半导体封装前沿技术
半导体先进封装技术
半导体先进封装技术半导体先进封装技术是近年来发展迅速的一项新技术。
该技术主要针对半导体芯片的封装，为其提供更好的性能和更广泛的应用。
本文将从概念、发展历程和技术特点三个方面，详细介绍半导体先进封装技术的相关信息。
一、概念半导体封装技术是将芯片连接到外部世界的必要步骤。
通过封装，芯片可以在工业、科学和家庭中得到广泛应用。
半导体先进封装技术是针对芯片的高密度、高性能、多功能、多芯片封装以及三维封装技术。
它已成为半导体工业中最具前景和应用价值的发展方向之一。
二、发展历程上世纪60年代，半导体芯片封装用的是双面线性封装（DIP）技术，随后发展为表面安装技术（SMT）。
到了21世纪初，半导体封装技术已经进入了六面体、四面体、三面体、2.5D、3D等多种复杂封装形式的时代，先进封装技术呈现出快速发展的趋势。
例如球形BGA （Ball Grid Array）、LGA（Land Grid Array）与CSP（Chip Scale Packaging）等，显示出线宽线距逐渐减小，芯片尺寸逐渐缩小以及集成度越来越高等特点。
三、技术特点1.尺寸小半导体先进封装技术封装的芯片尺寸比较小，能够在有限空间内实现高度复杂的电路功能，同时满足小型化和超大规模集成（ULSI）的发展趋势。
2.多芯片封装可以将多个芯片封装在一个芯片包裹里，可以大幅度减小封装尺寸，降低系统成本，提高系统性能和可靠性。
3.高密度高密度集成度意味着处理器芯片可以在一个很小的封装中实现超高性能，将更多的晶体管集成在芯片上，最终提高片上系统的性能。
4.三维封装技术三维封装是指在小空间中增加第三个方向的封装技术，采用多个芯片的Stacking，可以在有限的空间内增大电路，实现更高的功能。
以上就是半导体先进封装技术的相关信息。
可以看出，该技术的日益成熟和发展，正在推动半导体芯片的应用领域有了更多的可能性。
先进封装案例
先进封装案例随着科技的快速发展，集成电路（IC）的集成度和性能要求越来越高，传统的封装技术已经无法满足这些需求。
因此，先进封装技术应运而生，并成为当前集成电路领域的研究热点。
本文将介绍一些先进的封装案例，包括芯片堆叠技术、2.5D/3D集成、扇出型封装、晶圆级封装、集成无源器件、异构集成、高频电子、先进热管理、可靠性验证和先进材料应用。
一、芯片堆叠技术芯片堆叠技术是一种将多个芯片垂直堆叠在一起，实现三维集成的技术。
这种技术可以提高集成度、减小体积、降低成本，同时还可以提高信号传输速度和降低功耗。
例如，苹果公司的iPhone X采用了芯片堆叠技术，将多个芯片垂直堆叠在一起，实现了高性能的摄像头和处理器。
二、2.5D/3D集成2.5D/3D集成是一种将多个芯片通过硅中介层或直接在晶圆上集成在一起的技术。
这种技术可以实现更高密度的集成，提高芯片间的互连速度和降低功耗。
例如，AMD的Ryzen处理器采用了2.5D集成技术，将多个芯片集成在一起，实现了高性能的处理器。
三、扇出型封装扇出型封装是一种将芯片从传统的封装形式中解放出来的技术。
这种技术可以实现更高的集成度和更小的体积，同时还可以提高散热性能和降低成本。
例如，台积电的7纳米工艺采用了扇出型封装技术，实现了高性能的处理器和存储器。
四、晶圆级封装晶圆级封装是一种将多个芯片直接在晶圆上集成在一起的技术。
这种技术可以实现更高的集成度和更小的体积，同时还可以提高生产效率和降低成本。
例如，华为的Mate 20采用了晶圆级封装技术，实现了高性能的摄像头和处理器。
五、集成无源器件集成无源器件是指在芯片上集成的无源元件，如电阻、电容和电感等。
这种技术可以减小电路板的体积和重量，提高电路的性能和可靠性。
例如，德州仪器的MAX10系列微控制器采用了集成无源器件技术，实现了高性能的数字信号处理和控制器。
六、异构集成异构集成是指将不同类型的芯片或组件集成在一起的技术。
这种技术可以实现更高的性能和更小的体积，同时还可以提高生产效率和降低成本。
新型半导体光电子器件的集成与封装技术研究
新型半导体光电子器件的集成与封装技术研究随着现代科技的发展，半导体光电子器件在光通信、计算机、医疗、能源等领域扮演着重要角色。
为了提高半导体光电子器件的性能和集成度，研究人员们不断探索新型的集成与封装技术。
本文将重点探讨这些技术的最新研究进展。
一、背景随着信息技术与光学技术的快速发展，传统的电子器件已经无法满足市场对于高速传输和大容量存储的需求。
半导体光电子器件由于其光电转换效率高、带宽大以及体积小的特点，成为了未来的发展方向。
然而，单独的半导体光电子器件无法充分发挥其潜力，因此研究人员们开始探索新型的集成与封装技术。
二、集成技术的研究进展1. 混合集成技术混合集成技术将不同材料的光电子器件集成在一起，以实现更高的性能。
常见的混合集成技术包括通过微纳加工将器件聚合到一块衬底上，或者使用分离的光电子器件通过光波导进行数据传输。
此外，研究人员还通过材料和工艺的优化，提高不同材料的互补性，进一步提高了集成技术的效果。
2. 基于硅光子技术的集成硅光子技术是近年来较为热门的研究方向之一。
通过在硅基底上进行材料堆叠、控制光的传输和调控，研究人员成功实现了在硅上集成多个光电子器件的目标。
硅光子技术的发展为半导体光电子器件的集成与封装提供了新的思路和方法。
三、封装技术的研究进展1. 波导封装技术波导封装技术是一种将光学器件与光纤连接的封装方法。
通过在器件上制作波导结构，将光信号从光学器件导出并与光纤连接。
在波导封装技术的研究中，研究人员不断优化波导的制作工艺、材料选择以及耦合效率的提高，以提高封装的稳定性和性能。
2. 端面封装技术端面封装技术是一种将光学器件与外界相连的封装方法。
通过将光学器件的端面与光纤进行直接连接，实现光信号的输入和输出。
在端面封装技术的研究中，研究人员致力于提高连接的精度和稳定性，降低插入损耗，从而提高器件的性能和可靠性。
四、封装材料的研究进展1. 光学封装材料光学封装材料在集成与封装技术中起着重要的作用。
半导体的封装技术有哪些
半导体的封装技术有哪些
半导体的封装技术主要包括以下几种：
11 DIP封装（Dual Inline Package）
这是一种双列直插式封装技术。
引脚从封装两侧引出，封装材料通
常采用塑料或陶瓷。
其特点是成本较低，易于插拔，但封装密度相对
较低。
111 SOP封装（Small Outline Package）
也称为小外形封装。
引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状。
它比DIP封
装更薄、更小，适用于对空间要求较高的应用。
112 QFP封装（Quad Flat Package）
四侧引脚扁平封装。
引脚从芯片的四个侧面引出，呈鸥翼形或J形。
具有较高的引脚数量和封装密度。
113 BGA封装（Ball Grid Array）
球栅阵列封装。
在封装底部以球形引脚取代了传统的引脚。
这种封
装提供了更高的引脚密度和更好的电气性能。
114 CSP封装（Chip Scale Package）
芯片级封装。
其尺寸接近裸芯片的尺寸，具有更小的体积、更薄的
厚度和更短的引脚。
115 Flip Chip封装
倒装芯片封装。
芯片正面朝下，通过凸点与基板直接连接，减少了信号传输的路径和电感，提高了性能。
不同的封装技术具有各自的特点和适用场景，在半导体制造和应用中，需要根据具体的需求选择合适的封装技术，以实现最佳的性能、成本和可靠性平衡。
中道晶圆级封装技术-概述说明以及解释
中道晶圆级封装技术-概述说明以及解释1.引言1.1 概述中道晶圆级封装技术是一种先进的封装技术，它在集成电路制造过程中起到关键作用。
传统的封装技术主要针对单个芯片进行封装，而中道晶圆级封装技术则将整个晶圆作为一个整体进行封装，可提供更高的集成度和更好的性能。
中道晶圆级封装技术的原理是在晶圆上同时封装多个芯片，将它们相互连接并提供必要的电气连接和保护。
这样的封装方法可以减少芯片之间的电阻、电容和电感，提高芯片之间的传输速度和信号完整性。
中道晶圆级封装技术在许多领域有着广泛的应用。
它在高性能计算、通信、嵌入式系统等领域中都有重要的地位。
中道晶圆级封装技术可以实现高密度、高带宽的互连，提供更高的计算能力和更快的数据传输速度，满足现代电子设备对集成度和性能的要求。
总结而言，中道晶圆级封装技术是一种先进的封装技术，通过在晶圆上同时封装多个芯片，提供更高的集成度和更好的性能。
它在多个领域具有广泛的应用，可以实现更高的计算能力和更快的数据传输速度。
随着科技的不断发展，中道晶圆级封装技术的发展前景非常广阔。
1.2 文章结构文章结构部分的内容可以描述本文的组织结构和各个章节的主要内容。
可以参考以下内容进行编写：文章结构本文分为引言、正文和结论三部分。
引言部分主要概括介绍了中道晶圆级封装技术的背景和意义。
本文旨在探讨中道晶圆级封装技术的定义、原理、应用以及其优势和发展前景。
正文部分分为三个章节：中道晶圆级封装技术的定义、中道晶圆级封装技术的原理和中道晶圆级封装技术的应用。
第一章节中，我们将详细阐述中道晶圆级封装技术的定义。
包括对该技术的解释、关键特点和优势等。
第二章节中，我们将深入探讨中道晶圆级封装技术的原理。
通过对其工作原理、封装工艺和材料等方面的介绍，帮助读者更好地理解该技术的实现机制。
第三章节中，我们将重点介绍中道晶圆级封装技术在实际应用中的情况。
包括该技术在电子产品制造、通信设备、汽车电子等领域中的应用案例和实际效果。
微型架构半导体发光器件光热耦合调控与封装关键技术2023
微型架构半导体发光器件光热耦合调控与封装关键技术20231. 引言1.1 概述随着科技的不断发展和人们对信息处理速度和效率的要求越来越高，微型架构半导体发光器件作为一种新型的光电子器件，在通信、显示、照明等领域得到了广泛应用。
微型架构半导体发光器件具有快速响应、低功耗和小尺寸等优点，被认为是未来光电子领域的发展方向之一。
然而，微型架构半导体发光器件在实际应用中存在着光热耦合问题，即器件在工作过程中产生的热量会影响其性能和寿命。
为了解决这一问题，需要开展针对光热耦合调控的相关研究，并通过封装关键技术有效地降低器件温度，提高其稳定性和可靠性。
本文将重点论述微型架构半导体发光器件的光热耦合调控与封装关键技术，并通过实验方法与结果分析来验证其有效性。
通过本文的研究成果，我们将进一步推动微型架构半导体发光器件在各个领域的应用，为实现更高效、节能和可靠的光电子器件做出贡献。
1.2 文章结构本文共分为五个部分。
除了引言外，还包括微型架构半导体发光器件光热耦合调控技术、微型架构半导体发光器件封装关键技术、实验方法与结果分析以及结论与展望。
在第二部分中，我们将介绍微型架构半导体发光器件的研究背景，并详细阐述其光热耦合机制以及调控方法与策略。
第三部分将讨论微型架构半导体发光器件封装技术的发展历程，并重点关注高效散热设计与优化、封装材料与工艺选用等关键技术。
第四部分将介绍我们所采用的实验方法，并展示实验结果并进行深入分析。
通过对结果的讨论和解读，我们将得出结论，并指出存在问题和改进方向。
最后，在第五部分中，我们将总结整篇文章的研究成果，并对未来的研究方向进行展望，希望能够为微型架构半导体发光器件的发展提供新的思路和方向。
1.3 目的本文的目的在于探讨微型架构半导体发光器件光热耦合调控与封装关键技术，并通过实验方法与结果分析验证其有效性。
通过本文的研究成果，我们希望能够为微型架构半导体发光器件在通信、显示、照明等领域的应用提供理论支持和实践指导，进一步推动光电子技术的发展，为构建智能化社会做出贡献。
先进芯片封装知识介绍
先进芯片封装知识介绍芯片封装是将半导体芯片封装成具有特定功能和形状的封装组件的过程。
芯片封装在实际应用中起着至关重要的作用，它不仅保护芯片免受外部环境的干扰和损害，同时也为芯片提供了良好的导热特性和机械强度。
本文将介绍先进芯片封装的知识，包括封装技术、封装材料和封装工艺等方面。
一、芯片封装技术芯片封装技术主要包括无引线封装（Wafer-Level Package，简称WLP）、翻装封装（Flip-Chip Package，简称FCP）和探针封装（Probe Card Package，简称PCP）等。
1.无引线封装（WLP）：无引线封装是在芯片表面直接封装焊盘，实现对芯片进行封装和连接。
它可以使芯片的封装密度更高，并且具有优秀的热传导和电性能。
无引线封装技术广泛应用于移动设备和无线通信领域。
2.翻装封装（FCP）：翻装封装是将芯片颠倒翻转后通过导电焊球连接到基板上的封装技术。
它可以提供更好的电路性能和更高的封装密度，适用于高性能芯片的封装。
3.探针封装（PCP）：探针封装是通过探针头将芯片连接到测试设备进行测试和封装的技术。
它可以快速进行芯片测试和封装，适用于小批量和多品种的芯片生产。
二、芯片封装材料芯片封装材料是指用于封装过程中的材料，包括基板、封装胶料和焊盘等。
1.基板：基板是芯片封装的重要组成部分，主要用于支撑和连接芯片和其他封装组件。
常用的基板材料包括陶瓷基板、有机基板和金属基板等。
2.封装胶料：封装胶料用于固定和保护芯片，防止芯片受损。
常见的封装胶料包括环氧树脂、硅胶、聚酰亚胺等。
3.焊盘：焊盘是连接芯片和基板的关键部分，用于传递信号和电力。
常见的焊盘材料包括无铅焊料、焊接球和金属焊点等。
三、芯片封装工艺芯片封装工艺是指在封装过程中实施的一系列工艺步骤，主要包括胶黏、焊接和封装等。
1.胶黏：胶黏是将芯片和其他封装组件固定在基板上的工艺步骤。
它通常使用封装胶料将芯片和基板粘接在一起，并通过加热或压力处理来保证粘结的强度。
碳化硅半导体封装技术
碳化硅半导体封装技术全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：碳化硅半导体封装技术简介碳化硅（SiC）半导体材料具有高温稳定性、高耐辐照性、高频特性和高功率密度等优点，被广泛应用于功率电子、射频通信、光电器件等领域。
为了更好地实现碳化硅半导体器件的集成和应用，封装技术起着至关重要的作用。
本文将介绍碳化硅半导体封装技术的研究进展及应用前景。
随着碳化硅半导体器件的不断发展，其封装技术也不断得到改进和完善。
在封装技术方面，主要包括封装材料的选择、封装工艺的优化、封装结构的设计等方面。
封装材料的选择是影响封装性能的重要因素之一。
目前，常用的封装材料包括金属、陶瓷和有机材料，各具特点。
金属封装具有良好的导热性和机械强度，适用于高功率器件，但受到温度变化和应力影响大；陶瓷封装具有良好的耐热性和耐腐蚀性，适用于高频器件，但成本较高；有机材料封装成本低、加工方便，适用于低功率器件，但耐高温性能有限。
在封装工艺方面，采用无铅焊接技术、高密度互连技术和微型封装技术等，使得碳化硅半导体器件封装更加精密化和可靠化。
在封装结构方面，根据具体应用要求设计相应的封装结构，如散热结构、防尘结构、防潮结构等，以提高碳化硅半导体器件的工作性能和可靠性。
碳化硅半导体封装技术的不断发展和完善，为碳化硅半导体器件的应用提供了更广阔的空间。
在功率电子领域，碳化硅半导体器件封装技术已经能够满足高功率密度、高温稳定性和高频特性等要求，广泛应用于电力变换、飞行器电源、电动车驱动等方面；在射频通信领域，碳化硅半导体器件封装技术已经能够满足高频特性和低损耗要求，广泛应用于通信基站、雷达系统等方面；在光电器件领域，碳化硅半导体器件封装技术已经能够满足高温稳定性和高亮度要求，广泛应用于LED照明、激光器等方面。
未来，随着碳化硅半导体封装技术的进一步创新和发展，碳化硅半导体器件将在能源、通信、光电等领域发挥越来越重要的作用。
总结碳化硅半导体封装技术作为碳化硅半导体器件的重要组成部分，对于实现碳化硅半导体器件的集成和应用至关重要。
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最新封装技术与发展芯片制作流程封装大致经过了如下发展进程：结构方面：DIP 封装(70 年代)->SMT 工艺(80 年代LCCC/PLCC/SOP/QFP)->BGA 封装(90 年代)->面向未来的工艺(CSP/MCM)材料方面：金属、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；引脚形状：长引线直插－>短引线或无引线贴装－>球状凸点；装配方式：通孔插装－>表面组装－>直接安装封装技术各种类型一．TO 晶体管外形封装TO （Transistor Out-line）的中文意思是“晶体管外形”。
这是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252 等等都是插入式封装设计。
近年来表面贴装市场需求量增大，TO 封装也进展到表面贴装式封装。
TO252 和TO263 就是表面贴装封装。
其中TO-252 又称之为D-PAK，TO-263 又称之为D2PAK。
D-PAK 封装的MOSFET 有3 个电极，栅极（G）、漏极（D）、源极（S）。
其中漏极（D）的引脚被剪断不用，而是使用背面的散热板作漏极（D），直接焊接在PCB 上，一方面用于输出大电流，一方面通过PCB 散热。
所以PCB 的D-PAK 焊盘有三处，漏极（D）焊盘较大。
二．DIP 双列直插式封装DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100 个。
封装材料有塑料和陶瓷两种。
采用DIP 封装的CPU 芯片有两排引脚，使用时，需要插入到具有DIP 结构的芯片插座上。
当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。
DIP 封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP （含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式）等。
DIP 封装具有以下特点：1.适合在PCB (印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。
2. 比TO 型封装易于对PCB 布线。
3.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。
以采用40 根I/O 引脚塑料双列直插式封装(PDIP)的CPU 为例，其芯片面积/封装面积=(3×3)/(15.24×50)=1:86，离1 相差很远。
（PS:衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1 越好。
如果封装尺寸远比芯片大，说明封装效率很低，占去了很多有效安装面积。
）用途：DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
Intel 公司早期CPU，如8086、80286 就采用这种封装形式，缓存(Cache )和早期的内存芯片也是这种封装形式。
三．QFP 方型扁平式封装QFP(Plastic Quad Flat Pockage)技术实现的CPU 芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100 以上。
基材有陶瓷、金属和塑料三种。
引脚中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。
其特点是：1.用SMT 表面安装技术在PCB 上安装布线。
2.封装外形尺寸小，寄生参数减小，适合高频应用。
以0.5mm 焊区中心距、208 根I/O 引脚QFP 封装的CPU 为例，如果外形尺寸为28mm×28mm，芯片尺寸为10mm×10mm，则芯片面积/封装面积=(10×10)/(28×28)=1:7.8，由此可见QFP 封装比DIP 封装的尺寸大大减小。
3.封装CPU 操作方便、可靠性高。
QFP 的缺点是：当引脚中心距小于0.65mm 时，引脚容易弯曲。
为了防止引脚变形，现已出现了几种改进的QFP 品种。
如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见右图)；带树脂保护环覆盖引脚前端的GQFP；在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专用夹具里就可进行测试的TPQFP 。
用途：QFP 不仅用于微处理器（Intel 公司的80386 处理器就采用塑料四边引出扁平封装），门陈列等数字逻辑LSI 电路，而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。
四．SOP 小尺寸封装SOP 器件又称为SOIC(Small Outline Integrated Circuit)，是DIP 的缩小形式，引线中心距为1.27mm，材料有塑料和陶瓷两种。
SOP 也叫SOL 和DFP。
SOP 封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28 等等，SOP 后面的数字表示引脚数，业界往往把“P”省略，叫SO （Small Out-Line ）。
还派生出SOJ （J 型引脚小外形封装）、TSOP （薄小外形封装）、VSOP （甚小外形封装）、SSOP （缩小型SOP ）、TSSOP （薄的缩小型SOP ）及SOT （小外形晶体管）、SOIC （小外形集成电路）等。
五．PLCC 塑封有引线芯片载体PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)，引线中心距为1.27mm，引线呈J 形，向器件下方弯曲，有矩形、方形两种。
PLCC 器件特点：1.组装面积小，引线强度高，不易变形。
2..多根引线保证了良好的共面性，使焊点的一致性得以改善。
3.因J 形引线向下弯曲，检修有些不便。
用途：现在大部分主板的BIOS 都是采用的这种封装形式。
六．LCCC 无引线陶瓷芯片载体LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)其电极中心距有1.0mm、1.27mm 两种。
通常电极数目为18~156 个。
特点：1.寄生参数小，噪声、延时特性明显改善。
2.应力小，焊点易开裂。
用途：用于高速，高频集成电路封装。
主要用于军用电路。
七．PGA 插针网格阵列封装PGA(Pin Grid Array Package)芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。
根据引脚数目的多少，可以围成2-5 圈。
安装时，将芯片插入专门的PGA 插座。
为使CPU 能够更方便地安装和拆卸，从486 芯片开始，出现一种名为ZIF 的CPU 插座，专门用来满足PGA 封装的CPU 在安装和拆卸上的要求。
ZIF(Zero Inser tion Force Socket)是指零插拔力的插座。
把这种插座上的扳手轻轻抬起，CPU 就可很容易、轻松地插入插座中。
然后将扳手压回原处，利用插座本身的特殊结构生成的挤压力，将CPU 的引脚与插座牢牢地接触，绝对不存在接触不良的问题。
而拆卸CPU 芯片只需将插座的扳手轻轻抬起，则压力解除，CPU 芯片即可轻松取出。
PGA 封装具有以下特点：1.插拔操作更方便，可靠性高。
2.可适应更高的频率。
实例：Intel 系列C PU 中，80486 和Pentium、Pentium Pro 均采用这种封装形式。
八．BGA 球栅阵列封装随着集成电路技术的发展，对集成电路的封装要求更加严格。
这是因为封装技术关系到产品的功能性，当IC 的频率超过100MHz 时，传统封装方式可能会产生所谓的“CrossTalk”现象，而且当IC 的管脚数大于208 Pin 时，传统的封装方式有其困难度。
因此，除使用QFP 封装方式外，现今大多数的高脚数芯片ackage)封装技术。
用途：BGA 一出现便成为CPU、主板上南/北桥芯片等高密度、高性能、多引脚封装的最佳选择。
BGA 封装技术又可详分为五大类：1.PBGA （Plasric BGA）基板：PBGA 是最普遍的BGA 封装类型，其载体为普通的印制板基材，如FR—4 等。
硅片通过金属丝压焊方式连到载体的上表面，然后塑料模压成型。
有些PBGA 封装结构中带有空腔，称热增强型BGA，简称EBGA。
下表面为呈部分或完全分布的共晶组份(37Pb ／63Sn)的焊球阵列，焊球间距通常为1.0mm、1.27mm、1.5mm。
PBGA 有以下特点：其载体与PCB 材料相同，故组装过程二者的热膨胀系数TCE(Thermal Coefficient Of Expansion)几乎相同，即热匹配性良好。
组装成本低。
共面性较好。
易批量组装。
电性能良好。
ntel 系列CPU 中，Pentium II、I II、IV 处理器均采用这种封装形式。
2.CBGA（Ceramic BGA）基板：即陶瓷基板，芯片与基板间的电气连接通常采用倒装芯片（FlipChip，简称FC）的安装方式。
硅片采用金属丝压焊方式或采用硅片线路面朝下，以倒装片方式实现与载体的互联，然后用填充物包封，起到保护作用。
陶瓷载体下表面是90Pb／10Sn 的共晶焊球阵列，焊球间距常为1.0mm 和1.27mm。
CBGA 具有如下特点：优良的电性能和热特性。
密封性较好。
封装可靠性高。
共面性好。
封装密度高。
因以陶瓷作载体，对湿气不敏感。
封装成本较高。
组装过程热匹配性能差，组装工艺要求较高。
ntel 系列CPU 中，Pentium I、II、Pentium Pro 处理器均采用过这种封装形式。
3. FCBGA（FilpChipBGA）基板：硬质多层基板。
4.TBGA（Tape BGA）基板：基板为带状软质的1 -2 层PCB 电路板。
载带球栅阵列TBGA 是载带自动键合TAB(Tape Automated Bonding)技术的延伸。
TBGA 的载体为铜／聚酰亚胺／铜的双金属层带(载带)。
载体上表面分布的铜导线起传输作用，下表面的铜层作地线。
硅片与载体实现互连后，将硅片包封起到保护作用。
载体上的过孔实现上下表面的导通，利用类似金属丝压焊技术在过孔焊盘上形成焊球阵列。
焊球间距有.0mm、1.27mm、1.5mm 几种。
TBGA 有以下特点：封装轻、小。
电性能良。
组装过程中热匹配性好。
潮气对其性能有影响。
5.CDPBGA（Carity Do wn PBGA）基板：指封装中央有方型低陷的芯片区（又称空综上，BGA 封装具有以下特点：1.I/O 引脚数虽然增多，但引脚之间的距离远大于QFP 封装方式，提高了成品率。
2.虽然BGA 的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接（C4），从而可以改3.厚度比QFP 减少l/2 以上，重量减轻3/4 以上。
4.寄生参数减小，信号传输延迟小，适应频率大大提高。
5.组装可用共面焊接，可靠性大大提高。
6.BGA 封装仍与QFP、PGA 一样，占用基板面积过大。
九．CSP 芯片尺寸封装随着全球电子产品个性化、轻巧化的需求蔚为风潮，封装技术已进步到CSP(Chip Size P ackage)。