半导体集成电路

1、什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响？

器件的亚阈值特性是指在分析MOSFET时，当Vgs影响：亚阈值导电会导致较大的功率损耗，在大型电路中，如内存中，其信息能量损耗可能使存储信息改变，使电路不能正常工作。

2、MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？

短沟道效应是指：当MOS晶体管的沟道长度变短到可以与源漏的耗尽层宽度相比拟时，发生短沟道效应，栅下耗尽区电荷不再完全受栅控制，其中有一部分受源、漏控制，产生耗尽区电荷共享，并且随着沟道长度的减小，受栅控制的耗尽区电荷不断减少的现象。

影响：由于受栅控制的耗尽区电荷不断减少，只需要较少的栅电荷就可以达到反型，使阈值电压降低；沟道变短使得器件很容易发生载流子速度饱和效应。

3、请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电

压和漏源电流的影响。

4、什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？

5、为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？

6、简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？

7、什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？

8、什么是MOS晶体管的有源寄生效应？

9、什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响？

10、消除“latch-up”效应的方法？

版图设计时：为减小寄生电阻Rs和Rw，版图设计时采用双阱工艺、多增加电源和地接触孔数目，加粗电源线和地线，对接触进行合理规划布局，减小有害的电位梯度；工艺设计时：降低寄生三极管的电流放大倍数：以N阱CMOS为例，为降低两晶体管的放大倍数，有效提高抗自锁的能力，注意扩散浓度的控制。为减小寄生PNP管的寄生电阻胁，可在高浓度硅上外延低浓度硅作为衬底，抑制自锁效应。工艺上采用深阱扩散增加基区宽度可以有效降低寄生NPN管的放大倍数。

11、如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？

12、如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？

13、双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪

些？

14、集成电路中常用的电容有哪些。

15、为什么基区薄层电阻需要修正。

16、为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。

17、一个方块电阻200欧，运用基区扩散电阻，设计阻值为1K的电阻，已知

耗散功率为20W/cm2，该电阻上的压降为5V，设计此电阻。