电子技术基础期末复习
电子技术期末复习资料
《电子技术》练习题一、填空题1、不论是N型半导体还是P型半导体都是电中性，对外不显电性。
2、根据PN结的组合方式，可形成PNP型和 NPN型三极管。
3、二极管的两端加正向电压时，有一段“死区压降”，锗管约为 0.1V ，硅管约为 0.5V 。
4、二极管的主要特性是单向导电性，PN结正向偏置时处于导通状态。
5、通常把晶体管的输出特性曲线分为三个区域：截止区、放大区、饱和区。
6、一个PN结可以构成一个二极管、稳压二极管工作在特性曲线的反向击穿区域。
7、集成运算放大器一般由输入级、中间级、输出级、偏置电路四部分组成。
8、理想运放工作在线性区时有两个重要特点，即虚短和虚断。
9、数字逻辑电路可分为组合逻辑电路和时序逻辑电路两大类。
10、数字电路中，基本的逻辑关系有与、或和非三种。
11、与门的逻辑功能是有0出0, 全1出1；与非门的逻辑功能是。
在数字电路中常用数字 1 、 0 表示电平高低。
12、按晶体管的导通时间的不同，可将功率放大电路分成甲类、乙类、甲乙类。
其中效率最高的是乙类。
乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫交越失真。
13、直流稳压电源主要由电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路四部分组成。
14、时序逻辑电路是由具有记忆功能的触发器组成，其输出状态除与当时的输入16、二极管的两个管脚的名称是阳极和阴极。
17、.集成三端稳压器CW7915的输出电压为-15 V，CW7805输出电压为 5 V。
18、在整流与负载之间接入滤波电路。
若接电容滤波电路，要将滤波电容与负载并联，若接电感滤波电路，要将滤波电感与负载串联。
19、理想集成运放的特点是：输入电阻无穷大，电压放大倍数无穷大，共模抑制比无穷大，输出电阻 020、(30)10 = ( 11110 )2、（101111）2=( 2F )16。
二、选择题1、在单相半波整流电路中，如果变压器二次绕组电压为40V，则输出电压U0为（ C ）。
A．10V B．15V C．18V D．20V2、PNP型晶体管处于放大状态时，各极正确的电位关系是（C ）A．VC > VE > VB B．VC > VB >VE C．VC < VB < VE D．VC < VE < VB3、在放大电路中，当输入信号一定时，静态工作点Q设置太高将产生（ B ）失真A．截止 B．饱和 C．频率 D．无法确定4、硅管正偏导通时，其管压降约为（ D ）A．0.1V B．0.2V C．0.5V D．0.7V5、稳压二极管是一种特殊的二极管，稳压时工作在（ C ）状态。
数字电子技术基础课-阎石-第五版第四章期末复习题
组合逻辑电路习题一、填空、选择1、8 线—3线优先编码器74LS148 的优先编码顺序是I7 、I6 、I5 、…、I0 ，输出A2 A1 A0 。
输入输出均为低电平有效。
当输入I7 I6 I5 …I0 为11010101时，输出A2 A1 A0为 。
2、3 线—8 线译码器74LS138 处于译码状态时，当输入A 2A 1A 0=001 时，输出Y 7～Y 0 = 。
3、组合逻辑电路任何时刻的输出信号，与该时刻的输入信号 ，与电路以前的状态 。
4、在组合逻辑电路中，由于门电路的延时，当输入信号状态改变时，输出端可能出现虚假过渡干扰脉冲的现象称为 。
5、一位数值比较器，输入信号为两个要比较的一位二进制数A 、B ，输出信号为比较结果：Y(A ＞B)、Y(A ＝B)和Y(A ＜B)，则Y(A ＞B)的逻辑表达式为 。
6、下列电路中，不属于组合逻辑电路的是。
（A ）译码器 （B ）全加器 （C ）寄存器 （D ）编码器 7、在二进制译码器中，若输入有4位代码，则输出有 个信号。
（A ）2 （B ）4 （C ）8 （D ）16 二、分析题4.1写出图所示电路的逻辑表达式，并说明电路实现哪种逻辑门的功能。
习题4.1图4.2分析图所示电路，写出输出函数F 。
习题4.2图4.3已知图示电路及输入A 、B 的波形，试画出相应的输出波形F ，不计门的延迟．B A =1 =1 =1F习题4.3图4.4由与非门构成的某表决电路如图所示。
其中A 、B 、C 、D 表示4个人，L=1时表示决议通过。
（1） 试分析电路，说明决议通过的情况有几种。
（2） 分析A 、B 、C 、D 四个人中，谁的权利最大。
4.5分析图所示逻辑电路，已知S 1﹑S 0为功能控制输入，A ﹑B 为输入信号，L 为输出，求电路所具有的功能。
习题4.5图4.6试分析图所示电路的逻辑功能。
习题4.6图4.7已知某组合电路的输入A 、B 、C 和输出F 的波形如下图所示，试写出F 的最简与或表达式。
电子技术基础(一)期末复习提要
《电子技术基础》（一）期末复习提要第一章半导体二极管、三极管和MOS管一、重点掌握内容1．半导体二极管的单向导电特性，伏安特性曲线，开关应用时开关条件及开头状态的特点。
2．半导体三极管（NPN）的输入特性和输出特性，截止、放大、饱和三种工作状态下的特点。
3．NMOS管开关应用时开关条件及开关工作状态下的特点，MOS管的使用特点。
二、一般掌握的内容1．PN结形成的原因，扩散和漂移的概念，PN结外加两种不同极性电压时的导电性能。
2．二极管的主要参数，几种常用的特殊二极管及它们的工作原理和特点。
3．三极管的工作原理和主要参数，α、β、I CBO、I CＥO的物理意义，它们之间的关系及对三极管性能的影响，三极管极限工作区的物理意义和划分。
4．增强型MOS管的工作原理、输出特性和转移特性，MOS管的工作特点及主要参数。
三、一般了解的内容1．三极管的内部载流子运动过程，三极管的开关时间、类型和型号。
2．耗尽型MOS管的工作原理，特性曲线和主要参数，MOS管的开关时间。
第二章数字逻辑基础一、重点掌握的内容1．二进制数的计数规律，二进制数、八进制数、十六进制数与十进制数之间的转换方法（整数）2.逻辑代数的三种基本运算，逻辑代数的基本公式和常用公式。
3．逻辑函数的公式化简法和卡诺图化简法。
4．逻辑函数的五种表示方法及其相互转换。
二、一般掌握的内容1．几种常用的复合函数（与非、或非、异或、同或、与或非）的定义及其表示方法。
2．逻辑函数中约束的概念，约束条件的表示方法，具有约束的逻辑函数的化简方法。
3．逻辑代数的三个基本规则。
三、一般了解的内容几种常用的二进制码及其特点：第三章门电路一、重点掌握的内容1．CMOS反相器的组成、工作原理及CMOS与非门、或非门、传输门、三态门、异或门的电路符号、逻辑功能和性能特点。
2．TTL反相器的电路组成、工作原理及TTL与非门、或非门、OC门、三态门、与或非门、异或门的电路符号、逻辑功能和性能特点。
数字电子技术基础课-阎石_第五版第十章期末复习题
第十章 数模和模数转换习题1、 选择题1）一输入为十位二进制（n=10）的倒T 型电阻网络DAC 电路中，基准电压REF V 提供电流为 。
A. R V 10REF 2B. RV 10REF 22⨯ C. R V REF D. R V i )2(REF ∑ 2）权电阻网络DAC 电路最小输出电压是 。
A. LSB 21VB. LSB VC. MSB VD. MSB 21V 3）在D/A 转换电路中，输出模拟电压数值与输入的数字量之间 关系。
A.成正比B. 成反比C. 无4）ADC 的量化单位为S ，用舍尾取整法对采样值量化，则其量化误差m ax ε= 。
A.0.5 SB. 1 SC. 1.5 SD. 2 S5）在D/A 转换电路中，当输入全部为“0”时，输出电压等于 。
A.电源电压B. 0C. 基准电压6）在D/A 转换电路中，数字量的位数越多，分辨输出最小电压的能力 。
A.越稳定B. 越弱C. 越强7）在A/D 转换电路中，输出数字量与输入的模拟电压之间 关系。
A.成正比B. 成反比C. 无8）集成ADC0809可以锁存 模拟信号。
A.4路B. 8路C. 10路D. 16路9）双积分型ADC 的缺点是 。
A.转换速度较慢B. 转换时间不固定C. 对元件稳定性要求较高D. 电路较复杂2 、填空题1）理想的DAC 转换特性应是使输出模拟量与输入数字量成__ __。
转换精度是指DAC 输出的实际值和理论值__ _。
2）将模拟量转换为数字量，采用 __ __ 转换器，将数字量转换为模拟量，采用__ ___ 转换器。
3）A/D 转换器的转换过程，可分为采样、保持及 和 4个步骤。
4）A/D 转换电路的量化单位位S ，用四舍五入法对采样值量化，则其m ax ε= 。
5）在D/A 转换器的分辨率越高，分辨 的能力越强；A/D 转换器的分辨率越高，分辨 的能力越强。
6）A/D 转换过程中，量化误差是指 ，量化误差是 消除的。
电子技术基础期末复习题
2014级电气自动化技术专业《电子技术基础》复习资料一、填空题。
1、二极管工作在正常状态时，若给其施加正向电压时，二极管导通, 若施加反向电压时，则二极管截至，这说明二极管具有单向导电性。
2、晶体管从内部结构可分为NPN 型和PNP型。
3、NPN型硅晶体管处于放大状态时，在三个电极电位中，其电位高低关系为C＞VB＞VE，基极和发射极电位之差约等于0.7。
V4、在晶体管放大电路中，测得IC=3mA，IE=3.03mA，则IB=0.03，= 100 。
5、按晶体管在电路中不同的连接方式，可组成共基、共集和共射三种基本放大电路；其中共集电路输出电阻低，带负载能力强；共射电路兼有电压放大和电流放大作用。
6、晶体管在电路中若用于信号的放大应使其工作在放大状态。
若用作开关则应工作在饱和和截至状态，并且是一个无触点的控制开关。
7、组合逻辑电路是指任何时刻电路的输出仅由当时的输入状态决定。
8、用二进制表示有关对象的过程称为编码。
9、n个输出端的二进制编码器共有2n个输入端，对于每一组输入代码，有1个输入端具有有效电平。
10、画晶体管的微变等效电路时，其B、E两端可用一个线性电阻等效代替，其C、E两端可以用一个可控电流源等效代替。
11、1位加法器分为半加器和全加器两种。
12、多级放大器的级间耦合方式有3种，分别是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。
13、多级放大电路的通频带总是比单级放大电路的通频带窄。
14、反馈是把放大器的输出量的一部分或全部返送到输入回路的过程。
15、反馈量与放大器的输入量极性相反，因而使净输入量减小的反馈，称为负反馈。
为了判别反馈极性，一般采用瞬时极性法。
16、三端集成稳压器CW7806的输出电压是 6 V。
17、施加深度负反馈可使运放进入线性区，使运放开环或加正反馈可使运放进入非线性区。
18、逻辑功能为“全1出0，见0出1”的逻辑门电路时与非门。
19、一个二进制编码器若需要对12个输入信号进行编码，则要采用4位二进制代码。
数字电子技术基础期末复习试题
数字电子技术基础期末复习试题一、填空题:1、（48）10=（）16=（）2。
2、对于ttl与非门的闲置输入端可接，ttl或非门不使用的闲置输入端应接。
3、格雷码的特点是任意两组相邻代码之间有位不同。
4、在以下jk触发器、rs触发器、d触发器和t触发器四种触发器中，同时具备维持、复置1、复置0和滑动功能的触发器就是。
5、oc门可以实现功能，cmos门电路中的门也可以实现该功能。
6、一只四输入端与非门，使其输出为0的输入变量取值组合有种。
7、常见的组合逻辑电路有编码器、和。
8、逻辑函数f?ab?ac?bd的反函数为，对偶函数为。
9、一个同步时序逻辑电路可以用、、三组函数表达式叙述。
10、加法器的位次方式存有和两种。
11、16挑选1的数据选择器有个地址输出端的。
12、存储器的种类包括和。
13、在时钟脉冲cp促进作用下，具备和功能的触发器称作t触发器，其特性方程为。
14、三态门输入的三种状态分别为：、和。
15、用4个触发器可以存储位二进制数。
16、逻辑电路中，高电平用1表示，低电平用0表示，则成为逻辑。
17、把jk触发器改成t触发器的方法是。
18、女团逻辑电路就是指电路的输入仅由当前的同意。
19、5个地址输出端的译码器，其译码输入信号最多理应个。
20、输入信号的同时跳变引起输出端产生尖峰脉冲的现象叫做。
21、一个rom存有10根地址线，8根数据输入线，rom共计个存储单元。
22、n个触发器共同组成的计数器最多可以共同组成十进制的计数器。
23、基本rs触发器的约束条件就是。
24、逻辑代数中3种基本运算就是、和。
25、逻辑代数中三个基本运算规则、和。
26、如果对键盘上108个符号展开二进制编码，则至少必须位二进制数码。
27、将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的rom。
该rom有根地址线，有根数据输出线。
28、74ls138是3线―8线译码器，译码输出低电平有效，若输入为a2a1a0=110时，输出y7'y6'y5'y4'y3'y2'y1'y0'y1=。
模拟电子技术基础(第四版)期末复习资料
该复习资料，不一定适用于本校，但有比没有要好。
第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管，锗管。
*开启电压------硅管，锗管。
分析方法------ ----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路或压降;若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
三、稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件)CBO CEO B CBC)(1I I i iIIβββ+=∆∆==其中I CEO是穿透电流（越小越好），I CBO是集电极反向电流。
电工电子技术期末复习题及答案
一．判断正误：1、电路分析中描述的电路都是实际中的应用电路。
（错）2、电源内部的电流方向总是由电源负极流向电源正极。
（错）3、大负载是指在一定电压下，向电源吸取电流大的设备。
（对）4、电压表和功率表都是串接在待测电路中。
（错）5、实际电压源和电流源的内阻为零时，即为理想电压源和电流源。
（错）6、正弦量可以用相量表示，因此可以说，相量等于正弦量。
（错）7、中线的作用就是使不对称Y接三相负载的端电压保持对称。
（对）8、电动机的额定功率指的是电动机轴上输出的机械功率。
（对）9、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。
（错）10组合逻辑电路的输出只取决于输入信号的现态。
（对）二、单项选择：1．变压器降压使用时，能输出较大的____b_____。
A、功率B、电流C、电能D、电功2．三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的________b_决定。
A、相位B、相序C、频率D、相位角3．电气控制线路原理图中，触头的位置是处于______a___。
A、未通电状态B、通电状态C、根据情况确定状态4．为保证机床操作者的安全，机床照明灯的电压应选____d_____。
A、380VB、220VC、110VD、36V以下5．关于提高功率因数的说法，正确的是（ c ）A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数6．乙类互补对称式功放电路，其输出波形的交越失真是指（ c ）。
A ．频率失真 B 、相位失真 C 、波形过零时出现的失真 D 、幅度失真7．稳压管的动态电阻（ b ）稳压性能越好。
A 、越大B 、越小C 、较合适D 、不一定 8．运算放大器电路如图所示，该电路中反馈类型为 ( )。
a(A) 串联电压负反馈 (B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈 (D) 并联电流负反馈－＋∞+u Ou i9．双稳态触发器的输出状态有（ b ）A 、一个稳态、一个暂态B 、两个稳态，1态或0态C 、只有一个稳态D 、没有稳态10．和逻辑式AB 表示不同逻辑关系的逻辑式是（B ）。
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电子技术基础期末复习 Document number：WTWYT-WYWY-BTGTT-YTTYU-2018GT第1章检测题一、填空题：（每空分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相同，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向N区进行扩散，N 型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散运动起削弱作用，对少子的漂移运动起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，则红表棒接触的电极是二极管的阴极；黑表棒接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿损坏；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化不通。
6、单极型晶体管又称为MOS管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
（错）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。
（错）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（错）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。
（错）6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。
（对）7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿损坏。
（错）8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。
（错）9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。
（错）10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（错）三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。
A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝，V B＝，V C＝，说明此三极管处在（A）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。
A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。
A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。
9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数 。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。
四、简述题：（每小题4分，共28分）1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。
上述说法对吗为什么答：这种说法是错误的。
因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。
2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
答：管脚③和管脚②电压相差，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个NPN 型硅管。
再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。
3、图6-23所示电路中，已知E =5V ，t u ωsin 10i =V ，二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R =0，反向阻断时电阻R =∞），试画出u 0的波形。
答：分析：根据电路可知，当u i >E 时，二极管导通u 0=u i ，当u i <E 时，二极管截止时，u 0=E 。
所以u 0的波形图如下图所示： 4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同 答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。
单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。
5、半导体二极管由一个PN 结构成，三极管则由两个PN 结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管如不能，说说为什么答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。
因为，两个背靠背的二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄的内部条件，即使是发射区向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向集电区扩散，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用三极管会损坏吗为什么答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。
因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。
课后习题1-1，1-7第2章 检测题一、填空题：（每空分，共21分）1、基本放大电路的三种组态分别是： 共发射极 放大电路、 共集电极 放大电路和 共基极 放大电路。
2、放大电路应遵循的基本原则是： 发射 结正偏； 集电 结反偏。
3、将放大器 输出信号 的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做 反馈 信号。
使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为 负 反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为 正 反馈。
放大电路中常用的负反馈类型有 电压串联 负反馈、 电流串联 负反馈、 电压并联 负反馈和 电流并联 负反馈。
4、射极输出器具有 电压增益 恒小于1、接近于1， 输入信号 和 输出信号 同相，并具有 输入电阻 高和 输出电阻 低的特点。
图6-23 u/V ωt 0 u i u 0 10 55、共射放大电路的静态工作点设置较低，造成截止失真，其输出波形为上削顶。
若采用分压式偏置电路，通过反馈环节调节合适的基极电位，可达到改善输出波形的目的。
6、对放大电路来说，人们总是希望电路的输入电阻越大越好，因为这可以减轻信号源的负荷。
人们又希望放大电路的输出电阻越小越好，因为这可以增强放大电路的整个负载能力。
7、反馈电阻R E的数值通常为几十至几千欧，它不但能够对直流信号产生负反馈作用，同样可对交流信号产生负反馈作用，从而造成电压增益下降过多。
为了不使交流信号削弱，一般在R E的两端并联一个约为几十微法的较大射极旁路电容C E。
8、放大电路有两种工作状态，当u i＝0时电路的状态称为静态，有交流信号u i 输入时，放大电路的工作状态称为动态。
在动态情况下，晶体管各极电压、电流均包含直流分量和交流分量。
放大器的输入电阻越大，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越小，放大器带负载能力就越强。
9、电压放大器中的三极管通常工作在放大状态下，功率放大器中的三极管通常工作在极限参数情况下。
功放电路不仅要求有足够大的输出电压，而且要求电路中还要有足够大的输出电流，以获取足够大的功率。
10、晶体管由于在长期工作过程中，受外界温度及电网电压不稳定的影响，即使输入信号为零时，放大电路输出端仍有缓慢的信号输出，这种现象叫做零点漂移。
克服零点漂移的最有效常用电路是差动放大电路。
二、判断下列说法的正确与错误：（每小题1分，共19分）1、放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。
（错）2、放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。
（对）3、射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。
（错）4、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。
（对）5、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。
（对）6、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。
（错）7、微变等效电路不能进行静态分析，也不能用于功放电路分析。
（对）8、共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。
（错）9、微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。
（错）10、基本放大电路通常都存在零点漂移现象。
（对）11、普通放大电路中存在的失真均为交越失真。
（错）12、差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。
（对）13、放大电路通常工作在小信号状态下，功放电路通常工作在极限状态下。
（对）14、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。
（对）15、共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真。
（错）16、放大电路的集电极电流超过极限值I CM，就会造成管子烧损。
（错）17、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。
（错）18、采用适当的静态起始电压，可达到消除功放电路中交越失真的目的。
（对）19、射极输出器是典型的电压串联负反馈放大电路。
（对）三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。