有耗传输线的TLM模型法

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汽车零部件BCI试验中测试线束的TLM法模型分析

汽车零部件BCI试验中测试线束的TLM法模型分析

汽车零部件BCI试验中测试线束的TLM法模型分析王振龙;刘世勋【摘要】随着新能源汽车的发展,车厂越来越重视汽车零部件的电磁兼容测试.大电流注入(BCI)测试作为汽车零部件电磁兼容抗扰度实验中的一项重要测试项目,也逐渐受到重视.采用传输线矩阵的方法(TLM)对被测试样品的线束进行建模和研究,并对骚扰源集总的表面电流、骚扰特性进行了仿真,全面了解和掌握该试验的传导特性,为企业设计和制造汽车零部件产品提供了有力的理论基础.【期刊名称】《电气开关》【年(卷),期】2018(056)006【总页数】3页(P43-44,47)【关键词】大电流注入;电磁兼容;汽车零部件【作者】王振龙;刘世勋【作者单位】中认(沈阳)北方实验室有限公司,辽宁沈阳 110141;中认(沈阳)北方实验室有限公司,辽宁沈阳 110141【正文语种】中文【中图分类】TM131 引言随着全球经济和科技的高速发展,人们对汽油煤炭等传统能源的需求日益增加,导致传统能源的损耗速度过快,对环境的影响日趋严重,其中最受人们关注的问题之一就是二氧化碳的排放。

出于对经济、环境等多方面的因素,各国开始大力发展新能源汽车。

随着汽车工业的高速发展,汽车电子零部件的可靠性问题就显得举足轻重,这影响汽车行驶的安全性能。

但机动车电子部件的可靠性,特别是如何保证整车所集成的各种功能能够在恶劣的电磁干扰中维持正常工作,满足电磁兼容就成为了至关重要的问题,这就凸现了机动车零部件电磁兼容试验的重要性。

在对机动车零部件进行EMC抗干扰测试中,大电流注入(BCI)抗干扰测试作为一个比较经典的测试方法,一直被各大汽车企业作为规范广泛采用。

其优点在于良好的测试重复性,在能够达到较严酷的测试强度的同时,无需破坏线束结构等。

2 大电流注入(BCI) [2]大电流注入为零部件国际标准ISO 11452-4中所规定的电磁抗扰度试验项目,目前标准中规定了“替代法”和“闭环法”两种试验方法。

ctlm传输线模型 接触电阻

ctlm传输线模型 接触电阻

ctlm传输线模型接触电阻ctlm传输线模型是一种用于分析传输线上电信号传输过程的模型。

在这个模型中,接触电阻是一个重要的参数,它对传输线的性能和信号质量起着关键的影响。

接触电阻是指传输线两端连接器的接触部分的电阻。

在实际的传输线中,由于连接器的制造精度和使用环境等因素的影响,连接器的接触电阻往往不为零。

接触电阻会引起能量的损耗和信号的衰减,从而影响传输线上的信号传输质量。

接触电阻的大小取决于连接器的材料、制造工艺和连接质量等因素。

一般来说,好的连接器应具有低接触电阻,以减小能量损耗和信号衰减。

常见的连接器有BNC、SMA、N型等,它们在接触电阻方面的性能各有差异。

接触电阻的影响主要表现在两个方面。

首先,接触电阻会引起传输线上信号的反射和衰减。

当信号从源端进入传输线时,部分信号会因为接触电阻的存在而反射回源端,导致信号的幅度和相位发生变化。

同时,接触电阻还会使信号在传输过程中发生衰减,降低信号的功率和质量。

接触电阻还会对传输线的阻抗匹配产生影响。

传输线的阻抗匹配是指传输线的特性阻抗与信号源和负载的阻抗之间的匹配程度。

接触电阻的存在会导致传输线的实际阻抗与特性阻抗之间存在差异,降低阻抗匹配的质量,引起信号的反射和衰减。

为了减小接触电阻的影响,可以采取一些措施。

首先,选择质量好、接触电阻小的连接器。

其次,加强连接器的维护和保养,定期清洁和检查连接器的接触部分,确保连接的稳定性和良好的接触质量。

此外,还可以采用一些补偿和校准技术,如使用补偿电路和校准仪器等,来消除接触电阻的影响。

接触电阻是ctlm传输线模型中一个重要的参数,它对传输线的性能和信号质量有着关键的影响。

了解和控制接触电阻的大小和影响,对提高传输线的性能和信号质量具有重要意义。

通过选择合适的连接器、加强连接器的维护和保养,并采用补偿和校准技术等措施,可以有效减小接触电阻的影响,提高传输线的性能和信号质量。

p—GaAs基欧姆接触快速退火的研究

p—GaAs基欧姆接触快速退火的研究

p—GaAs基欧姆接触快速退火的研究为了更好地提高GaAs基半导体材料器件的性能,对p型GaAs基半导体激光器欧姆接触工艺条件进行了实验优化研究。

使Ti/Pt/Au/p-GaAs分别在380℃~460℃快速退火温度和40s~80s快速退火时间下进行欧姆接触的实验研究,并利用矩形传输线模型法对比接触电阻进行了测试。

结果表明:为了与n-GaAs快速退火温度相兼容,Ti/Pt/Au/p-GaAs在420℃快速退火温度和60s退火时间下形成了较好的接触电阻率3.91×10-5?赘·cm2。

标签:p-GaAs基;欧姆接触;快速退火引言随着半导体材料器件在生活中的广泛应用,以提高对半导体器件制作工艺的要求,针对欧姆接触的低阻性也随之提高。

因此,我们采用以p型GaAs为衬底材料制作欧姆接触,对工艺中快速热退火(RTP)的时间及温度进行了优化。

1 测量方法实验采用的测量方法是矩形传输线模型(Rectangular transimission line model,TLM)法,如图1所示。

将一个宽度为W’的长方形测量样品,分别做成6不等距(距离分别为2um、3um、4um、8um、16um、32um)的,长度为W=100um的长方形金属化接触电极(与台面边缘间隔为?啄=5um)。

图1 矩形传输线模型通电流前把测量样品进行台面腐蚀处理,以使它和周围不实现电流流通。

测量时,分别在不同距离之间的长方形电极上通恒定电流I,并测量得到一一对应的电压V,最后得出总电阻Rtot。

测量的电阻由两个欧姆接触电阻与接触之间的导电层串联电阻构成。

根据该模型的等效电路和推算可得(1)式中,RC为总接触电阻,RS为欧姆接触之间的半导体薄层电阻。

理论上Rtot-ln曲线为一条直线,因此可用作图法求得接触电阻率。

根据实验数据用拟合法作出Rtot-ln曲线,如图2所示,从直线中可以得到RS、RC,最后再代入公式?籽c=(R■■·W2)/Rs得到?籽c[1-2]。

常用接触电阻的测试方法

常用接触电阻的测试方法

常用接触电阻的测试方法
接触电阻的测试方法主要有以下几种:
电桥法:利用电桥平衡原理,通过调节电桥的电阻值,使得电桥两端电压为零,从而得到接触电阻的值。

这种方法适用于小电阻值的测量,具有测量精度高的优点。

电流法:利用一定大小的电流通过被测接触电阻,通过测量电压和电流值,计算出接触电阻的大小。

这种方法适用于大电阻值的测量,具有测量范围广的优点。

矩形传输线模型(TLM):这是一种应用广泛的接触电阻率测量方法,通过实验方法来测量
出接触电阻后再求得接触电阻率。

兆欧表、万用表、数字式欧姆表及伏安法、电压比较法等:在测量精度要求不高时,常采用
这些方法来测量接触电阻。

请注意,每种方法都有其适用的范围和限制,在实际应用中应根据具体情况选择合适的方法。

同时,为了获得更精准的测量结果,应遵循相关注意事项,例如使指针指示值尽可能
落到刻度的中段位置等。

GaN材料的欧姆接触研究进展

GaN材料的欧姆接触研究进展

GaN 材料的欧姆接触研究进展摘要:III-V 族GaN 基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件方面的应用潜能而被广为研究。

低阻欧姆接触是提高GaN 基器件光电性能的关键。

金属/GaN 界面上较大的欧姆接触电阻一直是影响器件性能和可靠性的一个问题。

对于各种应用来说,GaN 的欧姆接触需要得到改进。

通过对相关文献的归纳分析,本文主要介绍了近年来在改进n-GaN 和p-GaN 工艺、提高欧姆接触性能等方面的研究进展。

关键词:GaN;欧姆接触0 引 言近年来,氮化镓(GaN )因其在紫外探测器、发光二极管(LED )、高温大功率器件和高频微波器件等领域的广泛应用前景而备受关注。

实现金属与GaN 间的欧姆接触是器件制备工艺中的一个重要问题。

作为宽带隙材料代表的GaN 具有优异的物理和化学性质,如击穿场强高,热导率大,电子饱和漂移速度快,化学稳定性好等,在蓝绿光LEDs,蓝光LDs,紫外探测器及高温、微波大功率器件领域具有诱人的应用前景。

近年来GaN 基器件的研究取得了巨大进展,但仍面临许多难题,其中获得良好欧姆接触是制备高性能GaN 基器件的关键之一,特别是大工作电流密度的半导体激光器及高温大功率器件更需要良好的欧姆接触。

欧姆接触是接触电阻很低的结,它不产生明显的附加阻抗,结的两边都能形成电流,也不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著改变。

本文主要介绍了2006年以来部分期刊文献中有关n-GaN 和p-GaN 器件欧姆接触研究的进展。

1 欧姆接触原理及评价方法低阻的欧姆接触是实现高质量器件的基础。

根据金属-半导体接触理论,对于低掺杂浓度的金属-半导体接触,电流输运由热离子发射决定,比接触电阻为:KTq T qA K Bn c Φ•=ex p *ρ式中:K 为玻尔兹曼常数,q 为电子电荷,A*为有效里查逊常数,ΦBn 为势垒高度,T 为温度。

对于较高掺杂的接触,此时耗尽层很薄,电流输运由载流子的隧穿决定,比接触电阻为⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛Φoo Bn E q exp ∝c ρ,m N qh s d επ4E oo =,式中s ε为半导体介电常数,m 为电子有效质量,d N 为掺杂浓度,h 为普朗克常量。

cst中hexahedral tlm 与hexahedral 的区别

cst中hexahedral tlm 与hexahedral 的区别

cst中hexahedral tlm 与hexahedral 的区别CST中的"hexahedral tlm" 和 "hexahedral" 都是用于建模和求解电磁问题的技术,但具体存在以下区别:1. 定义和模型类型:CST中的"hexahedral tlm"是指六面体时域局部模型(TL – Transmission Line Matrix),它使用基于时域电磁传输线理论的局部电路模型进行求解。

而"hexahedral"则是指六面体有限元模型,它使用基于有限元分析的方法进行求解。

2. 求解方法:"hexahedral tlm"使用局部电路模型进行求解,通过对相邻网格元素之间的电流和电压进行建模,从而获得全局的电磁场分布。

而"hexahedral"使用有限元分析方法,通过离散化整个模型并建立节点和单元之间的关系来求解电磁场。

3. 精度和适用范围:由于"hexahedral tlm"使用时域电路模型求解,其精度通常相较于有限元方法较低。

但"hexahedral tlm"适用于一些对快速求解和大规模问题的模拟,例如高频电磁场分析和脉冲响应分析等。

4. 计算效率:由于"hexahedral tlm"使用局部电路模型进行求解,它通常要比有限元方法快速得多。

这使得它在一些大规模问题的模拟中具有更高的计算效率。

综上所述,"hexahedral tlm"和"hexahedral"在求解电磁问题时采用不同的数值方法和模型类型,分别适用于不同的精度和计算效率要求。

选择哪种方法取决于具体的应用需求和模型特点。

波干涉和波衍射的传输线矩阵(TLM)法模拟

波干涉和波衍射的传输线矩阵(TLM)法模拟

现象 关 键词
TLM

,
数值 模拟
,
干涉
,
衍射
.
在 研究光的干 涉和 衍 射 现 象 中采 用 标量波的近似具有 广泛 的 代表意 义
,
.
标量波近似
,
就是把 光 波当作标量波处理 只考虑光波电磁场 的一个横 向分量 随着研究的深入 人们 发现 干 涉 和 衍射 现象是所有波 动 过程 (从 电磁波 到 声波 ) 都具有 的属 性 对 于波 的 干涉
e
劝1 )
(m (二
=
1 4
,
)
(5 ) (6 )
A A


V
2 该
,
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A
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2
川 是双 缝所对应 的 节点 坐 标
.
Al

A Z 劝1
2 二 和 劝 可 以 相 同 也可 以 不 同
边 界 的其余 节 点 电压为零
L 3
采样信号 采样 屏 上 的 节 点 的 时域响应为
、、 n
e
,

a n 、
1
r
,
.
,
合理 的计算结构 对 于 各种边界 的模 拟 (包括反射边界 能 够反 映实 际 情 况 合适 的 激励模 型
.
,

吸 收 边界
,
,
[ ] 以及 黑体 边界等 l)
.
,
本文研 究 了如何 用

tlm接触电阻率

tlm接触电阻率

tlm接触电阻率
TLM接触电阻率是指使用TLM测试方法测量得到的接触电阻率。

TLM是传输线模型法的缩写,是一种用于测量晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率的方法。

TLM接触电阻率测试仪是一款紧凑型仪器,可以测量成品太阳能电池的接触电阻率、手指线电阻、手指宽度和手指高度,或者测试结构。

通过在所有轴上电动化,可以通过按一个按钮来创建所有这些方法的地图。

此外,TLM测试仪还具有以下功能:
- 自动位置校正以获得最佳接触质量。

- 盖子关闭时自动启动。

- 自动采样编号。

- 软件探头识别。

- 精确的导航与欢乐棒和显微镜相机。

- 通过点击图像来探测定位和重新测量单点。

- 一个样品上多个TLM测试图案的批处理模式。

- 序列模式,通过按一个按钮来测量接触电阻率和手指几何图形的映射。

TLM接触电阻率测试方法具有快速、高质量、低成本等优点,在晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率测试中得到了广泛应用。

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Abstract: F rom the po in t of view of the t ran sm ission line theo ry, th is p ap er in t roduces a new m ethod (TLM ) to so lve the lo ssy t ran sm ission line p rob lem. Keywords: t ran sm ission 2line; t ran sm ission 2line m odeling m ethod
r 2k nR Zc Z c+ R kV n = 1 1 + +G Z c Z c+ R i 2k nL
+
( 9)
( a ) (b )
k I n=
kV n - kV Z c+ R
i nR
左、 右端的电压关系为 kV nL = kV n
kV kV kV
nR
图 8 传输线负载端的模型
= 2kV = kV = kV
右端电压、 电流的关系为
kV
图 6 节点 n 左右所见等效电路
1R 1R 1R
i r
= 2kV = kV
1R
i
+ k I 1Z c
1R
i
kV kV
1R
- kV
( 14)
1) 分析中间节点 n ( n = 2- 10) 的情况
= ( k - 1) V
r 2L
站在节点 n 向左右看到的等效电路如图 6。 由 弥尔曼定理得出第 k 步该节点电压和电流:
L 0C 0 L 0 ∃t = ; 同理, 对一个值为 L 的电感如图 3 (a ) , 其 C0 C
( 3)
( 4)
传输线的 “link ” 模型如图 3 ( b ) 。其中 L = L 0 ∃ l, 沿传 ∃l 1 输线的波速为 u = = , 传输线的特性阻抗 ∃t
L 0C 0
为 Z c=
( 5)
( 8) 5 2u 5 2u = L 0C 0 2 5x 2 5t 211 集总元件的传输线模型 传 输 线 模 型 法 ( T he T ran sm is2 sion L ine M odeling M ethod ) 简 称 TLM 法。 其基本原理是根据被研究
212 有耗传输线 TLM 法
图 5 为剖分为十小节的传输线模型, 首端接以 电源 ( u s , R s ) , 终端接以负载 (R l , L l ) 。 现在我们用 TLM 法来求解传输线上每一点的 电流与电压。为计算方便, 每节前标以节点号。如图 所示。n = 1 点与电源相接, n = 11 点接于负载。根据 传输线理论, 电压波在传输上传波时, 将产生反射电 压 kV r 与透射电压 kV i , 由戴维南定理可得到它的 等效电路, 即每段传输线都包含一个电压源 2kV i 和 一 个特性阻抗 Z c。 对节点 n 来说, 设节点电压为
V
r
( n - nL i nR
r nR r
亦应是前一步上 n + 1 点 。即
( 12)
图 9 传输线 “stub ” 模型与 “link ” 模型 “同步”
的左反射电压波 (k - 1) V
kV kV
( n + 1) L
根据弥尔曼定理, 第 k 步的电压和负载电流为
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电气电子教学学报 2002 年 4 月 40
摘 要 本文从传输线理论出发, 介绍了一种解决传输线问题的新方法——TLM 法。 关键词 传输线 传输线模型法
TLM M odel of the L ossy Tran sm iss ion L ine
L i Fengx ia
(Co llege of E lectrical & Pow er Eng ineering of TU T , T aiyuan 030024, Ch ina)
( 1) ( 2)
5u 5i 和 , 则根 5x 5x
的传输线模型。 由传输线模型法可知, 一个集总元件 (L , C ) 可用一个离散的无耗传输线模型代替。 传输 线每单位的长度、 电容、 电感和传输时间分别为 ∃ l、 C 0、 L 0、 ∃ t。 一个值为 C 的电容如图 4 (a ) , 它的传输 线 “link ” 模型如图 4 ( b ) 。其中 C = C 0 ∃ l, 沿传输线的 ∃l 1 波速为 u = = , 传输线的特性阻抗为 Z c = ∃t
最后分析 (n = 11) 负载端的情况: 把负载中的电 感 L 用其 TLM 模型代替, 如图 8 所示, 且为 “stub ” 模型。 需注意的是: 在 “stub ” 模型上的传播时间 ∃ t 应和 “link ” 模型保持同步, 即同时到达、 同时反射, 2L 则 Z cL = 。 最后用其等效电路代替, 如图 9。 ∃t
图 3 集中电容的传输线模型
( a ) (b )
图 4 集中电感的传输线模型
2 有耗传输线的 TLM 法
任何一条传输线的一端与电源突然接通瞬间, 线上任何一点的电压电流是时间的函数, 这是传输 线的瞬态响应, 它要求在时间领域建立一个传输线 的模型。 在式 ( 6) 、 式 ( 7) 中将代表损耗的参数 R 、 G 忽略, 方程中 R = G = 0。 因L 0 = 波动方程为
第 24 卷第 2 期 电气电子教学学报 Vol . 24 N o. 2 2002年4月 JOU RNAL O F EEE Ap r. 2 0 0 2
有耗传输线的 TLM 模型法
李凤霞
( 太原理工大学电气与动力工程学院 太原: 030024) α
i nL
r nL
2) 分析电源节点 ( n = 1) 的情况 电路如图 7 所示。 根据弥尔曼定理可得节点电 压和电流为
kV 1 = kV s 2kV 1R + R s R + Zc
i
左下标, R 为右下标, i 表示透射, r 表示反射) 。
1
Rs
+
1
R + Zc
1R
i
( 13)
k I 1=
kV 1 - 2kV R + Zc
下面来推导传输线的基本方程: 设电压、 电流随 X 轴的变化率为 据 KVL 和 KCL 可得 5u 5i = u′ - u= - L + iR 5x 5t 5i 5u - i= - G u + C ∃ x = i′ 5x 5t 对式 ( 2) 求偏导可得 ∃x 5 2i 1 5u 5 2u G +C 2= ∃x 5x 5t5x 5x 5u 将式 ( 1) 中 代入式 ( 3) 可得 5x 5 2i R G 1 5i 1 5 2u + C 2= 2 i+ 2GL 5t ∃x 5t5x 5x ∃x ∃x 5u 可得 5t 2 5 u 1 5 2i 5i = L +R 5t5x ∃x 5t 5t2 将式 ( 5) 代入式 ( 4) 得 对式 ( 1) 求 5 2i 1 5 2i ( 5i + GL + R C ) + R G i 2= 2 L C 5t 5x ∃x 5t2 以同样方法还可推导得
2kV i Zc R L + Z cL kV 11 = 1 1 + G+ Zc R L + Z cL 2kV
11L
i
= ( k - 1) V = ( k - 1) V
r
( n - 1) R ( n + 1) L
r
+
( 15)
k I 11 =
kV 11 - 2kV R L + Z cL
i
( 下转第 45 页)
第 24 卷第 2 期 李凤霞: 有耗传输线的 TLM 模型法 41
kV n , 节点入端电流为 k I n; 节点 n 左侧过来的入射波
电压为 kV , 反射回去的电压波为 kV ; 节点 n 右
i 侧过来的入射波电压为 kV nR , 反射回去的电压波为 r kV nR ( 各符号中下标 n 为节点号, k 为计算次数, L 为
即 α = uC
iL
α
-
0 1
C
1
L iL
0 + 1
R iC ui
-
1
RC
uC
图 3 选频网络
为便于计算, 令 0 1 A= - 1 - 1 解 A T P + PA = - I , 得 P1 P2 0 - 1 P 1 P 2 0 1 - 1 0 + = 1 0 P 2 P 3 P2 P3 - 1 0 0 - 1 - 2P 2 = - 1
L0 L = 。这样图 2 的有损传输线用传输线 C0 ∃t
模型代替得到图 5。
( 6)
( a ) (b )
5 2u 1 5 2u ( 5u + GL + R C ) + R G u ( 7) 2 = 2 L C 5t 5x ∃x 5x 2 上面是一组偏微分方程, 传输线上的某一点工 作情况就对应于这组方程的特解。 一般情况下这组 方程的解析解是不易求出的。
图 7 电源节点等效电路 © 1994-2010 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved.
第 24 卷第 2 期 董 欣: 用状态空间方法分析电网络的稳定性 45
i nR
+ Z ck I n
i nL i nR
( 10)
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