C e 。
——分别为输入端、输出端耦合电容。
——漏极电阻，将交流输出电流转换成交流输出信号电压的作用下，电路进入动态。
改变u i 使管子的栅源偏压化，变化的电流通过负载L D L
//R R R ='，从而得到L D o R i u '-=输出。
负号表示输出与输三、场效晶体管的主要参数 ）
（常数
m S ΔΔDS
GS D
m ==U U I g 越大，场效晶体管的放大能力越强。
P 或开启电压U T
D ＝0，U GS 的值为夹断电压U P ，场效晶体管开始导通时的DSS
管子用作放大时的最大输出电流。
该值越大，表明信号动态范围越大。
）漏源极间穿透电压U (BR)DS
指漏极和源极开始雪崩击穿，I D 恒流值急剧增加时的U DS 值。
）最大耗散功率P DM
的最大积的允许值，否则将烧坏管子。
）构成：
V形）采用金属；源极S和漏极D采用半导体；“MOS
氧化物、半导体的英文缩写。
）应用：
管作简易话筒放大器为例。
压电陶瓷电容话筒的输出音频信号输入VMOS管的栅、源极之间，经过放大后送，即可得到放大的声音。
调节R P使声音最响又不失真即可。
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2．打开电源开关，将示波器预热。
3．当S在图示位置时。
（1）输入频率为1 000 Hz，0.5 V的电压，观察输出电压（看毫伏表和示波器）U o＝____V。
（2）输入频率为1 000 Hz，1 V的电压，观察输出电压（看毫伏表和示波器）U ＝____V。
4．将场效晶体管的D与S极对调，重复上述步骤。
5．将开关置于恒流源位置时，重复上述步骤。
通过实验总结
1．当R D一定，U DS一定时，I D随U GS的增大而增大/减小。
2．输出电流I D与U o有固定/不定关系。
3．对换场效晶体管D与S，输出电压变/不变。
练习
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212。