模拟电路第四版课后答案

第二章

2.4.1电路如图题所示。（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。解（1）求二极管的电流和电压

mA A V

R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233

=?=Ω

??-=-=

- V V V V D O 4.17.022=?==

（2）求v o 的变化范围

图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解所示，温度 T ＝300 K 。 Ω≈==

02.36.826mA

mV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时，则

mV V r R r V v d d DD

O 6)

02.321000(02.32122±=Ω?+Ω

??±=+?=?

O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ?-?+，即～。

2.4.3二极管电路如图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO 。设二极管是理想的。

解图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。

图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。

图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为－6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。

2.4.4 试判断图题中二极管是导通还是截止，为什么解图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有

V V k k V A 115)10140(10=?Ω

+Ω

V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=?Ω

+Ω

+?Ω+Ω=

D 被反偏而截止。

图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有

V V k k V A 115)10140(10=?Ω

+Ω

V V k k V k k V B 5.115)525(5)10()218(2=?Ω

+Ω

+-?Ω+Ω=

D 被反偏而截止。

图c ：将D 断开，以“地”为参考点，有

V V k k V A 115)10140(10=?Ω

+Ω

V V k k V k k V B 5.015)525(520)218(2=?Ω

+Ω

+?Ω+Ω-=

D 被正偏而导通。

2.4.7电路如图题所示，D 1，D 2为硅二极管，当 v i ＝ 6 sin ωtV 时，试用恒压降模型和折线模型（V th ＝ V ，r D ＝200Ω）分析输出电压 v o 的波形。解（1）恒压降等效电路法

当0＜|V i |＜时，D 1、D 2均截止，v o ＝v i ；当v i ≥时；D 1导通，D 2截止，v o ＝

0. 7V ；当v i ≤时，D 2导通，D 1截止，v o ＝－0．7V 。v i 与v o 波形如图解2.4.7a 所示。（2）折线等效电路如图解2.4.7b 所示，图中V th ＝0．5V ，r D ＝200Ω。当0＜|V i |＜0．5 V 时，D 1，D 2均截止，v o=v i ； v i ≥0．5V 时，D 1导通，D 2截止。v i ≤－ V 时，D 2导通，D 1 截止。因此，当v i ≥0．5V 时有

th D D

i O V r r R V V v ++-=

V V V

V om 42.15.0200)2001000()5.06(≈+?Ω

+-=

同理，v i ≤－时，可求出类似结果。 v i 与v o 波形如图解2．4．7c 所示。

2.4.8 二极管电路如图题 2．4．8a 所示，设输入电压v I （t ）波形如图 b 所示，在 0＜t ＜5ms 的时间间隔内，试绘出v o （t ）的波形，设二极管是理想的。解 v I （t ）＜6V 时，D 截止，v o （t ）＝6V ；v I （t ）≥6V 时，D 导通

V t v V V t v t v I I O 3)(2

6200)200200(6)()(+=+?Ω+-=

2.4.13 电路如图题2．4．13所示，设二极管是理想的。（a ）画出它的传输特性；（b ）若输入电压v I =v i =20 sin ωt V ，试根据传输特性绘出一周期的输出电压 v o 的波形。

解（a ）画传输特性

0＜v I ＜12 V 时，D 1，D 2均截止，v o ＝v I ； v I ≥12 V 时，D 1导通，D 2截止

V v V k k v k k v I I O 43

12)126(6)126(12+=?Ω+Ω+?Ω+Ω=

－10V ＜v I ＜0时，D 1，D 2均截止，v o ＝v I ；

v I ≤－10 V 时，D 2导通，D 1 截止

32)10()126(6)126(12-=-?Ω+Ω+?Ω+Ω=

I I O v V k k v k k v

传输特性如图解 2．4 13中 a 所示。

（b ）当v o ＝v I =20 sin ωt V 时，v o 波形如图解2．4．13b 所示。

2.5.2 两只全同的稳压管组成的电路如图题2．5．2所示，假设它们的参数V 2和正向特性的V th 、r D 为已知。试绘出它的传输特性。

解当| v I |＜（Vz ＋V th ）时，D zl 、D Z2均截止，v o ＝v I ；

| v I |≥（Vz ＋V th ）时，D zl 、D Z2均导通

th Z d d

Z I O V V r r R V V v v ++?+--=

传输特性如图解2．5．2所示。

第三章

3.1.1 测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的对地电位分别为 V A ＝－9 V ，V B ＝一6 V ，Vc ＝6．2 V ，试分析A 、B 、C 中哪个是基极b 、发射极e 、集电极c ，并说明此BJT 是NPN 管还是PNP 管。

解由于锗BJT 的|V BE |≈，硅BJT 的|V BE |≈0．7V ，已知用BJT 的电极B 的V B ＝一6 V ，电极C 的Vc ＝–6．2 V ，电极A 的V A ＝－9 V ，故电极A 是集电极。又根据BJT 工作在放大区时，必须保证发射结正偏、集电结反偏的条件可知，电极B 是发射极，电极C 是基极，且此BJT 为PNP 管。

3.2.1试分析图题3．2．1所示各电路对正弦交流信号有无放大作用。并简述理由。（设各电容的容抗可忽略）

解图题3．2．la 无放大作用。因R b =0，一方面使发射结所加电压太高，易烧坏管子；另一方面使输人信号v i 被短路。

图题3．2．1b 有交流放大作用，电路偏置正常，且交流信号能够传输。图题3．2．lc 无交流放大作用，因电容C bl 隔断了基极的直流通路。

图题3．2．id 无交流放大作用，因电源 V cc 的极性接反。

3.3.2 测量某硅BJT 各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。（a ）V C ＝6 V V B ＝ V V E ＝0 V （b ）V C ＝6 V V B ＝2 V V E ＝ V （c ）V C ＝6 V V B ＝6V V E ＝ V （d ）V C ＝6 V V B ＝4V V E ＝ V （。）V C ＝ V V B ＝4 V V E ＝3. 4 V

解（a ）放大区，因发射结正偏，集电结反偏。

（b ）放大区，V BE ＝（2—l ．3）V ＝0．7 V ，V CB ＝（6－2）V ＝4 V ，发射结正偏，集电结反偏。

（C ）饱和区。（d ）截止区。

（e ）饱和区。

3.3.5 设输出特性如图题 3．3．1所示的 BJT 接成图题 3．所示的电路，具基极端上接V BB ＝3．2 V 与电阻R b ＝20 k Ω相串联，而 Vcc ＝6 V ，R C ＝200Ω，求电路中的 I B 、I C 和 V CE 的值，设 V BE ＝0．7 V 。解 mA R V V I b

BB B 125.0=-==

由题3．3．1已求得β＝200，故 mA mA I I B C 25125.0200=?==β

V I V V CC CE 1R C C =-=

3.3.6 图题3．3．6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线，试求：（1）电源电压V CC ，静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值；（2）电阻R b 、R C 的值；（3）输出电压的最大不失真幅度；（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少

解（1）由图3．3．6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即Vcc 值的大小，故Vcc= 6 V 。由Q 点的位置可知，I B ＝20μA，I C ＝1 mA ，V CE ＝3 V 。（2）由基极回路得： Ω=≈

k I V R B

b 300 由集－射极回路得 Ω=-==

k I V V R C

CC C 3

（3）求输出电压的最大不失真幅度

由交流负载线与输出特性的交点可知，在输人信号的正半周，输出电压v CE 从3V 到0．8V ，变化范围为；在输入信号的负半周，输出电压v CE 从3V 到4．6V ，变化范围为1．6V 。综合起来考虑，输出电压的最大不失真幅度为1．6V 。（4）基极正弦电流的最大幅值是20 μA。

3.4.1 画出图题所示电路的小信号等效电路，设电路中各电容容抗均可忽略，并注意标出电压、电流的正方向。

解图题3.4.1所示各电路的小信号等效电路如图解所示。

3.4.2单管放大电路如图题所示已知BJT 的电流放大系数β＝50。（1）估算Q 点；（2）画出简化 H 参数小信号等效电路；（3）估算 BJT 的朝人电阻 r be ；（4）如输出端接入 4 k

Ω的电阻负载，计算i O V V V A &&&=及S

O VS V V A &&&=。

解（1）估算Q 点

A R V I b

B μ40=≈

mA I I B C 2==β V R I V V C C CC CE 4=-=

（2）简化的H 参数小信号等效电路如图解3.4.2所示。（3）求r be

Ω=++Ω=++Ω=863226)501(20026)

1(200mA

I mV r E bc β （4）116)||('0-≈-=-==be L C be L i

V r R R r R V V A ββ&&& 73||||00-≈+=+=?==be b s be b V s i i V s

i i s VS r R R r R A R R R A V V V V V V A &&&&&&&&&

3.4.5 在图题所示电路中设电容C 1、C 2、C 3对交流信号可视为短路。（1）写出静态电流Ic 及

电压V CE 的表达式；（2）写出电压增益V

A &、输人电或Ri ．和输出电阻Ro 的表达式；（3）若将电容C 3开路，对电路将会产生什么影响解（1）Ic 及V CE 的表达式

R V I I CC

B C β

β≈= )(32R R I V V C CC CE +-=

（2）V

A &、Ri ．和Ro 的表达式 be

L V

r R R A )||(2β-=& be i r R R ||1= 2R R O ≈

（3）C 3开路后，将使电压增益的大小增加

L V

r R R R A ]||)[(32+-=β& 同时Ro 也将增加，32R R R O +≈。

3.5.2 如图题所示的偏置电路中，热敏电阻R t 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用

解图题3.5.2a 所示电路能稳定Q 点，过程如下：

[↓

↓

↓→↓→↓→↑

C C B BE t I I I V R T

图题3.5.2b 所示电路不能稳定Q 点，因为

[

↑

↑→↑→↓→↑

C C B BE t I I I V R T

3.5.4 电路如图所示，设β＝100，试求：（1）Q 点；（2）电压增益s o V V V A &&&11=和s

o V V V A &&&22=；（3）输入电阻Ri ；（4）输出电阻R O1和R O2、

解（1）求Q 点

V V R R R V CC b b b B 3.42

≈+=

mA R V V I I e

B E

C 8.1=-=

≈

V R R I V V e c C CC CE 8.2)(=+-=

A I I C

B μβ

18==

(2)求r be 及Ri

Ω≈++=k I mV

r r E

bb be 66.126)

1('β

Ω≈++=k R r R R R e be b b i 2.8])1([||||21β

（3）

79.0)1(01011-≈+?++-=?==s i i e be c s i i s V R R R R r R V V V V V V A ββ&&&&&&&

8.0)1(02022≈+?++-=?==s i i e be e s

i i s V R R R R r R V V V V V V A ββ&&&&&&& （4）求R O1和R O2、

Ω=≈k R R C O 21

Ω≈++=311)

||||(||

2102β

s b b be e R R R r R R

3.6.3 共基极电路如图题所示。射极电路里接入一恒流源，设∞==L s R R ,0100，＝

β。试确定电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。

解 Ω≈++=k I mV

r r E

bb be 8.226)1('β 其中 I E ＝。

268)||(≈=be L C V

r R R A β&

Ω≈+=

281β

i r R

Ω=≈k R R c 5.70。

3.7.1某放大电路中A V 的数幅频特性如图题3．7．1所示。（1）试求该电路的中频电压增益

|A |VM

&，上限频率f H ，下限频率f L ；（2）当输人信号的频率 f ＝f L 或 f ＝f H 时，该电路实际的电压增益是多少分贝

解（1）由图题3．7．1可知，中频电压增益|A |VM

&＝1000，上限频率人f H ＝108HZ ，下限频率f L ＝102

HZ 。

（2）当f ＝f L 或 f ＝f H 时，实际的电压增益是57 dB 。

3.7.3 一放大电路的增益函数为

)

102(1110210

)s (6?+?

?+=ππs

s s

试绘出它的幅频响应的波特图，并求出中频增益、下限频率f L 和上限频率f H 以及增益下降到1时的频率。

解对于实际频率而言，可用f j s π2=代人原增益传递函数表达式，得

)

1(1

)101(10102211102221066f

j f j f j f j f

j A

+?-=?+

?+=πππππ&

由此式可知，中频增益|A M |＝10，f ＝10 HZ ，f H ＝106

HZ 。其幅频响应的波特图如图解3.7.3

所示。增益下降到 1时的频率为 IHZ 及 10 MHZ 。

3.7.6一高频BJT ，在Ic ＝时，测出其低频H 参数为：r be ＝Ω，βo ＝50，特征频率T f ＝100MHz ，

pF C c b 3='，试求混合∏型参数e b b b e b m C r r g '''、、、。

mS S mV

I r g E e m 69.571069.57261

3=?===

Ω==

7.866'm

e b g r β

Ω=-=3.233''e b be be r r r

pF f g C T

e b 922'==

π MHz f f T 2==ββ

3.7.8 电路如图3．5．1所示（射极偏置电路），设在它的输人端接一内阻 Rs= 5K Ω的信号源．电路参数为：R b1= 33K Ω，R b2＝22K Ω。Re ＝3．9K Ω，Rc ＝4．7K Ω，R L ＝ 5．1K Ω， Ce ＝ 50μF （与Re 并联的电容器）． Vcc ＝5V ．I E ≈，β0＝120，

r ce ＝300 K Ω，Ω='50b b r ，f T =700 MHZ 及F C c b p 1='。求：（1）输入电阻R i ;

（2）中频区电压增益|A VM | （3）上限频率f H 。

解（1）求R i

Ω≈++=k I mV

r r E

bb be 58.926)

1('β Ω≈=k r R R R be b b i 55.5||||21

（2）求中频电压增益||VM

A & 因c R r ce >> 故

64.30)||(||≈=be

L c VM

r R R A β& （3）求上限频率f H

mS mV I g E

m 96.1226≈=

Ω≈=

k g r m

e b 47.9'β

pF f g C T

e b 89.22'≈=

π pF C R g C C e b L m e b 98.34)1('''

=++=

其中Ω≈='k R R R L c L

45.2//。 Ω≈+=k r R R r R e b b s bb 65.2||)||(''

MHz RC

f H 72.121

≈=

第四章

4.1.3 一个JFET 的转移特性曲线如图题所示，试问：（1）它是N 沟道还是P 沟道FET

（2）它的夹断电压V P 和饱和漏极电流I DSS 各是多少

解由图题4．1．3可见，它是N 沟道JFET ，其V P ＝–4 V ，I DSS ＝3 mA 。

4.3.3一个MOSFET 的转移特性如图题4．3．3所示（其中漏极电流i D 的方向是它的实际方向）。试问：

（1）该管是耗尽型还是增强型（2）是N 沟道还是P 沟道FET

（3）从这个转移特性上可求出该FET 的夹断电压V P ，还是开启电压V T 其值等于多少

解由图题 4.3.3可见，它是 P 沟道增强型 MOSFET ，其 V T ＝－4 V 。

增强型FET 能否用自偏压的方法来设置静态工作点试说明理由。

解由于增强型MOS 管在v GS =0时，v D =0（无导电沟道），必须在|v GS |＞|V T | （V T 为开启电压）时才有i D ，因此，增强型的MOS 管不能用自偏压的方法来设置静态工作点。

4.4.4已知电路参数如图题4．4．4所示，FET 工作点上的互导g m ＝1ms ，设 r d >>R d 。（1）画出小信号等效电路；（2）求电压增益Av ；（3）求放大电路的输人电阻R i 。

解（1）画小信号等效电路忽略r d ，可画出图题4.4.4的小信号等效电路，如图解所示。（2）求 Av

3.32

11101110-≈?+?-=+-==R g R g V V A m d m i V &&& （3）求Ri

Ω≈+=k R R R R g g g i 2075)||(213

4.5.1电路参数如图题所示。设FET 的参数为g m ＝，r d ＝200k Ω；3AG29（T 2）的β＝40，r be ＝1k Ω。试求放大电路的电压增益Av 和输入电阻Ri 。

解（1）求V

A & 由于 r d ＞＞R d ，故r d 可忽略，图题 4.5.1的小信号等效电路如图解 4 .所示。由图有

])1(['e bb b d R r I R I β++=&& b

b b d

bb I I I R R r I &&&&38.81

18.0)401(1)1('=?++=++=

β gs m b b d V g I I I I &&&&&=-=+-=38.9)(

.9gs m b

V g I &&-=

gs gs m b

b b b b gs m V V R V g I R I R I R I R I R V g V &&&&&&&&&&3.8238

.98.038.4938

.938.4938.494038.90≈??

=--=-=--=-=β

gs i V V V V &&&&3.90=+= 89.03.93.80≈==gs

gs i V V V V V A &&&&& （2）求R i

Ω=≈+=M R R R R R g g g g i 1.5)||(3213

4.5.4 电路如图题 4 .所示，设FET 的互导为g m ，r d 很大；BJT 的电流放大系数为β，

输人电阻力r be 。试说明T 1 、T 2各属什么组态，求电路的电压增益Av 、输人电阻Ri ；及输出电阻Ro 的表达式。

解（1）T 1 、T 2的组态

T 1为源极输出器，T 2为共射极电路。（2）求Av

m be

m V r g r g A +≈11

L c V r R R A )||(2

β-≈&

m L c m V V V r g R R g A A A +-≈?=1)||(2

1β&&& （3）求R i 和Ro

Ro R R g i ≈≈

第五章

5.1.1在甲类、乙类和甲乙类放大电路中，放大管的导通角分别等于多少它们中哪一类放大电路效率最高

解在输入正弦信号情况下，通过三极管的电流i c 不出现截止状态（即导通角θ＝2π）的称为甲类；在正弦信号一个周期中，三极管只有半个周期导通（θ＝π）的称为乙类；导通时间大于半周而小于全周（π＜θ＜2π）的称为甲乙类。其中工作于乙类的放大电路效率最高，在双电源的互补对称电路中，理想情况下最高效率可达 78．5％。

5.2.2一双电源互补对称电路如图题5．2．2所示，设已知Vcc ＝12 V ，R L ＝16Ω，v I 为正弦波。求：（1）在BJT 的饱和压降V CES 可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率P om ；（2）每个管子允许的管耗 P CM 至少应为多少（3）每个管子的耐压 |V (BR)CEO |应大于多少解（1）输出功率

W V R V P L CC om 5.4162)12(22

2=Ω

?==

（2）每管允许的管耗

W W P P OM CM 9.045.02.02.0=?=≥

（3）每管子的耐压

V V V V CC CEO BR 241222||)(=?=≥

5.2.4设电路如图题所示，管子在输人信号v I 作用下，在一周期内T 1和T 2轮流导电约 180o

，电源电压 Vcc ＝20 V ，负载R L ＝8Ω，试计算：

（1）在输人信号Vi ＝10 V （有效值）时，电路的输出功率、管耗、直流电源供给的功率和效率；

（2）当输人信号v i 的幅值为 V im ＝Vcc ＝20 V 时，电路的输出功率、管耗、直流电源供给的功率和效率。

解（l ）Vi ＝10 V 时

1,141022==?==V i im A V V V V

V V A V im V om 14==

输出功率 W W R V R V P L om L cem 25.128

142121212

220=?=?=?=

每管的管耗 W W V V V R P P om om CC L T T 02.5)4

1414.31420(81)4(12

221≈-?=-==π

两管的管耗 W P P T T 04.1021==

电源供给的功率 W P P P T V 29.2204.1025.120=+=+= 效率 %96.54%10029

.2225

.12%1000≈?=?=

V P P η （2）20V 20=====CC im V om CC im V V A V V V V 时，

W W R V P L 2582021212CC 20=?=?=

W V V R P P CC L T T 85.6)4

(22CC

221≈-==π

W P P P T V 85.3185.6250=+=+=

%5.78%10085

.3125%1000≈?=?=

V P P η

5.3.1一单电源互补对称功放电路如图题5．3．1所示，设v i 为正弦波，R L ＝8Ω，管子的饱和压降V CES 可忽略不计。试求最大不失真输出功率Pom （不考虑交越失真）为9W 时，电源电压Vcc 至少应为多大

解由

CC L

om R V R V

P 8)(2)2(2

则有

V W P R V om L CC 249888=?Ω?=≥

5.3.3一单电源互补对称电路如图题5．3．3所示，设T 1 、T 2的特性完全对称，v i 为正弦波，Vcc ＝12 V ，R L ＝8Ω。试回答下列问题：（1）静态时，电容C 2两端电压应是多少调整哪个电阻能满足这一要求（2）动态时，若输出电压v o 出现交越失真，应调整哪个电阻如何调整（3）若R 1＝R 2＝Ω，T 1和T 2的β＝40，|V BE |=0．7 V ，P CM ＝400 mw ，假设 D 1、D 2、R 2中任意一个开路，将会产生什么后果

解（1）静态时，C 2两端电压应为Vc 2＝Vcc/2 =6V ，调整R 1或R 2可满足这一要求。（2）若v o 出现交越失真，可增大R 2。

（3）若D 1、D 2或R 2中有一个开路，则由于T 1、T 2的静态功耗为

V k V V V R R V V V I P P CC

BE CC CE B T T 11562

122.27.0212402

||23121=?Ω?-?

+-?===ββ

即CM T T P P P >>=11，所以会烧坏功放管。

第六章

6.1.2电路如图题所示，所有BJT 的β均很大，V BE ＝，且T 2、T 3特性相同，电路参数如图。问：

（1）T 2、T 3和R 组成什么电路在电路中起什么作用（2）电路中T 1、R e1起电平移动作用，保证vi ＝0时，vo ＝0。求I REF 、I c3和R e1的值。

解（1）T 2、T 3和R 组成镜像电流源电路，在电路中作为 BJT T 1的恒流源负载，提高带负载能力。

（2）当vi ＝0时，vo ＝0

k V R V V V I I EE BE REF REF C 3.231)127.012()

(23=Ω+-=---=≈

Ω=?-=-=

-313)103.23()7.08(331A

I V V R C BE I e 6.2.2 双端输人、双端输出理想的差分式放大电路如图题所示。求解下列问题（1）

若v i1=1500μV 。v i2=500μV ，求差模输人电压v id ，共模输入电压v ic 的值；（2）若A VD ＝100，求差模输出电压v od ；（3）当输入电压为v id 时，若从 C 2点输出，求 v c2与v id 的相位关系；（4）若输出电压v o ＝1000 v i1－999 v i2时，求电路的从A VD 、Avc 和 K CMR 的值。解（1）差模输人电压为

V V V v v v i i id μμμ1000500150021=-=-=

共模输人电压为

V V v v v i i ic μμ1000)5001500(2

)(2121=+=+=

（2）A VD ＝100，差模输出电压为

mV V v A v id VD od 1001000100=?==μ

（3）id c v v 与2同相。

（4）219991000i i o v v v -=，求A VD 、A VD 和K CMR

12121)2

()21()(2

)(i VC VD i VC VD i i VC i i VD ic

VC id VD o v A A v A A v v A v v A v A v A v --+=+?+-=+=

所以

1000)21

(=+

VC VD A A

999)2

(=-VC VD A A

则 5.999||

,5.999,1====VC

CMR VD VC A A K A A

6.2.5电路如图题 .5所示，JFET 的 g m ＝2mS ，r DS ＝20 k Ω，求：（1）双端输出时的差模电压增益A VD ＝（v o1-v o2）／v id 的值；（2）电路改为单端输出时，A VD1、Avc 1和K CMR 的值。解（1）差模电压增益

O 1O VD v v v A -=

3.13]k 67.6[m S 2)r ||R (g DS d m -=Ω-=-= （2）单端输出时，差模电压增益

67.62

1-==

VD VD A A 共模电压增益

33.0)

1020(1021)1067.6(102)2(1)||(33331

-=??+??-=+-=--s m DS d m VC R g r R g A

共模抑制比

2.2033

.067

.6A A K 1VC 1VD CMR ===

6.2.7电路如图题所示，已知BJT 的β1=β2=β3=50，r ce =200 k Ω，V BE = V ，试求单端输出时的差模电压增益A VD2、共模抑制比K CMR 、差模输人电阻R id 和输出电阻Ro 。提示：AB 两端的交流电阻

?????

?+++==32133

330)||(1e be e ce AB

R R R r R r r r β

解 R 2两端的电压为

V V R R R V EE R 1.3)9(6

.5332122+=++=+≈

mA A R V V I e BE R E 210

2.17

.01.33

3323=?-=-=

mA I I I E E E 12

321==

Ω=++Ω=k I V r E T

be 53.1)

1(2001

11β

Ω=???

?++Ω=k I V r E T be 86.0)1(200333β

Ω=k R R 95.1||21

单端输出差模电压增益

12]

1.0)501(53.11.0[22

.350])1([2)||(1122=?+++??=++++

=e be s L c VD R r R R R A ββ

AB 两端交流电阻为

Ω=Ω??????++?+=???? ?

?++β+==M 2.3k 2.195.186.02.1501200R R ||R r R 1r r r 3e 213be 3e 33ce o AB 单端输出的共模电压增益

0005.010

2.3)501(22

.350)1(2)||(3

22-=??+??-=+-

≈o L c Vc r R R A ββ 共模抑制比

240000005

.012

22===

VC VD CMR A A K 差模输人电阻Ω=Ω?++=+++=k k R r R R e be s id 5.13]1.05153.1.01[2])1([21β 输出电阻Ω==k R R c o 7.42

6.2.9 电路如图题所示，设所有BJT 的β＝20，r be ＝Ω，r ce ＝200K Ω，FET 的gm ＝4mS ，其它参数如图所示。求：（1）两级放大电路的电压增益Av ＝Av1·Av2；（2）Rid 和Ro ；（3）第一级单端输出时的差模电压增益 id

o 1VD v v A =

、共模电压增益Avc1和共模抑制比K CMR 注：源极恒流源交流等效电阻为

???????+++++β+=)R R (r )]R r (||R [)R R (1r r 3p 5e 5be 6e 6be 33p 5e 5ce o

解（1）两级放大电路的电压增益

730

2.0)201(5.212

201.542)1(2)1(||22)1(2

3323112

33'

1=?

??????++?-??-=?????

????

++-????????????????++???? ??+-=?????

??????

++-

-=?=p be c p be p d m p be c L m V V VD R r R R r R R g R r R R g A A A βββββ （2）输入电阻Ω=≈=M R r R R gs id 1.5||11

输出电阻Ω=+=k R R R c c o 2443 （3）第一级单端输出时的差模电压增益

.101.542

2R )1(r ||2R R g 21R g 2

A 2p 3be 1p 1d m 1

L 'm 1VD -=??-=??

?????????????β++???? ??+-=-=

T1、T2源极恒流源交流等效电阻

=Ω?

?????

++?+=???

??????++++++=k k R R r R r R R R r r p e be e be p e ce o 26645.85.28.25.8201200)()](||[)(1355663355β 第一级单端输出的共模电压增益

3o m 1L 'm 1

VC 1096.026642411.54)r 2(g 1R g A -?-=??+?-=+-=

共模抑制比

1VC 1VD CMR 106.1010

96.02

.10A A K ?=?==

- 第七章

7.1.1在图题所示的各电路中，哪些元件组成了级间反馈通路它们所引人的反馈

是正反馈还是负反馈是直流反馈还是交流反馈（设各电路中电容的容抗对交流信号均可忽略）

解图题中，由电阻R1、R2组成反馈通路，引人负反馈，交、直流反馈均有；b 图中，由Re1且人负反馈，交、直流反馈均有，由R f1、R f2引人直流负反馈；c 图中，由R f 、R e2引人负反馈，交、直流反馈均有；d 图中，由R1、R2引人负反馈，交、直流反馈均有；e 图中，由A2、R3引人负反馈，交、直流反馈均有；f 图中，由R6引人负反馈，交、直流反馈均有。

7.1.2 试判断图题所示各电路的级间交流反馈的组态。解图题7.1.1a 中，R2、R1引入电压并联负反馈； b 图中，Re1引入电流串联负反馈； c 图中，Rf 、Re2引入电流并联负反馈； d 图中，R2、R1引入电压串联负反馈； e 图中，A2、R3引入电压并联负反馈； f 图中，R6引入电流串联负反馈；

7.1.4 电路如图所示，（1）分别说明Rf1，Rf2引入的两路反馈的类型及各自的主要作用；（2）指出这两路反馈在影响该放大电路性能方面可能出现的矛盾是什么（3）为了消除上述可能出

现的矛盾，有人提出将Rf2断开，此方法是否可行为什么你认为怎样才能消除这个矛盾

解（1）Rf1在第一、三级间引入交、直流负反馈，此直流负反馈能稳定前三级的静态工作点，其交流反馈为电流串联负反馈，可稳定第三级的输出电流，同时提高整个放大电路的输人电阻；Rf2在第一、四级间引入交、直流负反馈，其中直流负反馈为T1；提供直流偏置，且稳定各级的静态工作点，而其交流反馈为电压并联负反馈，可稳定该电路的输出电压，即降低电路的输出电阻，另外也降低了整个电路的输人电阻。

（2）Rf1的引入使 Rif 上升，而Rf2的引入使Rif 下降，产生矛盾。

（3）不能断开Rf2，因Rf2是T1的偏置电阻，否则电路不能正常工作。消除上述矛盾的

方法是在4e

R '的两端并一容量足够大的电容器，去掉Rf2上的交流负反馈，这对输出电压的稳定不会有很大影响，因为T4是射极输出器。

7.1.6设图题所示电路中的开环增益A &很大。（1）指出所引反馈的类型；（2）写出

输出电流o

I &的表达式；（3）说明该电路的功能。解（1）由R2、R3引入了电流并联负反馈。

（2）在深度负反馈条件下（因开环增益很大），由“虚短”、“虚断”可知

,0R V I I v v i i

f P N -=-≈≈≈&&

I R R R I f

&&+=

V R R R R I 3

1320+=& 已知32321,10,10R R R k R R >>Ω=Ω==，则

-=-≈1030

i i V R V I & (3) 此电路可视为压控电流源。

7.2.2某反馈放大电路的方框图如图题所示。试推导其闭环增益i

o X X &&/的表达式。解设该放大电路的开环增益为A

& 2

221

010101101F A A A X X X X X X A id id &&&&&&&&&&&+=?==

模拟电子基础复习题与答案

模拟电子技术基础复习题图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空：（1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为（2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为；（3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。

A.增大 B.不变 C.减小当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电

模拟数字电路基础知识

第九章数字电路基础知识一、填空题 1、模拟信号是在时间上和数值上都是变化的信号。 2、脉冲信号则是指极短时间内的电信号。 3、广义地凡是规律变化的，带有突变特点的电信号均称脉冲。 4、数字信号是指在时间和数值上都是的信号，是脉冲信号的一种。 5、常见的脉冲波形有，矩形波、、三角波、、阶梯波。 6、一个脉冲的参数主要有 Vm 、tr 、 Tf 、T P 、T 等。 7、数字电路研究的对象是电路的输出与输入之间的逻辑关系。 8、电容器两端的电压不能突变，即外加电压突变瞬间，电容器相当于。 9、电容充放电结束时，流过电容的电流为0，电容相当于。 10、通常规定，RC 充放电，当t = 时，即认为充放电过程结束。 11、 RC 充放电过程的快慢取决于电路本身的，与其它因素无关。 12、 RC 充放电过程中，电压，电流均按规律变化。 13、理想二极管正向导通时，其端电压为0,相当于开关的。 14、在脉冲与数字电路中，三极管主要工作在和。 15、三极管输出响应输入的变化需要一定的时间，时间越短，开关特性。 16、选择题 2 若一个逻辑函数由三个变量组成，则最小项共有（）个。 A 、3 B 、4 C 、8 4 下列各式中哪个是三变量A 、B 、C 的最小项（） A 、A B C ++ B 、A BC + C 、ABC 5、模拟电路与脉冲电路的不同在于( )。 A 、模拟电路的晶体管多工作在开关状态，脉冲电路的晶体管多工作在放大状态。 B 、模拟电路的晶体管多工作在放大状态，脉冲电路的晶体管多工作在开关状态。 C 、模拟电路的晶体管多工作在截止状态，脉冲电路的晶体管多工作在饱和状态。 D 、模拟电路的晶体管多工作在饱和状态，脉冲电路的晶体管多工作在截止状态。 6、己知一实际矩形脉冲，则其脉冲上升时间( )。 A 、.从0到Vm 所需时间 B 、从0到2 2Vm 所需时间 C 、从0.1Vm 到0.9Vm 所需时间 D 、从0.1Vm 到 22Vm 所需时间 7、硅二极管钳位电压为( ) A 、0.5V B 、0.2V C 、0.7V D 、0.3V 8、二极管限幅电路的限幅电压取决于( )。 A 、二极管的接法 B 、输入的直流电源的电压 C 、负载电阻的大小 D 、上述三项 9、在二极管限幅电路中,决定是上限幅还是下限幅的是( ) A 、二极管的正、反接法 B 、输入的直流电源极性 C 、负载电阻的大小 D 、上述三项 10、下列逻辑代数定律中，和普通代数相似是( ) A 、否定律 B 、反定律 C 、重迭律 D 、分配律

模拟电子技术基础中的常用公式必备

模拟电子技术基础中的常用公式第7章半导体器件主要内容：半导体基本知识、半导体二极管、二极管的应用、特殊二极管、双极型晶体管、晶闸管。重点：半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。难点：双极型晶体管。教学目标：掌握半导体二极管、二极管的应用、双极型晶体管。了解特殊二极管、晶闸管。第8章基本放大电路主要内容：放大电路的工作原理、放大电路的静态分析、共射放大电路、共集放大电路。重点：放大电路的工作原理、共射放大电路。难点：放大电路的工作原理。教学目标：掌握放大电路的工作原理、共射放大电路。理解放大电路的静态分析。了解共集放大电路。第9章集成运算放大器

主要内容：运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈、基本运算电路。重点：基本运算电路。难点：放大电路中的反馈。教学目标：掌握运算放大器在信号运算与信号处理方面的应用。了解运算放大器的简单介绍、放大电路中的反馈。第10章直流稳压电源主要内容：直流稳压电源的组成、整流电路、滤波电路、稳压电路。重点和难点：整流电路、滤波电路、稳压电路。教学目标：掌握直流电源的组成。理解整流、滤波、稳压电路。第11章组合逻辑电路主要内容：集成基本门电路、集成复合门电路、组合逻辑电路的分析、组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。重点：集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。难点：组合逻辑电路的设计。教学目标：掌握集成复合门电路、组合逻辑电路的分析。了解组合逻辑电路的设计、编码器、译码器与数码显示。

第12章时序逻辑电路主要内容：双稳态触发器、寄存器、计数器。重点：双稳态触发器。难点：寄存器、计数器。教学目标：掌握双稳态触发器。了解寄存器、计数器。半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： )1()(-=T D V u sat R D e I i 式中，i D 为流过二极管的电流，u D 。为加在二极管两端的电压，V T 称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度，单位是K ；q 是电子的电荷量，q=×10-19 C ；k 为玻耳兹曼常数，k = ×10 -23 J ／K 。室温下，可求得V T = 26mV 。I R(sat) 是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻R D 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比，即

《模拟电子技术》模拟试题与答案解析

《模拟电子技术》模拟题1及答案一、判断（10分） 1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。（） 2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。（） 3、PN结具有单向导电特性。（） 4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。（） 5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（） 6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。（） 7、直流负反馈不能稳定静态工作点。（） 8、晶体二极管击穿后立即烧毁。（） 9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。（） 10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。（）二、选择（10分） 1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。 A、3 B、5 C、2 D、4 2、稳压管工作于( )状态下，可以稳定电压。 A、正偏导通 B、反偏截止 C、反向击穿 3、三极管放大的外部条件( )。 A、正偏导通，反偏截止 B、正偏截止，反偏导通 C、正偏导通，反偏导通 D、正偏截止，反偏截止 4、既能放大电压，也能放大电流的电路( )。 A、共发射极 B、共集电极 C、共基级 D、以上均不能 5、共模抑制比CMR K越大，表明电路（）。 A、放大倍数越稳定； B、交流放大倍数越大； C、抑制温漂能力越强； D、输入信号中的差模成分越大。6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（）反馈，为减小输出电阻，应引入（）反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（）。 A、RC振荡电路 B、LC振荡电路 C、石英晶体振荡电路三、在图1所示的电路中，已知输入信号ui=5sinωt V,试画出输出电压uo1和uo2的波形，设二极管为理想二极管。（每题10分，共20分）

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

电子科技大学模拟电路考试题及答案

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期末考试模拟电路基础课程考试题A 卷（120 分钟）考试形式：开卷课程成绩构成：平时10 分，期中30 分，实验0 分，期末60 分一（20分）、问答题 1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大？哪个最小？ 2．（4分）在集成运算放大器中，为什么输出级常用射极跟随器？为什么常用射极跟随器做缓冲级？ 3．（4分）电流源的最重要的两个参数是什么？其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载？在集成电路中采用有源负载有什么好处？ 4．（4分）集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级？ 5．（4分）在线性运算电路中，集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式？

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 二（10分）、电路如图1所示。已知电阻R S=0，r be=1kΩ，R1∥R2>>r be。 1．若要使下转折频率为10Hz，求电容C的值。 2．若R S≠0，仍保持下转折频率不变，电容C的值应该增加还是减小？图1 三（10分）、电路如图2所示。已知差模电压增益为10。A点电压V A=-4V，硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V，R C=10 kΩ。求电阻R E和R G。图2

………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 四（10分）、电路如图3所示。已知三极管的β=50，r be=1.1kΩ，R1=150kΩ，R2=47kΩ，R3=10kΩ，R4=47kΩ，R5=33kΩ，R6=4.7kΩ，R7=4.7kΩ，R8=100Ω。 1．判断反馈类型； 2．画出A电路和B电路； 3．求反馈系数B； 4．若A电路的电压增益A v=835，计算A vf，R of和R if。图3

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电路基础知识大全

模拟电路基础知识大全一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。

模拟电路(基本概念和知识总揽)

模拟电路（基本概念和知识总揽） 1、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。 2、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用） 3、基尔霍夫定理的内容是什么？基尔霍夫定律包括电流定律和电压定律。电流定律：在集总电路中，任何时刻，对任一节点，所有流出节点的支路电流代数和恒等于零。电压定律：在集总电路中，任何时刻，沿任一回路，所有支路电压的代数和恒等于零。 4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用？反馈，就是在电子系统中，把输出回路中的电量输入到输入回路中去。反馈的类型有：电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。负反馈的优点：降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用。电压（流）负反馈的特点：电路的输出电压（流）趋向于维持恒定。 5、有源滤波器和无源滤波器的区别？无源滤波器：这种电路主要有无源元件R、L和C组成有源滤波器：集成运放和R、C组成，具有不用电感、体积小、重量轻等优点。集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高，输出电阻小，构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。但集成运放带宽有限，所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。 6、基本放大电路的种类及优缺点，广泛采用差分结构的原因。答：基本放大电路按其接法的不同可以分为共发射极放大电路、共基极放大电路和共集电极放大电路，简称共基、共射、共集放大电路。共射放大电路既能放大电流又能放大电压，输入电阻在三种电路中居中，输出电阻较大，频带较窄。常做为低频电压放大电路的单元电路。共基放大电路只能放大电压不能放大电流，输入电阻小，电压放大倍数和输出电阻与共射放

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F）二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。精选文档

模拟集成电路基础知识整理

当GS V 恒定时，g m 与DS V 之间的关系当DS V 恒定时，g m 、DS I 与GS V 之间的关系通过对比可以发现，DS V 恒定时的弱反型区、强反型区、速度饱和区分别对应于当GS V 恒定时的亚阈值区、饱和区、线性区（三极管区）。跨导g m 在线性区（三极管区）与DS V 成正比，饱和区与GS TH V V -成正比 DS g GS TH V V - 饱和区的跨导

NMOS 1、截止区条件：GS TH V V < 2、三极管区（线性区）条件：TH GD V V < 电压电流特性：()21 2DS n GS TH DS DS W I Cox V V V V L μ?????=-?- 3、饱和区条件：TH GD V V > 电压电流特性：()2 1 (1)2DS n GS TH DS W I Cox V V V L μλ= -+ 4、跨导: 就是小信号分析中的电流增益，D GS dI gm dV = () n GS TH W gm Cox V V L μ=- gm =2DS GS TH I gm V V = - 5、输出电阻就是小信号分析中的r0：10DS r I λ≈ PMOS 1、截止区GS THp V V > 2、三极管区（线性区）条件：THP DG V V < 电压电流特性：()21 2DS p GS TH DS DS W I Cox V V V V L μ?????=-? - 3、饱和区条件：THP DG V V > 电压电流特性：()2 1 (1)2DS p GS TH DS W I Cox V V V L μλ= -- 4、跨导和输出电阻与NMOS 管一样

模拟电子技术基础教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的：本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。

3、使用的教材：杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社主要参考书目：康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社，张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社，谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社，孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社，谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社，绪论本章的教学目标和要求：要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5

模拟电子技术测试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。 2、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为0，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为无穷，等效成断开； 4、三极管是电流控制元件，场效应管是电压控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变小，发射结压降不变。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是共基、共射、共集放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电压并联负反馈，为了稳定交流输出电流采用串联负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=1/（1/A+F），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=1/ F。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW，其中BW=fH –fL， 1+AF称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真，而采用甲乙类互补功率放大器。 13、OCL电路是双电源互补功率放大电路； OTL电路是单电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1，输入电阻大，输出电阻小等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于集成电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅，未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为载波信号。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy，电路符号是。二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端电压必须（ C ），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ C ），该管是（ D ）型。 A、（ B、 C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（ B ）、（ C ）、（ E ）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ B ），此时应该（ E ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（ C ）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（ A ）。 A、压串负 B、流串负 C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（ B ）倍。 A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（ A ）负反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 9、分析运放的两个依据是（ A ）、（ B ）。 A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1

模拟电路基础知识大全

一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。

模拟电子技术基础知识讲解

常用半导体器件一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×）（5）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√）二、选择正确答案填入空内。（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管（5）在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价（6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小（7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图T1.4

模拟电路考试题及答案

自测题一一、判断题 1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（ F ） 2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ T ） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（ F ）二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。 A ．外电场 B ．内电场 C ．掺杂 D ．热激发 2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。 A ．正、反向电阻相等 B ．正向电阻大，反向电阻小 ` C ．反向电阻比正向电阻大很多倍 D ．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。(X 轴为电压) A ．右移 B ．左移 C ．上移 D ．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。 A ．增大 B ．减小 C ．不变 D ．不确定 5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A ．电压控制电压 B ．电流控制电流 C ．电压控制电流 D ．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（ A ）。 A ．增大 B ．减少 C ．不变 D ．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。 > A ．电流放大系数 B ．最大整流电流 C ．集电极最大允许电流 D ．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ B ）。 A ．e, b, c B ．b, e, c C ．b, c, e D ．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。 A ．多数载流子 B ．少数载流子 C ．扩散 D ．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和，则此三极管是（ D ）。（发正偏集反偏） A ．PNP 型硅管 B ．PNP 型锗管 C ．NPN 型锗管 D ．NPN 型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。￥ A ．非饱和区 B ．饱和区 C ．截止区 D ．击穿区 12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g 与源极s 之间电压为零时（ B ）。 A ．能够形成导电沟道 B ．不能形成导电沟道 C ．漏极电流不为零 D ．漏极电压为零三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN 结正偏导通，反偏截止，称为PN 结的单向导电性性能。 4．PN 结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN 结正向偏置时，PN 结的内电场被削弱。】 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。

本科期末《模拟电子技术》试题与答案

图2 《模拟电子技术》试题开卷（）闭卷（√）考试时长：100分钟一、单项选择题（10*2=20分）每小题备选答案中，只有一个符合题意的正确答案。请将选定的答案，按答题卡的要求进行填涂。多选、错选、不选均不得分。 1、半导体二极管加正向电压时，有（） A 、电流大电阻小 B 、电流大电阻大 C 、电流小电阻小 D 、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（） A 、反向偏置击穿状态 B 、反向偏置未击穿状态 C 、正向偏置导通状态 D 、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结正偏，集电结正偏 C 、发射结反偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（） A 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC 应当（） A 、短路 B 、开路 C 、保留不变 D 、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（） A 、共射电路 B 、共基电路 C 、共集电路 D 、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ，（见图2所示）则此三极管为（） A 、PNP 型锗三极管 B 、NPN 型锗三极管 C 、PNP 型硅三极管 D 、NPN 型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（） A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A 、大 B 、小 C 、恒定 D 、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（） A 、U0=0.45U2 B 、U0=1.2U2 C 、U0=0.9U2 D 、U0=1.4U2 二、填空题（25*1=25分） 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 V ；锗二极管的门槛电压约为 _ _V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。 2、二极管的正向电阻；反向电阻。