半导体制造之封装技术
半导体器件封装技术
半导体器件封装技术半导体器件封装技术是指将裸露的半导体芯片封装在适当的封装材料中，以保护芯片不受外界环境的影响，并提供适当的电气和机械连接接口，以便于与其他电路元件进行连接和集成。
封装技术在半导体器件制造中扮演着至关重要的角色，它不仅直接影响着设备的性能和可靠性，而且对于整个电子行业的发展也具有重要意义。
半导体器件封装技术能够提供良好的电气连接。
芯片封装后，通过引脚与外部电路进行连接。
这些引脚需要具有良好的导电性和可靠的连接性，以确保信号的正常传输和电流的稳定传输。
常见的半导体器件封装技术包括直插式封装（DIP）、表面贴装封装（SMT）以及无引脚封装（WLP）等。
这些封装技术通过适当的引脚设计和接触材料的选择，实现了与外部电路的可靠连接。
半导体器件封装技术能够提供良好的机械保护。
半导体芯片通常非常脆弱，容易受到外界环境的影响而损坏。
封装技术通过将芯片封装在坚固的封装材料中，如塑料、陶瓷或金属等，能够提供良好的机械保护，防止芯片受到机械应力、湿度、温度和化学物质等的侵害。
此外，封装材料还能够防止芯片受到灰尘、杂质和电磁干扰等的影响，确保芯片的稳定运行。
第三，半导体器件封装技术能够提供良好的散热性能。
在半导体器件工作过程中，会产生大量的热量，如果不能及时有效地散发，会导致器件温度过高，影响器件的性能和寿命。
因此，在封装过程中，需要考虑适当的散热设计，如引入散热片、散热胶等。
这些散热元件能够提高器件的散热效率，保持器件的正常工作温度。
半导体器件封装技术还能够提供良好的电磁兼容性。
封装材料的选择和封装结构的设计能够有效地屏蔽和抑制电磁辐射和电磁干扰，减少器件对外界电磁信号的敏感性，保证器件的正常工作。
同时，封装技术还能够提供适当的电磁波导路径，以便于器件内部电磁信号的传输和隔离，确保不同功能模块之间的电磁兼容性。
半导体器件封装技术是半导体制造中不可或缺的一环。
它能够提供良好的电气连接、机械保护、散热性能和电磁兼容性，保证芯片的正常工作和可靠性。
半导体激光器 制造 封装
TO封装技术
❖ TO封装，即Transistor Outline 或者Throughhole封装技术，原来是晶体管器件常用的封装形式， 在工业技术上比较成熟。TO封装的寄生参数小、工艺 简单、成本低，使用灵活方便，因此这种结构广泛用 于 2.5Gb/s以下LED、LD、光接收器件和组件的封装。 TO管壳内部空间很小，而且只有四根引线，不可能安 装半导体致冷器。由于在封装成本上的极大优势，封 装技术的不断提高，TO封装激光器的速率已经可以达 到 10Gb/s。
半导体LD的特点及与LED区别
特点：效率高、体积小、重量轻、 可 靠 ， 结构简 单 ； 其缺点是输出功率较小。目前半导体激光器 可选择的波长主要局限在红光和红外区域。
LD 和LED的主要区别 LD发射的是受激辐射光。 LED发射的是自发辐射光。 LED的结构和LD相似，大多是采用双异质结
(DH)芯片，把有源层夹在P型和N型限制层中间， 不同的是LED不需要光学谐振腔，没有阈值。
2二次外延生长
生长：
1.低折射率层 2.腐蚀停止层 3.包层 4.帽层：接触层
DFB-LD
3一次光刻
❖ 一次光刻出双 沟图形
DFB-LD
4脊波导腐蚀
选择性腐蚀到四元 停止层
DFB-LD
5套刻
PECVD生长SiO2 自对准光刻 SiO2腐蚀
DFB-LD
6三次光刻：电极图形
DFB-LD
7欧姆接触
半导体激光器的制作工艺、 封装技术和可靠性
目录
1.半导体材料选择 2.制作工艺概述 3.DFB和VCSEL激光器芯片制造 4.耦合封装技术
1.半导体激光器材料选择
❖ 半导体激光器材料主要选 取Ⅲ-Ⅴ族化合物（二元、 三元或四元），大多为直 接带隙材料，发光器件的 覆盖波长范围从0.4μm到 10μm。
半导体封装及测试技术
半导体封装及测试技术半导体封装及测试技术是指将芯片进行外包装，并进行测试以确保其性能符合设计要求的过程。
半导体封装技术主要包括封装结构设计、封装材料选择和封装工艺等方面，而半导体测试技术主要包括封装后测试和片上测试两个环节。
本文将详细介绍半导体封装及测试技术的相关内容。
首先，半导体封装技术是将芯片进行封装，增加其机械强度、保护芯片以及方便与外部连接等功能的过程。
封装结构的设计既要满足电性能要求，又要考虑成本、尺寸和工艺等因素。
封装材料的选择要考虑材料的导热性能、电绝缘性能、耐候性、耐高温性能等。
常用的封装材料有塑料、陶瓷和金属等。
封装工艺主要包括芯片倒装、焊接、封胶等工艺步骤。
其次，半导体测试技术主要包括封装后测试和片上测试两个环节。
封装后测试是指封装完成后对芯片进行功能测试和可靠性测试，以保证芯片性能符合设计要求，并且能够在不同的工作条件下稳定可靠地工作。
封装后测试主要包括电气性能测试、功能性能测试和可靠性测试等。
电气性能测试主要是测试芯片的电气参数，如工作电流、工作电压、功耗等。
功能性能测试主要是测试芯片的功能是否正常，如逻辑电路的正确性、模拟电路的灵敏度和精度等。
可靠性测试主要是测试芯片在不同的工作条件下的可靠性，如温度变化、湿度变化以及机械振动等。
片上测试是指在芯片封装之前对芯片进行测试，以确保芯片的质量和性能。
片上测试主要通过测试芯片的电气参数来判断芯片的好坏，如芯片的工作电流、工作电压、功耗等。
片上测试技术主要包括设计和制造测试机、测试方法和测试流程等方面。
设计和制造测试机是指根据芯片的特点和测试要求，设计和制造测试机来对芯片进行测试。
测试方法是指采用不同的测试手段和测试设备来进行测试。
测试流程是指按照一定的顺序和步骤来进行测试，以提高测试效率和准确性。
半导体封装及测试技术在半导体产业中起着重要作用。
通过封装可以提高芯片的稳定性和可靠性，保护芯片不受外界环境的干扰，从而提高整个产品的可靠性和性能。
半导体注塑封装工艺
半导体注塑封装工艺1.引言1.1 概述半导体注塑封装工艺是一种将半导体芯片封装到塑料封装体中的技术。
半导体芯片在制造过程中需要进行封装以便保护和连接电路，而注塑封装工艺通过将半导体芯片固定在塑料封装体中，提供了一种可靠的封装方案。
半导体注塑封装工艺主要包括以下几个步骤：首先，将半导体芯片放置在导线架上，并通过焊接或者其他方式将芯片与导线架连接起来。
然后，在注塑机中加热并熔化塑料原料，将熔化的塑料注塑到导线架上，形成封装体的外壳。
最后，对注塑封装后的半导体芯片进行测试和包装，以确保其质量和可靠性。
半导体注塑封装工艺具有以下几个优点：首先，注塑封装工艺可以实现对多个芯片的批量封装，提高生产效率。
其次，注塑封装可以为芯片提供很好的机械和环境保护，提高芯片的可靠性和稳定性。
此外，注塑封装还可以为芯片提供良好的导热性能，有利于芯片的散热和使用寿命的延长。
半导体注塑封装工艺在电子产品的制造中有着广泛的应用。
例如，在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑等，注塑封装常用于对集成电路的封装。
此外，注塑封装也广泛应用于汽车电子、医疗电子、工业控制等领域的电子产品制造中。
总之，半导体注塑封装工艺是一种重要的封装技术，通过将半导体芯片封装到塑料封装体中，可以为芯片提供机械、环境和导热保护，并广泛应用于各种电子产品制造中。
随着科技的发展和需求的增加，注塑封装工艺在未来将会有更广阔的应用前景。
1.2 文章结构本文共分为三个部分，即引言、正文和结论。
在引言部分，首先对半导体注塑封装工艺进行了概述，介绍了其基本原理和主要应用。
然后，说明了本文的目的，即对半导体注塑封装工艺进行深入的分析和探讨。
接下来，正文部分将详细介绍半导体注塑封装工艺的基本原理。
主要包括工艺过程中所涉及的材料、设备和技术要点等内容。
通过对注塑封装工艺中各个环节的分析，揭示了其工作原理和技术特点。
正文的第二部分将主要讨论半导体注塑封装工艺的主要应用。
其中包括半导体器件封装、电子元器件封装以及其他领域的应用等。
半导体dfn封装的中文术语
半导体dfn封装的中文术语半导体dfn封装是电子行业中的一种封装技术，它被广泛应用于集成电路的制造过程中。
该封装技术能够有效地保护电子器件，提高其稳定性和可靠性。
下面我将从不同角度对半导体dfn封装进行描述。
一、半导体dfn封装的定义和特点半导体dfn封装是一种采用无引脚底部焊盘和封装材料对芯片进行封装的技术。
与传统的封装技术相比，dfn封装具有以下特点：1. 封装尺寸小：dfn封装可以实现芯片的高集成，尺寸更小，适用于电子设备的微型化和轻量化。
2. 低功耗：dfn封装的无引脚底部焊盘设计减少了电阻和电感，降低了功耗，提高了芯片的性能。
3. 优良的散热性能：dfn封装采用底部焊盘散热设计，能够更好地散热，提高芯片的工作稳定性。
4. 高可靠性：dfn封装采用无引脚设计，减少了焊接点，降低了故障率，提高了芯片的可靠性。
二、半导体dfn封装的应用领域半导体dfn封装广泛应用于电子设备的制造和通信领域。
具体包括：1. 手机和平板电脑：dfn封装的小尺寸和低功耗特性非常适合手机和平板电脑等移动设备的需求。
2. 无线通信设备：dfn封装的高可靠性和优良散热性能使其成为无线通信设备中关键部件的首选。
3. 汽车电子：dfn封装能够满足汽车电子产品对小尺寸、高可靠性和低功耗的要求。
4. 工业控制设备：dfn封装具有抗震、抗干扰等特点，适用于工业控制设备等恶劣环境下的应用。
三、半导体dfn封装的未来发展趋势随着电子技术的不断进步，半导体dfn封装也在不断发展。
未来，dfn封装有望实现以下发展趋势：1. 封装尺寸进一步缩小：随着芯片尺寸的减小和集成度的提高，dfn封装尺寸将进一步缩小，实现更高的集成性。
2. 更高的功耗效率：随着材料和工艺的进步，dfn封装将实现更低的功耗和更高的电子器件性能。
3. 更好的散热设计：随着散热技术的不断发展，dfn封装将实现更好的散热效果，提高芯片的工作稳定性。
4. 更广泛的应用领域：随着电子设备的普及和需求的增加，dfn封装将在更多领域得到应用，如物联网、人工智能等。
半导体制造流程及生产工艺流程
半导体制造流程及生产工艺流程半导体是一种电子材料，具有可变电阻和电子传导性的特性，是现代电子器件的基础。
半导体的制造流程分为两个主要阶段：前端工艺（制造芯片）和后端工艺（封装）。
前端工艺负责在硅片上制造原始的电子元件，而后端工艺则将芯片封装为最终的电子器件。
下面是半导体制造流程及封装的主要工艺流程：前端工艺（制造芯片）：1.晶片设计：半导体芯片的设计人员根据特定应用的需求，在计算机辅助设计（CAD）软件中进行晶片设计，包括电路结构、布局和路线规划。
2.掩膜制作：根据芯片设计，使用光刻技术将电路结构图转化为光刻掩膜。
掩膜通过特殊化学处理制作成玻璃或石英板。
3.芯片切割：将晶圆切割成单个的芯片，通常使用钻孔机或锯片切割。
4.清洗和化学机械抛光（CMP）：芯片表面进行化学清洗，以去除表面杂质和污染物。
然后使用CMP技术平整芯片表面，以消除切割痕迹。
5.纳米技术：在芯片表面制造纳米结构，如纳米线或纳米点。
6.沉积：通过化学气相沉积或物理气相沉积，将不同材料层沉积在芯片表面，如金属、绝缘体或半导体层。
7.重复沉积和刻蚀：通过多次沉积和刻蚀的循环，制造多层电路元件。
8.清洗和干燥：在制造过程的各个阶段，对芯片进行清洗和干燥处理，以去除残留的化学物质。
9.磊晶：通过化学气相沉积，制造晶圆上的单晶层，通常为外延层。
10.接触制作：通过光刻和金属沉积技术，在芯片表面创建电阻或连接电路。
11.温度处理：在高温下对芯片进行退火和焙烧，以改善电子器件的性能。
12.筛选和测试：对芯片进行电学和物理测试，以确认是否符合规格。
后端工艺（封装）：1.芯片粘接：将芯片粘接在支架上，通常使用导电粘合剂。
2.导线焊接：使用焊锡或焊金线将芯片上的引脚和触点连接到封装支架上的焊盘。
3.封装材料：将芯片用封装材料进行保护和隔离。
常见的封装材料有塑料、陶瓷和金属。
4.引脚连接：在封装中添加引脚，以便在电子设备中连接芯片。
5.印刷和测量：在封装上印刷标识和芯片参数，然后测量并确认封装后的器件性能。
半导体制造技术
半导体制造技术
半导体制造技术是指以半导体材料为基础，利用先进的设备、工艺和测试技术，在晶圆上制作各种尺寸、形状和功能的集成电路（IC）元件。
半导体制造技术包括晶圆生产、片上集成、封装、测试等一系列步骤。
晶圆生产技术是半导体制造的核心步骤，其目的是在晶圆表面形成一层导电层，用于在其表面制作微纳米尺寸的元件及连接线路。
常用的晶圆生产技术有光刻、电镀、气相沉积、激光刻蚀、无损整形、金属化学气相沉积等。
片上集成技术是将器件与线路集成在一个晶片上，实现信号传输及功能实现。
目前，在片上集成中使用的技术主要有光刻、激光刻蚀和激光加工等。
封装技术是指将晶片封装到一个容器中，以便将其与外部电路和环境完全隔离，并保护其内部结构。
一般来说，封装技术可以分为焊接、固化、涂覆、压合和滴胶等。
测试技术是检查半导体元件及集成电路性能的手段，如功耗测试、性能测试、动态测试、稳态测试等。
半导体技术论文
半导体技术论文[摘要]半导体器件封装技术是一种将芯片用绝缘的塑料、陶瓷、金属材料外壳打包的技术。
封装技术对于芯片来说是必须的,也是非常重要的。
[关键词]半导体器件封装技术“半导体器件封装技术”是一种将芯片用绝缘的塑料、陶瓷、金属材料外壳打包的技术。
以大功率晶体三极管为例,实际看到的体积和外观并不是真正的三极管内核的大小和面貌,而是三极管芯片经过封装后的产品。
封装技术对于芯片来说是必须的,也是非常重要的。
因为芯片必须与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。
另一方面,封装后的芯片也更便于安装和运输。
由于封装技术的好坏直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB印制电路板的设计和制造,因此它是至关重要。
封装也可以说是指安装半导体芯片用的外壳,它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用,而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁――芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件建立连接。
因此,对于大功率器件产品而言,封装技术是非常关键的一环。
半导体器件有许多封装形式,按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。
从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP,技术指标一代比一代先进。
总体说来,半导体封装经历了三次重大革新:第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装,它极大地提高了印刷电路板上的组装密度;第二次是在上世纪90年代球型矩阵封装的出现,满足了市场对高引脚的需求,改善了半导体器件的性能;芯片级封装、系统封装等是现在第三次革新的产物,其目的就是将封装面积减到最小。
高级封装实现封装面积最小化。
一、封装材料封装的基材有陶瓷、金属和塑料三种。
从数量上看,塑料封装占绝大部分,半导体塑料封装用的材料是环氧塑封料,七十年代起源于美国,后发扬光大于日本,现在我国是快速掘起的世界环氧塑封料制造大国。
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封装发展的阶段
第二阶段：20世纪80年代中期（表面贴装时代）。 表面贴装封装的主要特点是引线代替针脚，引线为翼形或丁形，两边或四边引出，节距为 1.27到0.4mm，适合于3-300条引线，表面贴装技术改变了传统的PTH插装形式，通过细微 的引线将集成电路贴装到PCB板上。主要形式为SOP（小外型封装）、PLCC（塑料有引线片 式载体）、PQFP（塑料四边引线扁平封装）、J型引线QFJ和SOJ、LCCC（无引线陶瓷芯片载 体）等。 它们的主要优点是引线细、短，间距小，封装密度提高；电气性能提高；体积小，重 量轻；易于自动化生产。它们所存在的不足之处是在封装密度、I/O数以及电路频率方面还 是难以满足ASIC、微处理器发展的需要。
封装发展的阶段
半导体行业对芯片封装技术水平的划分存在不同的标准，目前国内比较通行 的标准是采取封装芯片与基板的连接方式来划分，总体来讲，集成电路封装封装 技术的发展可分为四个阶段： 第一阶段：20世纪80年代以前（插孔原件时代）。 封装的主要技术是针脚插装（PTH），其特点是插孔安装到PCB上，主要形式有 SIP、DIP、PGA，它们的不足之处是密度、频率难以提高，难以满足高效自动化 生产的要求。
封装的性能要求
封装
电源分配信号分配散热 Nhomakorabea道机械支撑
环境保护
封装的技术层次
三级封装 母板 第四层次：将数个子系统组装成为一个完整电子产品的工艺过程。
二级封装
PWB或卡
第三层次：将数个第二层次完成的封装组成的电路卡组合成在一个主电路版上使之成为一个部 件或子系统的工艺。
一级封装
多芯片组件
第二层次：将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电子卡的工艺。
PCB置于传送链上，经某一特定的角度以及一定的进入深度穿过焊料波峰而实现焊点的焊接过程。
再流焊：是通过预先在PCB焊接部位施放适量和适当形式的焊料，然后贴放表面组装元器件，然后通 过重新熔化预先分配到印制板焊盘上的焊膏，实现表面组装元器件焊端或引脚与印制板焊盘之间机械 与电气连接的一种成组或逐点焊接工艺。
零级封装
芯片互连
第一层次：芯片层次的封装，是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连 线与封装保护的工艺，使之成为易于取放输送，并可与下一层次的组装进行连接的模块元件。
封装的分类
1、按照封装中组合集成电路芯片的数目，芯片封装可分为：单芯片封装与多芯片封装两大类； 2、按照密封的材料区分，可分为：高分子材料和陶瓷为主的种类； 3、按照器件与电路板互连方式，封装可区分为：引脚插入型和表面贴装型两大类； 4、按照引脚分布形态区分，封装元器件有：单边引脚，双边引脚，四边引脚，底部引脚四种。 5、常见的单边引脚有：单列式封装与交叉引脚式封装； 6、双边引脚元器件有：双列式封装小型化封装； 7、四边引脚有四边扁平封装； 8、底部引脚有金属罐式与点阵列式封装。
先进封装技术SIP
智慧型手机扮演SiP成长驱动主力 与个人电脑时代相比，行动装置产品对SiP的需求较为普遍 。就以智慧型手机来说，上网功能已是 基本配备，因此与无线网路相关的Wi-Fi模组便会使用到SiP技术进行整合。 基于安全性与保密性考量所发展出的指纹辨识功能，其相关晶片封装亦需要SiP协助整合与缩小空 间，使得指纹辨识模组开始成为SiP广泛应用的市场；另外，压力触控也是智慧型手机新兴功能之一， 内建的压力触控模组（Force Touch）更是需要SiP技术的协助。 除此之外，将应用处理器（AP）与记忆体进行整合的处理器模组，以及与感测相关的MEMS模组 等，亦是SiP技术的应用范畴。
共晶粘贴法：利用金-硅合金（一般是69%Au，31%的Si），363度时的共晶熔合反应使IC芯片粘贴固定。
封装工艺流程
7.为了获得最佳的共晶贴装所采取的方法，IC芯片背面通常先镀上一层金的薄膜或在基板的芯片承载 座上先植入预芯片 8.芯片互连常见的方法有，打线键合，载在自动键合（TAB）和倒装芯片键合。
16. 芯片互连：将芯片焊区与电子封装外壳的I/O或基板上的金属布线焊区相连接，只有实现芯片与封 装结构的电路连接才能发挥已有的功能。
先进封装技术SIP
随着物联网时代和全球终端电子产品渐渐走向多功能整合及低功耗设计，因而使得可 将多颗裸晶整合在单一封装中的SiP技术日益受到关注。除了既有的封测大厂积极扩大SiP制 造产能外，晶圆代工业者与IC基板厂也竞相投入此一技术，以满足市场需求。 SIP的定义：根据国际半导体路线组织（ITRS）的定义： SiP 为将多个具有不同功能的 有源电子元件与可选无源器件，以及诸如 MEMS 或者光学器件等其他器件优先组装到一 起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统。 因此，从架构上来讲， SiP 是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一 个封装内，从而实现一个基本完整的功能。
穿戴装置/物联网 驱动SiP需求上扬 全球终端电子产品的发展不断地朝向轻薄短小、多功能、低功耗等趋势迈进， SiP的成长潜力越来 越大。2015年Apple Watch等穿戴式产品问世后，SiP技术扩及应用到穿戴式产品。 此外， 在万物联网的趋势下，必然会串联组合各种行动装置、穿戴装置、智慧交通、智慧医疗， 以及智慧家庭等网路，多功能异质晶片整合预估将有庞大需求，低功耗也会是重要趋势。 封装技术作为信息产业的重要基础在在产品中发挥着很大的作用。具体来说有封装市场巨大，决定 产品性能、可靠性、寿命、成本等。现代电子信息产业的竞争在某种意义上主要就是电子封装业的竞 争，它在一定程度上决定着现代工业化的水平。
12.塑料封装的成型技术，1转移成型技术，2喷射成型技术，3预成型技术但最主要的技术是转移成型 技术，转移技术使用的材料一般为热固性聚合物。 13.减薄后的芯片有如下优点：1、薄的芯片更有利于散热；2、减小芯片封装体积；3、提高机械性能、
硅片减薄、其柔韧性越好，受外力冲击引起的应力也越小；4、晶片的厚度越薄，元件之间的连线也
封装工艺流程
封装工艺流程
1.封装工艺流程 一般可以分为两个部分，用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作，在成型之后的工 艺步骤成为后段操作 2.芯片封装技术的基本工艺流程 硅片减薄 硅片切割 芯片贴装，芯片互联 成型技术 去飞边毛刺 切筋成
型 上焊锡打码等工序
3.硅片的背面减薄技术主要有磨削，研磨，化学机械抛光，干式抛光，电化学腐蚀，湿法腐蚀，等离 子增强化学腐蚀，常压等离子腐蚀等 4.先划片后减薄：在背面磨削之前将硅片正面切割出一定深度的切口，然后再进行背面磨削。 5.减薄划片：在减薄之前，先用机械或化学的方式切割处切口，然后用磨削方法减薄到一定厚度之后 采用ADPE腐蚀技术去除掉剩余加工量实现裸芯片的自动分离。 6.芯片贴装的方式四种：共晶粘贴法，焊接粘贴法，导电胶粘贴法，和玻璃胶粘贴法。
15.打线键合（WB）：将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上形成电路互
连。打线键合技术有超声波键合、热压键合、热超声波键合。 载带自动键合（TAB）：将芯片焊区与电子封装外壳的I/O或基板上的金属布线焊区用具有引线图形金 属箔丝连接的技术工艺。
倒装芯片键合（FCB）：芯片面朝下，芯片焊区与基板焊区直接互连的一种方法。
越短，元件导通电阻将越低，信号延迟时间越短，从而实现更高的性能；5、减轻划片加工量减薄以 后再切割，可以减小划片加工量，降低芯片崩片的发生率。
封装工艺流程
14. 波峰焊：波峰焊的工艺流程包括上助焊剂、预热以及将PCB板在一个焊料波峰上通过，依靠表面张 力和毛细管现象的共同作用将焊剂带到PCB板和元器件引脚上，形成焊接点。 波峰焊是将熔融的液态焊料，借助于泵的作用，在焊料槽液面形成特定形状的焊料波，装了元器件的
封装发展的阶段
第四阶段：进入21世纪，迎来了微电子封装技术堆叠式封装时代，它在封装观念上发 生了革命性的变化，从原来的封装元件概念演变成封装系统。
3D晶片堆叠技术
堆叠式存储模块
目前，以全球半导体封装的主流正处在第三阶段的成熟期，PQFN和BGA等主要封装技 术进行大规模生产，部分产品已开始在向第四阶段发展。 微机电系统（MEMS）芯片就是采用堆叠式的三维封装。
9.打线键合技术有，超声波键合，热压键合，热超声波键合。
10.TAB的关键技术：1芯片凸点制作技术2TAB载带制作技术3载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带 外引线焊接技术。 11.凸点芯片的制作工艺，形成凸点的技术：蒸发/溅射涂点制作法，电镀凸点制作法置球及模板印刷
制作，焊料凸点发，化学镀涂点制作法，打球凸点制作法，激光法。
封装发展的阶段
第三阶段：20世纪90年代出现了第二次飞跃，进入了面积阵列封装时代。 该阶段主要的封装形式有焊球阵列封装（BGA）、芯片尺寸封装（CSP）、无引线四边 扁平封装（PQFN）、多芯片组件（MCM）。BGA技术使得在封装中占有较大体积和重量的 管脚被焊球所替代，芯片与系统之间的连接距离大大缩短，BGA技术的成功开发，使得一 直滞后于芯片发展的封装终于跟上芯片发展的步伐。CSP技术解决了长期存在的芯片小而 封装大的根本矛盾，引发了一场集成电路封装技术的革命。
半导体制造之封装技术
YDD 2018/8/30
微电子器件成本占比
说明：封装测试占微电 子器件成本的三分之一
芯片设计 芯片生产 封装测试
封装定义：最初的定义是保护电路芯片免受周围环境的影响（包括物理、化学 的影响）。
芯片封装：利用（膜技术）及（微细加工技术），将芯片及其他要素在框架或 基板上布置、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固 定，构成整体结构的工艺。 电子封装工程：将基板、芯片封装体和分立器件等要素，按电子整机要求进行 连接和装配，实现一定电气、物理性能，转变为具有整机或系统形式的整机装 置或设备。 封装的作用：集成电路封装能保护芯片不受或者少受外界环境的影响，并为之 提供一个良好的工作条件，以使集成电路具有稳定、正常的功能。
SOC的定义：将原本不同功能的 IC，整合在一颗芯片中。藉由这个方法，不单可以缩小体积，还可 以缩小不同 IC 间的距离，提升芯片的计算速度。SoC称为系统级芯片，也有称片上系统，意指它是一个 产品，是一个有专用目标的集成电路，其中包含完整系统并有嵌入软件的全部内容。同时它又是一种技 术，用以实现从确定系统功能开始，到软/硬件划分，并完成设计的整个过程。 随着封装技术持续演进，加上终端电子产品朝向轻薄短小趋势，因此，对SiP需求亦逐渐提升。 SiP生产线须由基板、晶片、模组、封装、测试、系统整合等生态系共同组成，才能够顺利发展。反 之，若缺乏完整生态系，便难以推动SiP技术具体实现。 由于SiP技术可将多种晶片封装于单一封装体内而自成系统，因此具有高整合性与微型化特色，适合 应用于体积小、多功能、低功耗等特性的电子产品。 以各种应用来看，若将原本各自独立的封装元件改成以SiP技术整合，便能缩小封装体积以节省空 间，并缩短元件间的连接线路而使电阻降低，提升电性效果，最终呈现微小封装体取代大片电路载板的 优势，又仍可维持各别晶片原有功能。因此，高整合性与微型化特色，使SiP成为近年来封装技术发展趋 势。 此外，因SiP是将相关电路以封装体完整包覆，因此可增加电路载板的抗化学腐蚀与抗应力（Anti-stress） 能力，可提高产品整体可靠性，对产品寿命亦能提升。 相较于SoC来说，SiP毋须进行新型态晶片设计与验证，而是将现有不同功能的晶片，以封装技术进 行整合 。 大致上来说，现阶段SiP常用的基本封装技术，包括普遍应用于智慧型手机的Package on Package （PoP）技术，将逻辑IC与记忆体IC进行封装体堆叠。将主动与被动元件内埋于基板的嵌入式技术 （Embedded），以及多晶片封装（MCP）、多晶片模组（MCM）、Stacking Die、PiP、TSV 2.5D IC、TSV 3D IC等，也属于SiP技术范畴。