颅内压监测
dt医学术语
dt医学术语DT医学术语：颅内压监测颅内压监测是一种用于监测颅内压力变化的技术。
颅内压是指颅腔内的压力，通常以毫米汞柱（mmHg）为单位。
颅内压监测可以帮助医生评估患者的颅内疾病状态，如颅脑损伤、脑肿瘤等，并及时采取相应的治疗措施。
颅内压监测通常通过将压力传感器植入到患者的颅内腔内来实现。
这一传感器可以测量颅内腔内的压力，并将数据传输到监测仪器上进行记录和分析。
在植入传感器之前，患者需要进行局部麻醉，并在手术室内进行操作。
颅内压监测对于一些严重的颅内疾病非常重要。
例如，颅脑损伤患者的颅内压可能会升高，导致脑组织的缺血和缺氧，进而引发脑损伤的进一步恶化。
通过监测颅内压力的变化，医生可以及时调整治疗方案，减轻颅内压力的增加，保护脑组织免受进一步损伤。
颅内压监测还可以用于评估脑肿瘤的状态。
脑肿瘤的存在会导致颅内腔内的压力增加，进而影响脑功能。
通过监测颅内压力的变化，医生可以了解肿瘤的生长和发展情况，并根据监测结果进行个体化的治疗，延缓肿瘤的进展。
在进行颅内压监测时，需要注意一些潜在的风险和并发症。
植入传感器可能会导致感染、出血等并发症的发生。
此外，颅内压监测也有一定的局限性，例如无法准确评估脑血流量和脑代谢状态。
尽管如此，颅内压监测仍然是诊断和治疗颅内疾病的重要手段之一。
它可以提供有关颅内压力变化的实时数据，帮助医生了解患者疾病的进展情况，并采取相应的治疗措施。
随着医学技术的不断发展，颅内压监测技术也在不断改进和完善，为患者提供更加安全和准确的诊疗服务。
颅内压监测是一种重要的医学术语，用于监测颅内压力变化。
它可以帮助医生评估颅内疾病的状态，并及时采取治疗措施。
尽管存在一些风险和局限性，但颅内压监测仍然是诊断和治疗颅内疾病的重要手段之一。
随着技术的不断进步，相信颅内压监测技术将能够为患者提供更加精准和安全的医疗服务。
无创颅内压监测
望在更广泛的范围内得到应用。
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无创颅内压监测
目录
CONTENTS
• 引言 • 无创颅内压监测技术 • 无创颅内压监测的应用 • 无创颅内压监测的优缺点 • 无创颅内压监测的未来发展
01 引言
目的和背景
颅内压升高是许多神经系统疾病的常见并发症，如脑外伤、 颅内肿瘤等。无创颅内压监测是一种非侵入性的技术，用于 监测颅内压的变化，为医生提供及时、准确的诊断和治疗依 据。
数据分析算法
通过改进和优化现有的数据分析算法，无创颅内压监测将能够更准确地反映颅内压的变化 趋势，提高诊断的准确性和可靠性。
多模态监测
结合其他生理参数（如脑电、血流等）进行多模态监测，可以更全面地了解脑部状态，为 临床医生提供更多有价值的信息。
应用拓展
早期诊断
01
无创颅内压监测有望在症状出现之前进行早期诊断，从而提高
险。
实时监测及时发 现并处理异常情况。
操作简便
无创颅内压监测操作简单，易 于掌握，可以在床边进行，方 便医护人员随时监测。
适用范围广
无创颅内压监测适用于各种年 龄段的患者，尤其适用于婴幼
儿和老年人等特殊人群。
缺点
1 2 3
准确性不足
无创颅内压监测的准确性相对较低，受到多种因 素的影响，如血压、脉搏、体位等。
随着医疗技术的不断发展，无创颅内压监测已成为临床实践 中不可或缺的一部分，尤其在重症监护病房和手术室中广泛 应用。
无创颅内压监测的定义
无创颅内压监测是指通过非侵入性的方法来测量颅内压的 变化。这种方法通常使用传感器技术，将压力传感器放置 在头皮或颅骨上，通过测量头皮或颅骨与颅内组织之间的 压力差来间接反映颅内压。
icp医学名词解释
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摘要：
1.ICP医学简介
2.ICP医学的诊断方法
3.ICP医学的治疗方法
4.ICP医学的常见问题及解答
正文：
ICP医学，即颅内压监测医学，是一门研究颅内压力的医学领域。
它通过监测颅内压力，为诊断和治疗神经系统疾病提供重要依据。
ICP医学的诊断方法主要包括以下几种：一是通过影像学检查，如CT、MRI等，了解颅内结构变化；二是通过神经系统检查，评估患者的神经功能；三是通过有创性颅内压监测，直接测量颅内压力。
ICP医学的治疗方法主要取决于患者的具体病情。
一般来说，治疗方案包括药物治疗、手术治疗、康复训练等。
药物治疗主要包括降颅压药物、抗生素、抗病毒药物等；手术治疗主要是针对颅内肿瘤、血管病变等因素进行的手术；康复训练则是对患者进行肢体、语言等功能训练，帮助患者恢复生活自理能力。
ICP医学中，有许多常见问题需要解答。
例如，什么情况下需要进行颅内压监测？一般来说，当患者出现严重的头痛、恶心、呕吐等症状时，医生会考虑进行颅内压监测。
此外，对于颅内肿瘤、颅内感染等患者，颅内压监测也是非常重要的诊断手段。
总之，ICP医学是一门非常重要的医学领域，它为诊断和治疗神经系统疾病提供了重要的手段。
颅内压力测定方法
颅内压力测定方法颅内压力测定是一种用来衡量颅内脑压的方法，可以帮助医生诊断和监测颅内病变。
以下是一些常见的颅内压力测定方法：1. 颅内压监测导管：这是一种常见的颅内压力测定方法。
通过将一根导管插入脑室或者颅内组织中，可以测量脑脊液的压力。
导管的一端连接到压力传感器，另一端则经过皮肤插入颅内。
这种方法可以持续测量颅内压力，并且可以通过导管进行脑脊液排出，以减轻颅内压力。
2. 颅内压监测光纤：这是一种较新的颅内压力测定方法。
通过将光纤插入脑室或者颅内组织中，可以测量光信号在光纤中的传播时间，并将其转化为压力值。
这种方法可以提供连续的颅内压力监测，并且相比传统的导管方法，光纤不会引起组织损伤，且可以适用于长时间监测。
3. 颅内压力监测脑电图：这是一种结合脑电图和颅内压力测定的方法。
通过在患者头皮上放置电极，并记录脑电活动，可以间接地推测颅内压力的高低。
当颅内压力升高时，脑电图中会出现不同的改变，如慢波增加、α波消失等。
这种方法适用于对颅内压力进行初步评估，但不能提供准确的数字测量结果。
4. 脑部影像学检查：脑部影像学检查，如头颅CT扫描和头颅MRI，也可以提供对颅内压力的间接评估。
通过观察脑部影像学特征，如脑组织变形、脑实质扩张等，可以推测颅内压力的高低。
然而，这种方法只能提供颅内压力的大致范围，不能提供准确的数字测量。
总之，颅内压力测定方法可以帮助医生评估和监测颅内压力，指导颅内病变的治疗和管理。
在选择合适的测定方法时，应根据患者的具体情况综合考虑各种因素，如病情严重程度、监测时间需求、测定准确度等。
此外，在进行颅内压力测定时，应严格遵循无菌操作规范，以避免感染等并发症的发生。
颅内压监测常用的方法
颅内压监测常用的方法颅内压监测是指对脑组织内压力的实时监测和记录。
它是重症医学领域的一项重要技术，能够帮助医生评估脑组织的灌注状态和缺血缺氧情况，指导治疗决策，并对预后进行预测。
下面将介绍常用的颅内压监测方法。
1.硬膜外传感器(Hardliner)：硬膜外传感器是一种直接测量硬脑膜外腔压力的方法。
通过将传感器插入患者颅外，将其与压力传感器相连，可以实时监测颅内压力的变化。
相比于其他方法，硬膜外传感器具有便捷操作、可重复使用、低风险和较低成本等优势。
然而，由于其位置与脑实质之间仅有一层硬脑膜相隔，容易出现误差，同时还需要定期调校和校准。
2.颅内压描记术(Intraventricular Catheter)：颅内压描记术是一种将导管植入患者脑室内，通过外接压力采样器实时测量脑室内压力的方法。
这种方法可以直接测量颅内压力，最为准确，被广泛应用于颅内压监测。
但是，颅内压描记术需要进行手术植入，创伤性较大，术后并发症如感染、出血等风险也较高。
3.透明硬膜下腔(MEP)：透明硬膜下腔(MEP)是一种通过经前臂置入的导管连接到透明硬膜下空间进行颅内压力监测的方法，它通过患者的生理波动和脑脊液的静水柱压力来测量颅内压力。
相对于硬膜外传感器和颅内压描记术，透明硬膜下腔具有更低的并发症风险，更为安全。
4.颅底超声波：颅底超声波是一种无创测量颅内压力的方法。
通过超声波的技术，可以测量颅底的动脉浆液动态变化和浓缩度，从而间接反映颅内压力的变化。
这种方法具有无创、安全、方便等优点，但因测量位置有限，所以精度尚有待提高。
5.瞳孔变化监测：颅内压力升高时，可以引起瞳孔的改变。
瞳孔变化监测是一种间接测量颅内压力的方法，通过观察瞳孔的直径、光反射和对光反应等变化可以推测颅内压力的升高程度。
虽然这种方法操作简单，但只能作为初步的筛查指标，需要结合其他监测手段进行综合评估。
在临床实践中，选择适当的颅内压监测方法要根据患者的具体情况和相关医疗资源的可用性来决定。
颅内压监测技术
无创监测技术
人工智能辅助数据解读
开发无创的颅内压监测技术是未来的 一个重要研究方向，可以减少感染的 风险和其他并发症。
利用人工智能技术辅助医生解读颅内 压数据，可以提高诊断的准确性和效 率。
远程监测
随着远程医疗技术的发展，远程颅内 压监测也成为了一个研究热点，这将 使患者在家中也能得到持续的监测。
05
颅内压监测技术主要用于诊断和治疗脑部疾病，如脑外伤、脑出血、 脑肿瘤等，通过监测颅内压的变化，为医生提供诊断依据，指导治疗 和评估治疗效果。
工作原理
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压力传感器
数据传输
数据处理
颅内压监测技术通常使用压力传感器来测 量颅内压力。传感器通常放置在颅骨上或 脑组织内，能够实时监测颅内压力的变化 。
传感器将监测到的压力数据通过无线或有 线的方式传输到外部设备，如监护仪或计 算机上，以便医生实时查看和记录。
局限性
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侵入性
大多数颅内压监测技术需 要侵入性操作，这增加了 感染的风险和其他潜在并 发症。
设备依赖
使用颅内压监测技术需要 依赖专业的设备和技能， 这可能限制了其在某些医 疗设施中的使用。
数据解读
颅内压数据需要专业的医 生进行解读，而且数据的 解读可能受到多种因素的 影响。
未来发展方向
颅内压监测有助于判断手术效果，例如在脑肿瘤切除手术后 ，如果颅内压持续升高，可能提示肿瘤切除不彻底或有其他 并发症，需要进一步处理。
重症监护病房
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在重症监护病房中，颅内压监测是评估患者病情的重要手段之一。对 于颅脑外伤、脑出血等重症患者，持续监测颅内压可以及时发现颅内 压升高或降低的情况，为医生提供治疗依据。
颅内压监测PPT课件
监测设备的正确使用
确保设备安装正确，避免误差和干扰， 确保监测数据的准确性和可靠性。
监测数据的解监测数据，分析患者的颅内 压变化情况，判断病情状况和治疗效果 。
VS
监测数据的处理
THANKS
严重的颅内压增高可能 导致脑疝，这是一种危 及生命的紧急情况，需
要立即就医。
02 颅内压监测的方法
颅内压监测的直接方法
脑室内监测
通过在脑室内放置压力传感器， 直接测量脑脊液压力，反映颅内
压水平。
硬膜下监测
在硬膜下放置压力传感器，监测硬 膜下腔的压力，间接反映颅内压。
脑实质内监测
在脑实质内植入压力传感器，直接 测量脑实质内的压力，反映颅内压。
颅内压监测的间接方法
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临床观察
通过观察患者的意识状态、 瞳孔变化、生命体征等指 标，间接评估颅内压。
腰椎穿刺压力测量
通过腰椎穿刺测量脑脊液 压力，间接反映颅内压水 平。
经颅多普勒超声
利用超声波测量颅内血流 速度，间接评估颅内压。
颅内压监测的优缺点
优点
直接测量颅内压力，准确度高；能够 实时监测颅内压变化，有助于及时发 现和干预颅内压升高。
详细描述
脑积水是指脑脊液循环障碍导致颅内压升高，引发头痛、呕吐等症状。通过颅内压监测，医生可以了解患者颅内 压情况，判断病情严重程度，制定合适的治疗方案，如药物治疗、手术治疗等。同时，监测颅内压的变化情况还 可以评估治疗效果，指导后续治疗。
04 颅内压监测的注意事项
监测设备的选择与使用
监测设备的选择
对颅内压监测数据进行整理、分析和存储 ，为临床诊断和治疗提供科学依据。
颅内压监测
颅内压监测一、颅内压监测方法（一）有创颅内压监测技术除麻醉诱导至切开硬脑膜期间可用颅内压监测观察麻醉药物和操作对颅内压的影响外，一般多用于术后监测，以指导降颅压治疗，主要有以下方法：1.腰部脑脊液压测定方法简单，校正及采集CSF容易，但有增加感染的可能，对已有脑疝的患者风险更大，也有损伤脊髓的报道。
2.硬脑膜外ICP测定由于硬脑膜外腔不能通过液体传感，只能通过气体压力传感器或将压力传感器直接放置在硬脑膜外，术中使用受到限制，多用于术后监测。
3.硬脑膜下ICP测定将压力传感器直接放置在硬脑膜下直接测压，数据不如脑室内置管精确可靠。
4.脑室内置管测定ICP将导管置入侧脑室内，传感器的零点与外耳道水平进行测定。
此法必须钻孔穿刺脑实质，长时间留置导管有一定难度，易合并感染、出血。
对已有脑室系统梗阻的患者其价值受影响。
5.脑实质内ICP监测采用光导纤维导管通过钻孔插入脑实质，压力通过导管末端光反应膜的运动被感应，通过数字或类似方式来显示。
在放置前必须进行系统校正，该系统抗干扰强，可正确反映ICP变化，但费用昂贵，操作过程中神经组织如有梗阻可以破坏光导纤维，使ICP波形出现误差。
（二）无创颅内压监测技术1.经颅多普勒通过观察高颅压时的脑血管动力学改变来估计ICP。
由于脑灌注压（CPP）为平均动脉压（MAP）减去ICP。
脑血流（CBF）与CPP成正比，与脑血管阻力（CVR）成反比，即CBF＝（MAP-ICP）/CVR。
当脑血管自动调节功能存在时，ICP升高，CPP降低，脑小动脉扩张，CVR减小以保持脑血供恒定，此时舒张压（DBP）比收缩压（SBP）下降明显，故脉压差增大，而反映脉压差的搏动指数（PI）、阻力指数（RI）增高。
当ICP持续增高时，脑血管自动调节功能减退，脑循环减慢，CBF减少，收缩期血流速度（Vs）、舒张期血流速度（Vd）、平均血流速度（Vm）均降低。
TCD监测ICP能反映脑血流动态变化，并可观察脑血流自身调节机制是否完善。
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第一节颅内压监测颅内压(intrａｃｒanｉal ｐｒessｕre、IＣＰ)就是指颅内容物(脑组织、脑脊液、血液)对颅腔壁得压力、颅内压增高就是指颅内压持续超过15mmＨg(２0ｃmH2O 或2、00kＰａ)。
多种重症神经系统疾病,如颅脑创伤、脑血管疾病、脑炎、脑膜炎、静脉窦血栓、脑肿瘤等,多伴有不同程度得颅内压增高、颅内压增高可使患者出现意识障碍,严重者出现脑疝,并可在短时间内危及生命。
颅内压监测对判断病情、指导降颅压治疗方面有着重要得临床意义。
进行颅内压监测同时应该关注脑灌注压(CP Ｐ),为避免灌注压过高造成成人呼吸窘迫综合征(ＡＲDＳ) ,重型颅脑外伤治疗指南建议脑灌注压不宜超过７０mｍ Hg,并避免低于50ｍm Hg,对脑血流、脑氧及脑代谢得辅助监测也有利于脑灌注压得管理。
【适应证】颅内压监测指征:(1)颅脑损伤:①GＣS评分3 ～8分且头颅CＴ扫描异常(有血肿、挫裂伤、脑肿胀、脑疝或基底池受压);②评分3~8分但CT无明显异常者,如果患者年龄> 40岁,收缩压〈90mm Ｈg(lmｍHg ＝０、１33 ｋｐa)且高度怀疑有颅内病情进展性变化时,根据具体情况也可以考虑进行颅内压监测;③Gｃｓ9—12分,应根据临床表现、影像资料、就是否需要镇静以及合并伤情况综合评估,如患者有颅内压增高之可能,必要时也行颅内压监测。
(2)有明显意识障碍得蛛网膜下腔出血、自发性脑出血以及出血破人脑室系统需要脑室外引流者,根据患者具体情况决定实施颅内压监测。
(3)脑肿瘤患者得围手术期可根据患者术前、术中及术后得病情需要及监测需要进行颅内压监测。
(4)隐球菌脑膜炎、结核性脑膜炎、病毒性脑炎如合并顽固性高颅压者,可以进行频内压监测并脑室外引流辅助控制颅内压。
【操作方法及程序】１、有创颅内压监测(1)操作方法:根据传感器放置位置得不同,可将颅内压监测分为脑室内、脑实质内、硬膜下与硬膜外测压(图1)。
按其准确性与可行性依次排序为:脑室内导管＞脑实质内光纤传感器〉硬膜下传感器＞硬膜外传感器。
图1室内压力监测:就是目前测量颅内压得金标准、它能准确地测定颅内压与波形,便于调零与校准,可行脑脊液引流,便于取脑脊液化验与脑内注射药物,安装技术较简单、无菌条件下,选右侧脑室前角穿刺,于发际后２cm(或眉弓上9ｃm),中线旁2. 5ｃm处颅骨钻孔,穿刺方向垂直于两外耳道连线,深度一般为4～7cｍ。
置入内径1～1。
５ｍm带探头得颅内压监测导管,将导臂置入侧脑室前角,将导管得颅外端与传感器、换能器及监测仪相连接。
将传感器固定,并保持在室间孔水平(图２)。
如选用光导纤维传感器须预先调零,持续监测不会发生零点漂移。
如选用液压传感器,则监测过程中成定时调整零点、图２优点:颅内压测定准确。
方法简单易行;可通过导管间断放出脑脊液,以降低颅内压或留取脑脊液化验,适用于有脑室梗阻与需要引流脑脊液得患者。
缺点:易引起颅内感染、颅内出血、脑脊液漏、脑组织损伤等并发症;脑室移位或受压、塌陷变小置管困难。
②脑实质测压:就是目前国外使用较多得一种颅内压监测方法(图3)。
操作方便,技术要求不高。
在额区颅骨钻孔,将光纤探头插入脑实质(非优势半球额叶)内2～3cm即可。
图３优点;测压准确,不易发生零点漂移,创伤小、操作简便;容易固定;颅内感染发生率低。
缺点:创伤稍大;拔出后不能重新放回原处;价格较昂贵。
③硬脑膜下(或蛛网膜下隙)压力监测(亦称脑表面液压监测):用于开颅术中,将微型传感器置于蛛网膜表面或蛛网膜下隙,可对术中与术后患者进行颅内压监测(图4)、因为没有硬脑膜得张力与减幅作用,测量结果比硬膜外法更可靠。
图4优点:颅内压测定准确,误差小、缺点。
传感器置人过程复杂;置入时间受限,一般不超过l周;易引起颅内感染、脑脊液漏、脑组织损伤、颅内出血等并发症、④硬脑膜外压力监测:于颅骨钻孔或开颅术中,将光纤传感器或电子传感器置于硬脑膜与颅骨之问,紧贴硬脑膜(图5),硬脑膜外压力比脑室内压力高2~３mｍHg(0、2７～0. ４0kPa)。
图5优点:保持硬脑膜得完整性,减少颅内感染、出血等并发症;监测时间长;不必担心导管堵塞;患者活动不影响测压,监测期间易于管理。
缺点:由于硬脑膜得影响有时不够敏感,影响监测得准确性l光纤传感器价格昂贵。
颅内压分级(表3—１):(2)颅内压监测波形分析:监测颅内压得同时可记录到相应得波形,有A、B、Ｃ３种类型。
根据波形得变化可以了解颅内压增高得程度。
①Ａ波(高原波):为颅内压增高特有得病理波型,即颅内压突然升至５0～l00mmＨg (6。
67～13. ３ｋPa),持续5～20min。
后骤然下降至原水平或更低,可间隔数分钟至数小时不等反复出现,也可间隔相同时间反复出现,提示颅腔得代偿功能濒于衰竭、此种波型除见于脑水肿外,还可见于脑血管麻痹、颅内静脉回流障碍。
反复得A型波发作提示脑干压迫与扭曲严重,脑血液循环障碍,部分脑组织出现“不再灌流”现象,脑功能发生不可逆得损害、②B波:为振荡波中较多见得一种,呈较恒定得节律性振荡,没有其她波夹杂其间,颅内压可高达20～30mmHg,振幅〉5mmHg,每分钟０、5～2次,颅内压上升呈较缓得坡度,而下降则较陡峭,顶端多呈明显尖峰,亦多发生于晚间与睡眠时。
“斜坡"波(raｍp wavｅ)为Ｂ波得变异,可见于脑积水得病人、B波得发生常与周期性得呼吸变化而改变得PaＣO2有关。
因此B波得发生也就是与脑血容量得增减有关、上升支开始时呼吸较慢,而后逐渐加快,下降支呼吸也就是较快得,当呼吸节律快到足以使PaCO2下降时,则脑血管收缩,颅内压迅速下降。
③C波:正常或接近正常压力波型,压力曲线较平坦,存在与呼吸、心跳相一致得小得起伏、呼吸运动时胸腔内压力影响上胶静脉回流,导致静脉压力变化,脑血容量发生变化,颅内压亦随之波动,波幅为5～ｌ0ｍmHg、由于心脏得每一次搏出引起动脉扩张,因而颅内压亦随心跳波动,波幅为2～4mmＨg。
2.无创压内压监测颅内压监测方法最初多为有创得,但技术条件要求高、价格较昂贵,且并发症多;近年来无创性颅内压监测有了很大发展并成为新得热点。
(l)经颅多普勒(TｒanscｒａniａｌDoppｌeｒ。
TCＤ):TＣD搏动指数(pulsaｔｉｌｉt ｙｉndex,PＩ)与ICP水平密切相关,临床上可用TCD观察脑血流动力学变化,从而间接监测IＣＰ,因此,可以利用ＴＣD进行连续监测ＩCＰ,并可评价药物对IＣＰ得治疗作用。
优点:技术操作方便、无创、快速、可重复,能床旁监测;能反应脑血流动态变化;可观察ＩＣP增高时脑血管自动调节功能得变化,提示临床积极治疗得时机。
缺点:TＣD测量得就是流速而非流率指标,脑血管活性受多种因素(PａCＯ2、PａO2、pH、血压,脑血管得自身调节)影响时。
ICP与脑血流速度得关系会发生变化,用TCD准确算出ICP 有一定困难;TＣD表现血流速度增加时,须鉴别就是脑血管痉挛还就是脑功能损伤后脑过度灌注。
(2)视网膜静脉压:在正常情况下,由于视网膜静脉经视神经基底部回流到海绵窦,视网膜中央静脉压≥IＣＰ。
ICP影响视网度静脉压得部位为视神经基底鞘部、ICP增高将导致视盘水肿与视网膜静脉搏动消失,视网膜动脉压测定为瞬间测定IＣP提供了方便、实用得检测方法,可以容易地重复测定,并且使用范围广,但不适合长期监测。
(3)诱发电位①体感诱发电位(Somatoｓenｓory evoｋed potｅntiaｌ、ＳEＰ):ＳＥP按其各成分得峰潜伏期长短,分为短潜伏期ＳＥP、中潜伏期SEP与长潜伏期ＳEP、中潜伏期SEP与长潜伏期SEP较易受意识状态得影响,而短潜伏期SＥP不易受意识得影响,并且各成分得神经发生源相对明确,因此较广泛地用于临床监测。
②脑干听觉诱发电位( braｉnstem audiｔoｒｙevoｋed potentiaｌ,BAEP):颅内压增高会导致脑干功能受损,BＥAP表现为按波V一Ⅳ一Ⅲ一Ⅱ一I顺序,随着颅内压得增高,各波潜伏期逐渐延长,波幅降低,甚至消失。
BAＥP这几个波在听觉传导通路中有其特定得发生源、V 波为(中脑)下丘;Ⅳ波为(脑桥上部)外侧丘系及其核团;Ⅲ波为(脑桥下部)上橄榄核;Ⅱ波为(延髓脑桥交界)与耳蜗核紧密相连得听神经与耳蜗核; I波为与耳蜗紧密相连得听神经。
③视觉诱发电位(Visｕａｌevｏked poｔｅnｔｉａl,VEP):闪光视觉诱发电位(flａsｈvｉsuaｌevｏked ｐｏtｅｎｔial.ｆ-ＶEＰ)与ＩCＰ相关.ICＰ增高时,P1、N2与P2潜伏期延长。
在急性脑功能损伤时,VＥP变化可能早于临床测得得ＩCP增高,预示颅内容量增加。
对诱发电位监测IＣP得评价:优点:用于危重患者脑功能得监测,同时帮助推测ICＰ与判断预后、局限性:EP就是反映脑功能得电生理指标,易受其她生理因素(PaCＯ2、PaO2、pH、低血压等)、代谢因素(肝性脑病)得影响。
ＥP易受神经传导通路病变得影响,如周围神经病变、颈椎病等影响SEＰ;耳聋、乳突外伤等影响BAＥP;严重视力障碍、眼底出血等眼部疾病影响VEP。
颅内局灶性病变对体感、听觉与(或)视觉传导通路得破坏、压迫影响ＥP得检查结果、深昏迷与脑死亡时ＥP波形消失,难以反映ICP。
【并发症】在有创颅内压监测时可能发生:１、感染监测过程中应始终注意无菌操作.一般监测3～４d为宜,时间长感染得机会也增多、轻者为伤口感染,重者可发生脑膜炎、脑室炎与脑脓肿等。
(１)硬脑膜外/下ICＰ监测系统:感染发生率为0～11、6％。
感染得类型包括脑膜炎、骨髓炎、局部伤口感染等。
避免CSＦ从伤口渗漏。
预防监测系统脱连接与减少不必要得操作(如管道冲洗)可明显降低发生脑膜炎得危险。
(2)脑室置管监测:虽然伤口感染得发生率较低,但脑室炎得发生率较高(〈26.8％)。
对伤口及导管穿出部位得护理措施不得力、系统得冲洗与其她操作(如脑室造影)、存在ＣSF口鼻漏或鼻漏以及脑室内出血等因素均可增加感染得发生率、相反,将脑室测压管埋置皮下隧道穿出法则可降低感染得发生率。
(3)光纤导管ICP监测系统:合计感染得可能性相对较小。
2.颅内出血虽然其发生率较低(0。
2％~1.4％),但却为IＣＰ监测中得严重致命性并发症,其发生率与监测方法直接相关.与脑实质内监测装置相比,脑室内监测装置更易发生出血并发症。
另外,颅内出血亦与凝血机制障碍或监测系统安置中得多次穿刺有关。
预防:在安置ICP监测系统前,应纠正存在得凝血功能异常。
在安装技术方面,应避免反复穿刺,并应防止ＣSF引流过快或将ICP降至不合理得低水平。
在进行CSF引流得清醒病人,防止其随意变动CSF引流系统得状态极为重要。
３。
医源性颅内高压由于颅内容量增加所致得意外性ICP增高就是应用脑室穿刺时得潜在并发症,通常发生在技术失误得情况下。