中职电子线路试题
(电大中专题库)电子线路
1.基础知识电阻器是电路元件中应用最广泛的一种。
A.正确B.错误正确正确答案：A学生答案：A2.一个四色环电阻,其阻值大小由第三色环数字决定,若为橙色,则倍数是_______。
A.100倍B.10000倍C.10倍D.1000倍错误正确答案：D学生答案：B3.某一可调电阻标示为504，其阻值应为_______。
A.50kB.5MC.500kD.50M正确正确答案：C学生答案：C4.电感器按电感量变化情况分为固定电感器、可变电感器、微调电感器等。
A.错误B.正确正确正确答案：B学生答案：B5.电感器的标志方法与电阻器、电容器的标志方法相同，有直标法、文字符号法和色标法。
A.错误B.正确正确正确答案：B学生答案：B6.当被测线圈的电阻值为无穷大时，表明线圈局部短路。
A.错误B.正确错误正确答案：A学生答案：B7.常用的CW78××系列是正电压输出，CW79××系列是负电压输出。
A.正确B.错误正确正确答案：A学生答案：A8.万用表的准确度等级一般分为0.1、0.5、1.5、2.5、5等几个等级。
正确B.错误正确正确答案：A学生答案：A9.光电二极管的好坏，可用万用表R×1k挡测量，其正向电阻约10kΩ。
A.错误B.正确正确正确答案：B学生答案：B10.光敏电阻是利用半导体的光致导电特性制成，是无结器件。
A.正确B.错误错误正确答案：A学生答案：B11.集成电路的引脚分别有3，5，7，8，10，12，14，16根等多种。
A.错误B.正确正确正确答案：B学生答案：B12.外热式电烙铁是由烙铁头、烙铁心、外壳、木柄、电源引线、插头等部分组成。
A.错误B.正确正确答案：B学生答案：B13.焊接圈套的元器时，如大电解电容器的引线脚、金属底盘接地焊片等，应选用100 W以上的电烙铁。
A.错误B.正确正确正确答案：B学生答案：B14.电烙铁不使用时，不要长期通电，以防损坏电烙铁。
中职中专《电子线路》期末考试试卷和答案一
XXXX 学院（XX 中专）2020-2021学年度第一学期期末考试XX 级《电子线路》试卷使用班级：XX 计算机一、选择题（15小题，每题2分，共计30分）1.如图所示，V 为理想二极管，则A 、B 两端的电压为（ ） A.6V B.-6VC.12VD.-12V2.单相全波整流电路中，负载电阻R L 上平均电压等于 （ ） A.0.9V 2 B.0.45V 2 C.V 2 D.1.1V 23.某三极管有A 、B 、C 三个电极，工作在放大状态，且测得各电极的电位分别为：V A =-4V ，V B =-3.3V ，V C =-8V ，则该三极管为（ ）。
A.PNP 型锗管B.NPN 型硅管C.PNP 型硅管D.NPN 型锗管4.晶体二极管从反向截止到正向导通所需时间为t 1从正向导通到反向截止所需时间为t 2，则t 1与t 2的关系是( )。
A.t 1=t 2B.t 1>>t 2C.t 1<<t 2D.不能确定 5.如图所示电路，从电灯亮的角度出发实现的功能是 。
（ ） A. Y=A ·B B.Y=A+B C. B A Y •= D.B A Y +=6.与非门的输入和输出的逻辑关系是 。
（ ） A.有1出0，全0出1 B.有0出1，全1出0 C.相同出1，不同出0 D.不同出1，相同出07.逻辑函数式C B A ABC F +++=的化简后的表达式或逻辑值为 。
（ ） A. ABC B. ABC C. 0 D. 1系部 专业 班级 姓名 考试号 ―――――――――――――――――――――――――装―――――――订―――――――线――――――――――――――――答 题 不 得 超 过 此 装 订 线≥1 &8.与非逻辑对应的逻辑图是。
（）A. B.C. D.9.如图所示的波形图表示的逻辑关系是。
（）A.F=BA⋅B.F=A+BC.F=BA⋅D.F=BA+10. 二进制数字“10110”用十进制表示为。
中职学校电子电工专业测试题
中职学校电子电工专业测试题一、单项选择题1.若电路中某元件两端的电压u＝36sin（314t－30°）V，电流i＝4sin （314t＋60°）A，则该元件是（）A.电阻B.电感C.电容D.无法判别2.如图所示，R1＝R2＝R3＝10 kΩ，R4＝R6＝50 kΩ，R5＝R7＝150 kΩ，VI1＝2 V，VI2＝－3 V，下列说法正确的是（）A.VO1＝1 V，A2为虚地B.VO1＝－1 V，A1为虚地C.VO2＝3 V，A1为虚地D.VO2＝－3 V，A2为虚地3.在如图所示的电路中，当交流电源电压为220 V，频率为50 Hz时，三只灯泡A、B、C亮度相同。
当电源电压有效值不变，频率变为45 Hz时，则（）A.C灯比原来亮B.B灯比原来亮C.A灯比原来亮D.所有灯仍一样亮度4.有一直流负载两端的电压为12 V，流过的电流为0.5 A，若采用单相桥式整流、电容滤波电路供电，则电二极管承受的最高反向电压为（）A.12 VB.10 2 VC.20 2 VD.14 2 V5.在互补对称OTL功放电路中，引起交越失真的原因是（）A.输入信号太大B.推挽管的基极偏压不合适C.电源电压太高D.晶体管β过大6.三端可调集成稳压器CW317的1脚是（）A.输入端B.公共端C.调整端D.输出端7.在如图所示的电路中，输入电压Ui＝10 V，稳压二极管UZ＝6 V，最小稳定电流IZmin＝5 mA，最大稳定电流IZmax＝25 mA，R＝1 kΩ，RL＝500 Ω，则流过负载的电流Io为（）A.12 mAB.10 mAC.6.67 mAD.3.33 mA8.在分压式偏置放大电路中，三极管电流放大倍数β＝100，若换成β＝50的同类型三极管，则（）A.ICQ增加为原来的2倍B.ICQ减少为原来的一半C.ICQ基本保持不变D.以上都不对二、填空题9.某功率放大器采用OTL电路，若电源电压为12 V，扬声器阻抗为8 Ω，则该功放管的反向击穿电压为。
(完整版)中职电子线路试卷
2012学年电子线路期中试卷班级 学号 姓名一、填空题（30分）1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即 、 和 。
当三极管工作在 区时，关系式I C ＝βI B 才成立；当三极管工作在 区时，I C ≈0；当三极管工作在 区时，U CE ≈0。
2、晶体二极管具有____________特性，当二极管两端正向电压大于______电压时，二极管才能导通，其正向压降硅管约为______V ，锗管约为______V 。
3、把交流电变成直流电的电路叫做整流电路。
常见的二极管单相整流电路有__________电路、_________________电路和_______________________电路。
4、半导体三极管，它是________控制型器件。
其内部有三个区即_____________、_____________和____________，5、晶体三极管按半导体材料可分______和______；按PN 结的组合方式不同可分为____________和____________型管。
6、晶体三极管I E 、I B 、I C 之间的关系式为__________7、三极管有放大作用的外部条件是：发射结 和集电结 。
8、正常情况下稳压管工作在 区，具有稳压作用。
二、选择题（30分） 1 23456789101、当晶体二极管的PN 结导通后，参加导电的是（ ）。
A 少数载流子B 多数载流子C 既有少数载流子又有多数载流子D 自由电子 2、当锗晶体二极管加上0.3V 的正向电压时，该晶体二极管相当于（ ）。
A 小阻值电阻B 阻值很大的电阻C 内部短路D 稳压管3、用万用表测得NPN 型晶体管各电极对地的电位是：V B ＝4.7V ，V C ＝4.3V ，V E ＝4V ，则该晶体三极管的工作状态是（ ）。
A 饱和状态B 截止状态C 放大状态D 击穿状态 4、如下图所示,已知两个稳压管稳定电压分别为V 1=5V,V 2=10V,它们的正向压降均为0.7V,若稳定电流都相等,则输出电压V 0为________。
中职电子线路复习试题
安徽省中等职业学校复习试题《电子线路》座号:___ __ 姓名：__________ _ 成绩：一、选择题：24分1、二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管（）A、反偏B、正偏C、不变2、在NPN型放大电路中，若b极和e极短路，则（）A、晶体管将深度饱和B、截止C、集电结将是正偏3、画放大器交流通路时，电容应视为（）A、短路B、开路C、不变4、需要一个阻抗变换电路，ri 大，r小，应选（）的负反馈形式。
A、电压串联B、电压并联C、电流串联D、电流并联5、四位二进制数所能表示的最大八进制是（）A、0~9B、1~16C、0~156、下列逻辑命题正确的是（）A、若A+B=A+C 则B=CB、若AB=AC 则 B=CC、若Y=A+B 则Y=BA7、在三极管的放大电路中，三极管最高电位的一端是（）A、NPN管的发射极B、PNP管的发射极C、PNP管的集电极D、NPN管的基极8、三极管放大器中，各级的功率增益为：-3dB，25dB和30dB，则总功率增益为（）A、52dBB、47dB c、-180dB D、-2250dB9、为了避免脉冲分压器输出端寄生电容引起的波形失真，应在脉冲分压器电路中加入（）。
A、补偿电阻B、补偿电容器C、补偿电感D、自举电容10、逻辑函数式F=ABC+A + B+C的逻辑值为（）A、ABCB、0C、1D、C11、从触发器的工作特点上看，它是（）。
A、双稳态电路B、单稳态电路C、无稳态电路12、乙类推挽功率放大器的理想最大效率为（）A、50%B、60%C、78%D、100%二、填空题：32分1、晶体三极管的三个电极分别称为极、极和极，它们分别用字母、和表示。
2、由晶体三极管的输出特性可知，它可分为区、区和区三个区域。
3、硅晶体三极管的饱和压降为，锗晶体三极管的饱和压降为。
4、硅晶体三极管发射结的导通电压约为，锗晶体管发射结导通电压约为。
5、为了有效地抑制零点漂移，多级放大器的第一级均采用放大电路。
中职电工考试试题及答案
中职电工考试试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 电路中电流的单位是（）。
A. 伏特B. 欧姆C. 安培D. 瓦特答案：C2. 电阻的单位是（）。
A. 伏特B. 欧姆C. 安培D. 瓦特答案：B3. 电路中电压的单位是（）。
A. 伏特B. 欧姆C. 安培D. 瓦特答案：A4. 电路中功率的单位是（）。
A. 伏特B. 欧姆C. 安培D. 瓦特5. 并联电路中，各支路电压的关系是（）。
A. 相等B. 不相等C. 互不影响D. 相互抵消答案：A6. 串联电路中，各电阻的电流关系是（）。
A. 相等B. 不相等C. 互不影响D. 相互抵消答案：A7. 欧姆定律的公式是（）。
A. V=IRB. I=V/RC. R=V/ID. P=VI答案：A8. 电容器的单位是（）。
A. 欧姆B. 法拉C. 安培D. 伏特答案：B9. 电感器的单位是（）。
B. 亨利C. 安培D. 伏特答案：B10. 三相电路中，三个相位的电压关系是（）。
A. 相等B. 不相等C. 互不影响D. 相互抵消答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 电流通过导体时，导体两端的电压与通过导体的电流之比称为该导体的______。
答案：电阻2. 电路中，电流的流动方向是从电源的______极流出，经过负载，最后回到电源的______极。
答案：正、负3. 在纯电阻电路中，电压与电流的相位关系是______。
答案：同相4. 电路中的功率因数是指电路中实际功率与视在功率的______。
答案：比值5. 电路中的谐振频率是指电路中电感和电容的______。
答案：阻抗相等6. 电路中，当电阻的阻值增大时，通过电阻的电流会______。
答案：减小7. 电路中，当电压一定时，电阻的阻值增大，电路中的电流会______。
答案：减小8. 电路中，当电流一定时，电阻的阻值增大，电阻两端的电压会______。
答案：增大9. 电路中，当电压一定时，电阻的阻值减小，电阻两端的电压会______。
中职电子电工专业理论测试题
中职电子电工专业理论测试题一、单项选择题1.在某单相桥式整流滤波电路中，变压器次级电压为10 V，接上负载后，测得输出直流电压为9 V，电路可能出现的情况是（）A.任一二极管开路B.滤波电容开路C.负载电阻开路D.无法确定2.某三极管共射放大电路处于放大状态时，三个极A、B、C对地的电位分别是VA=4.3V，VB=5V，VC=0，则此三极管是（）A.PNP硅管B.NPN硅管C.PNP锗管D.NPN锗管3.（2020年真题）如图所示的电路中，VZ的稳压值为3V，电路正常工作，当输入电压UI在5V~6V之间明显变化时，输出电压UO也明显变化的是（）4.NPN型三极管处于放大状态时,各极电位关系是（）A.VC>VE>VBB.VE>VB>VCC.UBE>0,UCE<0D.UBE>0,UBC<05.如下图所示的桥式整流电容滤波电路中，若变压器次级绕组的电压有效值U2＝20 V，测得输出电压为28 V，则电路可能发生的故障是（）A.一只二极管开路B.一只二极管反接C.负载开路D.电容开路6.在单相桥式整流电路中，若其中一个二极管出现断路，则（）A.输出电压为零B.输出电压下降一半C.将烧坏二极管或负载D.对电路工作无影响7.某固定偏置放大电路中的三极管，其输出特性曲线如下图所示，则该三极管的UCEQ、RC分别为（）A.12 V，4 kΩB.8 V，4 kΩC.8 V，2 kΩD.12 V，2 kΩ8.晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）A.少数载流子B.多数载流子C.既有少数载流子又有多数载流子D.不能确定9.设整流变压器副边电压u2＝ 2 U2sin（ωt），欲使负载上得到如图所示整流电压的波形，则需要采用的整流电路是（）A.单相桥式整流电路B.单相全波整流电路C.单相半波整流电路D.以上都不对10.对于半导体材料，若，则导电能力减弱。
（）A.环境温度降低B.掺杂金属元素C.增大环境光照强度D.以上都是11.同一测试电路中，分别测得A、B、C三个二极管电流如表所示，你认为性能最好的二极管是（）A.A管B.B管C.C管D.无法判断12.某放大电路在负载开路时的输出电压为0.6 V，接入2 kΩ的负载电阻后，输出电压降为0.4 V，这说明放大电路的输出电阻为（）A.2 kΩB.3 kΩC.1 kΩD.4 kΩ13.如图所示硅二极管的伏安特性曲线由组成。
中职电子电工专业考前测试题
中职电子电工专业考前测试题一、单项选择题1.下列关于欧姆定律说法错误的是（）A.I＝U/R，流过导体的电流与它两端的电压成正比B.I＝U/R，流过导体的电流与它的电阻成反比C.U＝IR，导体两端的电压与流过它的电流成正比D.R＝U/I，导体的电阻与它两端的电压成正比2.如下图所示的电路中，已知I1＝2 A，I5＝5 A，则I6的大小为（）A.7 AB.－7 AC.3 AD.－3 A3.为扩大电压表的量程，下列说法正确的是（）A.可通过串联电阻分压的方法B.可通过串联电阻分流的方法C.可通过并联电阻分流的方法D.可通过并联电阻分压的方法4.如图所示的金属导线中的自由电子从左向右移动，形成l mA的电流，则电流I1、I2分别为（）A.－1 mA、－1 mAB.－1 mA、1 mAC.1 mA、－1 mAD.1 mA、1 mA5.如下图所示，已知R1＝R3＝12 Ω，R2＝R4＝R5＝6 Ω，则a、b两点间的等效电阻Rab为（）A.8 ΩB.6 ΩC.12 ΩD.10 Ω6.用电压表测得电源的端电压为0，这说明（）A.外电路短路B.外电路断路C.外电路上的电流较小D.电源内阻为07.关于电位的概念,下列说法正确的是（）A.电位是绝对值B.电位是相对值C.电位就是电压D.参考点的电位不一定等于零8.若并联在电路中，两电阻R1＝2R2，R2上流过的电流为2A，则R1上流过的电流为（）A.0.5AB.1AC.2AD.4A9.已知某电阻器两端电压为6V时，通过电阻的电流为1.5A。
当其两端电压为12V时，该电阻器的阻值是（）A.3ΩB.4ΩC.6ΩD.8Ω10.若两个电容元件的电容量分别为30μF和60μF，则二者串联、并联后的容量分别为（）A.45μF、90μFB.90μF、45μFC.20μF、90μFD.90μF、20μF11.有一个直流电源，测得开路电压为100 V，短路电流为10 A，当外接10 Ω的负载时，负载电流为（）A.5 AB.10 AC.20 AD.15 A12.下列关于电容C＝Q的说法,正确的是（）UA.电容器充电量越大,电容增加越大B.电容器的电容与它两极所加电压成反比C.电容器的电容越大,所带电量就越多D.对于确定的电容器,它所充的电量与它两极板间所加电压的比值保持不变13.下列各项中,A点电位VA＝E-R·I对应的电路是（）14.某300 W的电热器工作电压为220 V，使用2小时，其耗电量应是（）A.0.15度B.1.5度C.6度D.0.6度15.在全电路中，负载数量减小，端电压将（）A.增大B.减小C.不变D.不确定二、填空题16.解决复杂直流电路的问题，除了需要欧姆定律外还需要定律。
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8．差分放大电路用恒流源代替长尾电阻 R e 是为了（ ）A ．提高共模电压放大倍数2000 年某省高等职业技术教育招收中等职业学校毕业生统一考试电子线路试题及参考答案试题 一、单项选择题 （在下列各题的四个选项中，只有一项是最符合题意的。
本大题共 小题，每小题 2分，共 70 分） 1．在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（ ） A ．掺杂工艺 B ．温度 C ．杂质浓度 D ．晶体缺陷 2．在半导体材料中，其正确的说法是（ ） A ．P 型半导体和 N 型半导体材料本身都不带电。
B ．P 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电。
C ． N 型半导体中，由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。
D ．N 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电。
3．由理想二极管组成的电路如图 1 所示，其 A 、B 两端的电压为（ ） A ．–12V B ．+6V C ．–6V D ．+12V 4．使用万用表直流电压挡，测得电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图 示，从而可判断出该晶体管工作在（ ） A ．饱和状态 B ．放大状态 C ．截止状态 D ．倒置状态 图2352所5．对于图 3 所示复合管，设 电阻 r be 为( ) A ． r be =r be1B ．r be =r be2C ．r be =r be1+(1+ )r be2D ．r be =r be1+r be2r be1和 r be2分别为 T 1、T 2 管的输入电阻，则复合管的输入 6．在图 4 电路中，设 c 1、c 2 对交流信号影响可忽略不计。
当输入 f=1kHz 的正弦电压信 号后，用示波器观察 V i 和 V o ，则二者相位关系为（ ） A ．相差 90°B ．相差 45°C ．同相D ．相差 180 °7．为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用（）图4A ．共射电路 B ．差分放大电路 C ． OCL 电路（互补对称电路） D ．共集电路16．直流负反馈是指（ ）A ．存在于 RC 耦合电路中的负反馈B ．直流通路中的负反馈C ．放大直流信号时才有的负反馈 D ．只存在于直接耦合电路中的负反馈 17．负反馈反能抑制的干扰和噪声是（）A ．输入信号所包含的干扰和噪声B ．反馈环外的干扰和噪声C ．反馈环内的干扰和噪声B ．提高差模电压放大倍数 C ．提高差模输入电阻D ．提高共模抑制比 9．测得放大电路的开路电压放大倍数为 6V ，接入 2k 负载电阻后，其输出电压降为 4V ，则此放大器的输出电阻 R o 为（ ）A ．R o =1KB ．R o =2KC ．R o =4K10．电路如图 5 所示，设集成电路具有理想的特性，电阻 列哪种情况时，可以产生较好的正弦波振荡。
（ ）D ．R o =6KR 2=10K ，当R 1 的阻值为下A ． R 1=4.7K （可调）B ． R 1=10K +4.7K ( 可调）C ． R 1=15K +4.7K ( 可调）D ．R 1=18K +4.7K （可调）11．电路如图 6 所示，其输出电压 V 0 为（ ）A ．V 0=2VB ．V 0=1VC ．V 0=3VD ．V 0=4V12．分压式共射放大电路如图 7 所示。
若更换管子使 由 50变为 100 ，则电路的电压放大倍数（）A ．约为原来的 0.5 倍B ．约为原来的 2 倍C ．基本不变D ．约为原来的 4 倍13．在 OCL 电路中，引起交越失真的原因是（ ）A ．输入信号大B ．晶体管 过大C ．电源电压太高D ．晶体管输入特性的非线性14．电路如图 8 所示，运放具有理想特性，其输入电阻为（）A ．1kB ．2kC ． 10kD ．15．某场效晶体管的转移特曲线如图 A ．P 沟道强制型 MOS 管C ． N 沟道结型 MOS 管9 所示，该管为（ ）B ． N 沟道结强型 MOS 管图7图8MOS 管D ．输出信号中的干扰和噪声18．电路如图 10所示，电容 C 足够大，若 V 2的有效值为 20V ，则负载上的直流电压平均值为（ ）A ．20VB ． 18VC ．9VD ． 24V19．单相半波可控整流电路的最大控制角是（）A ．180°B ．90°C ． 270°D ．360°20．在电阻性负载可控整流电路中，负载两端的电压和通过负载的电流波形（）A ．形状相同、幅度不同B ．电压相位滞后于电流相位C ．电压相位超前于电流相位D ．形状和幅度都不同 21．有两个放大电路相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一个具有内阻的信号源进行大，在负载开路的条件下测得 A 的输出电压小，这说明 A 的（ ）27．构成计数器的基本电路是（ ）A ．与门B ．与非门C ．或非门D ．触发器28．若要产生周期性的脉冲信号，应采用的电路是（ ）A ．多谐震荡器B ．双稳态触发器C ．单稳态触发器D ．施密特触发器 29．逻辑函数 EF EF EF ，化简后答案是（ ）A ．EFB ． EF EFC ．E+FD ．E+ F30．逻辑函数式 Y= EFC ，可以写作（ ）A ． Y E F GB ． Y EFGC ． Y E F GD ． YE FG31．逻辑函数式 F ABCA B C 的逻辑值为（ ）A ．ABCB ．1C ． AD ．032．基本 RS 触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态（）A ．恢复原状态B ．保持现状态C ．出现新状态D ．不停地翻转33．触发器与组合门电路的比较（）A ．输入电阻大 C ．输出电阻大B ．输入电阻小 D ．输出电阻小 22．开关电路如图 11 所示，如果状态赋值规定用 1表示开关闭合和灯亮；用 0 表示开关断开和灯灭，则 F 是 A 、B 的（ ）A ．与函数B ．或函数C ．与非函数D ．或非函数 23． A ⊙ B 的函数表达式的（ ）A ． AB A B B ． AB AB 24．二进制数 1001101 转换成十进制数是（A ． 97B ． 75 25．8421BCD 码 1111001 表示十进制数为（ ） A ．59 B ．75 26．八位二进制数能表示十进制数的最大值是（A ．248B ．192C．A+BD ． A C． 77 D． 141C． 91D． 79）C．255D．512图 10图 11B ）A．两者都有记忆能力B．两者都没有记忆能力C．只有组合逻辑门电路有记忆能力D．只有触发器有记忆能力34．TTLJK 触发器。
当J、K 均悬空或接高电平时，该触发器的功能是（）A ．计数（即翻转）B ．置 1 C．置0 D．不定35．已知组合电路及输入波形如图12 所示，则输出波形为（）图12二、双项选择题（在下列各题的四个选项中，只有两项是最符合题意的。
本大题共小题，每小题2分，共60 分）36．二极管两端所加的反向电压增大时，将会使得（）A．阻挡层变宽C．反向电流变小 D ．反向电流基本不变37．在晶体管放大电路中，测得管子各极的电位如图13所示。
为NPN 型晶体管的是（）图1338．晶体管用来放大时，应满足的外部条件是（）A ．发射结反偏B．发射结正偏C．集电结正偏D．集电结反偏39．当温度升高时，半导体三极管各参数的变化趋势是（）A ．值变小B．值变大C．穿透电流变大D．穿透电流变小40．增强型MOS 管的开启电压应是（）A．P 沟道增强型MOS 管的开启电压为正值B．P沟道增强型MOS 管的开启电压为负值C．N 沟道增强型MOS 管的开启电压为正值D．N 沟道增强型MOS 管的开启电压为负值41．射极输出器具有的特点是（）A ．输入电阻高B．输入电阻低C．输出电压放输入电压同相D．输出电压和输入电压反相43．在图15 所示电路中，其输入电阻R i 和输出电阻R o 分别是（）A．R i=R b//(R e//R L)B．R i=R b//[r be+(1+ )(R e//R L)]30B．阻挡层变窄图15C ． R o =R e //R LD ．R o =R e //[r be +(1+ )] R be /(1+ ) 44．电路如图 4 所示，要使静态时的 V CE 增大，可采用的方法是( A ．增大 R b B ．减少 R b 45．在图 7 所示的电路中，稳定静态工作点的措施是( A ．R b1、 R b2 的阻值很大 C ．取较大的 R o 46．电路如图 16 所示。
其直流负载线为 和增大电压时，对负载线和工作点的影响是( C ．增大 R L ) B ．使基极电位基本不变 D ．取较大的 R c MN ，静态工作点为 Q ， ) ) D ．减小 R L当分别减小 R c 的阻值 A ． 减小 R c 负载线为 MA ，工作点移向 Q 1 B ． 减小 R c 负载线为 MB ，工作点移向 Q 3C ． 增大 V CC 负载线为 CD ，工作点移向 Q 2 D ． 增大 V CC 负载线为 EF ，工作点移向 Q 4 47．为了尽量减小向信号源取用的信号电流并且有较强的带负载的 能力，则应引入的反馈类型应为( A ．电压负反馈 C ．串联负反馈 48．多级放大电路与单级放大电路相比( A ．电压增益提高C ．通频带变宽 49．为了尽量减小向信号源取用的信号电流， 的输入级和输出级应满足的条件是( )A ．输入级的输入电阻较大B ．输入级的电阻越小越好C ．输出级的输出电阻要小D ．输出级的输出电阻要大 50．图 17 所示电路中， R 1 所引入的反馈类型是A ．电压串联负反馈B ．电压并联负反馈C ．交流反馈D ．交支流反馈51． OCL 电路(互被功放)在理想条件下(A ．最大效率为 78.5%B ．最大效率为 50%C ．管子承受的最大电压为 2V CCD ．管子承受的最大电压为 2V CC52．引入负反馈，对放大器性能的改善是(A ．提高放大倍数B ．消除自激振荡C ．展宽频带D ．改善环内放大器的非线性失真 53．振荡器维持振荡的幅值条件和相位条件是(A ．AF=1B ．AF>1B ．电流负反馈 D ．并联负反馈 ) B ．电压增益减小 D ．通频带变窄 并且有较强的带负载能力， 则多级放大器 图 17C． A F 2n (n 0，1，D． A F (2n 1) (n 0，晶闸管导通必须具备的条件是( A．承受反向阳极电压B．承受正向阳极电压C．承受正向门极电压D．承受反向门极电压电路如图18所示，当V1为3V 时，其基极电流A ．i B=0.24mAB ．i B=0.43mAC ．V o 0VD ．V o=12V54．55．56．57．58．59．60．61．62．63．64．电路如图19 所示，逻辑关系正确的是(图19电路如图A．(11000)2=(25)10B．(11110)2=(27)10C．(10111)2=(23)10D．(10101) 2=(21) 10下列各式中，结果正确的是( )A．(64)16=(100) 10B．(64)16=(1100100)2C．(64)16=(98)10D．(64)=(1100110) 2将二进制数转换成十进制数，结果正确的是())组合电路的特点是( A．输入信号仅取决于该时刻的输入信号B．输出与输入间含有记忆单元C．输出与输入间不含任何记忆单元和反馈单元D．输出信号和电路的原状态有关电路如图21所示，逻辑函数 F 的关系式是( A．F=AB C B．FAB图21 C． F AB C D ． F逻辑函数 F 的真值表已知，则ABF 的表达式是(A．F=A+B．F=ABC．F=AD．F A和F ABA．F(AC．F ABBCD 有相同逻辑关系的表达式是(B)(C D) B．F=AB+CDB CD D ． F AB CD 电路如图22所示。