半导体封装工艺介绍.描述
半导体封装焊接工艺
半导体封装焊接工艺一、引言半导体封装焊接工艺是半导体器件制造过程中不可或缺的一环。
焊接工艺直接影响到半导体器件的可靠性、性能以及寿命。
本文将介绍半导体封装焊接工艺的基本原理、工艺流程以及常见的焊接方式。
二、基本原理半导体封装焊接工艺的基本原理是通过热力作用将芯片与封装基板之间的金属引线连接起来，形成完整的电路。
焊接工艺一般包括预处理、引线焊接、封装填充和封盖封装等步骤。
三、工艺流程1. 预处理：在焊接之前，需要对芯片和封装基板进行清洁处理，以去除表面的杂质和氧化物。
常用的方法有超声波清洗、溶剂清洗和气体清洗等。
2. 引线焊接：引线焊接是焊接工艺的关键步骤之一。
目前常用的引线焊接方式有球形焊接和金线焊接。
球形焊接是将焊锡球预先加在芯片的金属引线上，然后通过热压将引线与封装基板焊接在一起。
金线焊接则是将金线先焊接在芯片和基板上，再通过热压将金线连接起来。
3. 封装填充：引线焊接完成后，需要将芯片和封装基板之间的空隙填充上封装胶。
封装胶可以提高封装的可靠性和密封性，同时还能提供机械支撑和保护。
4. 封盖封装：最后一步是将封装胶固化后，将封装基板与封盖进行封装。
封盖通常是由金属或塑料制成，具有良好的密封性和导热性能，可以有效保护芯片免受外界环境的干扰。
四、常见的焊接方式1. 烙铁焊接：烙铁焊接是最常见的手工焊接方式，适用于小批量的焊接作业。
它通过将烙铁加热至一定温度，然后将焊锡与焊接部位接触，使焊锡熔化并与金属引线或焊盘形成焊点。
2. 热风焊接：热风焊接是利用热风枪或热风笔将焊接部位加热至一定温度，使焊锡熔化并与引线或焊盘形成焊点。
热风焊接适用于大面积焊接和复杂形状的器件。
3. 焊膏焊接：焊膏焊接是将焊膏涂覆在焊接部位，然后加热使焊膏熔化并与引线或焊盘形成焊点。
焊膏焊接具有高度自动化和高效率的特点，适用于大规模生产。
五、封装焊接工艺的发展趋势随着半导体器件的不断发展，封装焊接工艺也在不断演进。
未来的封装焊接工艺将更加注重高可靠性、高密度和高速度。
半导体注塑封装工艺
半导体注塑封装工艺1.引言1.1 概述半导体注塑封装工艺是一种将半导体芯片封装到塑料封装体中的技术。
半导体芯片在制造过程中需要进行封装以便保护和连接电路，而注塑封装工艺通过将半导体芯片固定在塑料封装体中，提供了一种可靠的封装方案。
半导体注塑封装工艺主要包括以下几个步骤：首先，将半导体芯片放置在导线架上，并通过焊接或者其他方式将芯片与导线架连接起来。
然后，在注塑机中加热并熔化塑料原料，将熔化的塑料注塑到导线架上，形成封装体的外壳。
最后，对注塑封装后的半导体芯片进行测试和包装，以确保其质量和可靠性。
半导体注塑封装工艺具有以下几个优点：首先，注塑封装工艺可以实现对多个芯片的批量封装，提高生产效率。
其次，注塑封装可以为芯片提供很好的机械和环境保护，提高芯片的可靠性和稳定性。
此外，注塑封装还可以为芯片提供良好的导热性能，有利于芯片的散热和使用寿命的延长。
半导体注塑封装工艺在电子产品的制造中有着广泛的应用。
例如，在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑等，注塑封装常用于对集成电路的封装。
此外，注塑封装也广泛应用于汽车电子、医疗电子、工业控制等领域的电子产品制造中。
总之，半导体注塑封装工艺是一种重要的封装技术，通过将半导体芯片封装到塑料封装体中，可以为芯片提供机械、环境和导热保护，并广泛应用于各种电子产品制造中。
随着科技的发展和需求的增加，注塑封装工艺在未来将会有更广阔的应用前景。
1.2 文章结构本文共分为三个部分，即引言、正文和结论。
在引言部分，首先对半导体注塑封装工艺进行了概述，介绍了其基本原理和主要应用。
然后，说明了本文的目的，即对半导体注塑封装工艺进行深入的分析和探讨。
接下来，正文部分将详细介绍半导体注塑封装工艺的基本原理。
主要包括工艺过程中所涉及的材料、设备和技术要点等内容。
通过对注塑封装工艺中各个环节的分析，揭示了其工作原理和技术特点。
正文的第二部分将主要讨论半导体注塑封装工艺的主要应用。
其中包括半导体器件封装、电子元器件封装以及其他领域的应用等。
封装半导体dp工序
封装半导体是一种重要的制造工艺，它涉及到将芯片和其他电子元件封装在一个保护性外壳中，以确保其性能和稳定性。
封装半导体工艺包括许多步骤，其中一种关键工序是dp工序。
下面将详细介绍封装半导体dp工序的原理、操作步骤、注意事项以及可能的风险和应对措施。
一、dp工序原理dp工序是将半导体芯片上的引脚或焊盘进行焊接或压接的过程。
通过这个过程，芯片可以被固定在支架上，同时引脚或焊盘可以被连接到外部电路。
dp工序的目的是提高芯片的可靠性和稳定性，同时确保其性能和功能得以充分发挥。
二、操作步骤1. 准备工作：清理工作区域，确保无尘和无污染源。
准备好所需的工具和材料，如焊台、压接机、支架等。
2. 放置芯片：将待焊接芯片放置在特定的夹具中，确保芯片位置正确。
3. 焊接：使用焊台将芯片的引脚或焊盘与支架焊接在一起。
焊接过程中，需要注意控制温度和时间，以避免损坏芯片或造成焊接不良。
4. 清洁：使用吸尘器清理工作区域和残留物。
5. 放置电路板：将电路板放置在支架上，确保其位置正确并与芯片连接良好。
6. 压接：使用压接机将电路板与芯片的引脚或焊盘压接在一起，确保连接可靠。
7. 检查：使用万用表等工具检查焊接和压接是否良好，如有异常及时处理。
8. 包装：将完成封装的产品进行包装，确保其质量不受环境影响。
三、注意事项1. 确保工作区域无尘，避免灰尘和杂质对产品质量的影响。
2. 焊接和压接过程中，要控制好温度和时间，避免损坏芯片或造成不良连接。
3. 操作过程中要小心谨慎，避免烫伤和机械伤害。
4. 检查过程中要认真仔细，确保产品质量符合要求。
四、可能的风险和应对措施1. 焊接不良：焊接过程中温度和时间控制不当可能导致焊接不良。
应对措施：加强温度和时间控制，确保焊接质量。
2. 压接不良：压接过程中压力控制不当可能导致连接不良。
应对措施：使用合适的压接机并控制好压力，确保压接质量。
3. 机械损伤：操作过程中可能发生机械损伤，如烫伤、划伤等。
半导体封装技术后固化工艺流程介绍
一、介绍半导体封装技术半导体封装技术是将芯片和其它元件封装在一起，以保护芯片不受外界影响，并便于安装和使用的技术。
其主要步骤包括前固化、粘合、后固化、切割等。
二、半导体封装技术后固化工艺的重要性后固化工艺是半导体封装技术中不可或缺的一部分，它直接影响到封装件的质量和性能。
掌握后固化工艺流程至关重要。
三、半导体封装技术后固化工艺流程介绍1. 探针测试在封装过程中，需要对芯片进行探针测试，以确保其正常工作。
探针测试是一种非常关键的测试工艺，可发现芯片的问题，保证最终封装件的质量。
2. 后固化材料选择选择合适的后固化材料对封装件的性能至关重要。
适合的后固化材料能够增强封装件的耐热性、防潮性和绝缘性能，提高其可靠性。
3. 后固化温度和时间控制后固化的温度和时间对封装件的性能影响很大。
合理的固化温度和时间能够确保封装件在使用过程中不会出现老化、断裂等问题。
4. 后固化工艺监控通过对后固化工艺进行监控和调整，可以确保封装件的质量稳定。
监控指标包括固化温度、时间、环境湿度等。
及时发现问题并进行调整，是保证封装件质量的重要手段。
5. 器件存放和包装封装件固化后，需要进行适当的存放和包装，以防止其受潮和污染。
良好的存放和包装措施可以有效延长封装件的使用寿命。
四、结语后固化工艺流程对半导体封装技术起着至关重要的作用，只有严格控制后固化工艺流程，才能保证封装件的质量和性能。
希望本文对您了解半导体封装技术后固化工艺流程有所帮助。
后固化工艺是半导体封装技术的重要环节，它不仅影响到封装件的质量和性能，还直接关系到整个封装过程的稳定性和可靠性。
在半导体封装行业中，后固化工艺流程是一个至关重要的部分。
接下来，我们将更详细地讨论后固化工艺流程的相关内容。
1. 后固化温度和时间的控制后固化的温度和时间是确保封装件质量稳定的关键参数。
在后固化的过程中，需要对温度和时间进行严格的控制和监测。
通常情况下，固化的温度和时间会根据所使用的后固化材料和封装件的具体要求而有所不同。
半导体封装工艺
半导体封装工艺
半导体封装工艺是将芯片封装成可使用的电子元件的过程，是半导体制造中不可或缺的一环。
在半导体封装工艺中，主要包括芯片切割、封装材料应用、焊接和测试等步骤。
芯片切割是半导体封装工艺的第一步。
它是将一个大片的芯片切割成小块，以便后续的封装处理。
芯片切割采用切割机器，通过高速旋转的切割刀，将大片的芯片切割成若干个小块。
切割后的芯片形状和大小不同，取决于不同的应用需求。
封装材料应用是半导体封装工艺的第二步。
在封装过程中，需要使用多种材料，如塑料、金属、陶瓷等，将芯片和外部环境隔离。
封装材料的选择取决于应用需求和生产成本。
常用的封装材料包括塑料封装、铅插封装和球栅阵列封装等。
焊接是半导体封装工艺的第三步。
焊接是将芯片和外部引脚连接在一起的过程。
焊接方法可以分为焊盘焊接和球栅阵列焊接。
其中，焊盘焊接是将芯片上的引脚焊接在封装基板上的焊盘上，而球栅阵列焊接则是将芯片上的焊球焊接在基板上的焊盘上。
测试是半导体封装工艺的最后一步。
测试是为了确保封装后的芯片可以正常工作。
测试过程包括功能测试、可靠性测试和尺寸测试等。
功能测试是为了检测芯片是否可以按照设计要求正常工作，可靠性测试是为了检测芯片的寿命和可靠性，尺寸测试是为了检测芯片的
尺寸是否符合设计要求。
总体来说，半导体封装工艺是一个复杂的过程，需要严谨的操作和高精度的设备。
随着半导体技术的不断发展，封装工艺也在不断创新和改进，以满足更加复杂的应用需求。
半导体molding工艺概述
半导体molding工艺概述半导体封装技术在现代电子工业中扮演着至关重要的角色。
其中，半导体molding工艺作为封装流程的重要环节，对于保护半导体芯片、提供电气连接和散热功效起着决定性的作用。
本文将为您概述半导体molding工艺的基本原理、流程和应用。
1. 基本原理：半导体molding工艺是一种封装技术，通过使用具有绝缘特性的材料将半导体芯片封装在外部环境中，以保护芯片免受机械应力、尘埃和湿度等环境因素的影响。
封装过程中，半导体芯片被放置在封装纸层或底座上，并用导线连接芯片与封装的引线。
随后，使用封装材料（通常是塑料）对芯片进行封装，形成一个保护性的外壳。
2. 流程：半导体molding工艺包括以下步骤：a. 准备工作：首先需要准备好半导体芯片、封装纸层或底座、导线和封装材料。
确保这些材料和设备都是经过质量检查和测试的，以保证封装过程的可靠性。
b. 定位和封装：将半导体芯片放置在封装纸层或底座上，并使用导线将芯片与引线连接起来。
引线在芯片外部构成固定的引脚，用于提供电气连接。
c. 注塑和封胶：使用封装材料对芯片进行注塑和封胶。
注塑过程中，封装材料被加热到可塑性状态，然后注射进模具中。
随后，封装材料冷却并硬化，形成一个保护性的外壳。
d. 检测和测试：完成封装后，需要对封装芯片进行质量检测和测试。
这些测试通常包括外观检查、尺寸测量、电性能测试等，以确保封装芯片符合规格和标准。
3. 应用：半导体molding工艺被广泛应用于各种电子产品中，特别是高度集成的电子元件和微芯片。
集成电路（IC）封装、场效应晶体管（FET）封装以及其他尺寸较小且对保护要求较高的芯片都可以使用molding工艺进行封装。
4. 观点和理解：半导体molding工艺作为半导体封装的重要环节，对于保护半导体芯片的安全性和可靠性具有重要意义。
随着电子产品对高集成度、小型化和高性能的需求不断增加，半导体molding工艺也在不断发展和创新，以满足不同应用场景的需求。
半导体封装工艺流程
半导体封装工艺流程半导体封装工艺是指将完成芯片制造后的芯片元件封装到包含引脚的封装结构之中，以便在电路板上使用和焊接。
半导体封装工艺流程是一系列复杂的步骤，以下是一般的半导体封装工艺流程的简要描述。
首先是芯片的前处理。
在这一阶段，芯片会经过几个步骤进行处理和准备。
首先，芯片会进行外观检测，以确保没有表面缺陷和破损。
然后，在一个净化的环境中，芯片会被清洗和去除污染物，以确保封装过程的成功。
接着是封装材料的准备。
封装材料通常由有机和无机材料混合而成。
这些材料通常是聚合物、金属和陶瓷等。
封装材料会经过混合、粉碎和涂敷等步骤进行制备，以获得适合封装的材料。
然后是封装工艺的核心阶段——封装过程。
在这一阶段，芯片被放置在封装结构的底部。
然后，封装结构的顶部会覆盖在芯片上，形成一个封装容器。
这个过程通常通过粘合、焊接或者注塑等方法完成。
此外，封装结构的内部还会添加填充材料，以增强封装结构的机械稳定性，并保护芯片免受外界环境的干扰。
封装过程还会涉及到引脚和连接器的安装，以便将芯片与其他电路板连接。
完成封装过程后，还需要进行后处理。
后处理是为了验证封装结构的质量。
该阶段通常包含外观检验、尺寸测量和性能测试。
外观检验用于检查封装结构有无瑕疵和缺陷，尺寸测量则用于确认封装结构的几何参数是否符合要求。
性能测试则用于验证封装芯片的电性能和可靠性。
最后一步是封装产品的包装和出货。
在这一阶段，封装产品会通过贴纸、泡沫箱等方式进行包装，以防止在运输过程中的损坏。
然后，封装产品会进行标记和校验，以确保正确的产品被发送给客户。
最后，封装产品会按照客户的订单进行发货和交付。
以上就是一般的半导体封装工艺流程的简要描述。
封装工艺的流程严谨而复杂，需要高度的技术和专业知识。
随着半导体技术的发展，封装工艺也在不断创新和改进，以满足市场对小型化、高性能和可靠性的要求。
cob半导体封装工艺
cob半导体封装工艺一、COB的含义COB（Chip On Board），又称芯片直接贴装技术，是一种将裸芯片直接安装在印刷电路板（PCB）上，随后进行引线键合，并利用有机胶将芯片与引线封装保护的工艺技术。
这一过程实现了芯片与电路板电极之间在电气和机械层面的连接。
COB工艺是一种与表面贴装技术（SMD）封装相区别的新型封装方式。
相较于传统工艺，COB具备较高的设备精度，封装流程简便，且间距可以做到更小。
因此，它特别适用于加工线数较多、间隙较细、面积要求较小的PCB板。
在COB工艺中，芯片在焊接压接后采用有机胶进行固化密封保护，从而确保焊点及焊线免受外界损伤，进而实现极高的可靠性。
二、COB封装的工艺流程及步骤：1.擦板：在COB工艺流程中，由于PCB等电子板上存在焊锡残渣和灰尘污渍，下一阶段的固晶和焊线等工序可能会导致不良产品增多和报废。
为解决此问题，厂家需对电子线路板进行清洁。
2.固晶：传统工艺采用点胶机或手动点胶，在PCB印刷线路板的IC位置上涂上适量红胶，再用真空吸笔或镊子将IC裸片正确放置在红胶上。
3.烘干：将涂好红胶的裸片放入热循环烘箱中烘烤一段时间，也可自然固化（时间较长）。
4.绑定：采用铝丝焊线机，将晶片（如LED晶粒或IC芯片）与PCB板上对应的焊盘铝丝进行桥接，即COB的内引线焊接。
5. 前测：使用专用检测工具（根据COB不同用途选择不同设备，简单的高精密度稳压电源）检测COB板，对不合格的板子进行重新返修。
6.封胶：将适量黑胶涂在绑定好的晶粒上，并根据客户要求进行外观封装。
7.固化：将封好胶的PCB印刷线路板放入热循环烘箱中恒温静置，可根据要求设定不同的烘干时间。
8.测试：采用专用检测工具对封装好的PCB印刷线路板进行电气性能测试，以区分好坏优劣。
相较于其他封装技术，COB技术具有价格低（仅为同芯片的1/3左右）、节约空间、工艺成熟等优势，因此在半导体封装领域得到广泛应用。
三、主要焊接方法1、热压焊：此方法通过加热和加压力使金属丝与焊区紧密结合。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
Intermetallic（金属间化合物测试）
FOL– 3rd Optical Inspection三 光检查
检查Die Attach和Wire Bond之后有无各种废品
EOL– End of Line后段工艺
EOL Annealing 电镀退火
Trim/Form 切筋/成型
Molding 注塑
Package--封装体：
指芯片（Die）和不同类型的框架（L/F）和塑封料（EMC） 形成的不同外形的封装体。 IC Package种类很多，可以按以下标准分类：
• 按封装材料划分为： 金属封装、陶瓷封装、塑料封装 • 按照和PCB板连接方式分为： PTH封装和SMT封装 • 按照封装外型可分为： SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；
Wedge：第二焊点。指金线在Cap的作用下，在Lead Frame上形成的 焊接点，一般为月牙形（或者鱼尾形）；
W/B四要素：压力（Force）、超声（USG Power）、时间（Time）、 温度（Temperature）；
FOL– Wire Bonding 引线焊接
内穿金线，并且在EFO的 作用下，高温烧球； 金线在Cap施加的一定 压力和超声的作用下， 形成Bond Ball； 陶瓷的Capillary 金线在Cap施加的一 定压力作用下，形成 Wedge；
IC Package Structure（IC结构 图）
Lead Frame 引线框架 Die Pad 芯片焊盘 Gold Wire 金线 Epoxy 银浆
TOP VIEW
Mold Compound 环氧树脂
SIDE VIEW
Raw Material in Assembly(封装 原材料)
【Wafer】晶圆
• 按与PCB板的连接方式划分为：
PTH
SMT
PTH-Pin Through Hole, 通孔式；
SMT
SMT-Surface Mount Technology ，表面贴装式。
目前市面上大部分IC均采为SMT式 的
IC Package （IC的封装形式）
• 按封装外型可分为： SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等；
EOL– Molding（注塑）
L/F
L/F
Cavity
Molding Tool（模具）
EMC（塑封料）为黑色块状，低温存储，使用前需先回温。其特 性为：在高温下先处于熔融状态，然后会逐渐硬化，最终成型。 Molding参数： Molding Temp：175~185°C；Clamp Pressure：3000~4000N； Transfer Pressure：1000~1500Psi；Transfer Time：5~15s； Cure Time：60~120s；
De-flash/ Plating 去溢料/电镀
4th Optical 第四道光检
Note： Just For TSSOP/SOIC/QFP package
Laser Mark 激光打字
PMC 高温固化
EOL– Molding（注塑）
Before Molding
After Molding
※为了防止外部环境的冲击，利用EMC 把Wire Bonding完成后的产品封装起 来的过程，并需要加热硬化。
FOL– Die Attach 芯片粘接
Epoxy Write： Coverage >75%;
Die Attach： Placement<0.05mm;
FOL– Epoxy Cure 银浆固化
Die Attach质量检查： 银浆固化： 175°C，1个小时； N2环境，防止氧化： Die Shear（芯片剪切力）
Raw Material in Assembly(封装 原材料)
【Mold Compound】塑封料/环氧树脂
主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱 模剂，染色剂，阻燃剂等）； 主要功能为：在熔融状态下将Die和Lead Frame包裹起来， 提供物理和电气保护，防止外界干扰； 存放条件：零下5°保存，常温下需回温24小时；
Before After
在产品（Package）的正面或者背面 激光刻字。内容有：产品名称，生产 日期，生产批次等；
封装形式和工艺逐步高级和复杂
• 决定封装形式的两个关键因素: 封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近1:1； 引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加； 其中，CSP由于采用了Flip Chip技术和裸片封装，达到了 芯片面积/封装面积=1:1，为目前最高级的技术；
IC Package （IC的封装形式）
FOL– Wire Bonding 引线焊接
※利用高纯度的金线（Au） 、铜线（Cu）或铝线（Al）把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点，Lead是 Lead Frame上的 连接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。
FOL– Wire Bonding 引线焊接
Raw Material in Assembly(封装 原材料)
【Gold Wire】焊接金线
实现芯片和外部引线框架的电性和物 理连接；
金线采用的是99.99%的高纯度金；
同时，出于成本考虑，目前有采用铜 线和铝线工艺的。优点是成本降低， 同时工艺难度加大，良率降低； 线径决定可传导的电流；0.8mil， 1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils；
EOL/中段
Plating/电镀
EOL/后段
Final Test/测试
FOL– Front of Line前段工艺
Wafer 2nd Optical 第二道光检 Die Attach 芯片粘接
Back Grinding 磨片
Wafer Wash 晶圆清洗
Epoxy Cure 银浆固化
EOL
Wafer Mount 晶圆安装
Key Words：
Capillary：陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool，内部为 空心，中间穿上金线，并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形 成第一和第二焊点；
EFO：打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温， 将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形，以便在Pad上形成第一 焊点（Bond Ball）； Bond Ball：第一焊点。指金线在Cap的作用下，在Pad上形成的焊接点 ，一般为一个球形；
艾
Introduction of IC Assembly Process IC封装工艺简介
IC Process Flow
Customer 客 户
IC Design IC设计 SMT IC组装
Wafer Fab 晶圆制造
Wafer Probe 晶圆测试
Assembly& Test IC 封装测试
IC Package （IC的封装形式）
……
Raw Material in Assembly(封装 原材料)
【Lead Frame】引线框架
提供电路连接和Die的固定作用；
主要材料为铜，会在上面进行镀银、 NiPdAu等材料；
L/F的制程有Etch和Stamp两种； 易氧化，存放于氮气柜中，湿度小 于40%RH; 除了BGA和CSP外，其他Package都会采用Lead Frame， BGA采用的是Substrate；
FOL– 2nd Optical Inspection二光 检查
主要是针对Wafer Saw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查，是否有 出现废品。
Chipping Die 崩边
FOL– Die Attach 芯片粘接
Write Epoxy 点银浆 Die Attach 芯片粘接 Epoxy Cure 银浆固化
FOL– Wafer Saw晶圆切割
Wafer Mount 晶圆安装 Wafer Saw 晶圆切割 Wafer Wash 清洗
将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得即使被切割开后，不会散落；
通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice，方便后面的 Die Attach等工序；
Epoxy Storage： 零下50度存放；
Epoxy Aging： 使用之前回温，除 去气泡；
Epoxy Writing： 点银浆于L/F的Pad 上，Pattern可选；
FOL– Die Attach 芯片粘接
芯片拾取过程： 1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片，使之便于 脱离蓝膜； 2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片，完成从Wafer 到L/F的运输过程； 3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F 的Pad上，具体位置可控； 4、Bond Head Resolution： X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.25um； 5、Bond Head Speed：1.3m/s；
Wafer Saw 晶圆切割
Wire Bond 引线焊接
3rd Optical 第三道光检
FOL– Back Grinding背面减薄
Taping 粘胶带 Back Grinding 磨片 De-Taping 去胶带
将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到 封装需要的厚度（8mils~10mils）； 磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域 同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；
• QFN—Quad Flat No-lead Package 四方无引脚扁平封装 • SOIC—Small Outline IC 小外形IC封装 • TSSOP—Thin Small Shrink Outline Package 薄小外形封装 • QFP—Quad Flat Package 四方引脚扁平式封装 • BGA—Ball Grid Array Package 球栅阵列式封装 • CSP—Chip Scale Package 芯片尺寸级封装