关于IGBT导通延迟时间的精确测量方法
关于IGBT导通延迟时间的精确测量方法
关于IGBT导通延迟时间的精确测量方法0 引言绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是GTR 和MOSFET 的一种新型复合器件，自问世以来就以输入阻抗高，开关速度快，通态压降低，阻断电压高，承受电流大等优点成为当今功率半导体器件中的主流开关器件，并广泛应用于多领域的工程实践当中。
目前，IGBT 的导通延迟时间可以达到几百纳秒，甚至更低。
但在某些对器件时间特性要求较高的工程应用中，需要更精确地确定IGBT 的导通延迟时间。
因而高精度的测量时间间隔是测量领域一直关注的问题。
本文从精简结构，同时兼顾精度的角度出发，提出一种基于时间测量芯片TDC-GP2 来精确测量IGBT 导通延迟时间系统，用于测量IGBT 的导通延迟时间，实现简单且成本低的一种较为理想的测量方案。
1 TDC-GP2 的特性分析TDC-GP2 是德国ACAM 公司继TDC-GP1 之后新推出的一款高精度时间间隔测量芯片。
与前代芯片相比，具有更高的精度、更小的封装和更低的价格，更适合于低成本工业应用领域。
TDC-GP2 内部结构，如图1 所示。
该系统主要由脉冲产生器、数据处理单元、时间数字转换器、温度测量单元、时钟控制单元、配置寄存器以及与单片机相接的SPI 接口组成。
在实际应用中，由于TDC-GP2 的功耗很低，使得TDC-GP2 的输入／输出电压(工作电压)为1．8～5．5 V，核心电压为1．8～3．6 V，所以可以采用电池供电，使用方便。
同时单片机由4 线的SPI 接口相连，可以把TDC-GP2 作为单片机的一个外围设备来操作。
通过内部ALU 单元计算出时间间隔，并将结果送入结果寄存器保存起来。
通过对TDC-GP2 内部寄存器的设置，可以多次采样并将结果保存。
TDC-GP2 是基于内部的模拟电路测量“传输延时”来进行的，是以信号通过内部门电路的传播延迟来进行高精度时间间隔测量的。
TDC-GP2 时间间。
IGBT测量方法
IGBT的测量(2006-05-05 18:10)分类：电源技术类文章IGBT的优点:1.输入阻抗大2.电压型驱动元件3.耐压高4.工作频率高(几十K)5.通态电流大 6.通态损耗小 7.安全工作区宽IGBT的测量1. IGBT的封装形式:IGBT在封装时,每一只IGBT都反向并联了一个二极管.2. 测量步骤:1.先将GE(6、7)或(4、5)间短路.2.将万用表打在R*1档,上,黑接E(2)极红接C(1)极或者黑接E(1)极红接C(3)极,测量Rec≈10欧.3.将万用表打在R*1K档上,黑接C(1)极红接E(2)极或者黑接C(3)极红接E(2)极,测量Rec 为无穷大.4.将万用表打在R*10K档,红接E(2)极黑接G(6)极或者红接E(1)极黑接G(4)极,给Rge 结电容充电5秒钟.测量Rce(1、2)(3、1)正反向阻值都为10欧左右.5.将万用表打在R*10K档,红接G(6)极黑接E(2)极或者红接G(4)极黑接(1)极,给Rge 结电容充电5秒钟,最后红接C(1)极黑接E(2)极,测量Rec≈10欧(反相为无穷大). IGBT焊机维修中的注意对象:1. 如果IGBT模块坏,必须测量驱动板驱动线路是否损坏.2. IGBT器件对静电敏感,携带过程中,GE间应短路,焊接时烙铁应可靠接地.3. 更换模块时,一定要将散热器上原有的导热硅脂清除干净,并重新涂上新的硅脂.4. 控制板与驱动板在更换过程中,插头应一一对应.5. IGBT模块控制线一定不能随意拔下,通电时一定要检测控制线是否插好.绝对不能悬空通电试机.附录驱动板的测量方法:将万用表打在R*1档上,正反相测量每一组的驱动线,阻值为十几欧左右,阻值太大说明驱动板已断线或元器件坏,阻值为零说明电阻短路或者线间短路,此时应更换或维修.。
IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的检测方法
IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的检测方法IGBT的工作原理和作用IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT 导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。
IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。
IGBT有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移（半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因），本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。
如果撤掉加在GS两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。
IGBT的工作原理和作用电路分析IGBT的等效电路如图1所示。
由图1可知，若在IGBT 的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
图1 IGBT的等效电路由此可知，IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：--IGBT栅极与发射极之间的电压；--IGBT集电极与发射极之间的电压；--流过IGBT集电极-发射极的电流；--IGBT的结温。
如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则IGBT不能稳定正常地工作，如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏；同样，如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压，流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的最大电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能会永久性损坏。
绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）IGBT管的好坏检测IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的二极管挡来测量PN结正向压降进行判断。
IGBT的检测方法
IGBT的检测要领之阳早格格创做IGBT有三个电极，分别称为栅极G(也喊统制极大概门极)、集电极C(亦称漏极)及收射极E(也称源极)一、用指针式万用表对付场效力管举止判别（1）用测电阻法判别结型场效力管的电极根据场效力管的PN结正、反背电阻值纷歧样的局里，不妨判别出结型场效力管的三个电极.简直要领：将万用表拨正在R×1k档上，任选二个电极，分别测出其正、反背电阻值.当某二个电极的正、反背电阻值相等，且为几千欧姆时，则该二个电极分别是漏极D战源极S.果为对付结型场效力管而止，漏极战源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G.也不妨将万用表的乌表笔（白表笔也止）任性交战一个电极，另一只表笔依次去交战其余的二个电极，测其电阻值.当出现二次测得的电阻值近似相等时，则乌表笔所交战的电极为栅极，其余二电极分别为漏极战源极.若二次测出的电阻值均很大，道明是PN结的反背，即皆是反背电阻，不妨判决是N沟讲场效力管，且乌表笔接的是栅极；若二次测出的电阻值均很小，道明是正背PN 结，即是正背电阻，判决为P沟讲场效力管，乌表笔接的也是栅极.若没有出现上述情况，不妨变更乌、白表笔按上述要领举止尝试，直到判别出栅极为止.（2）用测电阻法判别场效力管的佳坏测电阻法是用万用表丈量场效力管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值共场效力管脚册标明的电阻值是可相符去判别管的佳坏.简直要领：最先将万用表置于R×10大概R×100档，丈量源极S与漏极D之间的电阻，常常正在几十欧到几千欧范畴（正在脚册中可知，百般分歧型号的管，其电阻值是各没有相共的），如果测得阻值大于仄常值，大概是由于里里交战没有良；如果测得阻值是无贫大，大概是里里断极.而后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无贫大，则道明管是仄常的；若测得上述各阻值太小大概为通路，则道明管是坏的.要注意，若二个栅极正在管内断极，可用元件代换法举止检测.（3）用感触旗号输人法估测场效力管的搁大本领简直要领：用万用表电阻的R×100档，白表笔接源极S，乌表笔接漏极D，给场效力管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值.而后用脚捏住结型场效力管的栅极G，将人体的感触电压旗号加到栅极上.那样，由于管的搁大效率，漏源电压VDS战漏极电流Ib皆要爆收变更，也便是漏源极间电阻爆收了变更，由此不妨瞅察到表针有较大幅度的晃动.如果脚捏栅极表针晃动较小，道明管的搁大本领较好；表针晃动较大，标明管的搁大本领大；若表针没有动，道明管是坏的.根据上述要领，咱们用万用表的R×100档，测结型场效力管3DJ2F.先将管的G极启路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用脚捏住G极后，表针背左晃动，指示的电阻RDS 为12kΩ，表针晃动的幅度较大，道明该管是佳的，并有较大的搁大本领.使用那种要领时要道明几面：最先，正在尝试场效力管用脚捏住栅极时，万用表针大概背左晃动（电阻值减小），也大概背左晃动（电阻值减少）.那是由于人体感触的接流电压较下，而分歧的场效力管用电阻档丈量时的处事面大概分歧（大概者处事正在鼓战区大概者正在没有鼓战区）所致，考查标明，普遍管的RDS删大，即表针背左晃动；少量管的RDS减小，使表针背左晃动.但是无论表针晃动目标怎么样，只消表针晃动幅度较大，便道明管有较大的搁大本领.第二，此要领对付MOS场效力管也适用.但是要注意，MOS场效力管的输人电阻下，栅极G允许的感触电压没有该过下，所以没有要间接用脚去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以预防人体感触电荷间接加到栅极，引起栅极打脱.第三，屡屡丈量完成，应当G-S极间短路一下.那是果为G-S结电容上会充有少量电荷，建坐起VGS电压，制成再举止丈量时表针大概没有动，惟有将G-S极间电荷短路搁掉才止.（4）用测电阻法判别无标记的场效力管最先用丈量电阻的要领找出二个有电阻值的管足，也便是源极S战漏极D，余下二个足为第一栅极G1战第二栅极G2.把先用二表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下去，对付调表笔再丈量一次，把其测得电阻值记下去，二次测得阻值较大的一次，乌表笔所接的电极为漏极D；白表笔所接的为源极S.用那种要领判别出去的S、D极，还不妨用估测其管的搁大本领的要领举止考证，即搁大本领大的乌表笔所接的是D极；白表笔所接天是8极，二种要领检测截止均应一般.当决定了漏极D、源极S的位子后，按D、S的对付应位子拆人电路，普遍G1、G2也会依次对付准位子，那便决定了二个栅极G1、G2的位子，进而便决定了D、S、G1、G2管足的程序.（5）用测反背电阻值的变更推断跨导的大小对付VMOSN 沟讲巩固型场效力管丈量跨导本能时，可用白表笔接源极S、乌表笔接漏极D，那便相称于正在源、漏极之间加了一个反背电压.此时栅极是启路的，管的反背电阻值是很没有宁静的.将万用表的欧姆档选正在R×10kΩ的下阻档，此时表内电压较下.当用脚交战栅极G时，会创制管的反背电阻值有明隐天变更，其变更越大，道明管的跨导值越下；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反背阻值变更没有大.二、场效力管的使用注意事项（1）为了仄安使用场效力管，正在线路的安排中没有克没有及超出管的耗集功率，最大漏源电压、最大栅源电压战最大电流等参数的极限值.（2）各典型场效力管正在使用时，皆要庄重按央供的偏偏置接人电路中，要按照场效力管偏偏置的极性.如结型场效力管栅源漏之间是PN结，N沟讲管栅极没有克没有及加正偏偏压；P沟讲管栅极没有克没有及加背偏偏压，等等.（3）MOS场效力管由于输人阻抗极下，所以正在输送、贮躲中必须将引出足短路，要用金属屏蔽包拆，以预防中去感触电势将栅极打脱.更加要注意，没有克没有及将MOS场效力管搁人塑料盒子内，保存时最佳搁正在金属盒内，共时也要注意管的防潮.（4）为了预防场效力管栅极感触打脱，央供十足尝试仪器、处事台、电烙铁、线路自己皆必须有良佳的接天；管足正在焊接时，先焊源极；正在连进电路之前，管的局部引线端脆持互相短接状态，焊接完后才把短接资料去掉；从元器件架上与下管时，应以适合的办法保证人体接天如采与接天环等；天然，如果能采与进步的气热型电烙铁，焊接场效力管是比较便当的，而且保证仄安；正在已闭断电源时，千万于没有成以把管插人电路大概从电路中拔出.以上仄安步伐正在使用场效力管时必须注意.（5）正在拆置场效力管时，注意拆置的位子要尽管预防靠拢收热元件；为了防管件振荡，有需要将管壳体紧固起去；管足引线正在蜿蜒时，应当大于根部尺寸5毫米处举止，以预防直断管足战引起漏气等.对付于功率型场效力管，要有良佳的集热条件.果为功率型场效力管正在下背荷条件下使用，必须安排足够的集热器，保证壳体温度没有超出额定值，使器件少久宁静稳当天处事.总之，保证场效力管仄安使用，要注意的事项是多种百般，采与的仄安步伐也是百般百般，广大的博业技能人员，特天是广大的电子快乐喜爱者，皆要根据自己的本质情况出收，采与确真可止的办法，仄安灵验天用佳场效力管.三、VMOS场效力管VMOS场效力管（VMOSFET）简称VMOS管大概功率场效力管，其齐称为V型槽MOS场效力管.它是继MOSFET之后新死少起去的下效、功率启闭器件.它没有但是继启了MOS场效力管输进阻抗下（≥μA安排），还具备耐压下（最下1200V）、处事电流大（1.5A～100A）、输出功率下（1～250W）、跨导的线性佳、启闭速度快等劣良个性.正是由于它将电子管与功率晶体管之便宜集于一身，果此正在电压搁大器（电压搁大倍数可达数千倍）、功率搁大器、启闭电源战顺变器中正赢得广大应用.VMOS 场效力功率管具备极下的输进阻抗及较大的线性搁大区等便宜，更加是其具备背的电流温度系数，即正在栅-源电压没有变的情况下，导通电流会随管温降下而减小，故没有存留由于“二次打脱”局里所引起的管子益坏局里.果此，VMOS管的并联得到广大应用.寡所周知，保守的MOS场效力管的栅极、源极战漏极大大概处于共一火仄里的芯片上，其处事电流基原上是沿火仄目标震动.VMOS管则分歧，从图1上不妨瞅出其二大结构个性:第一，金属栅极采与V型槽结构；第二，具备笔直导电性.由于漏极是从芯片的反里引出，所以ID没有是沿芯片火仄震动，而是自沉掺纯N+区（源极S）出收，通过P沟讲流进沉掺纯N-漂移区，末尾笔直背下到达漏极D.电流目标如图中箭头所示，果为流利截里积删大，所以能通过大电流.由于正在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，果此它仍属于绝缘栅型MOS 场效力管.海内死产VMOS场效力管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等.底下介绍检测VMOS管的要领.1．判决栅极G将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管足之间的电阻.若创制某足与其字二足的电阻均呈无贫大，而且接换表笔后仍为无贫大，则道明此足为G极，果为它战其余二个管足是绝缘的.2．判决源极S、漏极D由图1可睹，正在源-漏之间有一个PN结，果此根据PN结正、反背电阻存留好别，可辨别S极与D极.用接换表笔法测二次电阻，其中电阻值较矮（普遍为几千欧至十几千欧）的一次为正背电阻，此时乌表笔的是S极，白表笔接D极.3．丈量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，采用万用表的R ×1档，乌表笔接S极，白表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧.由于尝试条件分歧，测出的RDS（on）值比脚册中给出的典型值要下一些.比圆用500型万用表R×1档真测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W （典型值）.4．查看跨导将万用表置于R×1k（大概R×100）档，白表笔接S极，乌表笔接D极，脚持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明隐偏偏转，偏偏转愈大，管子的跨导愈下.注意事项：（1）VMOS管亦分N沟讲管与P沟讲管，但是绝大普遍产品属于N沟讲管.对付于P沟讲管，丈量时应接换表笔的位子.（2）有少量VMOS管正在G-S之间并有呵护二极管，原检测要领中的1、2项没有再适用.（3）暂时商场上另有一种VMOS管功率模块，博供接流电机调速器、顺变器使用.比圆好国IR公司死产的IRFT001型模块，里里有N沟讲、P沟讲管各三只，形成三相桥式结构.（4）当前市卖VNF系列（N沟讲）产品，是好国Supertex 公司死产的超下频功率场效力管，其最下处事频次fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小旗号矮频跨导gm=2000μS.适用于下速启闭电路战广播、通疑设备中.（5）使用VMOS管时必须加符合的集热器后.以VNF306为例，该管子加拆140×140×4（mm）的集热器后，最大功率才搞达到30W.（6）多管并联后，由于极间电容战分集电容相映减少，使搁大器的下频个性变坏，通过反馈简单引起搁大器的下频寄死振荡.为此，并联复合管管子普遍没有超出4个，而且正在每管基极大概栅极上串接防寄死振荡电阻.检测绝缘栅极单极型晶体管（IGBT）佳坏的浅易要领1、推断极性最先将万用表拨正在R×1KΩ挡，用万用表丈量时，若某一极与其余二极阻值为无贫大，变更表笔后该极与其余二极的阻值仍为无贫大，则推断此极为栅极（G）.其余二极再用万用表丈量，若测得阻值为无贫大，变更表笔后丈量阻值较小.正在丈量阻值较小的一次中，则推断白表笔接的为集电极（C）；乌表笔接的为收射极（E）.2、推断佳坏将万用表拨正在R×10KΩ挡，用乌表笔接IGBT的集电极（C），白表笔接IGBT的收射极（E），此时万用表的指针正在整位.用脚指共时触及一下栅极（G）战集电极（C），那时IGBT被触收导通，万用表的指针晃背阻值较小的目标，并能站住指示正在某一位子.而后再用脚指共时触及一下栅极（G）战收射极（E），那时IGBT被阻断，万用表的指针回整.此时即可推断IGBT是佳的.3、注意事项所有指针式万用表皆可用于检测IGBT.注意推断IGBT 佳坏时，一定要将万用表拨正在R×10KΩ挡，果R×1KΩ挡以下各档万用表里里电池电压太矮，检测佳坏时没有克没有及使IGBT导通，而无法推断IGBT的佳坏.此要领共样也不妨用于检测功率场效力晶体管（P-MOSFET）的佳坏.变频器、硬起动器、PLC、人机界里、矮压电器、电气自动化工程、恒压供火设备、音乐喷泉统制系统、变频器维建等.。
IGBT模块测量与判断方法
IGBT模块测量与判断方法本文只是论述由单只IGBT管子或双管做成的逆变模块，及其有关测量和判断好坏的方法。
IPM模块不在本文讨论内容之内。
IGBT的等效电路及符号如下图：常用IGBT单、双管模块（CM200Y-24NF）的引脚功能图如下：FP24R12KE3 集成式模块的引脚功能图：在拆机前，可对模块的好坏进行大致的测量，来进行初步的判断。
以上图为例：4、5、6端子即为变频器的U、V、W输出端，22、24分别为变频器内部直流主电路的P（+）端和N（-）端。
找到这5个端子后，用数字或指针式万用表都可以测量了。
U、V、W三端子都对P、N端子有正、反向电阻。
在IGBT管子正常的情况下，管子C、E之间电阻是无穷大的。
只能测出管子上并联的6只二极管的正、反向电阻。
如果把4、5、6端子看成三相交流输入端的话，六只二极管相当于一个三相整流桥电路，用测量和判断三相整流桥的方法就可以了。
一、在线测量：1、测量这个“三相整流桥”不正常了，则为模块损坏了；2、测量这个“三相整流桥”是正常的，还不能确定模块就是好的。
应打开变频器的主电路板，进行进一步的测量和验定。
即测量触发端子及内电路是否正常。
因触发端子上往往并联了10k（大功率机型并联3k）左右的电阻，所以触发端子的正反向在线电阻都应为所并联电阻的阻值。
这6个触发端子的阻值都应是一样的。
如某一路触发端子有了正反向电阻的差异，或是有电阻变小的现象，排除驱动电路的故障后，则是此模块已损坏了。
3、触发端子的电阻测量也正常了，一般情况下认为模块基本上是好的。
但此时宣布模块绝无问题，似乎尚为时过早。
见后叙。
二、脱机测量：1、此法常用于大功率单、双模块和新购进集成式模块的的测量。
将单、双管模块脱开电路后（或为新购进的模块），可采用测量场效应管子（MOSFET）方法来测试了。
MOSFET的栅阴极间有一个结电容的存在，故由此决定了极高的输入阻抗和电荷保持功能。
可利用此一特点有效地检测IGBT管子的好坏。
关于IGBT导通延迟时间的精确测量方法
关于IGBT导通延迟时间的精确测量方法肖广大;李海涛;马学林;严仲明;董亮;王豫【期刊名称】《现代电子技术》【年(卷),期】2009(32)20【摘要】IGBT以英输入阻抗高,开关速度快,通态压降低等特性已成为当今功率半导体器件的主流器件,但在它的使用过程中,精确测量导通延迟时间,目前还存在不少困难.在介绍时间测量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基础上,利用其优良的特性,设计一套高精度的lGBT导通延迟时间的测量系统,所测时间间隔通过液晶显示器直接读取,是一套较为理想的测量方案.【总页数】3页(P17-19)【作者】肖广大;李海涛;马学林;严仲明;董亮;王豫【作者单位】西南交通大学,超导研究开发中心,四川,成都,610031;西南交通大学,磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室,四川,成都,610031;西南交通大学,磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室,四川,成都,610031;西南交通大学,超导研究开发中心,四川,成都,610031;西南交通大学,超导研究开发中心,四川,成都,610031;西南交通大学,超导研究开发中心,四川,成都,610031;西南交通大学,超导研究开发中心,四川,成都,610031【正文语种】中文【中图分类】TN710【相关文献】1.数字示波器大触发延迟时间的量子化测量方法 [J], 梁志国2.数字示波器大触发延迟时间的变频测量方法 [J], 梁志国;杨仁福3.光纤延迟线实时高精度延迟时间测量方法 [J], 张鑫;王克让;陈卓;姜宇航;朱晓丹4.数字通道传输延迟时间测量方法研究 [J], 顾梦霞5.风电变流器IGBT模块通断延迟时间结温探测模型研究 [J], 姚芳;马静;张彧硕;唐圣学;黄凯;李志刚因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
IGBT测量方法
检测IGBT模块的的办法以两单元为例:用数字万用表测量1、判断极性首先将万用表拨在R挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断黑表笔接的为集电极（C）；红表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏●外观观察，单元没有明显的故障●判断内部续流二极管的好坏：将万用表拨在二极管测量档，黑表笔接正端，红表笔接负端，咱们IGBT上有“+/-”标识，若测量电压约为0.72v，表明二极管好，若为无穷大或为0.31V左右，表明内部二极管损坏。
●判断IGBT通断好坏：将万用表拨在电阻挡，用红表笔接IGBT的集电极（C），黑表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的电阻值很大（约为几兆）。
用手同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的阻值迅速变小，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的阻值回大。
此时即可判断IGBT是好的。
注意：1、测量时为了方便，直接在驱动板上的C、G、E拔下测量即可；2、若进第二次测量时，应短接一下发射极（E）和门极（G）；3、若用指针式万用表，判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。
4、使用指针式万用表时，黑表笔对应电源正极，红表笔对应负极，因此在测IGBT 时，测量端与数字表相反。
IGBT管的万用表检测方法
IGBT管的万用表检测方法IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。
检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管（正常G、C两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e、C极间均有4kΩ正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3．5kΩl左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT 管内不含阻尼二极管。
对于数字万用表，正常情况下，IGBT管的C、C极间正向压降约为0．5V。
综上所述，内含阻尼二极管的IGBT管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。
如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。
实际维修中IGBT管多为击穿损坏。
达林顿管的检测方法和参数达林顿晶体管DT（Dar1ington Transistor）亦称复合晶体管。
它采用复合过接方式，将两只或更多只晶体管的集电极连在一起，而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极，依次级连而成，最后引出E、B、C三个电极。
图1是由两只NPN或PNP型晶体管构成达林顿管的基本电路。
假定达林顿管由N只晶体管（TI-Tn）组成，每只晶体管的放大系数分别这hFE1、hFE2、hFEn。
则总放大系数约等于各管放大系数的乘积：hFE≈hFE1·hFE2……hFEn因此，达林顿管具有很高的放大系数，值可以达到几千倍，甚至几十万倍。
利用它不仅能构成高增益放大器，还能提高驱动能力，获得大电流输出，构成达林顿功率开关管。
在光电耦合器中，也有用达林顿管作为接收管的。
达林顿管产品大致分成两类，一类是普通型，内部无保护电路，另一类则带有保护电路。
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关于IGBT导通延迟时间的精确测量方法
引言
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是GTR和MOSFET的一种新型复合器件，自问世以来就以输入阻抗高，开关速度快，通态压降低，阻断电压高，承受电流大等优点成为当今功率半导体器件中的主流开关器件，并广泛应用于多领域的工程实践当中。
目前，IGBT的导通延迟时间可以达到几百纳秒，甚至更低。
但在某些对器件时间特性要求较高的工程应用中，需要更精确地确定IGBT的导通延迟时间。
因而高精度的测量时间间隔是测量领域一直关注的问题。
本文从精简结构，同时兼顾精度的角度出发，提出一种基于时间测量芯片TDC-GP2来精确测量IGBT导通延迟时间系统，用于测量IGBT的导通延迟时间，实现简单且成本低的一种较为理想的测量方案。
1 TDC-GP2的特性分析
TDC-GP2是德国ACAM公司继TDC-GP1之后新推出的一款高精度时间间隔测量芯片。
与前代芯片相比，具有更高的精度、更小的封装和更低的价格，更适合于低成本工业应用领域。
TDC-GP2内部结构，如图1所示。
该系统主要由脉冲产生器、数据处理单元、时间数字转换器、温度测量单元、时钟控制单元、配置寄存器以及与单片机相接的SPI接口组成。
在实际应用中，由于TDC-GP2的功耗很低，使得TDC-GP2的输入／输出电压(工作电压)为1．8～5．5 V，核心电压为1．8～3．6 V，所以可以采用电池供电，使用方便。
同时单片机由4线的SPI接口相连，可以把TDC-GP2作为单片机的一个外围设备来操作。
通过内部ALU单元计算出时间间隔，并将结果送入结果寄存器保存起来。
通过对TDC-GP2内部寄存器的设置，可以多次。