模拟电路 5.5节
模拟电路工作原理
模拟电路工作原理模拟电路是电子电路领域的核心部分，它模拟了各种现实世界中的连续变化的信号。
本文将详细介绍模拟电路的工作原理，从基本概念到具体应用，帮助读者更好地理解和运用模拟电路。
一、模拟电路的基本概念模拟电路是指能够处理连续变化信号的电路，其中包括模拟信号的产生、放大、滤波、测量和处理等功能。
与之相对应的是数字电路，数字电路处理离散的信号，常用于逻辑计算和数字信号处理等领域。
二、模拟电路的基本元件模拟电路中常用的基本元件包括电阻、电容和电感。
其中，电阻用于限制电流流动，电容用于存储电荷，电感用于存储磁场能量。
这些元件在模拟电路中相互结合，在不同应用场景下发挥不同作用。
三、模拟电路的工作原理1. 放大器放大器是模拟电路中最常见的元件之一。
它通过放大电压或电流的幅度，提高信号的强度。
常见的放大器类型包括运算放大器、功放和差分放大器等。
放大器的工作原理是通过外部电源提供能量，使得输入信号被放大，并输出增强后的信号。
2. 滤波器滤波器用于选择特定频率范围内的信号。
它根据输入信号的频率，通过选择性地通过或阻断信号的不同频段来实现滤波的功能。
常见的滤波器类型包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等。
滤波器的工作原理是通过元件阻抗的变化来实现信号的选择性通过或阻断。
3. 振荡器振荡器用于产生稳定的周期性信号，常见的应用场景包括正弦波发生器和时钟发生器等。
振荡器的工作原理是通过正反馈回路，在特定的条件下产生持续的振荡信号。
振荡器的输出频率由电路参数决定，可以通过外部元件调节。
四、模拟电路的应用1. 通信系统模拟电路在通信系统中扮演着重要的角色。
它们被用于信号调制和解调、放大和滤波等功能，实现信号的传递和处理。
在手机、电视和无线电等设备中，模拟电路的应用十分广泛。
2. 传感器传感器是将现实世界的物理量转换成电信号的装置，模拟电路常用于传感器的信号处理和放大。
例如，光敏传感器可以将光强度转换成电信号，在模拟电路的帮助下测量光线的强弱。
Multisim模拟电路仿真实例
滞回比较器
UREF 为参考电压；输 出电压 uO 为 +UZ 或 -UZ；uI 为输入电压。
当 u+ = u- 时，输出电压 的状态发生跳变。
u
RF R2 RF
U REF
R2 R2 RF
uO
UT-
比较器有两个不同的门限电平，
故传输特性呈滞回形状。
uO
+UZ
UT+
O
uI
-UZ
若 uO = UZ ，当 uI 逐渐增大时，使 uO 由 +UZ 跳变为
-UZ 所需的门限电平 UT+
UT
Байду номын сангаас
RF R2 RF
U REF
R2 R2 RF
UZ
若 uO= UZ ，当 uI 逐渐减小时，使 uO 由 UZ 跳变 为 UZ 所需的门限电平 UT
图5-25 乙类互补对称功放电路
运行仿真： 从中可以发现输出信号的波形有明显的交越失真。
其失真原因
当输入信号较小时，达不到三极 管的开启电压，三极管不导电。
因此在正、负半周交替过零处会出 现非线性失真，即交越失真。
输入波形
输出波形
其失真范围如何呢？ 下面进行直流扫描分析，以便确定其交越失真的范围。
图5-24 波特图仪显示结果
若将信号源的频率分别修改为200Hz 和1MHz ，再次启动仿真，其输出电 压有何变化？
200Hz
1KHz
适当修改参数R1、R2、R3、R4和C1、C2，观察通带电压放大倍数和通带
截止频率的变化？
增如大果RR11输太出大波， 形输幅出度会增？大
《模拟电路教案》
《模拟电路教案》word版第一章：模拟电路基础1.1 教案目标让学生了解模拟电路的基本概念。
让学生掌握电路元件的符号及其功能。
1.2 教学内容模拟电路的定义与特点电路元件符号及其功能电路的基本连接方式1.3 教学方法采用讲授法，讲解模拟电路的基本概念和电路元件符号。
采用互动法，让学生参与电路连接实践，加深对电路连接方式的理解。
1.4 教学准备PPT课件电路元件实物电路连接工具1.5 教学过程1. 导入：通过提问方式引导学生思考什么是模拟电路，激发学生学习兴趣。
2. 讲解：讲解模拟电路的定义、特点以及电路元件符号和功能。
3. 实践：让学生分组进行电路连接实践，加深对电路连接方式的理解。
第二章：放大电路2.1 教案目标让学生了解放大电路的基本原理。
让学生掌握放大电路的组成及应用。
2.2 教学内容放大电路的原理放大电路的组成及应用放大电路的主要性能指标2.3 教学方法采用讲授法，讲解放大电路的原理和组成。
采用案例分析法，分析放大电路在实际应用中的例子。
2.4 教学准备PPT课件放大电路实例2.5 教学过程1. 导入：通过问题引导学生思考为什么需要放大电路，激发学生学习兴趣。
2. 讲解：讲解放大电路的原理、组成及应用。
3. 案例分析：分析放大电路在实际应用中的例子，加深学生对放大电路的理解。
第三章：滤波电路3.1 教案目标让学生了解滤波电路的基本原理。
让学生掌握滤波电路的组成及应用。
3.2 教学内容滤波电路的原理滤波电路的组成及应用滤波电路的主要性能指标3.3 教学方法采用讲授法，讲解滤波电路的原理和组成。
采用案例分析法，分析滤波电路在实际应用中的例子。
3.4 教学准备PPT课件滤波电路实例3.5 教学过程1. 导入：通过问题引导学生思考为什么需要滤波电路，激发学生学习兴趣。
2. 讲解：讲解滤波电路的原理、组成及应用。
3. 案例分析：分析滤波电路在实际应用中的例子，加深学生对滤波电路的理解。
第四章：振荡电路4.1 教案目标让学生了解振荡电路的基本原理。
Multisim14电子电路仿真方法和样例
Multisim14 电子电路仿真方法和样例
2019 年 9 月
1
前言
本手册基于 Multisim14 仿真环境，从最基本的仿真电路图的建立开始，结合实际的例 子，对模拟和数字电路中常用的测试方法进行介绍。这些应用示例包括：常用半导体器件特 性曲线的测试、放大电路静态工作点和动态参数的测试、电压传输特性的测试、波形上升时 间的测试、逻辑函数的转换与化简、逻辑分析仪的使用方法等。
选定 sheet properties 即弹出图 2.3 所示界面，选中 Net names 下的 Show all（简述为
Optionsàsheet propertiesà Net namesàShow all，以下均用简述方法表述），即可在电路图中
显示出各个节点号。
4
图 2.2 移动连线
图 2.3 显示电路节点号
3
1. Multisim14 主界面简介
运行 Multisim14，自动进入电路图编辑界面。当前电路图的缺省命名为“Design1”，在 保存文件时可以选择存放路径并重新命名。Multisim14 主界面如图 1.1 所示。
图 1.1 Multisim14 用户界面
2. 仿真电路图的建立
下面以单管放大电路为例，介绍建立电路的步骤。其中三极管选用实际器件
此外，本手册侧重于测试方法的介绍，仅对主要步骤进行说明，如碰到更细节的问题， 可参阅《Multisim 14 教学版使用说明书》或其它帮助文档。
2
目录
并联谐振电路
课程电路基础章节 5.4-5.5节教师王建国审批课题并联谐振电路课时 2 授课日期授课班级教学目的与要求1、熟练掌握并联谐振电路中的基本参数。
2、掌握并联谐振电路的频率特性。
3、熟练掌握并联谐振电路的通频带。
重点并联谐振电路的基本参数。
难点并联谐振电路的频率特性和通频带。
授课类型讲练教具多媒体作业教材150页第5-2-3题教学进程和时间分配表（可略去，直接填写教学内容）序号教学内容时间分配1 复习串联谐振电路并引入新课程。
10 提问2 并联谐振电路中的基本参数。
30 讲授3 并联谐振电路的频率特性。
20 讲授4 并联谐振电路的通频带。
20 讲授5 课堂总结和练习。
10教学内容：并联谐振电路由电感线圈和电容器并联组成。
右图为并联谐振电路的模型，其中R和L分别为电感线圈的电阻和电感，C为电容器的电容。
一、并联谐振的条件由右图可得电路的复导纳为：Y =+jωC =+j[ωC -] = G + jB并联谐振时，端口电压与电流同相，此时电路表现为纯阻性，电路的电纳为零，即复导纳的虚部为零，则并联谐振的条件为：ωC -= 0 即：ωC =在实际电路中，由于均满足Q远大于1的条件即ω0L远大于R，上式可化简为：ω0L所以Q远大于1时，并联谐振电路发生谐振时的角频率和频率分别为：ω0 =f0 =调节L、C的参数值，或该变电源频率，均可发生谐振。
二、并联谐振的特征（1）谐振阻抗关联谐振时，回路阻抗为纯电阻，端口电压与总电流同相，在Q远大于1时，电路阻抗为最大值，电路导纳为最小值。
谐振阻抗的模|Z0|为：|Z0| ==== Qω0L = Qρ== Q2R =在电子技术中，因为Q远大于1，所以并联谐振电路的谐振阻抗很大，一般在几十千欧姆至几百千欧姆之间。
（2）并联谐振时电路的端电压若并联谐振电路外接电流源，则谐振时电路的端口电压为：U‘= IS’Z0 =IS’ 由于谐振时电路的阻抗接近最大值，因而在电流源激励下电路两端的电压最大。
模拟电路答案_部分5
（2）加消振电容，在晶体管 T2 的基极与地之间。 （3）可在晶体管 T2 基极和集电极之间加消振电容。因为根据密勒定理，等效在基极与 地之间的电容比实际电容大得多。
6.21 （a）C2 到 R3，提高输入电阻，改善跟随特性。 （b）C2 到 R3，提高第二级跟随范围，增大放大倍数，使输出的正方向电压有可能高于 电源电压。
R1 R2 R3 R1 R2
U Z
~
R1
R2 R1
R3
U
Z，即
R1
R1
R2
R2
R3
6V
~
R1
R2 R1
R3
6V
6.17 反馈系数 20 lg F 的上限值为－60dB，即 F 的上限值为 10－3。
6.18
(1)
(2)
iI
R
uI
-
uO
A
+
+
A
+
-
RL
uO
RRf
Rf
j CU o
U
o
1 (
j Rf
Rf
C
)
U i
(R RRf
Rf
)
Au
U o U i
(1
Rf R
) 1
1 j Rf C
所以
fH
1 2πRf C
6.23 （a）反馈放大电路的基本放大电路如下图所示，因此
R
uI
A
uO
Rf +
Rf
Ri
27
Ri rid ∥ Rf
10，所以 5
Rf＝18.5kΩ
PMS132 PMS132B 系列 8 位 OTP 型单片机带 12 位 ADC 数据手册说明书
PMS132/PMS132B系列8位OTP型单片机带12位ADC数据手册第1.03版2018年11月28日Copyright 2018 by PADAUK Technology Co., Ltd., all rights reserved.6F-6, No.1, Sec. 3, Gongdao 5th Rd., Hsinchu City 30069, Taiwan, R.O.C.TEL: 886-3-572-8688 重要声明应广科技保留权利在任何时候变更或终止产品，建议客户在使用或下单前与应广科技或代理商联系以取得最新、最正确的产品信息。
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应广科技不承担任何责任来自于因客户的产品设计所造成的任何损失。
在应广科技所保障的规格范围内，客户应设计和验证他们的产品。
为了尽量减少风险，客户设计产品时，应保留适当的产品工作范围安全保障。
提供本文档的中文简体版是为了便于了解，请勿忽视文中英文的部份，因为其中提供有关产品性能以及产品使用的有用信息，应广科技暨代理商对于文中可能存在的差错不承担任何责任，建议参考本文件英文版。
目录1.功能 (9)1.1. 特性 (9)1.2. 系统特性 (9)1.3. CPU 特点 (9)1.4. 封装信息 (9)2.系统概述和方框图 (10)3.引脚功能说明 (11)4.器件电器特性 (17)4.1. 直流交流电气特性 (17)4.2. 绝对最大值范围 (18)4.3. ILRC频率与VDD关系曲线图 (19)4.4. IHRC频率与VDD关系曲线图（校准到16MHz） (19)4.5. ILRC频率与温度关系曲线图 (20)4.6. IHRC频率与温度关系曲线图（校准到16MHz） (20)4.7. 工作电流vs. VDD与系统时钟= ILRC/n关系曲线图 (21)4.8. 工作电流vs. VDD与系统时钟= IHRC/n关系曲线图 (21)4.9. 工作电流vs. VDD与系统时钟= 4MHz EOSC / n关系曲线图 (22)4.10. 工作电流vs.VDD与系统时钟= 32KHz EOSC / n关系曲线图 (22)4.11. 工作电流vs. VDD与系统时钟= 1MHz EOSC / n (23)4.12. IO引脚输出的驱动电流(I OH)与灌电流(I OL)曲线图 (23)4.13. IO引脚输入高/低阀值电压(V IH/V IL)曲线图 (25)4.14. IO引脚上拉阻抗曲线图 (26)4.15. 省电模式和掉电模式消耗电流 (26)4.16. 开机时序图 (27)5.功能概述 (28)5.1. OTP程序存储器 (28)5.2. 开机流程 (28)5.3. 数据存储器- SRAM (29)5.4. 振荡器和时钟 (29)5.4.1. 内部高频RC振荡器和内部低频RC振荡器 (29)5.4.2. 芯片校准 (29)5.4.3. IHRC频率校准和系统时钟 (30)5.4.4. 外部晶体振荡器 (31)5.4.5. 系统时钟和LVR基准位 (33)5.4.6. 系统时钟切换 (34)5.5. 比较器 (35)5.5.1 内部参考电压(V internal R) (36)5.5.2 使用比较器 (38)5.5.3 使用比较器和band-gap 1.20V (39)5.6 16位计数器(Timer16) (40)5.7 8位PWM计数器(Timer2/Timer3) (41)5.7.1 使用Timer2产生周期波形 (43)5.7.2 使用Timer2产生8位PWM波形 (45)5.7.3 使用Timer2产生6位PWM波形 (46)5.8 11位PWM计数器 (47)5.8.1 PWM波形 (47)5.8.2 硬件和时序框图 (48)5.8.3 11位PWM生成器计算公式 (49)5.9 看门狗 (49)5.10 中断 (50)5.11 省电与掉电 (52)5.11.1 省电模式(“stopexe”) (52)5.11.2 掉电模式(“stopsys”) (53)5.11.3 唤醒 (54)5.12 IO 引脚 (54)5.13 复位和LVR (55)5.13.1 复位 (55)5.13.2 LVR 复位 (55)5.14 模拟-数字转换器(ADC) 模块 (56)5.14.1 AD转换的输入要求 (57)5.14.2 选择参考高电压 (58)5.14.3 ADC时钟选择 (58)5.14.4 配置模拟引脚 (58)5.14.5 使用ADC (58)5.15 乘法器 (59)6. IO寄存器 (60)6.1. ACC状态标志寄存器(flag), IO地址= 0x00 (60)6.2. 堆栈指针寄存器(sp), IO地址= 0x02 (60)6.3. 时钟模式寄存器(clkmd), IO地址= 0x03 (60)6.4. 中断允许寄存器(inten), IO地址= 0x04 (61)6.5. 中断请求寄存器(intrq), IO地址= 0x05 (61)6.6. 乘法器运算对象寄存器(mulop), IO地址= 0x08 (61)6.7. 乘法器结果高字节寄存器(mulrh), IO地址= 0x09 (61)6.8. Timer16控制寄存器(t16m), IO地址= 0x06 (62)6.9. 外部晶体振荡器控制寄存器(eoscr), IO地址= 0x0a (62)6.10. 中断边缘选择寄存器(integs), IO地址= 0x0c (63)6.11. 端口A数字输入使能寄存器(padier), IO 地址= 0x0d (63)6.12. 端口B数字输入使能寄存器(pbdier), IO地址= 0x0e (63)6.13. 端口A数据寄存器(pa), IO地址= 0x10 (64)6.14. 端口A控制寄存器(pac), IO地址= 0x11 (64)6.15. 端口A上拉控制寄存器(paph), IO地址= 0x12 (64)6.16. 端口B数据寄存器(pb), IO地址= 0x14 (64)6.17. 端口B控制寄存器(pbc), IO地址= 0x15 (64)6.18. 端口B上拉控制寄存器(pbph), IO地址= 0x16 (64)6.19. 杂项寄存器(misc), IO地址= 0x17 (65)6.20. 比较器控制寄存器(gpcc), IO地址= 0x18 (65)6.21. 比较器选择寄存器(gpcs), IO地址= 0x19 (66)6.22. 状态复位寄存器(rstst), IO地址= 0x1b (66)6.23. Timer2控制寄存器(tm2c), IO地址= 0x1c (67)6.24. Timer2计数寄存器(tm2ct), IO地址= 0x1d (67)6.25. Timer2分频寄存器(tm2s), IO地址= 0x1e (67)6.26. Timer2上限寄存器(tm2b), IO地址= 0x09 (68)6.27. PWMG0控制寄存器(pwmg0c), IO地址= 0x20 (68)6.28. PWMG0分频寄存器(pwmg0s), IO地址= 0x21 (68)6.29. PWMG0计数上限高位寄存器(pwmg0cubh), IO地址= 0x24 (68)6.30. PWMG0计数上限高位寄存器(pwmg0cubl), IO地址= 0x25 (69)6.31. PWMG0占空比高位寄存器(pwmg0dth), IO地址= 0x22 (69)6.32. PWMG0占空比低位寄存器(pwmg0dtl), IO地址= 0x23 (69)6.33. Timer3控制寄存器(tm3c), IO地址= 0x32 (69)6.34. Timer3 计数寄存器(tm3ct), IO地址= 0x33 (70)6.35. Timer3 分频寄存器(tm3s), IO地址= 0x34 (70)6.36. Timer3 上限寄存器(tm3b), IO地址= 0x3f (70)6.37. ADC控制寄存器(adcc), IO地址= 0x3b (70)6.38. ADC模式寄存器(adcm), IO地址= 0x3c (71)6.39. ADC调节控制寄存器(adcrgc), IO地址= 0x3d (71)6.40. ADC数据高位寄存器(adcrh), IO地址= 0x3e (71)6.41. ADC数据低位寄存器(adcrl), IO地址= 0x3f (71)6.42. PWMG1控制寄存器(pwmg1c), IO地址= 0x26 (72)6.43. PWMG1分频寄存器(pwmg1s), IO地址= 0x27 (72)6.44. PWMG1计数上限高位寄存器(pwmg1cubh), IO地址= 0x2A (72)6.45. PWMG1计数上限高位寄存器(pwmg1cubl), IO地址= 0x2B (72)6.46. PWMG1占空比高位寄存器(pwmg1dth), IO地址= 0x28 (73)6.47. PWMG1占空比低位寄存器(pwmg1dtl), IO地址= 0x29 (73)6.48. PWMG2控制寄存器(pwmg2c), IO地址= 0x2C (73)6.49. PWMG2分频寄存器(pwmg2s), IO地址= 0x2D (73)6.50. PWMG2计数上限高位寄存器(pwmg2cubh), IO地址= 0x30 (74)6.51. PWMG2计数上限高位寄存器(pwmg2cubl), IO地址= 0x31 (74)6.52. PWMG2占空比高位寄存器(pwmg2dth), IO地址= 0x2E (74)6.53. PWMG2占空比低位寄存器(pwmg2dtl), IO地址= 0x2F (74)7. 指令 (75)7.1. 数据传输类指令 (76)7.2. 算数运算类指令 (78)7.3. 移位运算类指令 (80)7.4. 逻辑运算类指令 (81)7.5. 位运算类指令 (84)7.6. 条件运算类指令 (85)7.7. 系统控制类指令 (86)7.8. 指令执行周期综述 (88)7.9. 指令影响标志综述 (88)7.10. 位定义 (88)8.程序选项 (89)9. 特别注意事项 (90)9.1 警告 (90)9.2 使用IC (90)9.2.1 IO引脚的使用和设定 (90)9.2.2 中断 (91)9.2.3 系统时钟选择 (91)9.2.4 掉电模式, 唤醒和看门狗 (92)9.2.5 TIMER 溢出 (92)9.2.6 IHRC (92)9.2.7 LVR (93)9.2.8 比较器控制PWM引脚输出的结果 (93)9.2.9 PMS132/PMS132B的烧录方法 (93)9.3 使用ICE (95)修订历史:43. 修改6.32节PWMG0占空比低位寄存器44. 修改6.33节Timer3控制寄存器45. 修改6.39节ADC调节控制寄存器46. 修改6.42节PWMG1控制寄存器47. 修改6.48节PWMG2控制寄存器48. 删除第七章指令：”word”和”pc0”49. 修改7.1节数据传输类指令”mov a, M”和”mov a,IO”50. 修改7.5节位运算类指令“swapc IO.n”51. 增加第8章程序选项52. 修改9.2.1节IO引脚的使用和设定53. 修改9.2.3节系统时钟选择54. 增加9.2.6节IHRC55. 修改9.2.7节LVR56. 修改9.2.8节比较器控制PWM引脚输出的结果57. 修改9.2.10节BIT定义58. 修改9.2.11 PMS132/PMS132B的烧录方法59. 修改9.3 使用ICE60. 修改所有PWMG寄存器从”读/写”改为”只写”1.03 2018/11/28 1. 加入PMS132B型号2. 更新公司地址与电话3. 开放32KHz EOSC 模式4. 修改1.1节、1.2节和1.3节5. 修改第3章引脚功能说明（加入AVDD和AGND）6. 修改4.1节直流交流电气特性7. 更新4.3、4.4、4.5、4.6、4.7、4.12、4.13、4.14和4.15节之图8. 修改5.2节开机流程9. 修改5.4.1 节、5.4.4节和5.4.5节10. 修改5.5.2节和5.5.3节11. 修改5.5 节比较器12. 修改图4：比较器硬件原理框图13. 修改5.7节8位PWM计数器14. 新增图12：比较器控制PWM输出15. 修改5.8.2 节和5.8.3节16. 修改图14：11位PWM生成器硬件框图17. 修改5.10节中断18. 修改5.11.1节与5.11.2节19. 修改表6：掉电模式和省电模式在唤醒源的差异20. 修改5.13.2节LVR 复位21. 修改图20：模拟输入模型22. 修改5.14.5节使用ADC23. 修改6.9节、6.28节、6.19节、6.28节、6.30节、6.45节、6.51节24. 修改7.8节指令执行周期综述（删除9.2.9节）25. 增加7.10 节位定义（删除9.2.10节）26. 修改第8章程序选项27. 更新第9.1节之网站连结28. 修改9.2.1节IO引脚的使用和设定29. 修改第9.2.5节TIMER 溢出30. 修改9.2.9节PMS132/PMS132B的烧录方法31. 修改9.3 使用ICE1. 功能1.1. 特性◆通用系列◆不建议使用于AC阻容降压供电或有高EFT要求的应用。
5.5连续系统的串联校正
(3)开关K接通，重复（2）的步骤，将两次所测的波形进行比较。
4.串联滞后校正系统实验步骤
（1）连接被测量典型环节的模拟电路（图5.5.6串联滞后校正电路），电路的输入R（S）接A／D、D／A卡的D/A1输出，电路的输出C(S)接A／D、D／A卡的A/D1输入。检查无误后接通电源。
(2)选中[实验课题一连续系统串联校正一超前滞后校正]菜单项，鼠标点击将弹出参数设置窗口。系统加入阶跃信号。参数设置完成后鼠标点击确认，测量系统阶跃响应，并记录超调量σ%和调节时间ts。
(3)开关K接通，重复（2）的步骤，将两次所测的波形进行比较。
5.5.5仿真实验
1.Multisim仿真实验
（1）在Multisim仿真平台上建立如图5.5.8（a）所示串联超前校正电路。图5.5.8(b)测出的是校正前的超调量σ%和调节时间ts。图5.5.8(c)测出的是校正后的超调量σ%和调节时间ts。
图中 的传递函数是：
校正前
校正后
3.串联超前－滞后校正
串联超前－滞后校正模拟电路如图5.5.6所示，串联超前－滞后校正模拟电路框图如图5.5.7所示。图中开关K1和K2同时断开对应未校正情况，同时接通为对应串联超前－滞后校正。观测校正前后系统的阶跃响应。
图5.5.6串联超前－滞后校正模拟电路
图5.5.7串联超前－滞后校正模拟电路结构框图
（1）串联超前校正
串联超前校正系统矫正前系统结构框图如图5.5.11(a)所示，矫正后系统结构框图如图5.5.11(b)所示。
(a)超前校正前系统结构框图
大连工业大学2014第一学期重修课表
张玉杰 大学物理1 大学物理1 概率论与数理统计 （理工） 线性代数（理工） 2.5 3 2.5 2 24 32 24 20 邹爱玲 王琳 梁红卫 薛晓东 张大海 王美航 计算机程序设计 3.5 32 邵利 王海萍 数据库基础 2.5 20 于晓强
轻化、生物、食品 纺材、轻化、生物、服装 机械、纺材、服装、信息（2011、2012级） 信息（2013级）、轻化、生物、食品 纺材、服装、管院、机械、轻化、生物、食品、信 息 纺材、服装、管院、机械、轻化、生物、食品、信 息 机械、生物 纺材、服装、食品 轻化、信息 管院、外语
课程名称 模拟电路
学分 3.5
组班学时 32
任课教师 兰振平、李鹏、 谢蓄芬 李丹、仇宣琴、 聂英杰、曹晖、 潘晓玲、芦春艳 、郭利芳 张利萍 李明颖 王丽娟 关丽 楚金玲
上课对象 信息
开课周次 10-17
上课时间 周三9-12节
上课地点 综A319
大学语文2 机械原理 电气控制技术
2 3.5 3
综A333 综A335 机电楼301 综A520 综A520 体育场 体育场 体育场 体育场
毛泽东思想和中国特 2.5 色社会主义理论体系 2.5 概论2
体育1-4
1
14
楚金玲 李红 李红
说明：若同一时段两门重修课程冲突，学生可以选择其中一门课程其他开课时间上课，并及时告知任课教师。
20 32 28 24 24
艺术、服装 机械 机械 艺术、服装 纺织、管院、国教、机械、轻化、生物、食品、外 语、信息 服装 艺术 国教 机械、管院、外语、信息、纺材、轻化、生物
10-14 10-17 10-16 10-15 10-15 10-16 10-16 10-16 10-16
模拟电路授课计划56学时
湖北民族学院
2008年秋季
授课计划
课程名称模拟电路班级0307（5678）班
主讲教师杨庆、来国红辅导教师_杨庆、来国红
教研室主任签字_______ 年月日
系主任签字_______ 年月日
单位(盖章)_______ 年月日
授课计划说明
1、授课计划一式3份，一份教师自存，一份交院、部教学科存档，一份交教务处备案；
2、同一年级、同一专业、同一门课程，有多个班，由教研室组织讨论后一位主讲教师主笔形成该门课程的授课计划；
3、同一门课程，同一份授课计划有多位教师分章节讲授者，在授课计划中要注明各自所讲授的章节、学时。
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① 电压放大倍数
+VCC Rb1 C1 Rc
C2
+
+
Ui
Rb2
Re
Ce
RL U o
_
_ 射极偏置的共射极放大电路
① 电压放大倍数
+ Ii Ib b1
Rb2
rbe
Rc
Ri Ro (b) 有Ce时电路的微变等效电路
R ' L A u rbe
ICQ
+VCC
U BQ
I EQ
c + UCEQ + b _ e UBEQ Re IEQ _ (a)
Rb2 VCC Rb1 Rb2
U BQ U BEQ Re U BQ Re
I BQ
I EQ 1
，I CQ I BQ
UCEQ = VCC－ICQRc－IEQRe = VCC－ICQ(Rc+Re)
① 电压放大倍数
U R'L o Au U rbe (1 ) Re i
电路的电压放大倍数比固定偏置电路接成的共 射极放大电路的电压放大倍数小得多。 输入信号中有相当一部分降落到 Re上。仅有一 部分加在基 - 射极转换成和输出。射极电阻 Re 越大，稳定工作点的作用就强，放大倍数的下 降也就越多。 解决方法：通常在Re的两端并联上一个大容量 电容（约为几十到几百微法）。 电容Ce称为射极旁路电容。
③ 最大输出电压幅值Uomax
iC
VCC
Rc+Re ICQ
-1/R’L Q
o U ce U
IBQ －1/(Rc+Re)
0
UR UF 用图解法求Uomax
VCC
uCE
Ucemax = min{UCEQ－UCES，ICQR’L)
[例5-6]
电路如图 (a)所示。晶体管T的UBE=0.7V，β=50。 ；③最大 求：①静态工作点；②电压放大倍数 A u 。⑤若选用 输出电压幅值；④不接电容Ce时的 A u β=100的晶体管，重新估算①、②两项。 +V
② ICBO的变化对Q点的影响
iC
VCC RC Q2 Q 80 80 温度升高， ICQ 增大， UCEQ 减小， 工作点向饱和区 移动。
60
40 20
60 40
20
iB = 0μA iB = 0μA
0
(b) ICBO变化的影响
uCE (V)
③ UBE变化对Q点的影响
iB
75℃ 25℃ Q3
I’BQ IBQ
T℃↑→ICQ↑(IEQ↑)→ (IEQRe)↑
UBQ不变
—— →UBEQ↓→IBQ↓→ICQ↓
① 工作原理
Re 把与 ICQ 成正比的电压 IEQRe 引回到输入回路， 来调节基 -射极电压 UBEQ，从而稳定 ICQ。这种 作用称为电流负反馈。 这种偏置电路称为分压式电流负反馈偏置电路。
① 工作原理
为了兼顾放大电路几方面的性能，通常采用下 列经验数据来选择电路参数。
IR
b
（ （硅管） 5 ~ 10）I BQ （ （锗管） 10 ~ 20）I BQ
3 ~ 5V（硅管） 1 ~ 3V（锗管）
U BQ
②射极偏置电路的分析计算
在图(a)的射极偏置电路中，如果电路参数满足 稳定条件时可以近似估算。因而可以列出 Rb1 UBQ Rb2 IRb IBQ Rc
Rb1
UBQ Rb2
c + UCEQ + b _ e UBEQ Re IEQ _ (a)
IRb IBQ
ICQ
Rb2 UB VCC Rb1 Rb2
Rb=Rb1//Rb2
① 工作原理
分压式电流负反馈偏置电路在设计时，适当 选择电阻Rb1和Rb2的阻值，使之满足下面两 个条件。
I R I BQ
⒉输入电阻和输出电阻
I’b I’c βI’b Re R’b 计算输出电阻的等效电路 从电路中可得：
c
I’o
rbe
Rs Rb1
rce Rc
I’Rc
U’o
Rb2
R’o
Ro
'o I 'R Rc I 'c R'o U 'b (rbe R'b ) ( I ' b I 'c ) Re 0 I
② 输入电阻和输出电阻
Re ( rce Re )] rbe Re R'b 在实际情况下，rce>>Re Re rce U 'o I 'c [rce ] rbe Re R'b 'o I 'c [rce Re U
'o U Re R 'o [1 ]rce ' c I rbe Re R 'b
⑶ 稳定工作点的共射极放大电路
+VCC Rb1 C1 Rc
C2
+
+
Ui
Rb2
Re
RL U o
_
_ 射极偏置的共射极放大电路
① 电压放大倍数
从图 (a)所示的微变等效电路可得
Ii + Ib Ic βIb Re Ie Rc
i I b rbe I e Re I b [rbe (1 ) Re ] U
o Ib ( Rc // RL ) Ib R'L U
+ RL Uo _
IRb1 IRb2 rbe Rb2 R b1 Ui
R’L=Rc // RL
_ Ri
U o A u U i R 'L rbe (1 ) Re
Ro (a) 微变等效电路
Ro =R’o // Rc≈Rc
在发射极串入电阻Re后，R'o要比晶体管本身的输出电阻 rce 大得多。通常有R'o>>Rc，故放大电路的输出电阻
③ 最大输出电压幅值Uomax
用图解法来分析最大输出电压幅值。对于有旁路 电容Ce的情况，在晶体管的输出特性所在坐标系 中画出直流负载线和交流负载线，如图所示。 直流负载线根据直流通路得出的方程 UCE =VCC－IC(Rc+Re)作出，其斜率为 －1/(Rc+Re)。 交流负载线根据从微变等效电路得到的方程作 出 I R ' (R’L=Rc//RL) ，其斜率为－1/R’L。 U ce c L
[例5-6]
②
+ Ii
26 51 26 rbe rbb ' (1 ) 300 1.1(k) I EQ 1.65
Ib Ic
βIb Ui
_ Ri (b) 微变等效电路 Rb1
+ RL Uo
Rb2
rbe
CC
20kΩ R b1 C1
Rc 2kΩ
C2 30μF
+
RL Uo 4kΩ
+ 30μF
Ui 10kΩ _
Rb2
Re 2kΩ
Ce 100μF
_
(a) 放大电路
[例5-6]
解： ① U
I EQ U BQ U BE Re
BQ
Rb2VCC 10 12 4(V) Rb1 Rb2 20 10
② 输入电阻和输出电阻
对于有旁路电容Ce的情况， R = R // R // r i b1 b2 be 从微变等效电路可得
+ Ii Ib Ic
在Rb1 //Rb2 >> rbe时
+ RL Uo _
βIb Ui
_ Ri Ro (b) 有Ce时电路的微变等效电路 Rb1
Ri ≈rbe
用直接观察的 方法可知输出 电阻
② 输入电阻和输出电阻
I’b rbe Rs Rb1 Rb2 Re
I’c βI’b
rce
I’o
I’Rc U’o
Rc
R I ' e c I 'b rbe R 'b Re
R’b 计算输出电阻的等效电路
R’o
Ro
'o ( I 'c I 'b )rce ( I ' b I 'c ) Re 0 U
①β变化对Q点的影响
当温度升高时β值增大，在输出特性上表现为特性曲线 的间隔增宽。
VCC RC
iC (mA)
80
ICQ1 ICQ 0
80 60 Q1 40 Q 20 iB = 0μA VCC uCE (V) (a) β变化对Q点的影响
在温度升高后， ICQ增大，UCEQ减 小。静态工作点向 饱和区移动。
Rb2
rbe
Rc
Ro = Rc
② 输入电阻和输出电阻
对于无旁路电容Ce的情况，从微变等效电路可得：
I R I R I r I R U i R b1 b1 R b2 b2 b be e e Ii Ib Ic U U i Ri i I I I + I i R b1 R b2 b + IRb1 IRb2 rbe βIb R 1 L Rb2 R R Uo 1 b1 1 1 c Ui Re Ie Rb1 Rb2 rbe (1 ) Re _ _ Ro Ri (a) 微变等效电路 R = R // R // [r + (1+β)R ]
Q
在外电路参数不变时， 输入回路所确定的直流 负载线也不变。 那么Q点移到Q3点， IBQ将增加到I’BQ的，显 然也要使ICQ增加。 反之，温度降低将使 ICQ减小。
0.6 0.7
(c) UBE变化的影响 综上所述，温度升高之后晶体管参数β、ICBO、UBE的变化都 使ICQ增大，静态工作点向饱和区移动。 如果温度降低，则将使ICQ减小，静态工作点向截止区移动。