硅片检验标准2016-2-1
硅片电池片检验标准141009
一、尺寸类 A.边长 125/156 B.对角线Φ C.厚度 (180/200)
多晶检验项目
二、性能类 一、尺寸类 A.边长 B.对角线Φ C.厚度 A.少子寿命 B.导电类型 C.电阻率
三、外观类 A.梯形片 菱形片 B.弯曲片 翘曲片 C.台阶片 线痕片 D.崩边 E.微晶 分布晶 大晶粒 F.碎片 缺口 亮边 裂 纹/裂痕 划痕 亮线 沾污 色差 针孔 密集线痕 硅晶脱落 边缘毛糙
31 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南红太阳光电科技有限公司
3-10其他不良—大晶粒
大晶粒 多晶硅片上某个连续 分布的晶粒面积占总 面积的1/4以上。 合格：无大晶粒
32 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南红太阳光电科技有限公司
21 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南红太阳光电科技有限公司
多晶-线痕片
密集线痕
凹痕
22 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 凸痕 湖南红太阳光电科技有限公司
针孔 针孔
硅晶脱落
27 Hunan Red Sun Photoelectricity Science & Technology Co., Ltd. 湖南红太阳光电科技有限公司
其他不良—沾污
硅片表面肉眼可见的某种 颜色的花样。如：指纹、水 渍、有机物、灰尘以及腐蚀 氧化。
硅片标准
≤80 μm 氧含量≤ 1x1018atoms/cm 3 ；碳含量≤ 1.5x1017atoms/c m3
目检
抽检
Nicolet6700
硅棒保证
编制：
审核：
批准：
太阳能单,多晶硅片质量等级分类方法 A 序号 1 2 检验项目 导电类型 A P A2 P B B1、B2、B3…B7 C D 检测方法 硅片分选设 备 硅片分选设 备 目测 检验方式 硅棒保证 抽检
隐裂、针孔 无隐裂、无针孔 无隐裂、无针孔 长度≤1 mm，深 度≤0.5 mm，每 片崩边总数≤2 处； ≤30 μm 200±20 μm 125±0.5 mm/156±0.5 mm 150±0.5 mm/200±0.5 19.9722.13/14.4616.39mm 长度≤1 mm，深 度≤0.5 mm，每 片崩边总数≤3 处； B1— 1mm＜崩边 长度≤5mm，1mm ＜深度≤2mm，1 ＜崩边总数≤3 B2— 30μm＜ ≤30 μm TTV≤50μm； B3— 厚度偏差 200±20 μm 超过±20μm但小 于±40μm B4— 硅片尺寸 125±0.5 mm/156 偏差超过±0.5mm ±0.5 mm 但小于±1.0mm 150±0.5 mm/200 B5— 150± ±0.5 mm 1mm/200±1 mm 19.9722.13/14.4616.39mm
3
崩边
全检
4 5
TTV 厚度
MS-202 MS-203
抽检 抽检
6 7 8
边长 对角线 角长
游标卡尺 游标卡尺 / 目测、必要 时使用表面 粗糙度仪帮 助判定 四探针/RT110 少子寿命测 试仪
硅片检验标准
菱形片0.6-1.0㎜线痕片20-50um弯曲片0.5-0.8㎜（任意一条边以测量最大值计算）（凹进或凸出20-50um）（包括应力片）外形片0.6-1.0mm倒角偏差0.6-1.5mm超厚片220-250um (任意一角以测量最大值计算)（以任意两角最大值相加计算）超薄片150-160um硅晶脱落≤0.3mm 毛边≤0.3mm（双面缺损不在同一位置）尺寸不良124.50-126.00mm 尺寸不良148.00-149.50mm 尺寸不良150.50-151.50mm（两边相差不超过1.0mm ）B 等品电阻率6-10Ω.cm台阶片≤20um厚薄不均最薄不低于150um 最厚不超过280um TTV50-70um边道翘曲0-80um 边道翘曲边缘测量值280umC等品倒角偏差1.5-2.0mm外形片1.0-2.0mm菱形片1.0-1.5mm（以任意两角最大值相加计算）(任意一角以测量最大值计算)（任意一条边以测量最大值计算）线痕片50-80um超厚片250-280um硅晶脱落≤0.5mm（凹进或凸出）（双面缺损不在同一位置）C 等品毛边≤0.5mm尺寸不良124.00-124.50mm尺寸不良126.00-127.00mm尺寸不良151.50-153.00mm 尺寸不良146.50-148.00mm 电阻率退火后6-10Ω.cmC等品边道翘曲80-150um边道翘曲边缘测量值350um厚薄不均150-280um TTV70-100um不合格品倒角偏差＞2.0mm外形＞2.0mm硅晶脱落＞0.5mm毛边＞0.5mm超薄片＜150um弯曲＞0.8mm电阻率＞10Ω.cm电阻率＜0.5Ω.cm超厚片＞280um边道翘曲＞150um孪晶片台阶片＞20um线痕＞80um缺角孔洞外形〉2.0mm隐裂纹。
硅片检验标准
版本状态临时版文件名称硅片检验页码1/5编制/日期：审核/日期批准/日期：1．目的监测硅片质量，确保电池片质量稳定。
J2．适用范围适用于本公司品质部对所有来料硅片质量的监视和测量。
3．职责3.1 品质部负责制订硅片检验文件。
3.2 品质部负责来料硅片质量的控制。
4．检验4.1核对对照送检单，核对硅片的来源、规格和数量，供方所提供的参数、如电阻率、厚度、对角线长、边长。
检查供方出具的材质报告（碳含量、氧含量、晶向及位错密度），如有不符，须先与采购部沟通，无误后进行检验。
4.2 外观检验4.2.1用刀片划开封条，划时刀片不宜切入太深，刀尖深入不要超过5mm，防止划伤泡沫盒内的硅片。
塑封好的硅片，用刀尖轻轻划开热缩膜四个角，然后撕开热缩膜。
4.2.2 抽出两边的隔版，观察盒内有没有碎片，如有则要及时清理碎片。
4.2.3 检验时戴PVC手套。
从盒内拿出100片硅片（不得超过100片），先把硅片并齐并拢后观察硅片四边是否对齐平整,并用硅片模板进行对照，鉴别是否存在尺寸不对的现象，如不符合，则用游标卡尺测量，并及时记录于硅片外观检验原始记录表上。
4.2.4 再将100片硅片分出一部分使其旋转90度或180度，再并拢观察硅片间是否有缝隙，如有则说明有线痕或是TTV超标的现象。
将缝隙处的硅片拿出来，用MS-203测硅片上不固定的数点厚度(硅片边缘2-5cm以内取点),根据厚度结果确定是否超标。
将线痕、TTV超标片区别放置。
再观察四个倒角是否能对齐，如有偏差，对照硅片模板进行鉴别，把倒角不一致硅片分开放置。
并在硅片外观检验原始记录表上分别记录数量。
4.2.5 观察硅片是否有翘曲现象，翘曲表现为硅片放在平面上成弧形或是一叠硅片并拢后容易散开。
如有，则要把硅片放在大理石平面上，用塞尺测量其翘曲度，将翘曲度超标片区别放置，在硅片外观检验原始记录表上记录数量。
4.2.6 逐片检验硅片，将碎片、缺角、崩边、裂纹、针孔、污物、微晶（特指多晶硅片）等不合格品单独挑出，分别存放，并在硅片外观检验原始记录表上记录。
IEC61215：2016-2地面光伏组件-测试内容 中文
地面光伏组件——设计鉴定和定型第二部分：测试步骤1.范围和目的此国际标准系列基于IEC 规定了地面用光伏组件设计鉴定和定型的要求，该组件是在IEC 60721-2-1中所定义的一般室外气候条件下长期使用。
这部分IEC 61215适用于全部地面光伏组件材料，例如晶体硅光伏组件和薄膜组件。
本标准不适用于带聚光器的组件，尽管此项标准能可能用于低聚光组件（1-3个太阳光）。
对于低聚光组件，全部测试使用的电流，电压和功率等级均满足设计要求。
本试验程序的目的是在尽可能合理的经费和时间内确定组件的电性能和热性能，表明组件能够在规定的气候条件下长期使用。
通过此试验的组件的实际使用寿命期望值将取决于组件的设计以及它们使用的环境和条件。
2.引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中全部或部分引用而构成了本标准的条文。
标注日期的标准，仅引用的版本有效。
未标注日期的标准，可使用最新版本标准（包括任何修订）。
IEC 60050，国际电工词汇（网址：）IEC 60068-1 环境测试-第一部分：总述和指导IEC 60068-2-21 环境测试-第2-21部分测试-测试U：引出端强度以及整体支架安装设备IEC 60068-2-78 环境测试-第2-78部分：测试Cab：湿热，稳定状态IEC 60721-2-1 环境状态的分类-第2-1部分：在自然条件下的环境状态-温度和湿度 IEC 60891 光伏设备-温度和辐照度的修正来测量I-V特性的步骤IEC 60904-1 光伏设备-第一部分：光电流-电压特性的测量IEC 60904-2 光伏设备-第二部分：光伏标准设备的要求IEC 60904-3 光伏设备-第三部分：地面光伏设备和标准光谱福照度数据的测量原则 IEC 60904-7 光伏设备-第七部分：光伏设备光谱错配修正的测量IEC 60904-8 光伏设备-第八部分：光伏设备光谱响应率的测量IEC 60904-9 光伏设备-第九部分：太阳光模拟器操作要求IEC 60904-10 光伏设备-第十部分：线性测试的方法IEC 61215-1 地面光伏组件-设计鉴定和定型-第一部分：测试要求IEC TS 61836 太阳光伏系统能量-术语，定义和符号IEC 61853-2 光伏组件测试结果和能量等级-第二部分：光谱响应，入射角，和组件操作测试温度IEC 62790 光伏组件的接线盒-安全要求和测试ISO 868 塑料和橡胶-通过硬度测验器测量压痕硬度（回跳硬度）3.术语和定义本文件的目的，术语和定义由IEC 60050和IEC TS 61836中给出，其他如下。
硅片检验
硅片进货检验规程
1、从仓库领取同一硅片供应商一定数量的硅片。
2、用“BD-86A型半导体电阻率测试仪”测出每片硅片的原始方块电阻，
并按照20 Ω/□一档进行分档存放。
（详见《硅片进货检验报告单》）
3、用测厚仪测出每片硅片的厚度并按20μm一档进行分档存放。
（详见《硅片进货检验报告单》）
4、在检测硅片方块电阻和厚度的同时，挑出外观不良的硅片另外存放。
（外观不良包括：裂纹、划痕、污垢、崩边、缺角、厚度不一、边距不一、形状不规则等）
5、检验结束后按要求填写好《硅片检验报告单》。
6、将检验好的硅片统一摆放的固定位置。
IEC61215：2016-2地面光伏组件-测试内容中文
IEC61215：2016-2地面光伏组件-测试内容中文地面光伏组件——设计鉴定和定型第二部分：测试步骤1.范围和目的此国际标准系列基于IEC规定了地面用光伏组件设计鉴定和定型的要求，该组件是在IEC -2-1中所定义的一般室外气候条件下长期使用。
这部分IEC 适用于全部地面光伏组件材料，例如晶体硅光伏组件和薄膜组件。
本标准不适用于带聚光器的组件，尽管此项标准能可能用于低聚光组件（1-3个太阳光）。
对于低聚光组件，全部测试使用的电流，电压和功率等级均满足设计要求。
本试验程序的目的是在尽可能合理的经费和时间内确定组件的电性能和热性能，表明组件能够在规定的气候条件下长期使用。
通过此试验的组件的实际使用寿命期望值将取决于组件的设计以及它们使用的环境和条件。
2.引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中全部或部分引用而构成了本标准的条文。
标注日期的标准，仅引用的版本有效。
未标注日期的标准，可使用最新版本标准（包括任何修订）。
IEC ，国际电工词汇（网址：IEC -1情况测试-第一部分：总述和指导IEC-2-21环境测试-第2-21部分测试-测试U：引出端强度以及整体支架安装设备IEC -2-78情况测试-第2-78部分：测试Cab：湿热，稳定状况IEC -2-1情况状况的分类-第2-1部分：在自然前提下的情况状况-温度和湿度IEC 光伏设备-温度和辐照度的修正来测量I-V特征的步骤IEC -1光伏设备-第一部分：光电流-电压特征的测量IEC -2光伏设备-第二部分：光伏标准设备的要求IEC -3光伏设备-第三部分：地面光伏设备和标准光谱福照度数据的测量原则IEC -7光伏设备-第七部分：光伏设备光谱错配修正的测量IEC -8光伏设备-第八部分：光伏设备光谱相应率的测量IEC -9光伏设备-第九部分：太阳光模拟器操作要求IEC -10光伏设备-第十部分：线性测试的方法IEC -1地面光伏组件-设计鉴定和定型-第一部分：测试要求IEC TS 太阳光伏系统能量-术语，定义和符号IEC -2光伏组件测试结果和能量等级-第二部分：光谱相应，入射角，和组件操作测试温度IEC 光伏组件的接线盒-安全请求和测试ISO 868塑料和橡胶-通过硬度测验器测量压痕硬度（回跳硬度）3.术语和定义本文件的目的，术语和定义由IEC 和IEC TS 中给出，其他如下。
多晶硅片检测标准
多晶硅片技术标准1范围1.1 本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。
2 规范性引用文件2.1 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法2.2 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法2.3 ASTM F 1535用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的试验方法3 术语和定义3.1 TV：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；3.2 TTV：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5 点厚度：边缘上下左右4点和中心点）；3.4崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；3.5 裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；3.6 垂直度：硅片相邻两边与标准90°相比较的差值。
3.7 密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4 分类多晶硅片的等级有A级品和B级品，规格有：125⨯125；156⨯156；210⨯210。
5 技术要求5.1 外观5.1.1无孪晶、隐裂、裂痕、裂纹、孔洞、缺角、V形（锐形）缺口，崩边、缺口长度≤0.5mm，深度≤0.3mm，且每片不得超出2个；5.1.2表面需清洗干净，无可见斑点、玷污及化学残留物；5.1.3硅片表面局部凹凸不平深度（如表面划痕、凹坑、台阶等）≤20μm，切割线痕深度≤20μm；当在硅片正反两面的同一个位置出现线痕加和小于20um。
无密集型线痕。
5.1.4 弯曲度≤30μm，，翘曲度≤30μm；5.1.5切片前的棒/锭要经化学腐蚀或机械抛光去除损伤层，即切完的硅片边沿是光亮的。
5.2外形尺寸5.2.1 标称厚度系列为200±20μm；220±20μm；240±20μm；对于每单合同需要明确规定标称厚度。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
文件更改申请单编号：LW-CX-001-A1-03
硅片检验标准
1 目的
规多晶硅片检测标准。
2 适用围
本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。
3 定义
3.1检测工具：
数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS203电阻率测试、少子寿命测试WT-2000。
3.2检测术语
斑点定义：在光强430-650LUX下，距离眼睛40cm，成30-45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。
翘曲度：硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差（即a值）。
弯曲度：硅片中心凸起处于参考平面距离差值（即z值）。
硅落：硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。
崩边：以硅片边缘为参考线向部延伸深度≤0.5mm、长度≤1.5mm及不能崩透的缺损属于崩边。
缺口：光强430-650LUX，目光与硅片成30-45°，距离25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口，看不到的不属于缺口。
水印：未充分烘干，水分蒸发后残留物。
表面玷污：硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。
游离碳黑线：清洗后距离硅片上边缘5mm以的黑色区域。
微晶：每1cm2长度上晶粒个数＞10个。
4 职责权限
4.1 技术部负责制定硅片检验标准；
4.2 质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。
5 正文
5.1 表面质量
表面质量通过生产人员的分选判定，目测外观符合附表1相关要求。
对整包硅片重点查看B4（崩边），B7（线痕）、B8（厚度差值）、缺口、碎片、油污等情况；整包里的B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗；B7、B8片手感表现较重，不易区分或存在争议时，利用分选机重新分选。
5.2 外型尺寸
几何尺寸符合附表1相关要求，在研磨倒角处控制。
如认为硅片尺寸存在问题使用分选机进行检验。
5.3 电性能
依据硅锭／硅块测试数据判定，必要时用相关测试仪器核实。
硅片电阻率测量一点数值，当超出B级围时，测量五个晶粒的电阻率，计算平均值X，以X值作为最终判定值。
5.4抽检方法
（1）对硅片车间自检合格的包装硅片或直传片，采取一次抽检（抽检比例８％），不合格比例不高于0.5%。
每次抽检不合格率大于0.5%时，通知清洗班长重新分选，对重新分选片抽检合格后可入库。
（2）抽取８％硅片进行检测，其结果作为该批硅片合格的判定依据。
6 相关文件
无
7 相关记录
无
附表1：自检硅片检验项目及判定标准
附件1：B级硅片分类及标识方法
按优先级B2至B9无重复排序标示如下：
B2晶粒小，其它检验参数符合A级品标准。
B3少子寿命以硅块少子寿命为标准。
B4小崩边，其它检验参数符合A级品标准。
B5电阻率标准以硅块电阻率为标准。
B6 156mm*156mm硅片划片后的125mm*125mm硅片（以后存在划片可能）。
B7锯痕15～35μｍ或亮线B级（参考《亮线判定标准》。
），其它检验参数符合A级品标准。
B8 30μｍ<TTV≤50μｍ,其它检验参数符合A级品标准。
B9表面沾污
如果存在两种以上的B级缺陷，以级别较高的等级作为归类依据，优先级别排列如下：第一级第二级第三级第四级第五级第六级第七级第八级第九级
B1 B2 B5 B3 B8 B7 B4 B9 B6
附件2 ：硅片“亮线”的判定标准
2.1亮线片：硅片表面存在由于钢线直接和硅片摩擦出现的类似抛光的硅片。
2.1.1亮线处，测试深度小于10µm的硅片
2.1.1.1单面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/2，为 B7
亮线面积小于硅片面积的1/2，为A 级
2.1.1.2双面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/4，为 B7
亮线面积小于硅片面积的1/4，为A 级
2.1.2亮线处，测试深度10～20µm的硅片
2.1.2.1单面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/4，为 B7
亮线面积小于硅片面积的1/4，为A 级
2.1.2.2双面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/2，为不合格
亮线面积小于硅片面积的1/2，为B7
2.2黑色带状区：断线处理往复升降工作台或类似操作导致钢线带着砂浆将硅片表面摩擦，清洗后出现黑色矩形区域。
2.2.1 带状区小于20mm 硅片，按照附表1检验标准判定；
2.2.2 带状区大于20mm 硅片，若满足附表1A 、B 级标准，则判定为B ；不满足B 级标准的，判定为不合格；
注：检测亮线及黑色带状区域线痕深度使用自动分选设备。
附件3 TTV 测试点选取
TTV 测试5点，分别为硅片中心点和边角处距离边角各边10-15mm 处硅片厚度。
见下图：
附件4 崩边
崩边:硅片分选机在测量边缘崩边时受硅片厚度、光学衍射、成像精度限制，容易出现误判。
针对B4档硅片需要人工搓开硅片进行检测。
微晶：硅片上细小晶粒连续密集分布区域，使用带刻度光学放大镜进行检测。
此类硅片属于不合格硅片。
此点测定电阻率
此点中心距边10-15mm
杂质片
硬点杂质：表现为硅片表面有凸起线痕，线痕上能够发现黑点。
硅片清洗后表面有絮状黑斑或者密集小黑点的，使用无水乙醇擦拭不能够去除为不合格硅片，此类硅片为不合格硅片。
孔洞片检测方法：
眼睛与硅片平面及光源成直线，距硅片40cm观察有无光线透过或者发现亮点。
若存在以上情况，挑选出来硅片为不合格产品。