2017年清华大学微电子832考研真题回忆
清华大学827电路学考研真题
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目前，众多小机构经常会非常不负责任的给考生推荐北大、清华、北外等名校，希望广大考生在选择院校和专业的时候，一定要慎重、最好是咨询有丰富经验的考研咨询师.清华大学827电路学考研真题二、分述1、（1）理想变压器+并联谐振：理想变压器的副边借有并联的电感与电容，告诉了电感与电容支路的电流表读数相等，由这个条件可求出电路工作的频率值，再代入原边的电感值计算得到原边电路的阻抗，最后求出原边电流；(2)卷积：是一个指数函数和一个延时正比例函数的卷积，直接用公式计算即可，可以把指数函数选作先对称后平移的项，这样只需分三个时间段进行讨论即可；2、三相电路：（1）电源和负载均为星形连接，且三相对称，直接抽单相计算线电流；（2）共B接法的二表法测电路的三相有功功率，要画图和计算两块功率表的读数，注意的读数为负数；（3）当A相负载对中性点短路后求各相电源的有功，先用节点法求出各相电流，再计算各相电源的有功功率；3、理想运放的问题：共有2级理想运放，其中第一级为负反馈，第二级为正反馈，解答时先要判断出这一信息，然后（1）求第一级的输出，因为第一级运放是负反馈，故可以用“虚断”和“虚短”，得到输出（实为一个反向比例放大器）；（2）求第二级的输出，因为是正反馈，所以“虚断”仍成立，但“虚短”不成立，不过，由正反馈的性质，运放要么工作在正向饱和区，要么工作在反向饱和区，即输出始终为，故可以假设输出为其中一个饱和电压，比较反相输入端和非反相输入端的电压值即可确定第二级的输出（实为一个滞回比较器）；4、一阶电路的方框图问题：动态元件是电容，它接在方框左端，首先告诉了方框右端支路上的电流的零输入响应，由此可得从电容两端看入的入端电阻，即为从方框左端看入的Thevenin等效电阻，其次可得到时刻的电量，画出这个等效电路图；然后改变电容值，改变电容的初始电压值，并在方框右端的支路上接上一个冲激电压源，求电容电压的响应：可以利用叠加定理，分解为零输入响应和零状态响应分别求解，零输入响应可根据前述Thevenin等效电阻直接写出，零状态响应可以先用互易定理（因为方框内的元件全是线性电阻，满足互易定理）结合前述“时刻的电量，画出这个等效电路图”得到左端的短路电流，再由Thevenin等效电阻进而得到从电容两端向右看入的Thevenin等效电路，然后先求阶跃响应，再求导得到冲激源作用下的冲激响应；最后叠加得到全响应；5、列写状态方程：含有一个压控电流源的受控源，有2个电容和1个电感，用直接法，最后消去非状态变量即可得解答；6、含有互感的非正弦周期电路（15分）：（1）求电感电流，互感没有公共节点，无法去耦等效，只能用一般方法解，该题的电源有2种频率，有3个网孔，2个电感和1个电容，最关键的是左下角网孔的电源是电流源，因此可以设出电感电流的值，再由KCL表示出剩余支路的电流，最后对某一个网孔列写KVL，解方程即可得到要求的电感电流的值，只需列写一个方程，但要注意正确地写出互感电压的表达式；（2）求电流源发出的功率，由第一问的解求出电流源两端的电压，即可得到解答；7、含有理想二极管的二阶电路：需要判断理想二极管何时关断、何时导通，这是解题的关键。
北京大学-831-2017-真题回忆版
B.312.
C.313.
D.314
6.一棵左子树为空的二叉树在先序线索化后，其中空的链域个数是（ ）
A.0.
B.1.
C.2.
D.不确定
7.设有向图 G 是具有 10 个顶点的强连通图，则 G 至少有（ ）边
A.45．
B.90.
19..系统采用各种读写策略来提高磁盘操作的性能，但不包括 A.预先读 B.延迟读 C.预先写 D.延迟写
20.下列关于文件目录的主要作用描述，正确的是（ ） A.按名存取 B.提高外设利用率 C.节约磁盘空间 D.提高访问速度
21.TCP/IP 协议体系结构中的应用层一般包括 OSI 协议体系结构中的（ ） A.应用层和表示层 B.表示层和会话层 C.会话层和运输层 D.应用层，表示层和会话层
14.用户程序执行时，使模式切换的原因不可能是（）
A.出现中断事件
B.发生异常
C.执行系统调用
D.程序内跳转
15. 管程中的条件变量，主要作用是（） A.管理等待程序 B.表示资源数量 C.申请资源
D.回收资源
16. 关于信号，描述不准确的是（）
A.信号是进程通信机制
B.信号是软件中断
C.信号是进程同步机制
D.信号可用于程序异常处理过程
17.某系统内存容量 4GB，页面大小 4KB，采用反置页表，一个页表项需 4B。当系统中有 40
个进程（设每个进程用 1GB 地址空间）时，反置页表占用的内存容量是（ ）
A. 4MB
B. 10MB
C. 20MB
D. 40MB
18.下面页面替换算法中，缺页率从小到大的顺序通常为（ ） Ⅰ.最佳替换算法 Ⅱ.先进先出 Ⅲ.最近最少使用 A.Ⅰ，Ⅱ，Ⅲ B.Ⅰ，Ⅲ，Ⅱ C.Ⅲ，Ⅰ，Ⅱ D.Ⅲ，Ⅱ，Ⅰ
电子科技大学(成都)考研历年真题之832微电子器件2008--2015年考研真题
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共 48 分，每空 1.5 分） 1、PN 结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（ （ 高而（ ）向偏置的
微电子器件 试题共 6 页，第 1 页
） ，因此τb/τB 可以表示 ） 。 ）的控制能力。 ） 。 （第二个空填 “大” 或 “小” ，
） ， 该控制能力越 （
）单向导电性。 （从以下选项中选择） C 空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层
8、MOSFET 的跨导是（
）特性曲线的斜率，而漏源电导是（
）特性曲
3、防止 PN 结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（ （
）的半导体材料，其热稳定性越好。 （第二个空填“大”或“小” ） ） ，共发射极增量输
4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（ 出电阻越（ ） 。 （填“大”或“小” ）
5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb 和τB，则 1/τB 表示的物理 意义为（ （ 6、MOSFET 的亚阈区摆幅 S 反应了在亚阈区中（ 栅氧化层越厚， 则S越 （ 第三个空填“强”或“弱” ） 7、当金属和 P 型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表 面将形成（ A 电子阻挡层 E 具有 ） ，该结构（ B 电子反阻挡层 F 不具有
2、一个 NPN 双极型晶体管，掺杂浓度为 NE=5×1018cm-3，NB=5×1016cm-3，NC=1×1013cm-3，发 射区和基区宽度为 WE=10µm，WB=2µm。偏置条件为 IB=2mA，VBC=-3V。电子和空穴的扩散 系数分别为 Dn=40cm2/s 和 Dp=20cm2/s，电子和空穴的寿命均为 1µs。求： （1） 器件的共发射极直流短路电流放大系数 β 为多少？ （2） 器件的跨导 gm 为多少？ （10 分）
电子科技大学832微电子器件17年考研真题
考试科目：832 微电子器件一、填空题（共45分，每空1.5分）1、根据输运方程，载流子的（扩散）电流主要与载流子浓度梯度相关，而（漂移）电流主要与载流子浓度相关。
2、俄歇复合的逆过程是（碰撞电离）。
3、当PN结反偏时候，反向电流由（少子）扩散电流和势垒区（产生）电流构成。
4、在二极管的反向恢复过程中，中性区存储的非少子浓度降低有两个原因，一是（载流子复合），二是（反向电流抽取）。
5、薄基区二极管是指P区和N区中至少有一个区的长度远小于该区的（少子扩散长度）。
在其它条件相同的情况下，薄基区二极管的中性区宽度越（小），扩散电流越大。
6、（热击穿）又称为二次击穿，这种击穿通常是破坏性的。
7、双极型晶体管的基区少子渡越时间是指少子在基区内从发射结渡越到集电结的平均时间，等于（基区非平衡少子电荷）除以基区少子电流。
8、半导体薄层材料的方块电阻与材料的面积无关，而与（掺杂浓度）和（厚度）相关。
（备注：填电阻率和厚度也可以）。
9、双极型晶体管的电流放大系数具有（正）温度系数，双极型晶体管的反向截止电流具有（正）温度系数。
（填”正”，”负”或”零”）10、双极型晶体管用于数字电路时，其工作点设置在（截至）区和（饱和）区；MOSFET用于模拟电路时，其直流工作点设置在（饱和）区。
11、由于短沟道器件的沟道长度非常短，起源于漏区的电力线将有一部分贯穿沟道区终止于源区，造成源漏之间的（势垒高度）降低，从而造成漏极电流的（变大）。
（第二个空填”变大”，”变小”或”不变”）12、高频小信号电压是指信号电压是指信号电压的振幅小于（KT/q）；高频小信号通常是叠加在（直流偏置）上的。
13、MOSFET漏源击穿的机理有两种，一种是（漏极PN结击穿），一种是（沟道穿通）。
14、漏源交流短路的情况下，MOSFET的（沟道载流子）电荷随（栅极）电压的变化，定义为MOSFET的本征栅极电容。
15、长沟道MOSFET的跨导与沟道长度（成反比），与栅源电压（成正比），而发生速度饱和的短沟道MOSFET的跨导与沟道长度（无关）。
2017年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题
2017年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题******************************************************************************************** 学科、专业名称：080902电路与系统、080903微电子学与固体电子学、081001 通信与信息系统、081002 信号与信息处理、085208电子与通信工程（专业学位）研究方向：各方向考试科目名称：823 电子技术基础考生注意：所有答案必须写在答题纸（卷）上，写在本试题上一律不给分。
一、简答题（共4小题，每小题5分，共20分）1. 电路如图1所示。
（1）电路实现什么功能？（2）以下三种情况下，输出电压的平均值将分别怎样变化？（a）二极管D1开路；（b）二极管D1短路；（c）负载R L开路。
图12. 现有一个输出电阻为R O的放大电路，正常工作情况下，测得负载开路时的输出电压有效值为U O，接上负载R L后，测得其输出电压有效值为0.5U O，则此电路的输出电阻R O与负载R L之间存在怎样的关系？3. 电路如图2所示。
C1为耦合电容，C2、C3为旁路电容。
其中，T1和T2分别构成了什么接法的放大电路？判断电路是否可能产生正弦波振荡，简述原因。
若能产生正弦波振荡，说明石英晶体在电路中呈容性、感性还是纯阻性？A1u OA27VR1R2R3+15V12V10kΩu IR4200Ω10kΩ10kΩR51kΩD1D2D Z图2 图34. 图3电路中，已知A1、A2均为理想运算放大器，其输出电压的两个极限值为±14V。
说明电路实现什么功能？并画出其电压传输特性曲线。
考试科目：823 电子技术基础共 4 页，第 2 页4. 差分放大电路如图7所示。
设晶体管T 1、T 2特性参数相同，且β＝50，r be ＝1 k Ω。
计算：（1）差模电压放大倍数I2I1Ou u u A ud -=；（2）差模输入电阻R id ； （3）输出电阻R od 。
2017考研清华大学832真题回忆
然后好像就是器件大题了，就是简单计算，二极管电流计算，mos阈值电压计算，mos漏源电流计算，记几个公式就都会做了，今年器件考的十分简单，主要坑爹的是不让带计算器。但是有一题是考了能态密度，费米分布函数，这个需要半导体物理的基础。
数电考的和往年真题重复率很高，反码补码，逻辑函数化简，同或门cmos电路，施密特触发器（这题考了好多年。。连问的东西都一样），最后一题应该是压轴题，考计数器设计，要求可控加减计数，实在是没时间做了。
十二道大题，第一大题填空题，很基础很基础，而且和往年真题重复率挺高。记得有滤波器，自激震荡条件什么的。
第二题是一个简单的共源放大器，连沟长调制效应都不考虑，算算直流工作点，增益，增益带宽积，输出摆幅。应该都会吧。。
第三题考运放。这题我总感觉试题印刷是不是出错了。。。考了那些理想运放电路的的运算关系什么的，最后还考了非理想修正。
2014清华微电子初试复试题目回忆
2014清华微电子初试复试题目回忆一：今年的内部情况这部分可能是大家最关心的部分，我只讲具体情况不讲经验，以免误导大家，这些情况足够使得下一届的同学们做出正确的决定。
如果希望自己一年的努力不白费的话，你必须要具备一个能力即基本准确的预测明年的趋势及对自己的能力有个清楚的认识。
反正选择大于努力，选错了你就算是再努力也许也得不到你所想要的回报，当然努力一定有回报。
2014年微电子学术型录取了3个，至于进入复试多少分不知道，学术型初试有831考半导体物理，器件，模拟集成和数字集成，初试和复试笔试按招生目录上是一样的，面试的时候根据面试学术性的同学了解问的东西也有很多来自这几本书，当然不全是哈。
还有828 信号系统这个是电子系出的题目，今年电子系的情况是大部分同学专业课集中在60～90分之间，当然这个并不十分准确哈，复试笔试考得数字集成和电子线路，有少量半导体题目，尽量避免选这个吧！工程的录取线320 只要上线基本都录取了，初试考得是电子线路高文焕，半导体物理器件尼曼的，和数字电路阎石的。
考工程同学们关心的问题: 首先是去深圳的问题老师的说的原话是学校让去一年，微电子所目前为止还是去半年。
选导师是在开学后选，所以你也不用绞尽脑汁考虑在复试前联系导师。
读博士的问题，老师的意思是如果不是直博你别想在清华读博士，老师不会考虑留名额给你考，实在要读可以出国，不过有个去鲁文大学交换的机会，毕业给发两个证。
就业以及工程硕士培养的问题老师的话说不存在这个问题，跟学术一样，其实担心这个问题就有点扯淡了啊，每个学校都是一个老师带一个学术几个专硕做同样的项目，你想有区别都难。
有些可能会关心是否有去企业做项目，就是学习在企业里面那种，老师说的如果你喜欢可以去。
这就是那次开招生咨询会所透露出的信息，很多师弟师妹们跑去听，其实他们就能知道这么多。
二：专硕半导体器件，电子线路和数字电子技术初试题目回忆第一题：半导体物理和器件的几个判断题，很简单都是基本概念，只要认真学习，不会错，比如PN结参杂浓度高的一边耗尽区的宽度大等第二题：解释半导体，金属及绝缘体的导电特性及其原理第三题：一个NN+结，画他的能带图和载流子分布图，计算它的接触电势第四题：一个BJT三极管，计算考虑禁带变窄效应时的发射集注入效率，计算集电极电流及只有一个电压点Vcb计算Va, 不考虑禁带变窄效应时计算那三个系数。
2017年清华大学微电子832考研真题回忆
研途宝考研/zykzl?fromcode=9820今年整体来说比较难吧，我个人觉得难，器件重半导体物理部分，后面的器件基本没怎么考，模点比以往偏，没有考差分运放，重在运算放大器的部分，数电前面简单，但是最后一题也比较难。
下面详细回忆下。
共11道题，前面器件，后模电，最后数电。
►第一道，让分析半导体的电阻率随温度的变化关系，画出曲线并分析。
►第二道，是半导体物理，告诉导带底和价带顶的能量与波矢的关系，求禁带宽度，空穴和电子的有效质量，还有电子从价带顶跃迁到导带底时的准动量变化。
►第三道，是一道计算扩散电流的题，还算简单，第二问求要使得电流为零所需加的电场强度。
►第四道，是mos管电流的计算，但是最后一问考了速度饱和，写个没复习，不知道怎么算。
器件好像就这么几道其他的想不起来了。
模电具体的题号我都忘了，只能说说考了那些点，研途宝考研/zykzl?fromcode=9820首先2011年的真题原题又考了，►第五题，有好几道简单的问答题，1.问BJT与MOS管的跨导电流比，为什么BTJ要大，2.饱和时的cmos小型号等效电路图，3.让根据一个电路图设计电路，这次应该是一个积分运算电路，4.根据一个电路图分析一个二极管的导痛还是截止，5.一个运放后面接一个mos管然后构成一个负反馈，分别在漏级和源级有两个输出电压，第一问判断输出极性和反馈组态，后面求对于两个输出电压的增益。
►第六题，是一个含有三个运算放大器组成的电路，让求各个电压，还有在不同的频率下的输出电压的幅值。
这题比较难，分值最大25分，还有什么我想不起来了，接下来的数电1.还是给两个二进制数，让求原码反码补码，求和，2.根据给的输出函数，用卡洛图化简电路图3.给一个触发器的时序图，让判断什么类型的触发器，触发方式是电平还是脉冲，研途宝考研/zykzl?fromcode=98204.给了一个38译码器和2位数据选择器求输出函数的表达式，并列出真值表。
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研途宝考研/zykzl?fromcode=9820今年整体来说比较难吧，我个人觉得难，器件重半导体物理部分，后面的器件基本没怎么考，模点比以往偏，没有考差分运放，重在运算放大器的部分，数电前面简单，但是最后一题也比较难。
下面详细回忆下。
共11道题，前面器件，后模电，最后数电。
►第一道，让分析半导体的电阻率随温度的变化关系，画出曲线并分析。
►第二道，是半导体物理，告诉导带底和价带顶的能量与波矢的关系，求禁带宽度，空穴和电子的有效质量，还有电子从价带顶跃迁到导带底时的准动量变化。
►第三道，是一道计算扩散电流的题，还算简单，第二问求要使得电流为零所需加的电场强度。
►第四道，是mos管电流的计算，但是最后一问考了速度饱和，写个没复习，不知道怎么算。
器件好像就这么几道其他的想不起来了。
模电具体的题号我都忘了，只能说说考了那些点，
研途宝考研/zykzl?fromcode=9820首先2011年的真题原题又考了，
►第五题，有好几道简单的问答题，1.问BJT与MOS管的跨导电流比，为什么BTJ要大，2.饱和时的cmos小型号等效电路图，3.让根据一个电路图设计电路，这次应该是一个积分运算电路，4.根据一个电路图分析一个二极管的导痛还是截止，5.一个运放后面接一个mos管然后构成一个负反馈，分别在漏级和源级有两个输出电压，第一问判断输出极性和反馈组态，后面求对于两个输出电压的增益。
►第六题，是一个含有三个运算放大器组成的电路，让求各个电压，还有在不同的频率下的输出电压的幅值。
这题比较难，分值最大25分，
还有什么我想不起来了，接下来的数电
1.还是给两个二进制数，让求原码反码补码，求和，
2.根据给的输出函数，用卡洛图化简电路图
3.给一个触发器的时序图，让判断什么类型的触发器，触发方式是电平还是脉冲，
研途宝考研/zykzl?fromcode=9820
4.给了一个38译码器和2位数据选择器求输出函数的表达式，并列出真值表。
5.让设计产生11位序列的序列发生器。
整体来说今年比去年难了好多，复习的重点反而没考，比如器件的pn结，mos管的阈值电压，三极管的计算都没考，重点在半导体物理部分，模电和以往也不一样，没有简单mos放大电路，也没有考差分运放，波特图等，重点是运算放大器的计算。
只有数电和往年差不多，只是最后一题依然做不来。
唉，考研也就这样了，来攒一波人品，只求过线啊。