低维异质结构与新型Ⅲ-Ⅴ族半导体发光器件的研究
MOF半导体异质结的构建及其光催化性能研究
MOF半导体异质结的构建及其光催化性能研究MOF(金属有机框架)是一类由金属离子与有机配体通过化学键持续构成的结晶材料。
由于其特殊的孔道结构和高度可调性，MOF在催化、吸附、气体储存等领域有着广泛的应用前景。
MOF半导体异质结是将MOF材料与传统的半导体材料相结合，形成异质结构。
MOF半导体异质结具有复合材料的优点，结合了MOF的高度可调性和半导体的电子传输性能，从而提高了光催化性能。
因此，研究MOF半导体异质结的构建及其光催化性能对于提高光催化材料的效率至关重要。
构建MOF半导体异质结的方法有多种，包括溶液处理法、原位生长法和后续修饰法等。
其中，溶液处理法是一种基于扩散的构建方法，通过将MOF沉积在半导体表面来形成异质结构。
原位生长法是通过在半导体表面直接合成MOF材料。
后续修饰法是指在半导体表面修饰MOF材料，如通过沉积金属颗粒或有机染料。
光催化性能的研究主要关注两个方面：光吸收和光生电子转移。
MOF半导体异质结的光吸收主要由MOF材料负责，因为MOF材料具有广谱吸收的特点。
而MOF半导体异质结的光生电子转移则由两个组分负责，MOF材料负责电子的产生，半导体材料负责电子的传输。
为了提高MOF半导体异质结的光催化性能，可以采用以下策略：改变MOF材料的组分和结构，调控MOF材料的吸收光谱范围和分子催化活性；改变半导体材料的表面形态和结构，提高光生电子的传输效率；调节异质结界面的能级结构，优化光生电子的转移效率；组装多重异质结构，形成级联效应以提高光催化活性。
最后，MOF半导体异质结的光催化性能研究对于发展高效、可持续的光催化材料具有重要意义。
通过构建合理的异质结构，调控材料的光吸收和电子转移性质，可以提高光催化材料的效率及稳定性。
同时，探索新的构建方法和策略，为MOF半导体异质结的应用拓展提供了新的思路。
超高速化合物半导体器件(2)Ⅲ—Ⅴ族化合物异质双极晶体管
Ｕｌ ａ ｈｇ ．ｐ ｅ ｍｐ ｕ ｄ Ｓ ｍｉｏ ｄ ｃｏ ｖｃ （ ｔ ． ｉｈ ｓ ｅ ｄ Ｃｏ ｏ ｎ ｅ ｃ ｎ ｕ ｔ ｒＤｅ ｉｅ ２） ｒ
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Ａｂｓ ｒ ｔ Ｆｅ ｔ ｒ ｐ ｃ ｇ ｎ ｔ ｓ ｎ ｐｐ ｉ ｔｏ ｆｃ ｍ ｐ ｎｄ ｅｍｉ ｏ ｕｃｏｒｄ ｉｅ ａ ｅ ｉ ｒ ｕｃ ｄ ｂ ｅ ｈ ｌ ｔｏｎ ｔ ａｃ ： ａ ｕ ｅ， ａ ｋａ ｉ ｇ， ｅ ｔａ ｄ ａ ｌｃａｉ ｎ ｏ ｏ ｏｕ ｓ ｃ ｎｄ ｔ ｅｖｃ ｒ ｎｔｏｄ ｅ ａｓ ｄ ｏｎｈｉ ｅｅｃｒ ｇ
ｍ ｂ ｌｙｔ ｎ ｉ ｏ．ｈ ｔ ｏｕ ｃｉｎｂｐ ｌ ａ ｓ ｔ ｎ ｉｍｗ ｖ ／ １ｍｅ ｅ ｗ ｖ ｔｇａｅ ｉ ｕｔ ＭＭＩ ） ｏ ｉ ｔ ｒ ｓ ｔｒ ｅｅ ｊ ｎ ｔ ｉｏａ ｔ ｎ ｉ ｏ ａ ｄ ｍ ｃ ａ ｅ ｍ． ｉ ｔ — ａ ｅｉ ｅ ｒｔｄｃｒ ｉ ｉ ａ ｓ ｒ ｏ ｒｒ ｓ ｒ １ ｒ ｎ ｃ （ Ｃ．
２ １ ． ＨＢ Ｔ的 结 构
应 用等 方 面 都 走 向 了实 用 化 。 用 同质 结 Ⅲ一 Ｖ族 材 而 料 ， ： ａ ｓ Ｉ Ｐ、 Ｎ等 制 造 器 件 ， 了 提 高 频 率 、 如 Ｇ Ａ 、ｎ Ｇａ 为 降 低 噪 声 ，同时 还 要 获得 高 电流 增 益 和低 基 极 电阻 ， 这 是 十 分 困难 的 。但 若 采 用 异 质结 结 构 ， 则是 解 决 这 一
地 进 行 设 计 。 用 这 一 原 理 可 以考 虑 如 下 的 情 况 ：
问题 的 良好 途 径 。 质 结 双 极 晶体 管通 常 又 称 为 Ｈ Ｔ 异 Ｂ
（ ｅｅｏｕ ｃｉｎＢ ｐ ｌｒ ｒｎ ｉ ｏ ） Ｈ ｔｒｊ ｎ ｔ ｉｏａ ａ ｓ ｔｒ 。 ｏ Ｔ ｓ
光电功能化的低维材料与器件研究
光电功能化的低维材料与器件研究光电功能化低维材料已成为当前材料科学研究和应用开发的热点领域之一。
低维材料是一类在一个或两个维度上尺寸极小的材料，具有独特的物理和化学特性。
与传统三维材料相比，低维材料的电子、光学、热学和力学性能更加优越，具有更宽的光谱响应范围和更高的效率。
光电功能化的低维材料和器件研究已成为国内外研究的热点和难点，其研究成果也已广泛应用于光电信息存储、光电控制、能源转换和生物医学等领域。
一、低维材料的分类与特性低维材料是在一个或两个维度上尺寸极小的材料，主要包括一维纳米线、二维薄膜和量子点等。
这些材料的特性包括：1. 电子性能：低维材料具有载流子与晶格耦合减弱、表面自由能增大、接触电势变化明显等电子性能特征。
这些特征促进了低维材料在太阳能电池、光电控制器等光电器件上的应用。
2. 光学性能：低维材料具有更宽的光响应范围、更高的量子效率和更小的逸出功。
这些特性对实现高效发光器件、太阳能电池、光电传感器等光电器件具有重要意义。
3. 热学性能：低维材料有更小的热容量和更大的界面效应，可用于制造热电转换器件，实现能源和热能的高效转换。
4. 力学性能：低维材料在弯曲和拉伸等情况下，会出现四面体效应和屈曲现象，其力学性能表现更为复杂。
这些特性在制造柔性电子设备和高强度材料等领域有重要应用。
二、光电功能化低维材料的制备低维材料的制备包括物理法、化学法和生物法等多种方式。
其中物理法包括真空蒸发、物理气相沉积和激光热解法等；化学法包括溶液法、气相沉积法和水热法等；生物法则是利用生物体系中的生物分子来制造低维材料或通过仿生学方法来合成低维材料。
近年来，通过表面修饰等手段，光电功能化低维材料多样性不断增强，使得低维材料的应用范围更为广泛。
例如，将金属氧化物、过渡金属硫化物、碳纳米管等多种材料与量子点、纳米线和薄膜等低维材料相结合，可以获得具有特殊性质和高效性能的光电功能化材料。
三、光电功能化低维材料的应用光电功能化低维材料在光电器件、能源转换和生物医学等领域的应用广泛。
（物理化学专业论文）低维（VIa族化合物）半导体纳米材料的制备及表征
⑧浙江大学博十学位论文第一章绪论纳米是一种长度度量单位，即米的十亿分之一。
纳米材料是指在三维空间中至少有一维处于纳米尺度范围（１一１００ｍ）或者由它们作为基本单元构成的材料。
广义地说，纳米材料是泛指含有纳米微粒或纳米结构的材料。
１．１．１纳米材料的诞生及其发展早在】８世纪６０年代，随着胶体化学的建立，科学家们就开始了对纳米微粒体系（胶体）的研究。
到２０世纪５０年代末，著名物理学家，诺贝尔奖获得者理查德·费曼首先提出了纳米技术基本概念的设想。
他在１９５９年１２月美国加州理工学院的美国物理年会上做了一个富有远畿鬈０意黑２＝：盏：篙翼盎：见性的报告，并做出了美妙的设想：如果有一天可以按人的意志安排一个个原子，那将会产生怎样的奇迹？理查德·费曼先生被称为“纳米科技的预言人”。
随后，１９７７年美国麻省理工学院的学者认为上述设想可以从模拟活细胞中生物分子的研究开始，并定义为纳米技术（ｎａｎｏｔｃｃｈｎｏｌｏｇｙ）。
１９８２年Ｂｉｎｉｎｉｎｇ和Ｒｏｈｒｅｒ研制成功了扫描隧道显微镜（ｓ１Ｍ），从而为在纳米尺度上对表面进行改性和排布原子提供了观察工具。
１９９０年美国ＩＢＭ公司两位科学家在绝对温度４Ｋ的超真空环境中用ｓＴＭ将Ｎｉ（１１０）表面吸附的ｘｅ原子在针尖电场作用下逐一搬迁，⑧浙江大学博士学位论文电子既具有粒子性又具有波动性，因此存在隧道效应。
近年来，人们发现一些宏观物理量，如微颗粒的磁化强度、量子相干器件中的磁通量等亦显示出隧道效应，称之为宏观的量子隧道效应。
量子尺寸效应、宏观量子隧道效应将会是未来微电子、光电子器件的基础，或者它确立了现存微电子器件进一步微型化的极限，当微电子器件进一步微型化时必须要考虑上述的量子效应。
例如，在制造半导体集成电路时，当电路的尺寸接近电子波长时，电子就通过隧道效应而溢出器件，使器件无法正常工作，经典电路的极限尺寸大概在Ｏ．２５ｕｍ。
目前研制的量子共振隧穿晶体管就是利用量子效应制成的新一代器件。
III—V族化合物半导体的能带结构
砷化镓价带也具有一个重空穴带 V1，一个轻空穴带V2和由于自旋-轨道 耦合分裂出来的第三个能带V3，重空 穴带极大值也稍许偏离布里渊区中心。 重空穴有效质量为0.45m0，轻空穴 有效质量为0.082m0，第三个能带裂距 为0.34eV。 室温下禁带宽度为1.424eV，0K时 为1.519eV，室温附近禁带宽度随温度 线性变化， Eg(T)= Eg(0)-αT2/(T+β)
3、磷化镓和磷化铟的能带结构
磷化镓和磷化铟也都是具有闪锌矿型结构的III-V族化合物半 导体，它们的价带极大值也位于k=0处。 磷化镓导带极小值不在布里渊区中心，而在<100>方向，电子 有效质量为0.35mo，重空穴和轻空穴有效质量分别为0.86m0和 0.14m0， 室温下禁带宽度为2.26eV，dEg/dT= -5.4x10-4eV/K。 磷化铟导带极小值位于k=0，电子有效质量为0.077m0，重空穴 和轻空穴有效质量分别为0.8m0和0.012m0，室温下禁带宽度为 1.34eV，dEg/dT= -2.9x10-4eV/K。
锑化铟的价带包含三个能带一个重空穴带v20k时重空穴有效质量沿111110100方向分别为044m轻空穴有效质量为00160m重空穴带的极大值偏离布里渊区中心约为布里渊区中心至布里渊区边界距离的03其能值比k0处的能量高104ev由于这两个值很小因而可以认为价带极大值位于k0价带的自旋轨道裂距约为09ev
锑化铟的价带包含三个能带， 一个重空穴带V1， 一个轻空穴带V2 由自旋-轨道耦合所分裂出来的第三个能带V3，
20K时重空穴有效质量沿[111]，[110]，[100] 方向分别为0.44m0，0.42m0和0.32m0，轻空穴有 效质量为0.0160m0。 重空穴带的极大值偏离布里渊区中心，约为 布里渊区中心至布里渊区边界距离的0.3%，其能 值比k=0处的能量高10-4eV，由于这两个值很小， 因而可以认为价带极大值位于k=0， 价带的自旋-轨道裂距约为0.9eV。
8 iii-v多元化合物半导体
本章介绍一些Ⅲ-Ⅴ族多元化合物、多层异质结 构、超晶格、应变超晶格等的制备及其特性。
6
§8-1 异质结与晶格匹配 一、异质结及其分类 异质结是由两种基本物理参数（Eg、功函数、电子亲 和势和介电常数等）不同的半导体单晶材料联结起来 构成的。 按 其 导 电 类 型 ， 分 为 同 型 （ NN+ ， PP+ ） 和 异 型 （PN）两种。 理想的异质结的交界面应该是突变的，但实际上用一 般的外延生长方法制备的异质结，常常是有一定厚度 的缓变区（过渡区），它会影响异质结的某些特性。
第八章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体材料
Ⅲ-Ⅴ族二元化合物的晶格常数和禁带宽度等都是一定的， 在应用时常受到限制。 如：光电器件的发射波长由材料的禁带宽度限定。 由两种Ⅲ-Ⅴ族化合物合成的三元或四元化合物，除与能 量有关的参数（Eg、）考虑能带弯曲外，其它参数（a、 me*、 mhh*、 mhl * mhs * ）基本上用维戈（Vergard）公 式线性插值得到。
8
N-Ga1-xAlxAs
P-GaAs
P-Ga1-xAlxAs h
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
n
I
9
（3）异质结对载流子的限制。由于异质结界面存在 △Ec和△Ev ，所以能够在一定程度上限制电子和空 穴从有源区泄出。异质结结构中从N-AlGaAs限制层 注入P-GaAs有源区的电子受到P-P同型异质结造成 的势垒的限制，大大提高了注入电子的利用率。 如果取有源区厚度小于扩散长度，则注入到有源区 势阱中的电子分布是均匀的，这使同样电流密度下 得到的过剩载流子浓度大大增加。 有源区与N区界面处的价带势垒又阻碍空穴的扩散， 阈值电流密度进一步降低，这是双异质结LD实现室 温连续激射的重要前提。
半导体材料学习资料：Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备及其特征
移动电话 近些年来移动电话飞速发展，年增长率达两三 倍。由于用户的增加和功能的扩大，就必须提高其使用的频 率。在较高的频率下，砷化镓器件与硅器件相比.具有使用 的电压低、功率效率高、噪声低等优点，而且频率愈高，两 种器件在上述性能方面的差距愈大。所以现在移动通信成了 砷化镓微波电路的最大用户。
GaN材料特点
① 宽带隙化合物半导体材料，有很高的禁带宽度（2.3 — 6.2eV)，可以覆盖红、黄、绿、蓝、紫和紫外光谱范围 ， 是到目前为止其它任何半导体材料都无法达到的
② 高频特性，可以达到300G Hz（硅为10G，砷化镓为80G） ③ 高温特性，在300℃正常工作（非常适用于航天、军事和
用砷化镓材料制作的器件频率响应好、速度快、工作温度 高，能满足集成光电子的需要。它是目前最重要的光电子材料 ，也是继硅材料之后最重要的微电子材料，它适合于制造高频 、高速的器件和电路。 已获应用的砷化镓器件: ①微波二极管，耿氏二极管、变容二极管等; ②微波晶体管:场效应晶体管(FET).高电子迁移率晶体管(HEMT) ，异质结双极型晶体管(HBT)等; ③集成电路:微波单片集成电路(MMIC )、超高速集成电路 (VHSIC)等; ④红外发光二极管:(IR LED); 可见光发光二极管(LED，作衬底 用); 激光二极管(LD);. ⑤光探测器; ⑥高效太阳电池; ⑦霍尔元件等
其它高温环境） ④ 电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好 ⑤ 耐酸、耐碱、耐腐蚀（可用于恶劣环境） ⑥ 高压特性（耐冲击，可靠性高） ⑦ 大功率（对通讯设备是非常渴望的）
GaN应用前景
《Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中的激子及其压力效应》范文
《Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中的激子及其压力效应》篇一一、引言随着纳米科技的飞速发展，半导体异质结构因其独特的电子和光学性质，在光电子器件、光催化、太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。
其中，Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构以其优良的物理和化学性质备受关注。
本文将重点探讨Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中的激子特性及其在压力作用下的效应。
二、Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构概述Ⅱ-Ⅵ族半导体包括CdS、ZnSe等，它们由第二周期的Ⅱ族元素（如Cd、Zn）和Ⅵ族元素（如S、Se）组成。
这些材料具有直接或间接带隙的能带结构，在光照下可产生光生激子（即电子-空穴对）。
当不同Ⅱ-Ⅵ族半导体材料形成异质结构时，由于能带结构的差异，可以产生丰富的电子和光学现象。
三、激子特性在Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中，激子是一种重要的物理现象。
当光照射到材料表面时，材料中的电子会从价带跃迁到导带，并在价带中留下一个空穴，从而形成电子-空穴对（即激子）。
激子具有一定的能量和寿命，可以通过重组或其他机制将能量传递给其他粒子或能量转移。
在Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中，激子的形成和迁移过程受到多种因素的影响，如能带结构、材料界面等。
四、压力效应当对Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构施加压力时，会对其中的激子产生显著的影响。
首先，压力可以改变材料的能带结构，从而影响激子的形成和迁移过程。
其次，压力还可以改变材料中的电子密度和电子迁移率，进一步影响激子的行为。
此外，压力还可以改变材料的光学性质，如吸收光谱、发光光谱等。
因此，研究压力作用下Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中的激子特性具有重要意义。
五、实验与结果为研究Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中的激子及其压力效应，我们采用了先进的实验技术，如光谱分析、扫描隧道显微镜等。
通过施加不同的压力，我们观察到激子的行为发生了明显的变化。
在压力作用下，激子的寿命缩短，重组速率加快。
同时，我们也观察到材料的吸收光谱和发光光谱在压力作用下发生了变化。
这些结果为我们提供了深入理解压力对Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中激子特性的影响。
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低维异质结构与新型Ⅲ-Ⅴ族半导体发光器件的研究
半导体低维异质结构早已成为构筑高性能半导体发光器件的基石,该领域的前沿创新研究经久不衰地持续了几十年,但研究热点已
从早期的二维的量子阱、超晶格转变至一维的量子线(或更广义的纳米线)和零维的量子点。
特别是,基于自组织量子点的新型半导体发光器件因电注入工作容易、具备某些特有的优异性能譬如高温度稳定性并且具有重要的应用前景而尤为受到关注。
然而,目前绝大多数量子点发光器件譬如量子点激光器依赖分子束外延(MBE)生长,金属有机
化学气相沉积(MOCVD)生长量子点激光器的进展则大幅滞后且与MBE 生长存在显著差距,仅有少数几个国外研究组掌握MOCVD生长量子点激光器的核心技术,鉴于MOCVD所拥有的半导体器件产业化优势,在
国内深入系统开展量子点激光器的MOCVD生长研究具有十分重要的
意义。
除激光器外,基于半导体低维异质结构的发光器件中另外一种重要的类型是超辐射发光二极管(超辐射管),当前基于半导体低维异质结构的超辐射管作为光纤陀螺等系统的光源对于系统性能的提高
起着不可替代的作用,开展超辐射管的研究对光纤陀螺等实际应用具有重要价值。
此外,半导体低维异质结构除了前述的几种整数维度外,近年来本实验室提出了能级弥散这一新颖的概念,继而发展出分数维度电子态系理论,即半导体异质结构中不仅仅存在前述的三维、二维、一维、零维等整数维度,还存在着介于这些整数维度之间的分数维度,譬如介于二维与三维之间、介于一维和二维之间等等。
分数维度理论的提出者还发现,这一理论有望引入超辐射管中并充分发挥其优势—
—分数维度半导体异质结构较整数维度异质结构会显著提升超辐射
管的性能,并且此发现已经得到初步的实验证实,这样就亟需运用分
数维度电子态系理论指导超辐射管的设计与性能优化。
基于上述这一科学认知,为验证分数维度电子态系理论在超辐射管中的优越性,进
而运用该理论指导超辐射管的设计与优化,我们首先需要进行相应的典型整数维度超辐射管的制备,掌握超辐射管的制备工艺等,从而为
进一步研制分数维度超辐射管打下基础。
本论文以半导体低维异质结构为出发点,依托科技部国际合作项目以及国家自然科学基金项目,
在分数维度电子态系理论方面取得了新的进展,在实验方面重点围绕Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子点展开,进行了二维的量子阱、零维的量子点等整数维度下激光器及超辐射管的研究工作,这既为MOCVD生长量子点器件积累了技术经验,也为后续进行分数维度(譬如从二维到三维、从零维到三维等)超辐射管或其他相关器件的研究奠定了基础。
本论文已开展的研究工作以及主要的结果如下:1.研究了在应用不同线型(指数线型和洛伦兹线型)的弥态允率密度函数的情形下电子态密度
曲线的变化。
针对指数线型和洛伦兹线型两种弥散线型对电子态密度进行了计算分析,对于不同的弥散宽度值绘制了电子态密度曲线,并
进一步阐述了实际情况中可能的复合弥散线型,为基于能级弥散的分数维度理论的进一步发展提供了支持。
2.制备了基于典型量子阱的激光器与超辐射管,包括1.3μm波段InP基量子阱以及1.1μm波段GaAs基InGaAs量子阱,取得了一些重要的实验结果,为进一步制备性能更加优异的介于二维到三维间的分数维度超辐射管奠定了基础。
(1)
采用InGaAsP啁啾量子阱作为有源区,进行了激光器和超辐射管的制备。
脊宽10μm、腔长2mm的激光器阈值电流密度为0.8kA/cm2,同样脊宽与长度采用弯曲波导的超辐射管在350mA时功率为5.9mW,光谱半宽为27nm。
(2)采用A1GaInAs量子阱作为有源区,进行了激光器和超辐射管的制备。
脊宽10μm、腔长2mm的激光器阈值电流密度为460A/cm2,同样脊宽与长度采用弯曲波导的超辐射管功率达到30mW 以上,光谱半宽在10nm左右。
(3)利用MOCVD进行了 InGaAs多量子阱器件结构的生长,然后制备了相应的发光器件,发光波长位于1.1μm处。
脊宽10μm、腔长2mm的激光器阈值电流密度为450A/cm2。
在超辐射器件制备中,我们比较了不同波导形状(弯曲、倾斜等)对于超辐射的影响,脊宽10μm、长度2mm的采用倾斜基础上弯曲波导的超辐射管功率达到20mW以上,光谱半宽在10nm左右。
3.制备了基于典型量子点的激光器与超辐射管,在器件性能优化方面进行了深入的探索并取得了重要的进展,为进一步制备性能更加优异的介于零维到三维间的分数维度超辐射管提供了技术支撑。
此外还在硅衬底上生长了高质量的多层量子点,为后续利用MOCVD生长硅衬底上的分数维度器件打下了一定的基础。
(1)MOCVD生长并制备了 GaAs基InAs量子点激光器。
首先利用MOCVD开展InAs量子点的生长条件优化,比较了单层/多层、InGaAs底层/盖层、Ⅴ/Ⅲ等对于量子点的影响,利用优化后的条件生长出了光致发光波长接近1.3μm的多层量子点,量子点密度达到4X 1010/cm2。
之后利用此多层量子点作为有源区进行了激光器结构的生长并制备了量子点激光器,在分别采用无偏角及2°偏
角的衬底上均实现了量子点激光器的室温连续激射,激光器的脊宽均
为10μm,腔长均为2mm。
由于器件工作在激发态,波长明显短于1.3
μm。
无偏角衬底上的激光器阈值电流密度为700A/cm2,激射波长位
于1.19μm处;2°偏角衬底上的阈值电流密度为950A/cm2,激光器波长位于1.16μm。
(2)基于MBE工艺,制备了两种不同外延结构的
InAs/GaAs量子点激光器和超辐射管,其中基于第一种外延结构制备
的激光器激射波长位于1.3μm处,阈值电流密度低至117A/cm2;采用弯曲波导的超辐射管在室温脉冲条件下工作,发光波长位于1.3μm 处,光谱宽度在20nm以上,功率达到10mW以上。
基于第二种外延结构制备的激光器激射波长位于1.27μm,阈值电流密度低至118A/cm2;
采用直波导镀膜的超辐射管在室温连续电流下工作,发光波长位于
1.27μm,光谱宽度在10nm左右,功率在3mW以上。
(3)生长了 Si衬
底上InAs/GaAs多层量子点。
利用MOCVD设备在获得高质量Si基GaAs 外延层的基础上,对Si上多层量子点的生长进行了优化实验。
将GaAs/Si“三步法”异变外延生长技术与GaAs基多层量子点生长技术相结合,生长出了发光波长位于1.3μm波段的Si基InAs/GaAs多层
量子点,通过原子力显微镜测试发现生长出的量子点形貌很好,密度
较高,可达5 × 1010/cm2,通过光致发光谱测试发现其发光性能较好。