电子电路基础(模电)北京邮电大学.林家儒.第2版.
模拟电子线路及技术基础(第二版)第五章 基本放大器电路
输出与输入同相
RO RC
与输共射电路相同
例 5.4.1
第五章 基本放大器电路
1. 要求源电压增益最大 2. 要求输出电压 UO US
5. 要求同时获得一对 等值反相的输出信号
3. 要求输出电压 UO US
4. 要求接入负载电阻 RL 1K时,UO |US | ,并求输出电阻 R O
100
第五章 基本放大器电路
第五章 基本放大器电路
(2) 输出电阻 RO RD (3) 输入电阻 Ri RG
[例5.5.1]
第五章 基本放大器电路
放大倍数
Au
UO Ui
U i U g s U S U g s g m U g s R S U g s ( 1 g m R S )
UOgmUgs(RD//RL) AuU UO i 1ggm mRS(RD//RS)
RO
UO IO
| R US0.RL
C
第工五作章点相基同本放大器电路
A uU U O i IC (IR bC rbe ||R L)Ib Irb be R 'Lrbe R 'L A uU U O i Ibrb e (1I bR 'L )IB R Erb e (1 R 'L)R E
Ri U Iii RB1||RB2||rbe
第五章 基本放大器电路
模拟电子线路及技术基础(第二版)第五章 基本放大器电路
第五章 基本放大器电路
《模拟电子电路与技术基础》课程的特点是
“概念性、工程性、实践性“强！
“注重物理概念，采用工程观点； 重视实验技术，善于总结对比； 理论联系实际，注意应用背景； 寻求内在规律，增强抽象能力。”
第五章 基本放大器电路 5.1 基本放大器组成原理及偏置电路 5.1.1 基本放大器组成原理
模拟电子线路教案
第1章半导体器件基础教学目的：了解载流子的运动规律，PN结的形成及特性，掌握二极管、三极管的工作原理、特性曲线及主要参数。
教学重点：二极管的应用，三极管的特性曲线及工作状态的分析。
教学难点：稳压二极管的应用，三极管电路的分析教学内容：半导体及其特性，PN结及其特性，半导体二极管，半导体三极管及其工作原理，三极管的共特性曲线及主要参数。
教学方法：理论讲解与举例相结合，讲例题时边讲边练（学生先作，老师后讲）。
教学进度：本内容为12学时，其中1.1、1.2、1.3节各2学时，1.4,1.5节各3学时。
参考资料：电子电路基础（林家儒主编，第2版，2006年），1-14页。
教学内容第一节半导体及其特性一、半导体的基本知识1、概念：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
2、元素：半导体器件中用的最多的是硅和锗。
现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。
3、半导体的特点：(1)、当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。
(2)、当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。
(3)、纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。
二、本征半导体的导电形式1、两种载流子：自由电子（带负电）和空穴（带正电）在常温下，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。
这一现象称为本征激发，也称热激发。
2、电子空穴对：因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，3、本征半导体中电流由两部分组成：自由电子移动产生的电流和空穴移动产生的电流。
三、杂质半导体1、概念：在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。
其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。
2、N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。
加五价元素（磷）自由电子占大多数，称为多子；空穴占少数，叫少子。
3、P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。
电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版
《电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版》第1章 直流电路一、填 空 题1.4.1 与之联接的外电路；1.4.2 1-n ，)1(--n b ；1.4.3 不变；1.4.4 21W ，负载；1.4.5 Ω1.65A ， ；1.4.6 1A 3A ， ； 1.4.7 3213212)(3)23(R R R R R R R +++=； 1.4.8 1A ；1.4.9 Ω4.0，A 5.12；1.4.10 电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电压源、电流控制电流源；1.4.11 3A ；1.4.12 3A ；1.4.13 Ω2；1.4.14 15V ，Ω5.4；1.4.15 V 6S =U 。
二、单 项 选 择 题1.4.16 C ； 1.4.17 B ； 1.4.18 D ； 1.4.19 A ；1.4.20 A ； 1.4.21 C ； 1.4.22 B ； 1.4.23 D 。
第2章一阶动态电路的暂态分析一、填 空 题2.4.1 短路，开路；2.4.2 零输入响应；2.4.3 短路，开路；2.4.4 电容电压，电感电流；2.4.5 越慢；2.4.6 换路瞬间；2.4.7 三角波；2.4.8 s 05.0，k Ω25； 2.4.9 C R R R R 3232+； 2.4.10 mA 1,V 2。
二、单 项 选 择 题2.4.11 B ； 2.4.12 D ； 2.4.13 B ；2.4.14 D ； 2.4.15 B ； 2.4.16 C 。
第3章 正弦稳态电路的分析一、填 空 题3.4.1 ︒300.02s A 10， ， ； 3.4.2 V )13.532sin(25)(︒+=t t u ；3.4.3 容性， A 44；3.4.4 10V ，2V3.4.5 相同；3.4.6 V 30，20V ；3.4.7 A 44，W 7744；3.4.8 A 5；3.4.9 减小、不变、提高；3.4.10 F 7.87μ；3.4.11 20kVA ，12kvar -；3.4.12 不变、增加、减少；3.4.13 电阻性，电容性； 3.4.14 LC π21，阻抗，电流；3.4.15 1rad/s ，4；3.4.16 Ω10；3.4.17 P L U U =，P L 3I I =，︒-30； 3.4.18 P L 3U U =，P L I I =，超前。
模拟电子技术基础(第2版)
读书笔记模板
01 思维导图
03 目录分析 05 读书笔记
目录
02 内容摘要 04 作者介绍 06 精彩摘录
思维导图
本书关键字分析思维导图
初学者
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电子技术
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半导体
宗旨
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第版
电路
集成电路 电路
基础
基础
小结
第章
习题
集成
放大器
应用
内容摘要
内容摘要
本书以“讲透基本原理，打好电路基础，面向集成电路”为宗旨，避免复杂的数学推导，强调物理概念和晶 体管器件模型的描述，加强了场效应管（尤其是MOS场效应管）的电路分析，充分重视集成电路的教学。在若干 知识点的阐述上，教材有自己的个性特色，并在内容取舍、编排以及文字表达等方面都期望解决初学者的入门难 的问题。另外为了帮助初学者更好的学习本书，对所述的基本电路利用EWB的电路设计软件进行了电路仿真，同 时还配有CAI的教学软件。
8.5线性稳压电路 8.6开关型稳压电源
本章小结 思考题与习题8
9.1电流模式电路的 一般概念
9.2跨导线性的基本 概念
9.3电流传输器 9.4跨导运算放大器
本章小结
思考题与习题9
作者介绍
同名作者介绍
读书笔记
读书笔记
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目录分析
1.2 PN结
1.1半导体基础知 识
1.3晶体二极管及 其应用
本章小结
思考题与习题1
2.2结型场效应管
2.1双极型晶体三 极管
2.3金属-氧化物半导体场效应管
本章小结
思考题与习题2
电路分析基础(北京邮电大学)ppt课件
(m2)
式中，是导体的长度（m），A是截面积（m2），ρ是电阻率计量 符号，国际单位为欧姆·米。
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一般，电阻率比较高的材料做成电阻器，电阻器吸收的功率是
P V2 I2R R
电阻器所能承受的功率称为额定功率。工作时电阻器吸收的功率 要小于电阻的额定功率，一般称额定瓦数。
Z2 U2 +
Z3 U3 -
图3.6
编辑版pppt
电感元件的串联：
电容元件的串联：
当Z1，Z2和Z3分别为L1，L2和L3时， 当Z1，Z2和Z3分别为C1，C2和C3时，
编辑版pppt
波形图如图2.5所示
i, A
10
P, W
75
0
π/50
2π/50 t,s
0
π/50
2π/50 t,s
v, V
15
W, J
1.50
0
π/50
2π/50 t,s
0
π/50
2π/50
t,s
图2.5
由图2.5看出，当i=0时，能量为0，电感中电流增加时，能量增
加呈储存能量，电流减小，能量减小，是能量的释放阶段。
由于V，I随时间变化，则瞬间功率也为时间函数，功 率是能量对时间的微分
P=dW/dt 在电动机等其他设备中输出功率常用称为马力 (horsepower-hp)的单位表示。 马力与瓦特的关系为：
1hp=745.7W
编辑版pppt
第二章 电路基本概念
2.1 电路元件分类 2.2 电压源 2.3 电流源 2.4 电阻元件 2.5 电容元件 2.6 电感元件
1J1Nm
功和能量单位相同。 功率是做功的速率或能量从一种形式转化为另一种形式的速度， 功率的单位为瓦特(W),即:
电子技术基(第二版)础答案
电子技术基础1.1 检验学习结果1、什么是本征激发？什么是复合？少数载流子和多数载流子是如何产生的？答：由于光照、辐射、温度的影响而产生电子—空穴对的现象称为本征激发；同时进行的价电子定向连续填补空穴的的现象称为复合。
掺入三价杂质元素后，由于空穴数量大大增加而称为多子，自由电子就是少子；掺入五价元素后，由于自由电子数量大大增加而称为多子，空穴就是少子。
即多数载流子和少数载流子的概念是因掺杂而形成的。
2、半导体的导电机理和金属导体的导电机理有何区别？答：金属导体中存在大量的自由电子载流子，因此金属导体导电时只有自由电子一种载流子；而半导体内部既有自由电子载流子又有空穴载流子，在外电场作用下，两种载流子总是同时参与导电，这一点是它与金属导体导电机理的区别。
3、什么是本征半导体？什么是N型半导体？什么是P型半导体？答：原子排列得非常整齐、结构完全对称的晶体称为本征半导体．．．．．。
本征半导体掺入五价元素后形成N型半导体；掺入三价元素后形成P形半导体。
4、由于Ｎ型半导体中多数载流子是电子，因此说这种半导体是带负电的。
这种说法正确吗？为什么？答：这种说法不正确。
因为，虽然N型半导体中有多子和少子之分，造成定城的离子带正电，但是整个晶体上的正、负电荷总数在掺杂过程中并没有失去或增加，所以晶体不带电。
5、试述雪崩击穿和齐纳击穿的特点。
这两种击穿能否造成PN结的永久损坏？答：电击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿，前者是一种碰撞的击穿，后者属于场效应的击穿，这两种电击穿一般可逆，不会造成PN结的永久损坏。
6、何谓扩散电流？何谓漂移电流？何谓PN结的正向偏置和反向偏置？说说PＮ结有什么特性？答：由多子形成的导通电流称扩散电流，由少子形成的电流称为漂移电流；当PN 结的阳极P接电源正极，阴极N接电源负极时称为正向偏置，反之为反向偏置；PN结具有“正向导通、反向阻断”的单向导电性。
1.2 检验学习结果1、何谓死区电压？硅管和锗管死区电压的典型值各为多少？为何会出现死区电压？答：二极管虽然具有单向导电性，但是当正向电压较小时，由于外加正向电压的电场还不足以克服PN结的内电场对扩散运动的阻挡作用，二极管仍呈现高阻态，所以通过二极管的正向电流几乎为零，即基本上仍处于截止状态，这段区域通常称为死区．．。
北京邮电大学 计算机学院 电子电路基础
《电路与电子学基础》实验目录实验1 戴维南和诺顿等效电路 (4)实验2 一阶电路的过渡过程 (6)实验2.1 电容器的充电和放电 (6)实验2.2 电感中的过渡过程 (9)实验3交流电路的性质 (12)实验3.1 串联交流电路的阻抗 (12)实验3.2 串联谐振 (17)实验4 桥式整流电路 (21)实验5 基本放大电路电路 (23)实验5.1 NPN三极管分压偏置电路 (23)实验5.2 射极跟随器 (25)实验6 差动放大器 (28)实验7 集成运算放大器应用 (32)实验7.1 反相比例放大器 (32)实验7.2 加法电路 (34)实验1 戴维南和诺顿等效电路一、实验目的1.对一个已知网络，求出它的戴维南等效电路。
2.对一个已知网络，求出它的诺顿等效电路。
3.确定戴维南定理的真实性。
4.确定诺顿定理的真实性。
5.对一个已知网络，确定它的戴维南等效电路。
6.对一个已知网络，确定它的诺顿等效电路。
二、实验器材直流电压电源 1个直流电压表 1个直流电流表 1个电阻数个三、实验准备1.戴维南定理任何一个具有固定电阻和电压源的线性二端网络，都可以用一个串联电阻的等效电压源来代替。
这个等效电压源的电压可称为戴维南电压V th，它等于原网络开路时的端电压V oc，如图1-1所示。
串联电阻可称为戴维南电阻R eq，它等于原网络两端的开路电压V oc除以短路电流I sc。
所以V th=V ocReq=V oc/I sc短路电流Isc可在原网络两端连接一个电流表来测量，如图1-2所示（注：电流表具有很小的内阻，可视为短路。
）短路电流Isc也可在原网络的输出端连接一短路线来计算。
确定戴维南电阻Req的另一个方法是，将源网络中所有的电压源用短路线代替，把所有的电流源短路，这时输出端的等效电阻就是Req。
在实验室里对一个未知网络确定其戴维南电阻Req的最好方法是，在未知网络两端连接一个可变电阻，然后调整阻值直至端电压等于开路电压Voc的一半，这时可变电阻的阻值就等于戴维南电阻Req。
电路与模拟电子技术基础(第2版)_习题解答_第6章习题解答
M i9习 题 66.1 确定图中晶体管其它两个电流的值β=200Iβ=100β=120(a)(b)(c)图6.1 习题6.1图(a) I C =βI B =200×0.125=25(mA) I E =I B +I C =25.125(mA) (b) I B =I E /(1+β)=5/(1+100)=49.5(μA) I C =I E －I B =4.95(mA) (c) I B =I C /β=3/120=25(μA) I E =I B +I C =3.025(mA)6.2 测得放大电路中的晶体三极管3个电极①、②、③的电流大小和方向如图6.1所示，试判断晶体管的类型（NPN或PNP ），说明①、②、③中哪个是基极b 、发射极e 、集电极c ，求出电流放大系数β。
图6.2 习题6.2图(a) ①-c ②-b ③-e PNP β=1.2/0.03=40 (b) ①-b ②-e ③-c NPN β=1.5/0.01=1506.3 有两只工作于放大状态的晶体管，它们两个管脚的电流大小和实际流向如图6.3所示。
求另一管脚的电流大小，判断管子是NPN 型还是PNP 型，三个管脚各是什么电极；并求它们的β值。
①② ③(a)①② ③(b)图6.3 习题6.3图(a) ①-c ②-e ③-b NPN I E =I B +I C =4+0.1=4.1(mA) β=4/0.1=40 (b) ①-e ②-c ③-b NPN I C =I E －I B =5.1－0.1=5(mA) β=5/0.1=506.4 试判断图6.4所示电路中开关S 放在1、2、3哪个位置时的I B 最大；放在哪个位置时的I B 最小，为什么？+V CC图6.4 习题6.4图在①时，发射极相当于一个二级管导通，此时I B 就等于此导通电流。
在②时，三极管相当于两个并联的二极管，此时I B 等于两个二级管导通电流之和，所以此时的电流最大。
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第一章 思考题与习题1.1. 半导体材料都有哪些特性？为什么电子有源器件都是由半导体材料制成的？1.2. 为什么二极管具有单向导电特性？如何用万用表判断二极管的好坏？ 1.3. 为什么不能将两个二极管背靠背地连接起来构成一个三极管？ 1.4. 二极管的交、直流等效电阻有何区别？它们与通常电阻有什么不同？ 1.5. 三极管的放大原理是什么？三极管为什么存在不同的工作状态？ 1.6. 如图P1-1(a)所示的三极管电路，它与图P1-1(b)所示的二极管有何异同？1.7.稳压二极管为何能够稳定电压？1.8.三极管的交、直流放大倍数有何区别？共射和共基电流放大倍数的关系是什么？1.9.三极管的输入特性和输出特性各是什么？1.10. 如图P1-2所示，设I S ＝10－11A ，U T ＝26mV ，试计算u i =0，0.3V ，0.5V ，0.7V 时电流I 的值，以及u i =0.7V 时二极管的直流和交流等效电阻。
解：由I= I S *(exp(U i / U T )-1) 当U i =0时，I=0；当U i =0.3V 时，I=1.026×10－6A ； 当U i =0.5V 时，I=2.248×10－3A ； 当U i =0.7V 时，I=4.927A ； 直流等效电阻R= U i /I = 0.7V/4.927A = 0.142 Ω∵exp(U i / U T )>>1∴交流等效电阻R d = 26/I = 26/4927 = 5.277×10－3 Ω(a)(b)图P1-1图P1-2＋ －u i Di1.11. 电路如图P1-3所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，U T ＝26mV ，电源U ＝3.3V ，电阻R ＝1k Ω，电容C 对交流信号可视为短路；输入电压u i 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：U ＝3.3V>>100mV ，I ＝（U －U D ）/R ＝ (3.3－0. 7)/1k = 2.6 mA 交流等效电阻：R d = 26/I = 10 Ω 交流电流有效值：Id = Ui/Rd = 1 mA1.12. 图P1-4(a)是由二极管D 1、D 2组成的电路，二极管的导通电压U D ＝0.3V 、反向击穿电压足够大，设电路的输入电压u 1和u 1如图P1-4(b)所示，试画出输出u o 的波形。
解：1.13. 如图P1-5所示电路，设二极管为理想二极管(导通电压U D =0，击穿电压U BR =∞ )，试画出输出u o 的波形。
解：5V u 1tu 2t5V图P1-4(a)图P1-4(b)＋D1u 1 u oRu 2D2P1-5R＋ －u oD 2D 1D 3D 4图P1-3＋ －u i D RCU4.7V u 0tu ot1.14. 如图P1-6所示电路，设稳压二极管导通电压U D =0.7V ，D 1稳压值U Z1＝6.3V ，D 2稳压值U Z2＝3.3V ，试计算： 1. 当输入电压U i ＝12V 时，输出U o 的值。
2. 当输入电压U i ＝6V 时，输出U o 的值。
3. 当输入电压U i ＝3V 时，输出U o 的值。
解：(a) 1．D2反向导通，D1正向导通，U o = U Z2＋U D ＝ 4V2. U o = U Z2＋U D ＝ 4V3. U i ＝3V 时，D2反向不导通，U o = 3V(b) 1. D1、D2均反向导通，U o = U Z2＋U Z1 ＝ 9.6 V2. 反向不导通，U o = 6V3. U o = 3V(c) 1. D1、D2均正向导通，U o = U D ＋U D ＝ 1.4 V 2. U o = U D ＋U D ＝ 1.4 V3. U o = U D ＋U D ＝ 1.4 V(d) 1. D2反向导通，D1 不导通， U o = 3.3 V 2. D2反向导通，D1 不导通，U o = 3.3 V3．D1、D2均不导通，U o = 3V1.15. 如图P1-7(a)所示电路，设稳压二极管导通电压U D =0.7V ，稳压值U Z ＝3.3V ，输入电压波形如图P1-7(b)所示，试画出输出u o 的波形。
u it 6Vu o+ R D 1 ＋u 图P1-6U o+ R D 1 D 2 ＋ U iU o+ R D 1 D 2 ＋ U iU o+ R D 1 D 2 ＋ U iR D 1＋ U iU o+ D 2(a) (d)(c)(b)解：1.16. 根据图P1-8各电路中所测的电压值判断三极管的工作状态（放大、饱和、截止和损坏）。
解：(a)发射极正偏压，集电极反偏压，I C 不为零，是放大状态；(b)发射极正偏压，集电极正偏压0.4V ，为饱和状态；(c)发射极正偏压，集电极反偏压，I C 为零，而I E 和I B 不为零，损坏状态； (d)发射极正偏压，集电极反偏压，但I C 和I B 为零，损坏状态； (e)发射极无偏压，集电极反偏压，为截止状态； (f)发射极正偏压，集电极反偏压，为放大状态。
1.17. 某三极管的输出特性曲线如图P1-9所示，试确定该三极管的直流和交流放大倍数。
解：直流放大倍数=I C /I B =100 交流放大倍数=i C /i B =100(a)(b)R C2VR b 0.7V 6V12V R C6VR b 1.2V12V 12V R E0.5VR C-6VR b -5.7V-5.3V -12VR E-5V(c)图P1-8R C-2VR b -0.3V -6V -12VR C2VR b 0V 12V12VR C-2VR b -2V -12V-12V (d)(e) (f)0 U CE (V)I C (mA)20uA 3I B =010uA 30uA 40uA 6 9 121 2 3 4 图P1-9t (ms)0 4V -4Vu o1.18. 根据图P1-10电路中所测的电压值，试分别计算三极管的基极电流I B 、集电极电流I C 和放大倍数β值。
解： (a) I B = (2-0.7)V/43K =30 uA I C =(12-6)/2 =3 mAβ= I C /I B = 100(b) I E = (0+1.01) /1 =1.01 mAI C =(-5+10)/5 =1 mAβ= I C /I B = I C /(I E –I C ) =1002k2V43k 0.7V6V 12V5k-3VR b -1.7V-5V -10V1k -1.01V (a)(b)图P1-10第二章 思考题与习题2.1什么是放大？电子电路中为什么要放大？2.2什么是共射、共基、共集放大电路？它们之间有何不同？ 2.3什么是直流等效电路？什么是交流等效电路？二者有何区别？2.4什么是放大电路的图解分析法？什么是等效电路分析法？它们各适用何种情况？2.5放大电路的分析原则是什么？为什么必须先分析放大电路的静态工作特性？2.6放大电路的为什么要设置静态工作点？它对放大电路的特性有何影响？ 2.7 什么是直流负载线？什么是交流负载线？二者有何区别？2.8什么是直接耦合放大电路？什么是阻容耦合放大电路？它们各有什么特点？2.9什么是截止失真？什么是饱和失真？主要原因是什么？2.10 图图P2-1(a)所示电路(β值、各电容足够大),当R b1=15.6k Ω、R b2=5k Ω、R b3=3.4k Ω、R E =500Ω、R C =2.5k Ω时，其工作点如图P2-1(b)中Q 1所示，如何调整R b1和R C 使工作点由Q 1变到Q 2，调整后的R b1和R C 各为多少？解：Q2: U EQ = R E *I E = 500Ω*4mA=2VU BQ = U EQ +0.7V =2.7VU BQ = 12V* R b3/ (R b1 +R b2 +R b3) =3.4*12/(R b1+5+3.4) = 2.7V 故R b1 = 6.7 k Ω又U CEQ =6V=12-4*(R C +0.5) 得R C =1 (K Ω)2.11基本阻容耦合放大电路及三极管输出特性曲线如图P2-2所示，三极管发图P2-1(a)图P2-1(b)~ +－u S R E12VR S R b2R b3+－u o R CC EC 1C 2 R b1 0u CE (V)i C (mA)40uA 3i B =0 20uA60uA 80uA 691224 6 8 Q 1 Q 2射极的导通电压U D =0.7V 、β＝100，V CC =12V ，R b =282k ，R C =R L =1.5k ，各电容值足够大，试计算工作点、画出直、交流负载线。
解：I BQ ＝(V CC －U BE ) / R B = (12-0.7)/282k= 40 uAI CQ =β*I BQ = 4 mAU CEQ = V CC - I CQ * R C =12 – 4*1.5 = 6V 直流负载线: U CE = V CC - I C * R C 交流负载R 'L ＝R C ‖R L =1.5/2 =750Ω 交流负载线: u CE = U CEQ + I CQ * R 'L - i C * R 'L 如图，斜率大的为交流负载线。
2.12如图P2-3(a)所示的电路，试问1. 如果观测到的输出电压波形如图(b)所示，则该失真为何种失真？主要由何种原因造成的？如何调整R b1来解决？2. 如果观测到的输出电压波形如图(c)所示，则该失真为何种失真？主要由何种原因造成的？如何调整R b1来解决？解：图(b)中电压顶部削平，相当于电流底部削平，是截止失真。
原因是静态工作点太低，应增大I B ，即减小R b1；图(c)中电压底部削平，相当于电流顶部削平，是饱和失真。
原因是静态工作点太高，应减小I B ，即增大R b1；图P2-2(a)(b)+ － u i ~ u o R C+－R bV CCR LC 1C 2 0u CE (V)i C (mA)40uA 3i B =0 20uA 60uA 80uA6 91224 68 Q2.13设如图P2-4(a)所示的放大电路，R b =200k Ω，R C =2k Ω，U D =0.7V ，β＝100，V CC =12V ，V BB =2.7V ，各电容值足够大，输入、输出特性曲线分别如图P2-4(c)、(d)所示，试1. 计算印静态工作点，画出负载线2. 画出中频交流等效电路3. 设输入电压u i 如图P2-4(b)所示，试用图解法画出输出u o 的波形4. 输出主要产生何种失真，如何改善解：1. I BQ ＝(V BB －U BQ ) / R b ＝(2.7－0.7) / 2 ＝10 uAI CQ =β*I BQ = 1 mAU CEQ = V CC - I CQ * R C =12 – 1*2 = 10V 2. 中频交流等效电路(b)(c)图P2-3－~ +－u i u o R C +R b1R b2 V CCu otu ot(a)+－u i ~ u oR C +－R b V CC C 1C 2 V BB图P2-4(a)-0.11Vt0.11Vui图P2-4(b)+－u i ~ u oR C +－R b3.4. 输出主要产生截止失真，应增大静态工作电流I BQ ，即增大V BB ，或减小R b 。