晶体硅的太阳能电池设计毕业设计论文

晶体硅的太阳能电池设计毕业设计论文
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毕业设计(论文)设计(论文)题目:基于晶体硅的太阳能电池设计

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注意事项

1.设计(论文)的内容包括:

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2)原创性声明

3)中文摘要(300字左右)、关键词

4)外文摘要、关键词

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6)论文主体部分:引言(或绪论)、正文、结论

7)参考文献

8)致谢

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2.论文字数要求:理工类设计(论文)正文字数不少于1万字(不包括图纸、程序清单等),文科类论文正文字数不少于1.2万字。

3.附件包括:任务书、开题报告、外文译文、译文原文(复印件)。

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3)毕业论文须用A4单面打印,论文50页以上的双面打印

4)图表应绘制于无格子的页面上

5)软件工程类课题应有程序清单,并提供电子文档

5.装订顺序

1)设计(论文)

2)附件:按照任务书、开题报告、外文译文、译文原文(复印件)次序装订

指导教师评价:

一、撰写(设计)过程

1、学生在论文(设计)过程中的治学态度、工作精神

□优□良□中□及格□不及格

2、学生掌握专业知识、技能的扎实程度

□优□良□中□及格□不及格

3、学生综合运用所学知识和专业技能分析和解决问题的能力

□优□良□中□及格□不及格

4、研究方法的科学性;技术线路的可行性;设计方案的合理性

□优□良□中□及格□不及格

5、完成毕业论文(设计)期间的出勤情况

□优□良□中□及格□不及格

二、论文(设计)质量

1、论文(设计)的整体结构是否符合撰写规范?

□优□良□中□及格□不及格

2、是否完成指定的论文(设计)任务(包括装订及附件)?

□优□良□中□及格□不及格

三、论文(设计)水平

1、论文(设计)的理论意义或对解决实际问题的指导意义

□优□良□中□及格□不及格

2、论文的观念是否有新意?设计是否有创意?

□优□良□中□及格□不及格

3、论文(设计说明书)所体现的整体水平

□优□良□中□及格□不及格

建议成绩:□优□良□中□及格□不及格

(在所选等级前的□内画“√”)

指导教师:(签名)单位:(盖章)

年月日

评阅教师评价:

一、论文(设计)质量

1、论文(设计)的整体结构是否符合撰写规范?

□优□良□中□及格□不及格

2、是否完成指定的论文(设计)任务(包括装订及附件)?

□优□良□中□及格□不及格

二、论文(设计)水平

1、论文(设计)的理论意义或对解决实际问题的指导意义

□优□良□中□及格□不及格

2、论文的观念是否有新意?设计是否有创意?

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3、论文(设计说明书)所体现的整体水平

□优□良□中□及格□不及格

建议成绩:□优□良□中□及格□不及格

(在所选等级前的□内画“√”)

评阅教师:(签名)单位:(盖章)

年月日

教研室(或答辩小组)及教学系意见

教研室(或答辩小组)评价:

一、答辩过程

1、毕业论文(设计)的基本要点和见解的叙述情况

□优□良□中□及格□不及格

2、对答辩问题的反应、理解、表达情况

□优□良□中□及格□不及格

3、学生答辩过程中的精神状态

□优□良□中□及格□不及格

二、论文(设计)质量

1、论文(设计)的整体结构是否符合撰写规范?

□优□良□中□及格□不及格

2、是否完成指定的论文(设计)任务(包括装订及附件)?

□优□良□中□及格□不及格

三、论文(设计)水平

1、论文(设计)的理论意义或对解决实际问题的指导意义

□优□良□中□及格□不及格

2、论文的观念是否有新意?设计是否有创意?

□优□良□中□及格□不及格

3、论文(设计说明书)所体现的整体水平

□优□良□中□及格□不及格

评定成绩:□优□良□中□及格□不及格教研室主任(或答辩小组组长):(签名)

年月日

教学系意见:

系主任:(签名)

年月日

基于晶体硅的太阳能电池设计

摘要:太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源.也是清洁能源,不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中;太阳能光电利用是近些年来发展最快,最具活力的研究领域,是其中最受瞩目的项目之一。为此,人们研制和开发了太阳能电池。制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础,其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应,不论何种材料来制作电池,对太阳能电池材料一般的要求有:1.半导体材料的禁带不能太宽;2.要有较高的光电转换效率:3.材料本身对环境不造成污染;4.材料便于工业化生产且材料性能稳定。基于以上几个方面考虑,硅是最理想的材料,也是硅材料为主的主要原因。本文简要地综述了太阳能电池的种类及其研究现状,介绍了目前产业化生产过程中各工序的技术现状、出现的新工艺、新技术及配套的新装备与新材料,讨论了太阳能电池的发展及趋势,并对今后的发展做了简单的评价与展望。

关键词:太阳能电池晶体硅

Based on crystalline silicon solar cell design

Abstract:The solar energy is inexhaustible human inexhaustible renewable energy. Is also clean energy, not generate any environmental pollution. In which the effective use of solar energy; solar PV use in recent years are the fastest growing, most dynamic areas of research, is one of the most watched items. For this reason, people development and has developed a solar cell. The production of solar cells based on semiconductor materials for the foundation, and its working principle is the use of photovoltaic materials absorb light energy in the photoelectric conversion happened after the reaction, regardless of what materials to make batteries, solar cell materials to the general requirements are: 1. Semiconductors Materials should not the band gap is too wide; 2. have a higher photoelectric conversion efficiency: 3. material itself does not cause pollution to the environment; 4. Materials Materials to facilitate industrial production and stable performance. Based on the above considerations, silicon is the ideal material, but also the main reason for Silicon-based Materials. This article briefly summarizes the types of solar cells and their research and discussed the development of solar cells and trends. This article describes the current industrialization of the production process of the technical status of the various processes, the emergence of new technology, new technologies and supporting new equipment and new materials, and the future development of easy to do the evaluation and prospects.

Key words: crystalline;silicon;solar cells

目录

基于晶体硅的太阳能电池设计 (1)

目录 ................................................................................................................................................ I V 1.硅类太阳能电池结构与工作原理及制作过程 (1)

1.1太阳能电池的结构 (1)

1.2太阳能电池的工作原理 (3)

1.3 硅太阳能电池的制作过程 (3)

2.太阳能发电方式 (4)

2.1光—热—电转换 (4)

2.2 光—电直接转换方式 (4)

3.太阳能电池的种类及特色 (5)

3.1单晶硅太阳能电池 (5)

3.2.多晶硅薄膜太阳能电池 (6)

3.3.非晶硅薄膜太阳能电池 (7)

4.晶体硅和多晶硅的优缺点 (7)

4.1非晶硅太阳能电池及其产品的优缺点 (8)

4.2单晶硅太阳能电池及其产品的优缺点 (8)

4.3多晶硅太阳能电池及其产品的优缺点 (8)

5.晶体硅太阳能电池产业化技术发展 (8)

6.结论 (11)

致谢 (12)

参考文献 (13)

引言

传统的燃料能源正在一天天减少,对环境造成的危害日益突出,同时全球还有20亿人得不到正常的能源供应.这个时候,全世界都把目光投向了可再生能源,希望可再生能源能够改变人类的能源结构,维持长远的可持续发展。太阳表面温度高达6000℃,内部不断地进行核聚变反应,并且以辐射方式向宇宙空间发射出巨大的能量。太阳能发电就是把太阳照射的光能量转化为电能的方法。直接将太阳能变成电能的半导体器件称作太阳能电池。太阳能以其独有的优势而为人们重视的焦点。丰富的太阳辐射能是重要的能源,是取之不尽、用之不竭的、无污染、廉价、人类能够自由利用的能源。据估算,地球上每年接收的太阳能,相当于地球上每年燃烧其它燃料所获能量的3 000倍,每秒钟到达地面的能量高达80万KW。假如把地球表面0.1%的太阳能转为电能,转换效率仅5%,相当于每年可增发电量达5667 KW·h,也即目前全球能耗的40倍。当然,要使太阳能发电真正达到实用水平,一是要提高太阳能光电转换效率并降低其成本,二是要实现太阳能发电。硅太阳能电池本质上是一种半导体PN结器件,而器件的核心部分——硅片的参数在某个时期某种特定的技术条件下是固定的,所以在电池加工生产的后续环节中,为提高电池的转换效率,对电极浆料的适度改性是改进电池性能的有效方法。提高p+区域杂质浓度,改善玻璃料烧结状态等作用,这些都在一定程度上提高了硅太阳能电池的转换效率。

1.硅类太阳能电池结构与工作原理及制作过程

1.1太阳能电池的结构

发电的原理主要是半导体的光电效应,一般的半导体主要结构如下:

图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。

当硅晶体中掺入其他的杂质,如硼、磷等,当掺入硼时,硅晶体中就会存在着一个空穴,它的形成可以参照下图:

图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子,因为硼原子周围只有3个电子,所以就会产生入图所示的蓝色的空穴,这个空穴因为没有电子而变得很不稳定,容易吸收电子而中和,形成P(positive)型半导体。

同样,掺入磷原子以后,因为磷原子有五个电子,所以就会有一个电子变得非常活跃,形成N(negative)型半导体。黄色的为磷原子核,红色的为多余的电子。如下图。

N型半导体中含有较多的空穴,而P型半导体中含有较多的电子,这样,当P型和N型半导体结合在一起时,就会在接触面形成电势差,这就是PN结。

当P型和N型半导体结合在一起时,在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层),界面的P型一侧带负电,N型一侧带正电。这是由于P型半导体多空穴,N型半导体多自由电子,出现了浓度差。N区的电子会扩散到P区,P 区的空穴会扩散到N区,一旦扩散就形成了一个由N指向P的“内电场”,从而阻止扩散进行。达到平衡后,就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差,这就是PN结。

1.2太阳能电池的工作原理

由于太阳光照在半导体p-n结上,形成新的空穴-电子对,在p-n结电场的作用下,空穴由n区流向p区,电子由p区流向n区,接通电路后就形成电流。这就是光电效应太阳能电池的工作原理。

1.3 硅太阳能电池的制作过程

“硅”是我们这个星球上储藏最丰量的材料之一。自从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后,它几乎改变了一切,甚至人类的思维。20世纪末,我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用,晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。生产过程大致可分为五个步骤:a、提纯过程 b、拉棒过程 c、切片过程 d、制电池过程 e、封装过程。

2.太阳能发电方式

2.1光—热—电转换

光—热—电转换方式通过利用太阳辐射产生的热能发电,一般是由太阳能集热器将所吸收的热能转换成工质的蒸气,再驱动汽轮机发电。前一个过程是光—热转换过程;后一个过程是热—电转换过程,与普通的火力发电一样.太阳能热发电的缺点是效率很低而成本很高,估计它的投资至少要比普通火电站贵5~10倍.一座1000MW的太阳能热电站需要投资20~25亿美元,平均1KW的投资为2000~2500美元。因此,目前只能小规模地应用于特殊的场合,而大规模利用在经济上很不合算,还不能与普通的火电站或核电站相竞争。

2.2 光—电直接转换方式

光—电直接转换方式该方式是利用光电效应,将太阳辐射能直接转换成电能,光—电转换的基本装置就是太阳能电池。太阳能电池是一种由于光生伏特效应而将太阳光能直接转化为电能的器件,是一个半导体光电二极管,当太阳光照到光电二极管上时,光电二极管就会把太阳的光能变成电能,产生电流。当许多个电池串联或并联起来就可以成为有比较大的输出功率的太阳能电池方阵了。太阳能电池是一种大有前途的新型电源,具有永久性、清洁性和灵活性三大优点.太阳能电池寿命长,只要太阳存在,太阳能电池就可以一次投资而长期使用;与火力发电、核能发电相比,太阳能电池不会引起环境污染;太阳能电池可以大中小并举,大到百万千瓦的中型电站,小到只供一户用的太阳能电池组,这是其它电源无法比拟的太阳能发电是指无需通过热过程直接将光能转变为电能的发电方式,它包括光伏发电、光化学发电、光感应发电和光生物发电。从上世纪70年代中期开始太阳能电池商品化以来,晶体硅作为基本的电池材料占据着统治地位。以晶体硅材料制备的太阳能电池,从工艺技术方法又可分为:单晶硅太阳能电池,多晶硅太阳能电池,非晶体硅太阳能电池和薄膜晶体硅太阳能电池。单晶硅电池具有电池转换效率高,稳定性好,但是成本较高;非晶硅太阳电池则具有生产效率高,成本低廉,但是转换效率较低,而且效率衰减得比较快;多晶硅太

阳能电池则具有稳定的转换的效率,而且性能价格比最高;薄膜晶体硅太阳能现在还只能处在研发阶段。硅系太阳能电池目前单晶硅和多晶硅电池继续占据光伏市场的导地位,其中单晶硅和多晶硅的比例已超过80%以当电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶时,越来越多的国家开始实行“阳光计划”,开发阳能资源,寻求经济发展的新动力。欧洲一些高平的核研究机构也开始转向可再生能源。截至2年底,太阳能光伏发电制造能力已达56万KW际装机容量近400万KW,太阳能电池组件成本下降到3.5美元/WP,2020年光伏组件的价将下降到1美元/WP以下。

3.太阳能电池的种类及特色

3.1单晶硅太阳能电池

硅系太阳能电池中,单晶硅太阳能电池转换效率最高,技术也最为成熟。高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的成热的加工处理工艺基础上的。现在单晶硅的电地工艺己成熟,在电池制作中,一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术,开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面,德国夫朗霍费莱堡太阳能系统研究所保持着世界领先水平。该研究所采用光刻照相技术将电池表面织构化,制成倒金字塔结构。并在表面把13nm厚的氧化物钝化层与两层减反射涂层相结合.通过改进了的电镀过程增加栅极的宽度和高度的比率:通过以上得的电池转化效率超过23%,是大值可达23.3%。GROCERY 公司制备的大面积(225cm2)单晶太阳能电池转换效率为19.44%,国内北京太阳能研究所也积极进行高效晶体硅太阳能电池的研究和开发,研制的平面高效单晶硅电池(2cm X 2cm)转换效率达到19.79%,刻槽埋栅电极晶体硅电池(5cm X 5cm)转换效率达8.6%。

单晶硅太阳能电池转换效率无疑是最高的,在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位,但由于受单晶硅材料价格及相应的繁琐的电池工艺影响,致使单晶硅成本价格居高不下,要想大幅度降低其成本是非常困难的。为了节省高质量材料,寻找单晶硅电池的替代产品,现在发展了薄膜太阳能电池,其中多晶硅薄膜

太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池就是典型代表。

3.2.多晶硅薄膜太阳能电池

通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350-450μm的高质量硅片上制成的,这种硅片从提拉或浇铸的硅上锯割而成。因此实际消耗的硅材料更多。为了节省材料,人们从70年代中期就开始在廉价衬底上沉积多晶硅薄膜,但由于生长的硅膜晶粒大小,未能制成有价值的太阳能电池。为了获得大尺寸晶粒的薄膜,人们一直没有停止过研究,并提出了很多方法。目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法,包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。此外,液相外延法(LPPE)和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。

化学气相沉积主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,为反应气体,在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上,衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。但研究发现,在非硅衬底上很难形成较大的晶粒,并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用 LPCVD在衬底上沉淀一层较薄的非晶硅层,再将这层非晶硅层退火,得到较大的晶粒,然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜,因此,再结晶技术无疑是很重要的一个环节,目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶法。多晶硅薄膜电池除采用了再结晶工艺外,另外采用了几乎所有制备单晶硅太阳能电池的技术,这样制得的太阳能电池转换效率明显提高。德国费莱堡太阳能研究所采用区馆再结晶技术在FZ Si衬底上制得的多晶硅电池转换效率为19%,日本三菱公司用该法制备电池,效率达16.42%。

液相外延(LPE)法的原理是通过将硅熔融在母体里,降低温度析出硅膜。美国ASTRONOMER公司采用LPE制备的电池效率达12.2%。中国光电发展技术中心的陈哲良采用液相外延法在冶金级硅片上生长出硅晶粒,并设计了一种类似于晶体硅薄膜太阳能电池的新型太阳能电池,称之为“硅粒”太阳能电池,但有关性能方面的报道还未见到。

多晶硅薄膜电池由于所使用的硅远较单晶硅少,又无效率衰退问题,并且有可能在廉价衬底材料上制备,其成本远低于单晶硅电池,而效率高于非晶硅薄膜电池,因此,多晶硅薄膜电池不久将会在太阳能电地市场上占据主导地位。

3.3.非晶硅薄膜太阳能电池

开发太阳能电池的两个关键问题就是:提高转换效率和降低成本。由于非晶硅薄膜太阳能电池的成本低,便于大规模生产,普遍受到人们的重视并得到迅速发展,其实早在70年代初,CARLSON等就已经开始了对非晶硅电池的研制工作,近几年它的研制工作得到了迅速发展,目前世界上已有许多家公司在生产该种电池产品。

非晶硅作为太阳能材料尽管是一种很好的电池材料,但由于其光学带隙为1.7EV, 使得材料本身对太阳辐射光谱的长波区域不敏感,这样一来就限制了非晶硅太阳能电池的转换效率。此外,其光电效率会随着光照时间的延续而衰减,即所谓的光致衰退S一W效应,使得电池性能不稳定。解决这些问题的这就是制备叠层太阳能电池,叠层太阳能电池是由在制备的p、i、n层单结太阳能电池上再沉积一个或多个P-i-n子电池制得的。叠层太阳能电池提高转换效率、解决单结电池不稳定性的关键问题在于:1.它把不同禁带宽度的材科组台在一起,提高了光谱的响应范围;2.顶电池的i层较薄,光照产生的电场强度变化不大,保证i 层中的光生载流子抽出;3.底电池产生的载流子约为单电池的一半,光致衰退效应减小;4.叠层太阳能电池各子电池是串联在一起的。

非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法有很多,其中包括反应溅射法、PECVD法、LPCVD法等,反应原料气体为H2稀释的SiH4,衬底主要为玻璃及不锈钢片,制成的非晶硅薄膜经过不同的电池工艺过程可分别制得单结电池和叠层太阳能电池。目前非晶硅太阳能电池的研究取得两大进展:第一、三叠层结构非晶硅太阳能电池转换效率达到13%,创下新的记录;第二.三叠层太阳能电池年生产能力达5MW。美国联合太阳能公司(VSSC)制得的单结太阳能电池最高转换效率为9.3%,三带隙三叠层电池最高转换效率为13%。

4.晶体硅和多晶硅的优缺点

目前,太阳能电池基本上以高纯度硅料作为主要原材料,简称硅基太阳能电池。硅基太阳能电池又分为晶体硅太阳能电池与非晶硅太阳能电池。晶体硅太阳能电池一直是主流产品,其中多晶硅太阳能电池自1998年开始成为世界光伏市场的主角。但是由于晶体硅太阳能电池所需的原材料高纯多晶硅价格飙升,制造晶体硅类太阳能电池能耗大,要大幅度地降低太阳电池的制造成本。

4.1非晶硅太阳能电池及其产品的优缺点

非晶硅太阳能电池虽然在转换效率方面略逊于晶体硅太阳能电池,但制造成本低廉、能耗小是晶体硅太阳能电池不能比的。

非晶硅太阳能电池特点是节省硅材料,厚约1μm的非晶硅薄膜,可吸收阳光中的大部分可见光,对可见光灵敏。制造玻璃硅的能耗小,设备比较简单。容易制成联式复合结薄膜太阳能电池,以提高效率。易于形成连续的大规模生产线。非晶硅太阳能电池效率已达14.6%。目前面积大于1平方米,光电转换接近9%的大型非晶硅太阳能组件已研制出来。非晶硅太阳能电池的自然衰降率与电池的材料、工艺和结构有关,呈现指数型衰降,第一年效率约衰降10%-20%不等,以后逐年减少。克服或者减少非晶硅太阳能电池的自然衰降,是世界光伏器件领域一个亟待解决的难题。

4.2单晶硅太阳能电池及其产品的优缺点

单晶硅太阳能电池是目前最成熟、最稳定、最可靠、应用最广的太阳能电池。从冶金硅制备到多晶硅,用直拉法和区熔法都可以得到纯度较高的单晶硅锭。单晶硅太阳能电池的理论效率高于25%。

4.3多晶硅太阳能电池及其产品的优缺点

多晶硅太阳能电池的大量采用是因为拉制单晶硅需要消耗大量能源以及昂贵的高纯石英坩锅。薄膜多晶硅太阳能电池效率已大于10%。铸锭多晶硅太阳能电池用石墨坩锅把熔融硅定向冷却获得多晶硅锭,铸锭多晶硅太阳能电池效率已达17-18%。与拉制单晶硅相比,铸锭多晶硅生产周期短、产量大、价格低。片状多晶硅太阳能电池是用滴转法制成的,效率已突破10%。带状多晶硅太阳能电池是直接从硅液中拉出多晶带作为电池的基体材料,然后用激光切割成方形太阳能电池基片。带状多晶硅常称为半晶硅,平均效率已突破10%,采用硅筒法带状多晶硅太阳能电池效率已达到12-15%,具备产业化条件。

5.晶体硅太阳能电池产业化技术发展

晶体硅太阳能电池的发展可划分为三个阶段,每一阶段效率的提升都是因为新技术的引入。

1954年贝尔实验室CHAPIN等人开发出效率为6%的单晶硅太阳能电池到1960年为第一发展阶段,导致效率提升的主要技术是硅材料的制备工艺日趋完善、硅材料的质量不断提高使得电池效率稳步上升,这一期间电池效率在15%。1972年到1985年是第二个发展阶段,背电场电池(BSF)[1]技术、“浅结”结构[2]、绒面技术、密栅金属化是这一阶段的代表技术,电池效率提高到17%,电池成本大幅度下降。1985年后是电池发展的第三阶段,光伏科学家探索了各种各样的电池新技术、金属化材料和结构来改进电池性能提高其光电转换效率:表面与体钝化技术、AL/P吸杂技术、选择性发射区技术、双层减反射膜技术等。许多新结构新技术的电池在此阶段相继出现,如效率达24.4%钝化发射极和背面点接触(PERL)电池。目前相当多的技术、材料和设备正在逐渐突破实验室的限制而应用到产业化生产当中来。目前已经有多家国内外公司对外宣称到2008年底其大规模产业化生产转换效率单晶将达到18%,多晶将超过17%。

以硅片为载体的光伏电池制造技术,其理论极限效率为29%。近年来由于一系列新技术的突破,硅太阳能电池转换效率产业化水平单晶16%~18%、多晶15%~17%,按目前的晶体硅电池效率路线图与电池技术,提升效率的难度已经非常大。因此有人预言硅电池的市场生命周期,但产品市场生命力的决定因素是其性价比,就如半导体集成电路一样近一个世纪了仍然离不开硅基,晶体硅太阳能电池作为光伏发电主要材料的现状不会改变,市场主导地位将继续延续!其特征将会是向着高效率、大尺寸、超薄化、长寿命方向发展。随着我们对半导体材料与光伏技术研究的不断深入,必将会不断诞生一些突破性的技术来巅覆传统、提升太阳能电池的效率、降低系统发电成本,实现光伏发电从补充能源向主流能源的跃进!只是以前这些技术都由国外企业与机构产生。可以预见通过中国广大“光伏人”的努力,今后这些革命性的技术突破将会在我们中国本土企业与科研机构中产生!

目前在工业上,硅的成本大约占硅太阳能电池生产成本的一半。为减少硅的消耗量,光伏(PV)产业正期待着一些处于研究开发中的选择方案。其中最显然的一种就是转向更薄的硅衬底。现在,用于太阳能电池生产的硅衬底厚度略大于

200mm,而衬底厚度略小于100mm的技术正在开发中。为使硅有源层薄至5-20 mm,可以在成本较低的硅衬底上淀积硅有源层,这样制得的电池被称为薄膜晶体硅太阳能电池。为使其具有工业可行性,主要的挑战是在适于大规模生产的工艺中,怎样找到提高效率和降低成本之间的理想平衡。

固体物理课题论文

合肥学院 HEFEI UNIVERSITY 《固体物理》课程论文 题目:一维光子晶体的能带结构研究 系别: 化学与材料工程系 专业:粉体材料科学与工程 班级:粉体(2)班 学号:1103012034 姓名:王慧慧

一维光子晶体的能带结构研究 摘要: “光子晶体"的概念是1987年S.John和E.Yabloncvitch分别提出来的。而在当今世界,科学家们在不断研究电子控制的同时发现由于电子的特性,半导体器件的集成快到了极限,而光子有着电子所没有的优越特性:传输速度快,没有相互作用。所以科学家们希望能得到新的材料,可以像控制半导体中的电子一样,自由地控制光子。与此同时随着科学技术的发展特别是制造工艺技术的发展,使得光子晶体的制造不仅变得可能,还得到了长足的进步,在可见光及红外波段可以制成具有所需能带结构的光子晶体,实现对光的控制。因此近年来光子晶体得到深入广泛的研究与应用。 关键词:光子晶体能带结构半导体器件 引言 20世纪50年代半导体技术的广泛应用推动了信息产业的迅速发展。信息产业的核心是建立在半导体材料基础之上的微电子技术。如今,电子和微电子技术正在走向物理上和技术上的极限,如速度极限、密度极限。这些难以逾越的极限对信息技术的进一步发展提出了重大挑战。其根本原因在于半导体集成电路中信息的载体是电子,而电子是费米子,带电量,存在库仑力,因此集成度过高时,电子之间互相影响,从而极大降低集成电路的性能。如果光子作为信息的载体的话,则不存在以上问题,光子有着电子所部具备的优势。光子晶体是一门正在蓬勃发展的新学科,它吸引了包括经典电磁学、固体能带论、半导体器件物理、量子光学、纳米结构和

晶体硅太阳能电池的制造工艺流程

晶体硅太阳能电池的制造 工艺流程 This model paper was revised by the Standardization Office on December 10, 2020

提高太阳能电池的转换效率和降低成本是太阳能电池技术发展的主流。 晶体硅太阳能电池的制造工艺流程说明如下: (1)切片:采用多线切割,将硅棒切割成正方形的硅片。 (2)清洗:用常规的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或碱)溶液将硅片表面切割损伤层除去30-50um。 (3)制备绒面:用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。 (4)磷扩散:采用涂布源(或液态源,或固态氮化磷片状源)进行扩散,制成PN+结,结深一般为-。 (5)周边刻蚀:扩散时在硅片周边表面形成的扩散层,会使电池上下电极短路,用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。 (6)去除背面PN+结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结。 (7)制作上下电极:用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极,然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。 (8)制作减反射膜:为了减少入反射损失,要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2 ,SiO2 ,Al2O3,SiO ,Si3N4 ,TiO2 ,Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法,溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。 (9)烧结:将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。 (10)测试分档:按规定参数规范,测试分类。

由此可见,太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同,生产的工艺设备也基本相同,但工艺加工精度远低于集成电路芯片的制造要求,这为太阳能电池的规模生产提供了有利条件。

硅太阳能电池的结构及工作原理

硅太阳能电池的结构及 工作原理 集团文件版本号:(M928-T898-M248-WU2669-I2896-DQ586-M1988)

一.引言: 太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。也是清洁能源,不产生任何的环境污染。?? 当电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急,能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈时,越来越多的国家开始实行“阳光计划”,开发太阳能资源,寻求经济发展的新动力。欧洲一些高水平的核研究机构也开始转向可再生能源。在国际光伏市场巨大潜力的推动下,各国的太阳能电池制造业争相投入巨资,扩大生产,以争一席之地。 全球太阳能电池产业1994-2004年10年里增长了17倍,太阳能电池生产主要分布在日本、欧洲和美国。2006年全球太阳能电池安装规模已达1744MW,较2005年成长19%,整个市场产值已正式突破100亿美元大关。2007年全球太阳能电池产量达到3436MW,较2006年增长了56%。 中国对太阳能电池的研究起步于1958年,20世纪80年代末期,国内先后引进了多条太阳能电池生产线,使中国太阳能电池生产能力由原来的3个小厂的几百kW一下子提升到4个厂的4.5MW,这种产能一直持续到2002年,产量则只有2MW左右。2002年后,欧洲市场特别是德国市场的急剧放大和无锡尚德太阳能电力有限公司的横空出世及超常规发展给中国光伏产业带来了前所未有的发展机遇和示范效应。 目前,我国已成为全球主要的太阳能电池生产国。2007年全国太阳能电池产量达到1188MW,同比增长293%。中国已经成功超越欧洲、

日本为世界太阳能电池生产第一大国。在产业布局上,我国太阳能电池产业已经形成了一定的集聚态势。在长三角、环渤海、珠三角、中西部地区,已经形成了各具特色的太阳能产业集群。 中国的太阳能电池研究比国外晚了20年,尽管最近10年国家在这方面逐年加大了投入,但投入仍然不够,与国外差距还是很大。政府应加强政策引导和政策激励,尽快解决太阳能发电上网与合理定价等问题。同时可借鉴国外的成功经验,在公共设施、政府办公楼等领域强制推广使用太阳能,充分发挥政府的示范作用,推动国内市场尽快起步和良性发展。 太阳能光伏发电在不远的将来会占据世界能源消费的重要席位,不但要替代部分常规能源,而且将成为世界能源供应的主体。预计到2030年,可再生能源在总 绿色环保节能太阳能 能源结构中将占到30%以上,而太阳能光伏发电在世界总电力供应中的占比也将达到10%以上;到2040年,可再生能源将占总能耗的50%以上,太阳能光伏发电将占总电力的20%以上;到21世纪末,可再生能源在能源结构中将占到80%以上,太阳能发电将占到60%以上。这些数字足以显示出太阳能光伏产业的发展前景及其在能源领域重要的战略地位。由此可以看出,太阳能电池市场前景广阔。 在太阳能的有效利用当中;大阳能光电利用是近些年来发展最快,最具活力的研究领域,是其中最受瞩目的项目之一。

硅太阳能电池的结构及工作原理

一.引言: 太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。也是清洁能源,不产生任何的环境污染。 当电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急,能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈时,越来越多的国家开始实行“阳光计划”,开发太阳能资源,寻求经济发展的新动力。欧洲一些高水平的核研究机构也开始转向可再生能源。在国际光伏市场巨大潜力的推动下,各国的太阳能电池制造业争相投入巨资,扩大生产,以争一席之地。 全球太阳能电池产业1994-2004年10年里增长了17倍,太阳能电池生产主要分布在日本、欧洲和美国。2006年全球太阳能电池安装规模已达1744MW,较2005年成长19%,整个市场产值已正式突破100亿美元大关。2007年全球太阳能电池产量达到3436MW,较2006年增长了56%。 中国对太阳能电池的研究起步于1958年,20世纪80年代末期,国内先后引进了多条太阳能电池生产线,使中国太阳能电池生产能力由原来的3个小厂的几百kW一下子提升到4个厂的4.5MW,这种产能一直持续到2002年,产量则只有2MW左右。2002年后,欧洲市场特别是德国市场的急剧放大和无锡尚德太阳能电力有限公司的横空出世及超常规发展给中国光伏产业带来了前所未有的发展机遇和示范效应。 目前,我国已成为全球主要的太阳能电池生产国。2007年全国太阳能电池产量达到1188MW,同比增长293%。中国已经成功超越欧洲、日本为世界太阳能电池生产第一大国。在产业布局上,我国太阳能电池产业已经形成了一定的集聚态势。在长三角、环渤海、珠三角、中西部地区,已经形成了各具特色的太阳能产业集群。 中国的太阳能电池研究比国外晚了20年,尽管最近10年国家在这方面逐年加大了投入,但投入仍然不够,与国外差距还是很大。政府应加强政策引导和政策激励,尽快解决太阳能发电上网与合理定价等问题。同时可借鉴国外的成功经验,在公共设施、政府办公楼等领域强制推广使用太阳能,充分发挥政府的示范作用,推动国内市场尽快起步和良性发展。 太阳能光伏发电在不远的将来会占据世界能源消费的重要席位,不但要替代部分常规能源,而且将成为世界能源供应的主体。预计到2030年,可再生能源在总 绿色环保节能太阳能 能源结构中将占到30%以上,而太阳能光伏发电在世界总电力供应中的占比也将达到10%以上;到2040年,可再生能源将占总能耗的50%以上,太阳能光伏发电将占总电力的20%以上;到21世纪末,可再生能源在能源结构中将占到80%以上,太阳能发电将占到60%以上。这些数字足以显

太阳能电池技术方案设计设计

技术方案 太阳能电池的分类 (一)单晶硅太阳能电池 单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右,最高的达到24%,这是目前所有种类的太阳能电池中光电转换效率最高的,但制作成本很大,以致于它还不能被大量广泛和普遍地使用。由于单晶硅一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装,因此其坚固耐用,使用寿命一般可达15年,最高可达25年。 (二)多晶硅太阳能电池 多晶硅太阳能电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多,但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少,其光电效率约12%左右(2004年7月1日日本夏普上市效率为14.8%世界最高效率多晶硅太阳能电池)。从制作成本上来讲,比单晶硅太阳能电池要便宜一些,材料制造简便,节约电耗,总的生产成本较低,因此得到大量发展。此外,多晶硅太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短。从性能价格比来讲,单晶硅太阳能电池还略好。 (三)非晶硅太阳能电池 非晶硅太阳电池是1976年出现的新型薄膜式太阳电池,它与单晶硅和多晶硅太阳电池的制作方法完全不同,工艺过程大大简化,硅材料消耗很少,电耗更低,它的主要优点是在弱光条件也能发电。但非晶硅太阳电池存在的主要问题是光电转换效率偏低,目前国际先进水平为10%左右,且不够稳定,随着时间的延长,其转换效率衰减。

(四)多元化合物太阳电池 多元化合物太阳电池指不是用单一元素半导体材料制成的太阳电池。现在各国研究的品种繁多,大多数尚未工业化生产,主要有以下几种:a)硫化镉太阳能电池b)砷化镓太阳能电池c)铜铟硒太阳能电池(新型多元带隙梯度Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳能电池)Cu(In,Ga)Se2是一种性能优良太阳光吸收材料,具有梯度能带间隙(导带与价带之间的能级差)多元的半导体材料,可以扩大太阳能吸收光硅薄膜太阳能电池明显提高的薄膜太阳能电池。可以达到的光电转化效率为18%,而且,此类薄膜太阳能电池到目前为止,未发现有光辐射引致性能衰退效应(SWE),其光电转化效率比目前商用的薄膜太阳能电池板提高约50~75%,在薄膜太阳能电池中属于世界的最高水平的光电转化效率。 工艺技术方案 根据产品方案,本项目主要生产工艺的流程采用国内较为成熟的工艺路线,基本上是从硅片的开箱检测与装盒开始,然后在加工车间去除油污及制裁、扩散制作表面PN结然后检测、等离子体刻蚀周边PN结及抽测效果、二次清洗,然后在表面处理车间完成制备薄膜减反射层、印刷背面电极、背电场、正面电极,然后经过高温烧结,最后经检测车间检测合格后入库。太阳能电池硅片生产工艺流程图如下:

晶体硅太阳能电池

晶体硅太阳能电池 专业班级:机械设计制造及其自动化13秋姓名:张正红 学号: 1334001250324 报告时间: 2015年12月

晶体硅太阳能电池 摘要:人类面临着有限常规能源和环境破坏严重的双重压力,能源己经成为越来越值得关注的社会与环境问题。人们开始急切地寻找其他的能源物质,而光能、风能、海洋能以及生物质能这些可再生能源无疑越来越受到人们的关注。光伏技术也便随之形成并快速地发展了起来,因此近年来,光伏市场也得到了快速发展并取得可喜的成就。本文主要就晶体硅太阳能电池发电原理及关键材料进行介绍,并对晶体硅太阳能电池及其关键材料的市场发展方向进行了展望。 关键词:太阳能电池;工作原理;晶体硅;特点;发展趋势 前言 “开发太阳能,造福全人类”人类这一美好的愿景随着硅材料技术、半导体工业装备制造技术以及光伏电池关键制造工艺技术的不断获得突破而离我们的现实生活越来越近!近20年来,光伏科学家与光伏电池制造工艺技术人员的研究成果已经使太阳能光伏发电成本从最初的几美元/KWh减少到低于20美分/KWh。而这一趋势通过研发更新的工艺技术、开发更先进的配套装备、更廉价的光伏电子材料以及新型高效太阳能电池结构,太阳能光伏(PV)发电成本将会进一步降低,到本世纪中叶将降至4美分/KWh,优于传统的发电费用。 大面积、薄片化、高效率以及高自动化集约生产将是光伏硅电池工业的发展趋势。通过降低峰瓦电池的硅材料成本,通过提升光电转换效率与延长其使用寿命来降低单位电池的发电成本,通过集约化生产节约人力资源降低单位电池制造成本,通过合理的机制建立优秀的技术团队、避免人才的不合理流动、充分保证技术上的持续创新是未来光伏企业发展的核心竞争力所在! 一、晶体硅太阳能电池工作原理 太阳能电池是一种把光能转换成电能的能量转换器,太阳能电池工作原理的基础是半导体PN结的光生伏特效应。

太阳能光伏电池的设计与制作

河南工程学院 《光伏材料设计》 实习实训报告书 太阳能光伏电池的设计与制作2016 -2017学年第二学期 学院:赵博 学生姓名:理学院 学号:201411004215 学生班级:应用物理1442 指导教师:牛金钟赵瑞锋 日期:2017 年6 月14日

摘要:太阳能光伏电池的设计与制造是我们本专业的最主要内容之一,本次实训的目的是让我们更加深刻了解太阳能光伏电池的发电原理,了解太阳能电池组件的生产流程和生产工艺,了解太阳能光伏电池的应用,并且制作一件太阳能光伏电池板。本文主要讲的是本次的太阳能光伏太阳能电池制作过程,包括选择制作材料,电池板的设计,焊接太阳能电池片,组装太阳能电池,以及对电池组件进行测试。 关键词:电池组件设计组装测试

目录 一、简介 (1) 二、材料及其性质 (1) 1.黏结剂 (1) 2.玻璃-上盖板材料 (1) 3.背面材料 (1) 4.边框 (1) 5.接线盒 (2) 6.硅胶 (2) 7.电池片 (2) 三、设计原理及组装 (2) 1.设计原理 (2) 2.太阳能电池组件设计 (3) 3.电池组件的制作 (3)

一、简介 太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”,是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。通常采用硅半导体 二、材料及其性质 真空层压封装太阳能电池,主要使用的材料有黏结剂、玻璃、复合模、连接条、铝框等。合理地选用封装材料和采取正确的封装工艺能保证太阳能电池的高效利用并延长使用寿命。优良的太阳能电池组件,除了要求太阳能电池本身效率高外,优良的封装材料和合理的封装工艺也是不可缺少的。 1.黏结剂 黏结剂是固定和保证电池与上、下盖板密合的关键材料,要求可见光范围内具有高透光性,抗紫外线老化;具有一定弹性,可缓冲不同材料见的热胀冷缩;具有良好的电绝缘性能和化学稳定性,不产生有害电池的气体和液体;具有优良的气密性,适用于自动化的组件封装。本次实训中采用的是EVA膜。 2.玻璃-上盖板材料 玻璃是覆盖在电池板正面的上盖板材料,构成组件最外层,既要求透光高,又要坚固,耐风霜雨雪,经受沙砾冰雹冲击,起到长期保护电池作用。 普通玻璃体内含铁量过高及玻璃表面的光反射过大是降低太阳能利用率的主要原因。目前在商业化生产中标准太阳能电池组件的上盖板材料通常采用低铁钢化玻璃,其特点是:透光率高、抗冲击能力强、使用寿命长。厚度一般为3.2mm,透光率达90%以上,对于波长大于1200nm的红外线有较高的反射率,同时能耐太阳紫外线的辐射。 3.背面材料 组件底板对电池既有保护作用又有支撑作用。对底板的一般要求为:具有良好的耐气候性能,能隔绝从背面进来的潮气和其他有害气体:在层压温度下不起任何变化:与黏结材料结合牢固。一般所用的底板材料为玻璃、铝合金、有机玻璃以及PVF复合膜等。目前生产上较多应用的是PVF复合膜。 4.边框 平板式组件应有边框,以保护组件和便于组件与方阵支架的连接固定。边框

几种商业化的高效晶体硅太阳能电池技术

高效晶体硅太阳能电池技术 摘要:晶体硅太阳能电池是目前应用技术最成熟、市场占有率最高的太阳能电池。本文在解释常规太阳能电池能量损失机理的基础上,介绍了可应用于商业化生产的高效晶体硅太阳能电池技术及其工艺流程,并对每种电池技术的优、缺点及工艺难度进行了评价。 关键词:晶体硅电池;高效电池;商业化 1 引言 能源是一个国家经济和社会发展的基础. 目前广泛使用的石油、天然气、煤炭等化石能源面临着严峻的挑战. 2005年2 月我国通过了《中华人民共和国可再生能源法》,从立法角度推进可再生能源的开发和利用,这是解决我国能源与环境、实现可持续发展的重要战略决策。 不论从资源的数量、分布的普遍性,还是从清洁性、技术的可靠成熟性来说,太阳能在可再生能源中都具有更大的优越性,光伏发电已成为可再生能源利用的首要方式。而晶硅太阳电池一直占据着光伏市场的最大份额. 与其它的可再生能源一样,目前要使之从补充能源过渡到替代能源,太阳电池光伏发电推广的最大制约因素仍然是发电成本。围绕着降低生产成本的目标,以高效电池获取更多的能量来代替低效电池一直是科学研究的的热门[1]. 近年来 高效单晶硅太阳能电池研究已取得巨大成就,在美国、德国和日本,高效太阳能电池研究正如火如荼,特别是美国,商品化高效电池的转换效率已超过20%。 . 2 硅太阳能电池能量损失机理 目前研究成果表面,影响晶体硅太阳能电池转换效率的原因主要来自两个方面:①光学损失. 包括电池前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收损失,其中反射和阴影损失是可以通过技术措施减小的,而长波非吸收损失与半导体性质有关;②电学损失. 它包括半导体表面及体内的光生载流子复合、半导体和金属栅线的体电阻以及金属-半导体接触(欧姆接触)电阻损失. 相对而言,欧姆损失在技术上比较容易降低,其中最关键的是降低光生载流子的复合,它直接影响太阳电池的开路电压。而提高电池效率的关键之一就是提高开路电压V oc。光生载流子的复合主要是由于高浓度的扩散层在前表面引入了大量的复合中心。此外,当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时,背表面的复合速度S b 对太阳电池特性的影响也很明显。而从商业太阳电池来看,为了降低太阳电池的成本和提高效率,现在生产厂家也在不断地减小硅片的厚度,以降低原材料的价格.因此必须有减少前、背两个表面的光生载流子复合的结构和措施. 3 高效晶体硅太阳能电池技术 3.1 背接触电池IBC/MWT/EWT (1)IBC电池(PCC电池) 背接触电池是由Sunpower公司开发的高效电池,其特点是正面无栅状电极,正负极交叉排列在背面,量产效率可达19%~20%。 这种把正面金属栅线去掉的电池结构有很多优点[2]:(1)减少正面遮光损失,相当于增加了有效半导体面积,有利于增加电池效率;(2)有可能大大降低组件装配成本,因为全部外部接触均在单一表面上;(3)从建造结构的观点看来提供了增值,因为汇流条和焊线串接存在引起的视觉不适被组件背面所替代。

太阳能电池设计方案作业

编号: 审定成绩: 重庆邮电大学 课程设计(论文) 设计(论文)题目:太阳能电能收集充电器 学院名称:通信与信息工程学院 学生姓名:杨海,张强,马超,殷亮,余凌霄 专业:电子信息工程(通信技术方向) 班级: 指导教师:刘乔寿 答辩组负责人: 填表时间:2011 年12 月重庆邮电大学教务处制

【摘录】本文通过对电路设计的总体要求的把握和理解,在充分理解性能及设计要求指标的基础上,对元器件的选择做了比对和较为细致的研究,阐述了电路设计中对于升降压电路的选取带来的不同性能,从综合性比较的角度上,得出了自动切换升降压方案在性能,经济成本,适用范围,可操作性等方面相对更优性,并通过最后的测试方案在误差范围内验证了设计方案,完成了课程设计任务。 在具体设计过程中,主要使不同强度的太阳光所产生的不同大小电压,通过可编程输出电压的相关芯片,如TPS61200,LM317等芯片调整出适当的输出电压,使其符合锂电池充电所需的4.2V并且尽可能的稳定。 本系统的供电电源转换分为升压和降压两部分,升压部分是一节干电池作为供电电源,通过升压电路转换为可为手机充电的电压,降压部分是由太阳能电池板作为供电电源,通过降压电路之后转换为可为手机电池充电的电压。 【关键词】自动切换升降压方案综合性比较测试方案验证稳定性

目录 前言 (1) 第一章太阳能概述及应用 (2) 1.1 太阳能电池发展历史及趋势 (2) 1.1.1 发展历史简介 (2) 1.1.2 发展趋势预测 (3) 第二章电路设计总体方案概述 (4) 2.1 方案一降压电路方案概述 (4) 2.1.1 电路设计的原理 (4) 2.1.2 设计的主要器件选择 (4) 2.2. 方案二升压后降压方案概述 (4) 2.2.1 电路设计的原理 (5) 2.2.2 电路设计的主要器件选择 (5) 2.3 方案三自动切换升降压电路概述 (5) 2.3.1 电路设计的原理 (5) 2.3.2 电路设计的主要器件选择 (5) 第三章电池设计具体方案分析与讨论 (6) 3.1 降压电路具体设计探讨 (9) 3.2 升压后降压方案具体设计探讨 (12) 3.3 自动切换升降压电路具体设计探讨 (15) 3.4 本章小结 (16) 第四章设计实际测试结果分析 (16) 4.1 关于模拟测试的探讨与结果分析 (16) 4.1.1 模拟测试与实际充放电的区别与共性 (17) 4.1.2 测试的具体方法讨论 (17) 4.2 实际测试数据探讨与对比 (18) 4.2.1 测试模型的选取 (18) 4.2.2 实际测试数据分析 (19)

光子晶体毕业设计(论文)

光子晶体毕业设计 引言 光子晶体光纤(PCF),又称多孔光纤或微结构光纤,以其独特的光学特性和灵活的设计成为近年来的热门研究课题。这类光纤是由在纤芯周围沿着轴向规则排列微小空气孔构成,通过这些微小空气孔对光的约束,实现光的传导。独特的波导结构,灵活的制作方法,使得PCF与常规光纤相比具有许多奇异的特性,有效地扩展和增加了光纤的应用领域,因而成为目前国际上研究的热点。在光纤激光器这一领域内,PCF经专门设计可具有大模面积且保持无限单模的特性,有效地克服了常规光纤的设计缺陷。以这种具有新颖波导结构和特性的光纤作为有源掺杂的载体,并把双包层概念引入到光子晶体光纤中,将使光纤激光器的某些性能有显著改善。近年来,国内外的很多大学和科研单位都在积极开展光子晶体光纤激光器的研究工作。目前,国外输出功率达到几百瓦的光子晶体光纤激光器已有报道。本文阐述了PCF的一些独特优越特性、导光原理及对光子带隙导光型光子晶体光纤的结构设计,介绍了PCF的发展以及优化设计。

第一章光子晶体光纤概述 §1.1光子带隙型光子晶体光纤的理论进展 上个世纪,随着科学技术的不断发展,电子技术几乎进入了人们生活的各个方面,人们对大规模集成电路的微型化、高效化和稳定性提出了更多、更高、更新的要求,而传统的电子技术不能满足高端前沿的发展需要。因此,人们把目光投向于光子技术,希望可以用光子取代电子来获取、传输、存储和处理信息。光子与电子相比有许多优点,光子具有极快的响应能力、极强的互连能力、极大的存储能力和极高的信息容量,但是光子不能和电子一样随意控制,这使得光通信、光器件的研究和应用难以取得进步。科学家们正努力寻找一种新型光学材料使光子能被有效控制,结果光子晶体迅速成为研究焦点。 1987年,E.Yablonovitch[1]研究在固体物理和电子学中抑制自发辐射时,提出周期性结构中某些特定频率光的传播在一个带隙内被严格禁止;几乎同时S.John讨论在特定的无序介质超晶格中光子的局域性时,指出在规则排列的超晶格中引入某种缺陷,光子有可能被局限在缺陷中而不能向其它方向传播。由此提出了光子晶体的概念,指出光子带隙和光子局域是光子晶体的重要特征。直到1989年,Yablonovitch和Gmittern首次在实验上证实了三维光子带隙的存在,并指出当两种材料的折射率比足够大时,才能得到完全光子禁带,这一论断后来被广泛应用到实践中,成为得到光子禁带的重要条件。此后物理界才开始大举投入这方面的理论研究和实际应用,它完全不同于传统利用全反射理论来引导光传输,而是利用光子禁带,这样给光通讯领域带来了新的生机和活力。1999年国际权威杂志(Science)在预计所有学科研究趋势时,将光子晶体方面的研究列为未来的六大研究热点之一。 1992年,Russell提出光子晶体光纤的概:它是包层为有序排列的二维光子晶体,纤芯为破坏了包层有序排列的缺陷,光被局限在缺陷中进行传播。1996年英国的Southampton大学研制成功了世界上第一根光子晶体光纤,这项研究成果给光通信和光研究领域注入了新的活力,引起了全世界人们的普遍兴趣。接下

有机太阳能电池封装技术毕业设计

1有机太阳能电池概述 1.1研究背景 随着化石能源的日益枯竭,可再生能源的寻求已经迫在眉睫,太阳能作为一种取之不尽、用之不竭的绿色能源受到了人们的关注。据统计,地球表面接受的太阳能辐射达到全球需求能源的一万倍,地球每平方米平均每年受到的辐射可发电289kw.h,在全球4%的沙漠上装太阳光伏系统,就足以满足全球能源需求。因此光伏发电具有广阔的发展空间。目前占光伏市场主导地位的是单晶硅和多晶硅太阳能电池。但是,昂贵的成本是限制无机太阳能电池进一步发展的重要因素。并且,中国多晶硅价格从去年最高的超过300万元/吨,下降至目前大约120万元/吨。薄膜太阳能电池等由于成本低,市场份额迅速扩大,这不仅对传统晶硅电池价格形成压制,同时在一定程度上降低了太阳能发电成本。 从20世纪70年代开始人们就越来越关注有机太阳能的研制。在导电聚合物上的研发利用取得很大的进步,有机半导体成为硅半导体的替代品指日可待。机导电聚合物有其独特的优势:有机分子可以经过加工,不需要得到晶体状无机半导体。特别是聚合物半导体的优越性是与廉价的加工技术联系在一起。大量的研究表明,导电聚合物是集各种性能于一身的半导体材料。导电聚合物又称导电高分子,是通过参杂手段,能使得电导率在半导体和导体范围内的聚合物.自1970年代第一种导电聚合物—聚乙炔发现以来,一系列星星导电聚合物相继问世.常见的导电聚合物有聚乙炔,聚噻吩,聚吡咯,聚苯胺,聚苯撑,聚苯撑乙烯,和聚双炔等.有机薄膜聚合物的快速发展,为有机薄膜太阳能电池的发展,提供有力的支持。机薄膜太阳能电池也是一种薄膜器件,现在的各种成熟的薄膜制造技术为有机薄膜太阳能电池的发展提供技术保障。有机聚合物太阳能电池具有可重复利

光电子技术科学毕业论文题目

毕业论文(设计) 题目 学院学院 专业 学生姓名 学号年级级 指导教师 教务处制表 二〇一三年三月二十日 光电子技术科学毕业论文题目 本团队专业从事论文写作与论文发表服务,擅长案例分析、仿真编程、数据统计、图表绘制以及相关理论分析等。 光电子技术科学毕业论文题目: 蒙脱石负载纳米铁颗粒去除水中硝基苯和六价铬的研究 一步法制备与表征多重纳米复合物及其电化学性质研究 一维硫化镉纳米线阵列的制备及其特性 污水污泥含氮模型化合物的构建及热解过程中氮转化途径研究 HPA/Pt/PAMAM复合膜的制备、表征及电催化性能 皮蛋表面斑点成分分析与控制方法的研究 大气压非平衡等离子体沉积类二氧化硅薄膜研究 共掺杂TiO_2纳米管阵列薄膜的制备及光催化性能研究

聚合物基光波导光纤耦合及封装研究 含层状硅酸盐磨损自修复剂的减磨性能研究 前驱体的化学结构对炭膜微结构及气体渗透性能的影响 聚酰亚胺基低温热解炭膜的制备及性能研究 集群磁流变效应超光滑抛光加工过程研究 磁控溅射SiGe薄膜的制备工艺及性能研究 脉冲式半导体激光器驱动源的设计 含氟苯丙聚合物基纳米TiO_2复合材料的制备及性能研究 稀土氧化物碳烟燃烧催化剂活性氧的研究 基于计算机视觉的零件加工检测系统研究 热镀锌层表面镧盐转化膜的研究 四丁基溴化铵溶液中锌的缓蚀研究 MoO_3/SiO_2的改性对其氧化脱硫活性的影响 一维光子晶体带隙结构数值方法的研究 缺陷对双层石墨烯电子结构与力学性能的影响 ZnMn_2O_4纳米棒的制备、表征及其光催化行为研究 氮化镓纳米线机械性能的模拟研究 原位液相反应制备WCoB三元硼化物金属陶瓷及其性能研究 硫化镉量子点增敏鲁米诺化学发光体系的研究与应用 Bi、N共掺杂TiO_2的制备及性能的研究 高压氢处理对ZnO薄膜性能的影响及SiC衬底GaN基LED的制备微波反应法环境友好地制备钯基低铂非铂燃料电池催化剂研究氢酶碳纳米管分子聚集体材料的制备及其性能表征 硅光子线阵列波导光栅(AWG)器件的研究 半导体激光器和光探测器等效电路模型研究 光探测器等效电路模型的建立与参数提取 钯纳米晶的自组织生长及其电荷存储效应的研究 钛酸钡辐射损伤的计算机模拟研究 Au/ZrO_2模型催化剂界面及其热稳定性的光电子能谱研究

晶硅太阳能电池片的制作过程

晶硅太阳能电池板的制作过程 1、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀,在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射,增加了光的吸收,提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液,可用的碱有氢氧化钠,氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅,腐蚀温度为 70-85℃。为了获得均匀的绒面,还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂,以加快硅的腐蚀。制备绒面前,硅片须先进行初步表面腐蚀,用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20~25μm,在腐蚀绒面后,进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存,以防沾污,应尽快扩散制结。 2、扩散制结太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换,而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内,在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器,通过三氯氧磷和硅片进行反应,得到磷原子。经过一定时间,磷原子从四周进入硅片的表面层,并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散,形成了N型半导体和P型半导体的交界面,也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是PN结的形成,才使电子和空穴在流动后不再回到原处,这样就形成了电流,用导线将电流引出,就是直流电。 3、去磷硅玻璃该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中,通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡,使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸,以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中,POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子,这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2,称之为磷硅玻璃。去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成,主要动力源有氢氟酸、氮气、压缩空气、纯水,热排风和废水。氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟酸过量,反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。 4、等离子刻蚀由于在扩散过程中,即使采用背靠背扩散,硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面,而造成短路。因此,必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀,以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下,反应气体CF4的母体分子在射频功率的激

高效晶体硅太阳能电池介绍

高效晶体硅太阳电池简介(1) PERC电池是澳大利亚新南威尔士大学光伏器件实验室最早研究 的高效电池。它的结构如图2-13a所示,正面采用倒金字塔结构,进行双面钝化,背电极通过一些分离很远的小孔贯穿钝化层与衬底接触,这样制备的电池最高效率可达到23.2%[26]。由于背电极是通过一些小孔直接和衬底相接触的,所以此处没能实现钝化。为了尽可能降低此处的载流子复合,所设计的孔间距要远大于衬底的厚度才可。然而孔间距的增大又使得横向电阻增加(因为载流子要横向长距离传输才能到达此处),从而导致电池的填充因子降低。另外,在轻掺杂的衬底上实现电极的欧姆接触非常困难,这就限制了高效PERC电池衬底材料只能选用电阻率低于0.5 Ωcm以下的硅材料。 为了进一步改善PERC电池性能,该实验室设想了在电池的背面增加定域掺杂,即在电极与衬底的接触孔处进行浓硼掺杂。这种想法早已有人提出,但是最大的困难是掺杂工艺的实现,因为当时所采用的固态源进行硼掺杂后载流子寿命会有很大降低。后来在实验过程中发现采用液态源BBr3进行硼掺杂对硅片的载流子寿命影响较小,并且可以和利用TCA制备钝化层的工艺有很好的匹配。1990年在PERC结构和工艺的基础上,J.Zhao在电池的背面接触孔处采用了BBr3定域扩散制备出PERL电池,结构如图2.13b所示[27]。定域掺硼的温度为900 ℃,时间为20 min,随后采用了drive-in step技术(1070 ℃,2 h)。经过这样处理后背面接触孔处的薄层电阻可降到20 Ω/□以下。孔间距离也进行了调整,由2 mm缩短为250 μm,大大减少了横

向电阻。如此,在0.5 Ωcm和2 Ωcm的p型硅片上制作的4 cm2的PERL电池的效率可达23-24%,比采用同样硅片制作的PERC电池性能有较大提高。 1993年该课题组对PERL电池进行改善,使其效率提高到24%,1998年再次提高到24.4%,2001年达到24.7%,创造了世界最高记录。这种PERL电池取得高效的原因是[28]:(1)正面采光面为倒金字塔结构,结合背电极反射器,形成了优异的光陷阱结构;(2)在正面上蒸镀了MgF2/ZnS双层减反射膜,进一步降低了表面反射;(3)正面与背面的氧化层均采用TCA工艺(三氯乙烯工艺)生长高质量的氧化层,降低了表面复合;(4)为了和双层减反射膜很好配合,正面氧化硅层要求很薄,但是随着氧化层的减薄,电池的开路电压和短路电流又会降低。为了解决这个矛盾,相对于以前的研究,增加了“alneal”工艺,即在正面的氧化层上蒸镀铝膜,然后在370 ℃的合成气氛中退火30 min,最后用磷酸腐蚀掉这层铝膜。经过“alneal”工艺后,载流子寿命和开路电压都得到较大提高,而与正面氧化层的厚度关系不大。这种工艺的原理是,在一定温度下,铝和氧化物中OH-离子发生反应产生了原子氢,在Si/SiO2的界面处对一些悬挂键进行钝化。(5)电池的背电场通过定域掺杂形成,掺杂的温度和时间至关重要,对实现定域掺杂的接触孔的设计也非常重要,因为这关系到能否在整个背面形成背电场以及体串联电阻的大小。在这个电池中浓硼扩散区面积为30 μm×30 μm,接触孔的面积为10 μm ×10 μm,孔间距为250 μm,浓硼扩散区的面积仅占背面积的1.44%。定域扩散

太阳能电池设计参考

ln( L 1) Solar Cell 基础知识: 不论是一般的化学电池还是太阳能电池,其输出特性一般都是用如下图所示的电流-电压曲线来表 示.由光电池的伏安特性曲线,可以得到描述太阳能电池的四个输出参数. 图 9.1 太阳电池和锰干电池的 IV 曲线 ① 开路电压 V oc R=∞,I=0,即:IL=IF.将 I=0 代入光电池的电流电压方程,得开路电压为: k T q I I S (9.1) ② 短路电流 Isc 如将 pn 结短路(V=0),因而 IF=0,这时所得的电流为短路电流 Isc.显然,短路电流 等于光生电流,即:Isc=IL. ③ 填充因子 FF 它表示了最大输出功率点所对应的矩形面积在 V oc 和 Isc 所组成的矩形面积中所占的百分比. 特性好的太阳能电池就是能获得较大功率输出的太阳能电池,也就是 Voc,Isc 和 FF 乘积较大的电池. 对于有合适效率的电池,该值应在 0.70-0.85 范围之内. 9-2 其值越大表示太阳能电池的输出功率越大.FF 的值始终小于 l.FF 可由下列经验公式给出:

1

ln () (9.2) 式中VOC 是归一化的开路电压,即UOC/(nKT/q).当VOC>15 时,该公式的精度可达4 位有效数字.实际上,由于受串联电阻和并联电阻的影响,实际太阳能电池填充因子的值要低于上式所给出的理想 值. ④能量转化效率η 它表示入射的太阳光能量有多少能转换为有效的电能. η=(太阳能电池的输出功率/入射的太阳光功率)×100% =(VOPIOP/PinS)×100% = VOC I SC FF Pin S (9.3) Example 1: 单晶硅太阳能电池 在本例中,将首先用ATHENA 模拟的是晶体硅太阳能电池的结构(pn 结),接着用A TLAS 模拟太阳能 电池的一些基本性质:V oc、Isc、光谱反应及考虑增加增透膜后对光谱反应的影响. 在太阳能电池的模拟实验中,将考虑到外部光源的影响.因此,模拟中将用到BEAM 语句. 例1:单色光 beam num=1 wavelength=0.6 x=0.5 y=-2.0 ang=90.0 min=-0.1 max=0.1 \ Min.power=0.05 该语句定义了一传输角度为90 度、波长为0.6μm 的单色光,其起始坐标为(0.6,-0.5).当光强降至初 始光功率的5%时传输终止.(入射光线图如图10.3) 例2:多光谱光线 beam num=2 x=0.0 y=-1.0 ang=45.0 power.file=source.spc wavel.start=0.4 \ wavel.end=0.6 wave.num=4 该语句定义一起始于(0.0,-1.0)、入射角度为45 度的多光谱光线.该光线由光谱文件soure.spc 引入, 波长范围为0.4μm 至0.6μm. 图9.3 入射光线图 此外,本实验还将用到增透膜(或称减反射膜,anti–reflection coating).INTERFACE 语句可用来 2

晶硅太阳能电池的特点和种类

晶体硅太阳能电池的种类及特点 太阳能电池已经有30多年的发展历史。目前世界各国研制的硅太阳能电池种类繁多,;主要系列有单晶、多晶、非晶硅几种。其中单晶硅太阳能电池占50%,多晶硅电池占20%、非晶占30%。我国光伏发电发展需解决的关键问题。太阳能光伏发电发展的瓶颈是成本高。为此,需加大研发力度,集中在降低成本和提高效率的关键技术上有所突破,主要包括:a)晶体硅电池技术。降低太阳硅材料的制备成本:开发专门用于晶体硅太阳能电池的硅材料,是生产高效和低成本太阳电池的基本条件;同时实现硅材料国产化和提高性能,从产业链的源头,抓好降低成本工作。提高电池/组件转换效率:高效钝化技术,高效陷光技术,选择性发射区,背表面场,细栅或者单面技术,封装材料的最佳折射率等高效封装技术等。光伏技术的发展以薄膜电池为方向,高效率、高稳定性、低成本是光伏电池发展的基本原则。 单晶硅在太阳能的有效利用当中,太阳能光电利用是近些年来发展最快,也是最具活力的研究领域。而硅材料太阳能电池无疑是市场的主体,硅基(多晶硅、单晶硅)太阳能电池占80%以上,每年全世界需消费硅材料3000t左右。生产太阳能电池用单晶硅,虽然利润比较低,但是市场需求量大,供不应求,如果进行规模化生产,其利润仍然很可观。目前,中国拟建和在建的太阳能电池生产线每年将需要680多吨的太阳能电池用多晶硅和单晶硅材料,其中单晶硅400多吨,而且,需求量还以每年15%~20%的增长率快速增长。硅系列太阳能电池中,单晶硅太阳能电池在实验室里最高的转换效率为23%,而规模生产的单晶硅太阳能电池,其效率为15%,技术也最为成熟。高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的成熟的加工处理工艺基础上的。现在单晶硅的电池工艺已近成熟,在电池制作中,一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术,开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面,德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统研究所保持着世界领先水平。该研究所采用光刻照相技术将电池表面织构化,制成倒金字塔结构。通过改进了的电镀过程增加栅极的宽度和高度的比率:通过以上制得的电池转化效率超过23%。单晶硅具有完整的金刚石结构。通过掺杂得到n,P型单晶硅,进而制备出p/n结、二极管及晶体管,从而使硅材料有了真正的用途。单晶硅太阳能电池转换效率无疑是最高的,在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位,但由于受单晶硅材料价格及相应的繁琐的电池工艺影响,致使单晶硅成本价格居高不下,要想大幅度降低其成本是非常困难的。 多晶硅众所周知,利用太阳能有许多优点,光伏发电将为人类提供主要的能源,但目前来讲,要使太阳能发电具有较大的市场,被广大的消费者接受,提高太阳电池的光电转换效率,降低生产成本应该是我们追求的最大目标,从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。从工业化发展来看,重心已由单晶向多晶方向发展,主要原因为:(1)可

光伏电池板的设计

地球上各地区受太阳光照射及辐射能变化的周期为一天24h。处在某一地区的太阳能电池方阵的发电量也有24h的周期性的变化,其规律与太阳照在该地区辐射的变化规律相同。但是天气的变化将影响方阵的发电量。如果有几天连续阴雨天,方阵就几乎不能发电,只能靠蓄电池来供电,而蓄电池深度放电后又需尽快地将其补充好。设计者多数以气象台提供的太阳每天总的辐射能量或每年的日照时数的平均值作为设计的主要数据。由于一个地区各年的数据不相同,为可靠起见应取近十年内的最小数据。根据负载的耗电情况,在日照和无日照时,均需用蓄电池供电。气象台提供的太阳能总辐射量或总日照时数对决定蓄电池的容量大小是不可缺少的数据。 对太阳能电池方阵而言,负载应包括系统中所有耗电装置(除用电器外还有蓄电池及线路、控制器等)的耗量。 方阵的输出功率与组件串并联的数量有关,串联是为了获得所需要的工作电压,并联是为了获得所需要的工作电流,适当数量的组件经过串并联即组成所需要的太阳能电池方阵。 蓄电池组容量设计 太阳能电池电源系统的储能装置主要是蓄电池。与太阳能电池方阵配套的蓄电池通常工作在浮充状态下,其电压随方阵发电量和负载用电量的变化而变化。它的容量比负载所需的电量大得多。蓄电池提供的能量还受环境温度的影响。为了与太阳能电池匹配,要求蓄电池工作寿命长且维护简单。 1.蓄电池的选用 能够和太阳能电池配套使用的蓄电池种类很多,目前广泛采用的有铅酸免维护蓄电池、普通铅酸蓄电池和碱性镍镉蓄电池三种。国内目前主要使用铅酸免维护蓄电池,因为其固有的“免”维护特性及对环境较少污染的特点,很适合用于性能可靠的太阳能电源系统,特别是无人值守的工作站。普通铅酸蓄电池由于需要经常维护及其环境污染较大,所以主要适于有维护能力或低档场合使用。碱性镍镉蓄电池虽然有较好的低温、过充、过放性能,但由于其价格较高,仅适用于较为特殊的场合。 2.蓄电池组容量的计算 蓄电池的容量对保证连续供电是很重要的。在一年内,方阵发电量各月份有很大差别。方阵的发电量在不能满足用电需要的月份,要靠蓄电池的电能给以补足;在超过用电需要的月份,是靠蓄电池将多余的电能储存起来。所以方阵发电量的不足和过剩值,是确定蓄电池容量的依据之一。同样,连续阴雨天期间的负载用电也必须从蓄电池取得。所以,这期间的耗电量也是确定蓄电池容量的因素之一。 因此,蓄电池的容量BC计算公式为:BC=A×QL×NL×TO/CCAh?穴1?雪式中:A为安全系数,取1.1~1.4之间; QL为负载日平均耗电量,为工作电流乘以日工作小时数;NL为最长连续阴雨天数;TO为温度修正系数,一般在0℃以上取1,-10℃以上取1.1,-10℃以下取1.2;CC为蓄电池放电深度,一般铅酸蓄电池取0.75,碱性镍镉蓄电池取0.85。 太阳能电池方阵设计 1.太阳能电池组件串联数Ns

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