NXP恩智浦ESD静电保护管

ESD ZLG公司内部培训ppt

ESD会导致
产品失效（产品不可靠）高返修率
客户抱怨利润降低
现象
原理
ESD
选型
对策
ESD原理
处于不同电位的物体间静电荷出现快速转移。
电荷积累
快速放电
ESD原理
摩擦、接触、感应、传导等引起物质获得或失去电子，从而带电。
当电荷积累到足够强度时，电荷将可能泄放，造成周围物质被击穿，从而得到新的电平衡，称为静电放电。
VREF1接正参考源（一般接
电源）中间接被保护线路 VREF2接负参考源（一般接
地）
容抗<5pF
用于IEEE1394,USB2.0等高速通信场合
IP系列
• IP系列是NXP为手持电子设备和消费类电子产品保护高速通讯端口而推出的，不但包含ESD 保护功能，还集成了EMI滤波、电平切换、缓冲等功能。使之满足成本和电路板空间都有苛刻要求的应用，如：手机，VGA，LCD TV， HDMI，USB，音频，视频，TCP/IP，STB， LVDS等。
PPP峰值脉冲功率，保护器件能吸收瞬时脉冲的能量
• ESD rating箝位电压，即许可通过保护器件的最大电压，应小于保护器件的最大耐压
首先，根据被保护线路的信号速度来考虑，速度越高，需要选择CD越小的器件；
再根据信号电压选择合适的VRWM；根据极性选择单向还是双向；
结合需最要后保考护虑的需管要脚抗（多线高路的）静数电量和，PPP选峰择值单功路率或，多并路的ESD型号。
• 所以对元器件、组件和设备要有一定的抗静电能力才能保证其静电安全，就像人本身要有一定的抗病毒能力样。
单向 ESD器件
1.反向接在电路中，反向起作用 2.ESD脉冲通过时，超过VRWM的电压被短路掉 3.不能保护负的ESD脉冲

恩智浦半导体TEA2093TS GreenChip同步整流控制器产品数据手册说明书

GreenChip同步整流控制器第1版——2022年6月7日产品数据手册1 简介TEA2093TS是针对开关电源的新一代同步整流器(SR)控制器IC系列中的一员。

它包含自适应栅极驱动器，以便在任意负载下达到最高效率。

TEA2093TS是一款专门用于非对称半桥反激式和标准反激式转换器次级侧同步整流的控制器IC。

它内置用于驱动SR MOSFET的检测级和驱动器级，对次级变压器绕组的输出进行整流。

TEA2093TS可以为具有低输出电压的电池充电应用或具有高侧整流的应用生成自己的供电电压。

TEA2093TS采用绝缘硅片(SOI)工艺制成。

2 特性和优势2.1 能效特性●自适应栅极驱动器，在任意负载下达到最高效率●空载运行时的典型电源电流低于200 μA2.2 应用特性●在低至0 V的宽输出电压范围内工作●能够处理高达120 V输入电压的漏检测引脚●对低输出电压工作自供电●对不使用辅助绕组的高侧整流自供电●使用标准和逻辑电平SR MOSFET●支持USB BC、USB PD和快充应用●TSOP6封装2.3 控制特性●自适应栅极驱动器，实现导通终止时的快速关闭●带有源栅极下拉的欠压锁定(UVLO)3 应用TEA2093TS适用于反激式电源。

在此类应用中，它可以驱动外部同步整流器MOSFET，这些MOSFET取代用于对变压器次级绕组上的电压进行整流的二极管。

它可用于所有需要高效率的电源，如：●充电器●电源适配器●非对称半桥反激式电源●具有极低和/或可变输出电压的反激式电源4 订购信息表1.订购信息型号封装名称说明版本TEA2093TS/1 TSOP6 塑料小型封装；6引脚SOT4575 标示表2.标记代码型号标记代码TEA2093TS/1 TEA20936 功能框图图1. TEA2093TS 功能框图导通调节关断调节V 和I参考欠压锁定驱动器供电节能控制使能逻辑关闭7 引脚分布信息7.1 引脚分布图2.TEA2093TS引脚分布(SOT457)7.2 引脚说明表3.引脚说明符号引脚说明CAP 1 内部供电电压的电容输入GND 2 接地XV 3 外部电源输入GATE 4 SR MOSFET的栅极驱动器输出SOURCE 5 SR MOSFET的源极检测输入DRAIN 6 SR MOSFET的漏极检测输入8 功能说明8.1 简介TEA2093TS是一款用于非对称半桥反激式和标准反激式应用中的同步整流(SR)的控制器IC。

esd静电二极管原理

esd静电二极管原理
ESD静电二极管，又称为TVS二极管，是一种专门用于保护电子设备免受静电放电（ESD）伤害的二极管。

静电放电是一种突发的电
荷释放现象，当人或物体在摩擦或分离时，会产生静电电荷，而这些电荷会在接触物体时释放出来，导致设备短暂的电压过高。

ESD静电二极管的工作原理是，在设备输入/输出端口引入一定
的电阻和电容，使其能够吸收和分散短暂高压脉冲。

当静电放电发生时，二极管会迅速导通，将过高的电压分散到地线上，从而保护设备不受损伤。

ESD静电二极管的选择需要考虑设备的输入/输出端口的特性，
如最大电压和最大电流容许值、响应时间和反复使用次数等。

常见的ESD二极管类型有单向和双向两种，单向的适用于保护单向信号线，而双向的可用于保护双向信号线或者直流电源线。

在电子设备的设计中，应该充分考虑ESD静电二极管的保护作用，避免静电放电对设备的损害。

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TEA2206T有源桥式整流器控制器产品数据手册说明书

TEA2206T有源桥式整流器控制器第1.1版 — 2021年5月7日产品数据手册1 总述TEA2206T是一款有源桥式整流控制器，用于以MOSFET取代传统二极管桥中的两个低边二极管。

将TEA2206T与低电阻高压外部MOSFET配合使用，可使典型整流器二极管正向传导损耗降低50%，从而显著提高功率转换器的效率。

在90 V(AC)电源电压下，效率可以提高约0.7%。

TEA2206T采用绝缘硅片(SOI)工艺制成。

2 特性和优势2.1 能效特性• 降低了二极管整流器桥的正向导通损耗• 极低IC功耗(2 mW)2.2 应用特性• 直接驱动两个整流器MOSFET• 外部零件数量很少• 集成X电容放电(2 mA)• 自供电• SO8封装2.3 控制特性• 欠压锁定• 用于所有外部功率MOSFET的漏源过压保护• 用于所有外部功率MOSFET的启动时栅极下拉电流3 应用TEA2206T面向将升压型功率因数控制器作为第一级的电源。

第二级可以是谐振控制器、反激控制器，或任何其他控制器拓扑。

它可用于所有需要高效率的电源：• 电源适配器• 台式电脑和一体机电源• 电视电源• 服务器电源有源桥式整流器控制器4 订购信息表1. 订购信息型号封装名称说明版本TEA2206T/1 SO8 塑料小型封装；8引脚；体宽3.9 mm SOT96-15 标示表2. 标示型号标记代码TEA2206T/1 TEA22066 功能框图有源桥式整流器控制器7 引脚配置信息7.1 引脚配置图2. 引脚配置图(SO8)7.2 引脚说明表3. 引脚说明符号引脚说明L 1 左输入HVS 2 高压隔离间隔；不连接GATELL 3 左侧低端栅极驱动器VCC 4 电源电压GND 5 接地GATELR 6 右侧低端栅极驱动器HVS 7 高压隔离间隔；不连接R 8 右输入有源桥式整流器控制器8 功能说明8.1 简介TEA2206是由两个二极管和两个MOSFET构成的有源桥式整流桥的控制器芯片。

esd静电二极管符号

esd静电二极管符号
摘要：
1.ESD静电二极管的定义和作用
2.ESD静电二极管的符号表示
3.ESD静电二极管在不同标准下的符号差异
4.如何正确使用ESD静电二极管符号
正文：
ESD静电二极管是一种专门用于保护电子设备免受静电放电（ESD）影响的元器件。

它在电子设备中扮演着至关重要的角色，能有效防止静电放电对敏感电路造成的损害。

在实际应用中，正确理解和使用ESD静电二极管的符号至关重要。

ESD静电二极管的符号表示通常为一个带有箭头的三角形，箭头指向二极管的正面，象征着静电放电的路径。

这个符号旨在提醒工程师和操作人员，该元器件具有静电放电保护功能。

然而，在不同的标准下，ESD静电二极管的符号可能存在一定差异。

例如，根据IEC 61347-5-1标准，ESD静电二极管的符号为一个带有闪电图案的三角形；而根据我国GB/T 26854-2011标准，ESD静电二极管的符号为一个带有箭头的三角形。

这些差异源于不同标准对ESD静电二极管功能和特性的不同要求。

正确使用ESD静电二极管符号，可以帮助工程师和操作人员更好地识别和选用合适的元器件，确保电子设备的安全运行。

在实际应用中，应注意以下几
点：
1.根据设备的需求和标准要求，选择符合规格的ESD静电二极管。

2.确保ESD静电二极管的正确安装，使其能够有效地引导静电放电。

3.了解ESD静电二极管的额定电压、额定电流等参数，以保证其在使用过程中不会损坏。

4.对于复杂的电路设计，可以采用多个ESD静电二极管串联或并联，以提高防护能力。

总之，ESD静电二极管符号是识别和选用静电放电保护元器件的重要依据。

PESD12VS1UB静电保护管,ESD通用保护管

1.Product proﬁle1.1General descriptionUnidirectional ESD protection diode in a SOD523plastic package designed to protect one transmission or data line from the damage caused by ESD (Electro Static Discharge)and other transients.1.2Featuress Unidirectional ESD protection of one lines Max. peak pulse power: P PP = 330 W at t p = 8/20µs s Low clamping voltage: V CL = 20 V at I PP = 18 A s Ultra low leakage current: I RM < 700 nA s ESD protection > 23 kVs IEC 61000-4-2, level 4 (ESD)sIEC 61000-4-5 (surge); I PP = 18 A at t p = 8/20µs.1.3Applicationss Computers and peripherals s Communication systems s Audio and video equipment s Data linessCAN bus protection.1.4Quick reference dataPESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 packageRev. 01 — 14 June 2004Product data sheetTable 1:Quick reference data Symbol ParameterConditionsValueUnitV RWMreverse standoff voltage PESD3V3S1UB 3.3V PESD5V0S1UB 5V PESD12VS1UB 12V PESD15VS1UB 15V PESD24VS1UB24VPESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 package2.Pinning information[1]The marking bar indicates the cathode.3.Ordering information4.MarkingC ddiode capacitance V R = 0 V; f = 1 MHzPESD3V3S1UB 207pF PESD5V0S1UB 152pF PESD12VS1UB 38pF PESD15VS1UB 32pF PESD24VS1UB 23pFnumber of protected lines1Table 1:Quick reference data …continued Symbol Parameter Conditions ValueUnitTable 2:Discrete pinningPin Description Simpliﬁed outlineSymbol1cathode [1]2anode12Top viewsym03512Table 3:Ordering informationType numberPackage NameDescriptionVersion PESDxS1UBSC -79plastic surface mounted package; 2 leadsSOD523Table 4:MarkingType number Marking code PESD3V3S1UB N1PESD5V0S1UB N2PESD12VS1UB N3PESD15VS1UB N4PESD24VS1UBN5PESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 package5.Limiting values[1]Non-repetitive current pulse 8/20µs exponentially decay waveform; see Figure 1.[1]Device stressed with ten non-repetitive Electro Static Discharge (ESD) pulses; see Figure 2.Table 5:Limiting valuesIn accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).Symbol Parameter Conditions Min Max Unit P PPpeak pulse power 8/20µs[1]PESD3V3S1UB -330W PESD5V0S1UB -260W PESD12VS1UB -180W PESD15VS1UB -160W PESD24VS1UB-160W I PPpeak pulse current 8/20µs[1]PESD3V3S1UB -18A PESD5V0S1UB -15A PESD12VS1UB -5A PESD15VS1UB -5A PESD24VS1UB-3A T j junction temperature -150°C T amboperating ambient temperature−65+150°C T stgstorage temperature−65+150°CTable 6:ESD maximum ratings Symbol ParameterConditions Min Max UnitESDelectrostatic discharge capability IEC 61000-4-2(contact discharge)[1]PESD3V3S1UB -30kV PESD5V0S1UB -30kV PESD12VS1UB -30kV PESD15VS1UB -30kV PESD24VS1UB -23kV PESDxS1UB seriesHBM MIL-STD883-10kVTable 7:ESD standards complianceESD StandardConditionsIEC 61000-4-2, level 4 (ESD)> 15 kV (air); > 8 kV (contact)HBM MIL-STD883, class 3> 4 kVPESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 packageFig 1.8/20µs pulse waveform according toIEC 61000-4-5.Fig 2.Electro Static Discharge (ESD) pulse waveformaccording to IEC 61000-4-2.t (µs)40301020001aaa6304080120I pp (%)0e −t100 % I pp ; 8 µs50 % I pp ; 20 µs001aaa631I pp 100 %90 %t30 ns60 ns10 %t r = 0.7 to 1 nsPESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 package 6.CharacteristicsTable 8:CharacteristicsT amb= 25°C unless otherwise speciﬁed.Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitV RWM reverse standoff voltagePESD3V3S1UB-- 3.3VPESD5V0S1UB--5VPESD12VS1UB--12VPESD15VS1UB--15VPESD24VS1UB--24VI RM reverse leakage current see Figure7PESD3V3S1UB V RWM = 3.3 V-0.72µAPESD5V0S1UB V RWM = 5 V-0.11µAPESD12VS1UB V RWM = 12 V-< 150nAPESD15VS1UB V RWM = 15 V-< 150nAPESD24VS1UB V RWM = 24 V-< 150nAV BR breakdown voltage I R = 5 mAPESD3V3S1UB 5.2 5.6 6.0VPESD5V0S1UB 6.4 6.87.2VPESD12VS1UB14.715.015.3VPESD15VS1UB17.618.018.4VPESD24VS1UB26.527.027.5VC d diode capacitance V R = 0 V; f = 1 MHz;see Figure5 and6PESD3V3S1UB-207300pFPESD5V0S1UB-152200pFPESD12VS1UB-3875pFPESD15VS1UB-3270pFPESD24VS1UB-2350pFV(CL)R clamping voltage[1]PESD3V3S1UB I PP = 1 A--7VI PP = 18 A--20VPESD5V0S1UB I PP = 1 A--9VI PP = 15 A--20VPESD12VS1UB I PP = 1 A--19VI PP = 5A--35VPESD15VS1UB I PP = 1 A--23VI PP = 5 A--40VPESD24VS1UB I PP = 1 A--36VI PP = 3 A--70VPESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 package[1]Non-repetitive current pulse 8/20µs exponentially decay waveform; see Figure 1.R diffdifferential resistance PESD3V3S1UB I R = 1 mA --400ΩPESD5V0S1UB I R = 1 mA --80ΩPESD12VS1UB I R = 1 mA --200ΩPESD15VS1UB I R = 1 mA --225ΩPESD24VS1UBI R= 0.5 mA--300ΩTable 8:Characteristics …continued T amb = 25°C unless otherwise speciﬁed.Symbol ParameterConditions Min Typ Max UnitPESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 packageT amb = 25°Ct p = 8/20µs exponentially decay waveform,see Figure 1.(1)PESD3V3S1UB and PESD5V0S1UB.(2)PESD12VS1UB, PESD15VS1UB; PESD24VS1UB.Fig 3.Peak pulse power dissipation as a function ofpulse time; typical values.Fig 4.Relative variation of peak pulse power as afunction of junction temperature; typical values.f = 1 MHz; T amb = 25°C (1)PESD3V3S1UB.(2)PESD5V0S1UB.f = 1 MHz; T amb = 25°C (1)PESD12VS1UB.(2)PESD15VS1UB.(3)PESD24VS1UB.Fig 5.Diode capacitance as a function of reversevoltage; typical values.Fig 6.Diode capacitance as a function of reversevoltage; typical values.001aaa147103102104P pp (W)10t p (µs)110410310102(1)(2)T j (°C)020015050100001aaa1930.40.81.2P pp 0P pp(25˚C)V R (V)054231001aaa14812016080200240C d (pF)40(1)(2)V R (V)0252010155001aaa1492030104050C d (pF)(1)(3)(2)PESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 package(1)PESD3V3S1UB; V RWM = 3.3 V .PESD5V0S1UB; V RWM = 5 V .I R is less than 10 nA at 150°C for:PESD12VS1UB; V RWM = 12 V .PESD15VS1UB; V RWM = 15 V .PESD24VS1UB; V RWM = 24 V .Fig 7.Relative variation of reverse leakage current as a function of junction temperature; typical values.001aaa27011010−1T j (°C)−100150100050−50I R I R(25˚C)(1)PESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 packageFig 8.ESD clamping test set-up and waveforms.006aaa00150 ΩR Z C Z12D.U.T.: PESDxS1UB vertical scale = 200 V/div horizontal scale = 50 ns/divunclamped +1 kV ESD voltage waveform (IEC61000-4-2 network)clamped +1 kV ESD voltage waveform (IEC61000-4-2 network)unclamped −1 kV ESD voltage waveform (IEC61000-4-2 network)clamped −1 kV ESD voltage waveform (IEC61000-4-2 network)vertical scale = 20 V/div horizontal scale = 50 ns/div vertical scale = 200 V/div horizontal scale = 50 ns/divvertical scale = 10 V/div horizontal scale = 50 ns/divGNDGNDGND GND450 ΩRG 223/U 50 Ω coaxESD TESTERIEC 61000-4-2 network C Z = 150 pF; R Z = 330 Ω4 GHz DIGITAL OSCILLOSCOPE10×ATTENUATORGND GND GNDGNDPESD24VS1UBPESD15VS1UBPESD12VS1UBPESD5V0S1UBPESD3V3S1UBPESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 package7.Application informationThe PESDxS1UB series is designed for unidirectional protection of one single data line from the damage caused by ESD (Electro Static Discharge) and Surge Pulses. The PESDxS1UB series may be used on lines where the signal polarity is above or below ground.The PESDxS1UB series provides a surge capability of up to 330Watts per line for a 8/20µs waveform.Circuit board layout and protection device placement:Circuit board layout is critical for the suppression of ESD, EFT and Surge transients.The following guidelines are recommended:1.Place the protection device as close to the input terminal or connector as possible.2.The path length between the protection device and the protected line should be minimized.3.Keep parallel signal paths to a minimum.4.Avoid running protection conductors in parallel with unprotected conductor.5.Minimize all printed-circuit board conductive loops including power and ground loops.6.Minimize the length of the transient return path to ground.7.Avoid using shared transient return paths to a common ground point.8.Ground planes should be used whenever possible. For multilayer printed-circuit boards, use ground vias.Fig 9.Unidirectional protection of one line.006aaa002ground line to be protected(positive signal polarity)PESDxS1UB uni-directional protection of one linegroundline to be protected(negative signal polarity)PESDxS1UBPESDxS1UB seriesESD protection diodes in SOD 523 package8.Package outlineFig 10.Package outline.REFERENCESOUTLINE VERSION EUROPEAN PROJECTIONISSUE DATE IECJEDECJEITA SOD523SC-7998-11-2502-12-13Plastic surface mounted package; 2 leadsSOD52300.5 1 mmscaleD 12HEEb pAcv M AAUNITb pc D E v mm A H E DIMENSIONS (mm are the original dimensions)Note1. The marking bar indicates the cathode.(1)0.340.260.170.110.10.850.751.251.150.650.581.651.55。

请问,TVS管,和PESD类的器件（如PESD5V0L1BA）有什么不一样？电磁兼容（E...

请问,TVS管,和PESD类的器件（如PESD5V0L1BA）有什么
不一样？电磁兼容（E...
TVS是瞬间电压抑制器件(Transient Voltage Suppressor)的总称和简称. TVS目前常用两大类: 二极管和压敏电阻(Varistor). 二极管类是利用反向PN节的雪崩效应实现电压嵌位。

没有正正意义上的防ESD的器件，因为上升沿实在是太陡了。

器件根本响应不了。

而我们的TVS管可以适当靠近这个值。

其实，现在市面上常用的静电防护器件除了TVS和Varistor外，还有一种叫做PESD。

但是NXP的这个型号并不是PESD器件。

所谓的PESD器件其电容值一般在0.05pf到0.3pf，主要是为了满足现在日趋增加的信号频率。

其静电防护原理主要是通过电极之间的高分子材料。

PESD是基于高分子材料的一种具有嵌位特点的过压保护器件，只能是双向保护，电容比较低，但是嵌位电压较高。

TVS管是基于硅材料齐纳或雪崩击穿实现的二极管，可以是双向也可以为单向，嵌位电压比较低
PESD的箝位电压比较高其实是以前的概念。

现在的PESD性能日趋成熟，其箝位电压可以做到20V或者十几V，在静电防护效果方面已经远远超过了Varistor。

ESD保护管

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静电保护器件
ESD保护管
LRC ESD保护管满足的行业标准

IEC 61000-4-2 (ESD) ±15KV (空气放电)
IEC 61000-4-2 (ESD) ± 8 KV (接触放电) IEC 61000-4-4 (EFT) IEC 61000-4-5 (雷电) 40A (5/50ns)
漏极
栅极栅极
漏极
源极
源极
N-Channel
P-ChanLeabharlann elIC网络超市www.ic-
MOSFET
MOSFET的放大原理：MOSFET的放大原理同三极管的放大原理类似，所不同的是，MOSFET是电压控制型器件，靠栅-源的电压VGS变化来控制漏极电流ID的变化；三极管是电流控制型器件，靠基极电流IB的变化来控制集电极电流IC 的变化。通过这种效应，我们可以在栅-源极加入微弱的信号，通过VGS控制 ID加强信号，从而实现信号的放大。
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静电保护器件
ESD保护管
VRWM (Reverse Peak Working Voltage) ：指 ESD保护管最大连续工作的直流或脉冲电压。当这个反向电压加在 ESD保护管的两极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于最大反向漏电流；当 ESD保护管两端的电压继续上升，但还没有到达击穿电压 VBR 时， ESD保护管可能继续呈现高阻状态。使用时 VRWM 不低于被保护电路的正常工作电压。设计时可选 VRWM ＝ 0.9VBR 。 VBR (Reverse Breakdown Voltage): 在指定测试电流下 ESD保护管发生雪崩击穿时的电压，它是 ESD保护管最小的击穿电压。在该状态发生时， ESD保护管的阻抗将变得很小。 VBR 会受到结温的影响而有所变化。