《模拟电子技术基础》题库要点

合集下载

模拟电子技术基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

模拟电子技术基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

模拟电子技术基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.理想运算放大器的参数是开环电压增益Avo = ,输入电阻ri = ,输出电阻ro = 。

参考答案:∞,∞,02.放大电路中,运算放大器的反相输入端为虚地,而放大电路中,运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。

参考答案:反相,同相3.欲将方波电压转换为三角波电压,应选用。

参考答案:积分运算电路4.欲将方波电压转换为尖脉冲电压,应选用。

参考答案:微分运算电路5.欲将输入电压信号放大-100倍,应选用。

参考答案:反相输入式放大电路6.在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈。

参考答案:正确7.在线性运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。

参考答案:错误8.电压跟随器的电压增益为1,所以其对信号放大没有贡献。

参考答案:错误9.在选择整流元件时,只要考虑负载所需的直流电压和直流电流。

参考答案:错误10.图示电路中,图中A点对地的电压为_____,B点对地的电压为_____。

【图片】参考答案:+15V,-15V11.在单相桥式整流电容滤波电路中,输出电压的平均值VL与变压器副边电压有效值V2的关系为通常为_______。

参考答案:VL=1.2 V212.图示电路满足正弦波振荡的相位平衡条件。

【图片】参考答案:正确13.只要满足相位平衡条件,且【图片】,就能产生自激振荡。

参考答案:正确14.若希望在输入电压小于-3V时,输出电压为高电平;而在输入电压大于+3V时,输出电压为低电平。

可采用________电压比较器。

参考答案:反相迟滞15.单门限比较器只有______个门限值,而迟滞比较器则有______个门限电压值。

参考答案:1,216.设计一个输出功率为100W的功率放大电路,则该功放电路的每个功放管的最大管耗至少应该为。

参考答案:20W17.为了使负载获得尽可能大的功率,对功率放大电路的基本要求是。

参考答案:输出信号的电压和电流都尽可能大18.只要基本放大电路的幅频响应在0dB以上的衰减斜率只有-20dB/十倍频,那么由电阻网络引入任何深度的负反馈时,都不会产生自激振荡。

模拟电子技术基础复习资料

模拟电子技术基础复习资料

模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是(空隙), 而少数载流子是(自由电子)。

2. 在N型半导体中, 多数载流子是(电子), 而少数载流子是(空隙)。

3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接( N )区, 电源的负极应接( P )区。

4.当PN结正向偏置时, 电源的正极应接( P )区, 电源的负极应接( N )区。

5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结(正向)偏置, 集电结(反向)偏置。

6.根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为(反向饱和)电流, 在室温下约等于( 26mV )。

7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极(漏极)、(栅极)和(源极)与之相应。

8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用(电压取样)负反馈, 为稳定输出电流, 应采用(电流取样)负反馈。

9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用(串联-电压求和)负反馈, 为减少输出电阻, 应采用(电压取样)负反馈。

10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. )。

11. 在BJT放大电路的三种组态中, (共集电极)组态输入电阻最大, 输出电阻最小。

(共射)组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。

12.在BJT放大电路的三种组态中,.共集电. )组态的电压放大倍数小于1,.共.)组态的电流放大倍数小于1。

13. 差分放大电路的共模克制比KCMR=(), 通常希望差分放大电路的共模克制比越(大)越好。

14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区(高掺杂), 二是基区很(薄)并掺杂浓度(最低)。

15.在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将(不变), 而共模放大倍数将(减小), 共模克制比将(增大)。

16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有(阻容), (变压器)和(直接)耦合三种。

17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是(零点漂移)。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析

模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析

模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。

A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。

( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生( B )失真。

( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。

A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。

B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。

C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。

D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。

7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。

A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A )A. -2.5VB. -5VC. -6.5VD. -7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入( C )。

(完整版)模拟电子基础的复习题及答案

(完整版)模拟电子基础的复习题及答案

模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路:①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ,输入电阻最 ,频带最宽 的电路是 ;只能放大电流,小 的电路是②,输出电阻最小 的电路是③② ;既能放大电流,又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③;只能放大电压,不能放大电流 的电路是②。

2、如图 1所示电路中,已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ,电流放大系BEQ数为β,B- E 间动态电阻为 r 。

填空:beV CC U BEQ( 1)静态时, I 的表达式为BQ, I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ;,U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L (2)电压放大倍数 的表达式为A u,输入电阻 的表达式为r be,输出电阻 的表达式为R R // r be R R ;0 Ci B(3)若减小 R ,则 I 将 A ,r 将 C ,将 C ,R 将iC ,A B CQ bc u R 将 B 。

oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时, R 减小到一定程度,输出将产生 BA 失真。

A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中,(1)若测得输入电压有效值为 10mV ,输出电压有效值为 1.5V ,则其电压放 大倍数 = 150 ;若已知此时信号源电压有效值为 20mV ,信号源内阻A u为 1k Ω,则放大电路 的输入电阻 R = 1 。

i(2)若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ,带 5 k Ω负载时变为 0.75V , 则放大电路 的输出电阻 Ro(3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。

增大或将截止失真,则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。

童诗白《模拟电子技术基础》(第5版)笔记和课后习题考研真题

童诗白《模拟电子技术基础》(第5版)笔记和课后习题考研真题

童诗白《模拟电子技术基础》(第5版)笔记和课后习题考研真题完整版>精研学习䋞>无偿试用20%资料
全国547所院校视频及题库全收集
考研全套>视频资料>课后答案>往年真题>职称考试
第1章常用半导体器件
1.1复习笔记
1.2课后习题详解
1.3名校考研真题详解
第2章基本放大电路
2.1复习笔记
2.2课后习题详解
2.3名校考研真题详解
第3章多级放大电路
3.1复习笔记
3.2课后习题详解
3.3名校考研真题详解
第4章放大电路的频率响应
4.1复习笔记
4.2课后习题详解
4.3名校考研真题详解
第5章放大电路中的反馈
5.1复习笔记
5.2课后习题详解
5.3名校考研真题详解
第6章信号的运算和处理
6.1复习笔记
6.2课后习题详解
6.3名校考研真题详解
第7章波形的发生和信号的转换
7.1复习笔记
7.2课后习题详解
7.3名校考研真题详解
第8章功率放大电路
8.1复习笔记
8.2课后习题详解
8.3名校考研真题详解
第9章直流电源
9.1复习笔记
9.2课后习题详解
9.3名校考研真题详解第10章模拟电子电路读图10.1复习笔记
10.2课后习题详解10.3名校考研真题详解。

模拟电子技术基础试题库(附答案)

模拟电子技术基础试题库(附答案)

模拟电子技术基础试题库(附答案)一、选择题1. 下列哪种器件是双极型晶体管的三个电极名称?A. 发射极、基极、集电极B. 发射极、基极、地C. 发射极、基极、输入端D. 发射极、基极、输出端答案:A2. 下列哪种电路是模拟电子技术中最基本的放大电路?A. 差分放大电路B. 积分放大电路C. 微分放大电路D. 互补放大电路答案:A3. 下列哪种元件在放大电路中起到反馈作用?A. 电容B. 电感C. 电阻D. 运算放大器答案:A4. 下列哪种放大电路具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点?A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案:B5. 下列哪种放大电路可以实现电压放大和倒相?A. common-emitter amplifier(共射放大器)B. common-base amplifier(共基放大器)C. common-collector amplifier(共集放大器)D. emitter-follower(发射极跟随器)答案:A6. 下列哪种放大电路具有电压放大倍数可调的特点?A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案:C7. 下列哪种电路可以实现信号的整流?A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案:A8. 下列哪种电路可以实现信号的滤波?A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案:D9. 下列哪种电路可以实现信号的积分和微分?A. 积分放大电路B. 微分放大电路C. 滤波电路D. 整流电路答案:B10. 下列哪种电路可以实现信号的放大和滤波?A. 放大电路B. 滤波电路C. 积分电路D. 微分电路答案:A二、填空题1. 晶体管的三个电极分别为____、____、____。

答案:发射极、基极、集电极2. 放大电路的目的是____。

答案:放大信号3. 运算放大器是一种具有____、____和____的放大器。

模拟电子技术基础(王淑娟、于泳)全部课后答案(高等教育出版社)

模拟电子技术题库第2章【2-1】填空:1.本征半导体是,其载流子是和。

两种载流子的浓度。

2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系。

3.漂移电流是在作用下形成的。

4.二极管的最主要特征是,与此有关的两个主要参数是和。

5.稳压管是利用了二极管的特征,而制造的特殊二极管。

它工作在。

描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是、、、和。

6.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将。

1.完全纯净的半导体,自由电子,空穴,相等。

2.杂质浓度,温度。

3.少数载流子,(内)电场力。

4.单向导电性,正向导通压降U F和反向饱和电流I S。

5.反向击穿特性曲线陡直,反向击穿区,稳定电压(U Z),工作电流(I Emin),最大管耗(P Zmax)和动态电阻(r Z)6.增大;【2-2】试分析图2.10.1电路,计算电位器调节端对地的输出电压范围。

+1212V图2.10.1 题2-2电路图解:二极管的正向特性曲线,当电流较大时,比较陡直,也具有一定的稳压特性。

此题就是利用二极管的正向特性来获得比较稳定的低的直流电压值。

可以从其他电源转换而来,例如图中的±12V直流电源,比通过电阻降压要好。

两个二极管正偏工作,a、b二点间的电压为1.4V。

330W的电位器跨接在a、b二点之间,a点是+0.7V,b点是-0.7V。

U o对地电压的调节范围-0.7V~+0.7V,电位器的中点是0V。

【2-3】电路如图2.10.2所示,二极管均为理想二极管,电压U为220V市电,L1、L2和L3为3个灯泡,请分析哪个灯泡最亮。

123图2.10.2 题2-3电路图[解] 根据题意,电压U 为220V 交流市电,故该电路的分析应该从正半周和负半周两个方面进行。

在正半周,D 2导通,L 2被短路,D 1和D 3截止,L 1和L 3各分得电压110V ;在负半周,D 1和D 3导通,L 1和L 3被短路,L 2上承受220V 电压;故L 2灯最亮。

童诗白《模拟电子技术基础》第5版教材复习试题

童诗白《模拟电子技术基础》第5版教材复习试题童诗白《模拟电子技术基础》(第5版)配套题库【考研真题精选+章节题库】目录第一部分考研真题精选一、选择题二、填空题三、分析计算题第二部分章节题库第1章常用半导体器件第2章基本放大电路第3章集成运算放大电路第4章放大电路的频率响应第5章放大电路的反馈第6章信号的运算和处理第7章波形的发生器和信号的转换第8章功率放大电路第9章直流电源第10章模拟电子电路读图•试看部分内容考研真题精选一、选择题1以下说法正确的是()。

[中山大学2018研]A.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体B.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电C.处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的D.若耗尽型N沟道MOS管的u G S大于零,则其输入电阻会明显变小【答案】A查看答案【解析】B项,N型半导体虽然多子是自由电子,但不带电;C项,放大状态下集电结反偏,促进非平衡少子漂移运动,而非多子;D项,若耗尽型N沟道MOS管的u G S大于零,其输入电阻并不会有明显变化。

2当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将()。

[中山大学2018研]A.增大B.不变C.变小【答案】A查看答案【解析】低频跨导g m为ΔI D与Δu G S之比,当漏极直流电流I D从2mA变为4m A时,显然g m增大。

3PN结加正向电压,空间电荷区将()。

[中山大学2017研] A.变窄B.基本不变C.变宽【答案】A查看答案【解析】PN结外加正向电压,P区中的多数载流子空穴和N区中的多数载流子电子都要向PN结移动,中和了其中部分负、正离子,结果使得PN结变窄。

4二极管的电流方程为()。

[中山大学2017研]A.I s e UB.C.【答案】C查看答案【解析】二极管的I-V特性方程为其中,n为发射系数,其值在1~2之间,通常取1,则5U G S=0时,能够工作在恒流区的场效应管有()和()。

完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。

2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流,从而控制集电极电流,实现信号放大。

3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大,共集电极放大倍数最小。

三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。

2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。

3.共基极放大电路---具有电压放大的作用,输入电阻较低。

4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置,使其工作在放大区,保证放大电路的稳定性。

四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。

2.开关---控制大电流的通断。

3.振荡器---产生高频信号。

4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性,实现稳定的输出电压。

模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质,如硅Si、锗Ge。

2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子,是半导体中的两种主要载流体。

5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

根据掺杂元素的不同,可分为P型半导体和N型半导体。

6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。

7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结,具有单向导电性和接触电位差等特性。

8.PN结的伏安特性是指在不同电压下,PN结的电流和电压之间的关系。

二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。

1.半导体二极管具有单向导电性,即只有在正向电压作用下才能导通,反向电压下截止。

2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似,具有正向导通压降和死区电压等特性。

3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。

三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管,其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区,具有稳压的作用。

(完整word版)模拟电子技术基础-知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏),二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

《模拟电子技术基础》题库一、填空题1-12(第一章)1、杂质半导体有 N 型和 P 型之分。

2、PN结最重要的特性是_单向导电性____,它是一切半导体器件的基础。

3、PN结的空间电荷区变厚,是由于PN结加了_____反向电压_____电压,PN结的空间电荷区变窄,是由于PN结加的是_正向电压__电压。

4、N型半导体中多数载流子是自由电子,P型半导体中多数载流子是空穴,PN结具有单向导电性5、发射结正向偏置偏置,集电结反向偏置偏置,则三极管处于饱和状态。

6、P型半导体中空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。

7、PN结正偏时导通,反偏时截止,所以PN结具有单向导电性导电性。

8、反向电流是由少数载流子形成,其大小与数目有关,而与外加电压无关。

9、三极管是控制元件,场效应管是控制元件。

10当温度升高时,三极管的等电极电流I ,发射结压降UBE 。

11、晶体三极管具有放大作用时,发射结,集电结。

12、漂移电流是电流,它由载流子形成,其大小与有关,而与外加电压。

13-19(第二章)13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。

14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB,第二级电压增益为26dB,则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。

15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位_________,有奇数级组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位__________。

16、电压负反馈稳定的输出量是__________,使输出电阻__________,电流负反馈稳定的输出量_______,使输出电阻__________。

17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。

18、晶闸管阳极和阴极间加__________,控制极加适当的__________,晶闸管才能导通。

19、在输入V2单相半波整流电路中,二极管承受的最大反向电压为V RM,负载电压为V O。

20-26(第三章)20、甲类功放的最大缺点是_______;21、双极型三极管是控制器件,场效应管是控制器件;结型场效应管的栅源极之间必须加偏置电压,才能正常放大工作。

22、差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V,Ui2=1.98V,则该电路的差模输入电压Uid为 V,共模输入电压Uic为 V。

23、集成运算放大器在比例运算电路中工作在区,在比较器中工作在区。

24、在放大电路中为了提高输入电阻应引入负反馈,为了降低输出电阻应引入负反馈。

24、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用负反馈,为了稳定交流输出电流采用负反馈。

25、负反馈放大电路和放大倍数AF= ,对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= 。

26、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF= BW,其中BW= ,称为反馈深度。

27-36(第四章)27、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为信号。

28、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的失真,而采用类互补功率放大器。

29、OCL电路是电源互补功率放大电路;OTL电路是电源互补功率放大电路。

30、共集电极放大电路具有电压放大倍数,输入电阻,输出电阻等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

31、差分放大电路能够抑制漂移,也称漂移,所以它广泛应用于电路中。

32、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为,未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为。

33、为了稳定三极管放大电路和静态工作点,采用负反馈,为了减小输出电阻采用负反馈。

34、负反馈放大电路和放大倍数Af= ,对于深度负反馈Af= 。

35、共模信号是大小,极性的两个信号。

36、乙类互补功放存在失真,可以利用类互补功放来克服。

36-12(第五章)37、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0= ,电路符号是。

38、用低频信号去改变高频信号的频率称为,低频信号称为信号,高频信号称高频。

39、共基极放大电路的高频特性比共射极电路,fa= fβ。

40、要保证振荡电路满足相位平衡条件,必须具有网络。

36-46(第六章)36、在桥式整流电阻负载中,理想二极管承受最高反压是()。

37、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成断开;38、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

39、现有基本放大电路:①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路④共源放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大的电路是,输入电阻最小的电路是,输出电阻最小的电路是,频带最宽的电路是;既能放大电流,又能放大电压的电路是;只能放大电流,不能放大电压的电路是;只能放大电压,不能放大电流的电路是。

40、如图1所示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ,电流放大系数为β,B-E间动态电阻为r be。

填空:图1 图2(1)静态时,I BQ的表达式为,I CQ的表达式为,U CEQ的表达式为(2)电压放大倍数的表达式为,输入电阻的表达式为,输出电阻的表达式为A 将,R i将,R o将。

当输入电压不(3)若减小R B,则I CQ将,r bc将,u变时,R B减小到一定程度,输出将产生失真。

41、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以、、和各为一臂而组成的。

42、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为、和三种电路,其中振荡电路的振荡频率最为稳定。

43、为了得到音频信号发生器,应采用正弦波振蒎电路。

44、稳压电源一般由、和三部分电路组成。

45、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候,应采用滤波电路,而负载电流较大时应采用滤波电路。

46、为了使输出电压有比较大的调节范围,应采用稳压电路。

47-52(第七章)47、用低频信号改变高频信号的相位称为。

低频信号称为、高频信号称为。

48、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而。

共基极电路比共射极电路高频特性。

49、振荡电路的平衡条件是,反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。

50、在桥式整流电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是。

51、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为,未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为。

52、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0= ,电路符号是。

二、判断题1-8(第一章)1、半导体中的空穴带正电。

()2、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

()3、P型半导体带正电,N型半导体带负电。

()4、未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。

()5、稳压管工作在反向击穿状态时,其两端电压恒为U z。

()6、若晶体管将集电极和发射极互换,则仍有较大的电流放大作用。

()7、增强型场效应管当其栅-源电压为0时不存在导电沟道。

()8、MOS管的直流输入电阻比结型场效应管的大。

()9-13(第二章)9、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。

()10、对于长尾式差分放大电路,在差模交流通路中,射极电阻R E均可视为短路。

()11、只要将两个晶体管组成复合管就一定能提高管子的输入电阻。

()12、作为输出级的互补电路常采用共射接法。

())13、功率放大电路中,输出功率最大时功放管的管耗也最大。

()14-19(第三章)14、零点漂移就是静态工作点的漂移。

()15、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

()16、只有直接耦合放大电路才有温漂。

()17、差模信号是差分放大电路两个输入端电位之差;()共模信号是差分放大电路两个输入端电位之和。

()18、不管差分放大电路的参数是否理想对称,R E均有共模负反馈作用;(√)R E越大,抑制温漂能力越强;()因此,R E可想取多大就取多大。

()19、差分放大电路采用恒流源代替R E是为了增大差模放大倍数。

()20、利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。

()21、利用一只NPN型管和一只PNP型管构成的复合管只能等效为PNP型管。

()22、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。

()23、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。

()24、在差分放大电路中采用恒流源作集电极负载电阻能够增大差模放大倍数;(√)同时,也可增大共模抑制比。

()25-30(第五章)25、只有输出与输入反相的放大电路,才可能引入负反馈。

()26、对交流信号有反馈作用的称为交流反馈,对直流信号有反馈作用的称为直流反馈。

()27、电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。

()28、使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。

()29、引入直流负反馈可以稳定静态工作点。

()30、负反馈越深,电路的性能越稳定。

()31-36(第六章)31、实现运算电路不一定非引入负反馈。

()32、在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

(×)33、在深度负反馈条件下,运算电路依靠反馈网络实现输出电压和输入电压的某种运算。

()34、由集成运放组成的有源滤波电路中一定引入深度负反馈。

()35、电压比较器电路中集成运放的净输入电流为零。

()36、电压比较器将输入模拟信号转换为开关信号。

()37-44(第七章)37、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。

()38、同相比例运算电路中的集成运放有共模信号输入,而反相比例运算电路中的集成运放无共模信号输入。

()39、凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区。

()40、电压比较器的阈值电压是使集成运放同相输入端电位和反相输入端电位相等的输入电压。

()41、电压比较器输出端限幅电路中的稳压管不一定非加限流电阻不可。

()42、只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。

()43、具有选频网络的放大电路引入正反馈,就将产生正弦波振荡。

()44、在组成正弦波振荡电路时,若没有稳幅环节,则输出电压幅值将为无穷大。

()45-47(第八章)45、RC串并联网络既作为选频网络,又作为正反馈网络,与共射放大电路相接就将产生正弦波振荡。

()46、RC串并联网络既作为选频网络,又作为正反馈网络,与共集放大电路相接就将产生正弦波振荡。

()47、RC串并联网络既作为选频网络,又作为正反馈网络,与两级共射放大电路相接,并引入电压串联负反馈就将产生正弦波振荡。

()48、只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡。

()49-51(第九章)49、在振荡频率特别高时,应考虑正弦波振荡电路中的放大电路采用共基接法。

()50、正弦波振荡电路的振荡频率应决定于选频网络,而不应决定于晶体管的极间电容、分布电容等。

()51、桥式(文氏桥)RC正弦波振荡电路的唯一特点是以RC串并联网络作为选频网络。

相关文档
最新文档