片式叠层陶瓷电容的容量计算公式
电容单位换算及电容器计算公式
1法拉(F)= 1000毫法(mF)＝1000000微法(μF)
1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。
相关公式：
一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，即：C=Q/U但电容的大小不是由Q或U决定的，即：C=εS/4πkd。其中，ε是一个常数，S为电容极板的面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。
电容单位换算及电容器计算公式
电容器Q容量Kvar换算C容值uF公式
I＝0.314×C×U
C=Q / 0.314×U×U
Q容量=单位Kvar
C容值=单位uF
1F=1000000μF
I000
U电压单位=KV
补充
C=Q/U
式中C——电容器的电容，单位为法拉（F）
Q——电容器所带电荷，单位为库仑（C）
U——电容器两级间的电势差，单位为伏特（V）
1F=1000000 uf (6个0) =1000000000000 PF（12个0）
当给电容器两端施以正弦交流电压时，它发出的无功功率称为无功容量。用如下公式表示：
Q=UU/Xc=2 π fCUU
例如：1Kvar额定电压为0.4KV计算容值uf
Q=2πfCUU
C=Q/2πfUU
C（F）=1000(var)/2×3.14×50×400（V）×400（V）
C=1000/50240000
C=0.00001990445
0.00001990445(F)×1000000=19.90445(uf)
简化公式为
C=Q / 0.314×U×U
其实0.4 KV电容Kvar换算uf乘以系数就好，误差也不大，系数为20
片式叠层陶瓷电容的容量计算公式
片式叠层陶瓷电容的容量计算公式片式叠层陶瓷电容器（MLCC），简称片式叠层电容器（或进一步简称为CBB大电容贴片电容器），是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器，片式叠层陶瓷电容器是一个多层叠合的结构，其实质是由多个简单平行板电容器的并联体。
因此，该电容器的电容量计算公式为：C=NKA／t式中，C为电容量；N为电极层数；K为介电常数（俗称K值）；A为相对电极覆盖面积；t为电极间距（介质厚度）。
由此式可见，为了实现片式叠层陶瓷电容器大容量和小体积的要求。
只要增大N （增加层数）便可增大电容量。
当然采用高K值材料（降低稳定性能）、增加A（增大体积）和减小t（降低电压耐受能力）也是可以采取的办法。
这里特别说一说介电常数K值，它取决于电容器中填充介质的陶瓷材料。
电容器使用的环境温度、工作电压和频率、以及工作的时间（长期工作的稳定性）等对不同的介质会有不同的影响，通常介电常数（K值）越大，稳定性、可靠性和耐用性能越差。
常用的陶瓷介质的主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。
其特点是介质系数较大、介质损耗低、温度系数小、环境温度适用范围广和高频特性好，用在要求较高的场合（I类瓷介电容器）中。
另一类是低频高介材料称为强介铁电陶瓷，常用作Ⅱ类瓷介电容器的介质，一般以BaTiO3为主体的铁电陶瓷，其特点是介电系数特别高，达到数千，甚至上万；但是介电系数随温度呈非线性变化，介电常数随施加的外电场也有非线性关系。
贴片电容器目前最常用的多层陶瓷电容器介质有三个类型：COG或NPO是超稳定材料，K值为10～100；X7R是较稳定的材料，K值为2000～4000；Y5V或Z5U为一般用途的材料，K 值为5000～25000。
在我国的标准里则分为I类陶瓷（CC4和CC41）及Ⅱ类陶瓷（CT4和CT41）两种。
安规贴片电容的参数及作用
电系数随温度呈非线性变化，介电常数随施加的外电场也有非线性关系。
目前最常用的多层陶瓷电容器介质有三个类型：COG或NPO是超稳定材料，K值为10～ 100；X7R是较稳定的材料，K值为2000～4000；Y5V或Z5U为一般用途的材料，K值为 5000～25000。在我国的标准里则分为I类陶瓷（CC4和CC41）及Ⅱ类陶瓷（CT4和CT41） 两种。上述材料中，COG和NPO为超稳定材料，在-55℃～+125℃范围内电容器的容量 变化不超过±30ppm／℃。
②为了适应某些电子整机（如军用通信设备）的发展，高耐压、大电流、大功率、 超高Q值、低ESR型的中高压CBB大电容贴片电容器也是目前的一个重要的发展方向。
③为了适应线路高度集成化的要求，多功能复合CBB大电容贴片电容器正成为技 术研究热点。
1片式叠层陶瓷介质电容器 在CBB大电容贴片电容器里用得最多的是片式叠层陶瓷介质电容器。 片式叠层陶瓷电容器（MLCC），简称片式叠层电容器（或进一步简称为CBB大电容贴 片电容器），是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过
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安规贴片电容的参数及作用
CBB大电容贴片电容具有容量大，体积小，容易片式化等特点，是当今移动通信设 备、计算机板卡以及家电遥控器中使用最多的元件之一。为了满足电子设备的整机向
小型化、大容量化、高可靠性的需要，CBB大电容贴片电容本身也在迅速地发展：种
类不断增加，体积不断缩小，性能不断提高。
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此外，CBB大电容贴片电容还在朝着多元化的方向发展： ①为了适应便携式通信工具的需求，CBB大电容贴片电容器正向低电压、大容量、 超小和超薄的方向发展。
CBB大电容贴片电容及其应用
CBB大电容贴片电容及其应用CBB大电容贴片电容具有容量大，体积小，容易片式化等特点，是当今移动通信设备、计算机板卡以及家电遥控器中使用最多的元件之一。
为了满足电子设备的整机向小型化、大容量化、高可靠性和低成本方向发展的需要，CBB大电容贴片电容本身也在迅速地发展：种类不断增加，体积不断缩小，性能不断提高，技术不断进步，材料不断更新，轻薄短小系列产品已趋向于标准化和通用化。
其应用正逐步由消费类设备向投资类设备渗透和发展。
此外，CBB大电容贴片电容还在朝着多元化的方向发展：①为了适应便携式通信工具的需求，CBB大电容贴片电容器正向低电压、大容量、超小和超薄的方向发展。
②为了适应某些电子整机（如军用通信设备）的发展，高耐压、大电流、大功率、超高Q值、低ESR 型的中高压CBB大电容贴片电容器也是目前的一个重要的发展方向。
③为了适应线路高度集成化的要求，多功能复合CBB大电容贴片电容器正成为技术研究热点。
1片式叠层陶瓷介质电容器在CBB大电容贴片电容器里用得最多的是片式叠层陶瓷介质电容器。
片式叠层陶瓷电容器（MLCC），简称片式叠层电容器（或进一步简称为CBB大电容贴片电容器），是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器，片式叠层陶瓷电容器是一个多层叠合的结构，其实质是由多个简单平行板电容器的并联体。
因此，该电容器的电容量计算公式为C=NKA／t式中，C为电容量；N为电极层数；K为介电常数（俗称K值）；A为相对电极覆盖面积；t为电极间距（介质厚度）。
由此式可见，为了实现片式叠层陶瓷电容器大容量和小体积的要求。
只要增大N（增加层数）便可增大电容量。
当然采用高K值材料（降低稳定性能）、增加A（增大体积）和减小t（降低电压耐受能力）也是可以采取的办法。
这里特别说一说介电常数K值，它取决于电容器中填充介质的陶瓷材料。
电容计算公式-电容的所有公式
电容计算公式:电容的所有公式基本概念电容（Capacitance）亦称作“电容量”，是指在给定电位差下的电荷储藏量，记为C，国际单位是法拉（F）。
一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。
电容是指容纳电场的能力。
任何静电场都是由许多个电容组成，有静电场就有电容，电容是用静电场描述的。
一般认为：孤立导体与无穷远处构成电容，导体接地等效于接到无穷远处，并与大地连接成整体。
电容（或称电容量）是表现电容器容纳电荷本领的物理量。
电容从物理学上讲，它是一种静态电荷存储介质，可能电荷会永久存在，这是它的特征，它的用途较广，它是电子、电力领域中不可缺少的电子元。
主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中。
、定义：电容器所带电量Q与电容器两极间的电压U的比值，叫电容器的电容。
在电路学里，给定电势差，电容器储存电荷的能力，称为电容（capacitance），标记为C。
采用国际单位制，电容的单位是法拉（farad），标记为F。
电容的符号是C。
C=εS/d=εS/4πkd（真空）=Q/U计算公式：一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法拉，即：C=Q/U 。
但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即电容的决定式为：C=εS/4πkd 。
其中，ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。
常见的平行板电容器，电容为C=εS/d（ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离）。
定义式：电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2=QU/2=Q^2/2C多电容器并联计算公式：C=C1+C2+C3+…+Cn多电容器串联计算公式：1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn三电容器串联：C=（C1*C2*C3）/（C1*C2+C2*C3+C1*C3）单位及转换在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F，由于法拉这个单位太大，所以常用的电容单位有毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）等，换算关系是：1法拉（F）=1000毫法（mF）=1000000微法（μF）1微法（μF）=1000纳法（nF）=1000000皮法（pF）。
MLCC电气特性与选型指导
众所周知，MLCC-英文全称multi-layer ceramic capacitor，就是我们常说的片式多层陶瓷电容器，其以工作温度范围宽,耐高压，微小型化，片式化适合自动化贴装等优点，广泛应用于工业，医疗，通信，航空航天，军工等领域，在电子产品日益小型化及多功能化的趋势下，MLCC成为电容器产业的主流产品。
目前全球主要MLCC厂家主要分布于日本，欧美，韩国和台湾，其中日本企业包括村田，TDK，太阳诱电和日本京瓷等。
欧美主要由Syfer Novacap johson等，韩国三星、台湾国巨及华新科技近年来不断扩大生产规模，也是全球主要的 MLCC 生产商。
而国内的厂家则主要有风华高科，深圳宇阳，潮州三环等。
日本，韩国等地的部分MLCC厂家也在国内成立了独资或合资企业如，厦门- TDK 、天津-三星、上海-京瓷、苏州-国巨、Syfer、无锡-村田等。
鉴于MLCC应用领域越来越广泛,生产厂家及产品系列的越发多样性.其可靠性,选型及应用的问题受到设计工程师及生产工艺人员的重视,因此对MLCC电气特性和生产工艺的深刻认识,是正确选用MLCC的必要条件.多层陶瓷电容器的基本结构如图所示,电容量由公式C=NKA/T计算出（N为层数，K为介电常数，A为正对面积，T是两极板间距）,从理论上来讲电极层数越多,介质常数和相对电极覆盖面积越大,电极间距越小,所制作出的电容容量则越大,然而, MLCC的工艺限制及介质的非理想特性决定了电容在容量,体积,耐压强度间的相互制约关系.这里稍微简单介绍下电容量的国际标称法,尽管各个厂家所生产的电容型号不一,但是在容量的表示方法上越来越多厂商使用国际标称法,即用三位数来表示电容量,前两位前二位数为有效值，第三位数为“0”的个数单位为pF,如1μF=1000nF=1000000pF 简化表示为105而小于10pF容值表示在在整数后加“R或P”如：4.7pF=4R7或4p7.陶瓷介质作为MLCC组成部分之一,对电容的相关参数有着重要影响,国际上一般以陶瓷介质的温度系数作为主要分类依据.1类陶瓷,EIA称之为C0G或NP0. 工作温度范围-55～+125℃，容量变化不超过±30ppm/ ℃.电容温度变化时，容值很稳定. 二类陶瓷则包括了我们常见的X7R,Z5U,Y5V,这些标称的依据是根据右图的表格所制定的,如X7R表示温度下限为-55℃;上限温度为+125℃,在工作温度范围内,容量最大变化为+-15%.右下图显示了不同介质的温度特性曲线。
片式叠层陶瓷电容器(MLCC)
国标与EIA标准
如美国EIA标准的Y5V瓷料、Z5U瓷料 、 X7R瓷料电容器瓷料分别对应国标 GB/T5596-1996标准的2F4瓷料、2E4瓷 料、 ZX1瓷料，其Tc值分别对应： +22%～-82%、+22%～-56%、±15%， 这是目前在低频MLCC领域使用最为广 泛的三种低频温度特性类别电容器瓷料。
乙基纤维素 丙烯酸树脂
20
配料-瓷浆中各种组分的作用
溶剂
作用：溶解黏合剂、添加剂并且辅助瓷 粉与黏合剂更好地混合 常用的溶剂：甲苯（不环保）、无水乙 醇、水、甲基乙基酮（MEK）、醋酸乙 酯等
21
配料-瓷浆中各种组分的作用
分散剂与消泡剂
分散剂具有润湿、分散和稳定的功能 消泡剂具有消泡和抑泡的作用。在 MLCC中一般使用有机硅消泡剂。
23
气泡的产生与消泡（续）
有机硅消泡剂即赋此功能，它能降低水、溶 液、悬浮液等的表面张力，防止形成泡沫， 或使原有泡沫减少 当体系加入消泡剂后，其分子杂乱无章地广 布于液体表面，抑制形成弹性膜，即终止泡 沫的产生。
24
分散设备
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球磨机与节能
球磨机是陶瓷行业中耗能较大的一环 球磨机研磨介质质量 新型球磨工艺 连续式球磨机(节省20%以上的能量、一台 产量相当于7台间隔式机，节省占地面积) 干法球磨
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降低介质厚度(续)
在介质薄片成型方面能否有所突破,能制 备出更薄的介质片(超过1微米极限),能生 产出容量更大的MLCC? 请各位同学思考!也许你今天的想法就是 明天制作技术发展的方向!
没有你做不到的，只有你想不到的。
33
电容容量计算公式
电容容量计算公式
电容容量计算公式
电容容量计算公式是电子领域中常用的一种计算方法，它可以帮助我们精确地计算出电容容量值。
电容容量是指电容中能存储电荷的量，它是电容器的重要参数，用于计算电容器的电容量、最大电压和最大电流等。
确定电容容量的公式是：C = Q/V，其中C表示电容容量，Q表示电荷量，V表示电压。
因此，通过这个公式，我们可以计算出电容容量的值。
一般情况下，电容容量是以英法为单位计算的，即1英法（F）=1千分（KF）=1000微法（μF）。
电容容量的计算要求电容器必须处于稳定的电压状态，即电压不会发生变化，否则会影响电容容量的准确性。
此外，电容容量的计算也受到环境温度的影响，当环境温度变化时，电容容量也会发生变化。
因此，要想准确计算电容容量，必须考虑到环境温度的因素。
总之，电容容量计算公式是电子领域中常用的计算方法，它可以帮助我们精确地计算出电容容量值，但在计算过程中，要注意电容器的电压状态和环境温度，以确保计算结果的准确性。
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片式叠层陶瓷电容的容量计算公式
片式叠层陶瓷电容器（MLCC），简称片式叠层电容器（或进一步简称为CBB大电容贴片电容器），是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器，片式叠层陶瓷电容器是一个多层叠合的结构，其实质是由多个简单平行板电容器的并联体。
因此，该电容器的电容量计算公式为：C=NKA／t
式中，C为电容量；N为电极层数；K为介电常数（俗称K值）；A为相对电极覆盖面积；t为电极间距（介质厚度）。
由此式可见，为了实现片式叠层陶瓷电容器大容量和小体积的要求。
只要增大N （增加层数）便可增大电容量。
当然采用高K值材料（降低稳定性能）、增加A（增大体积）和减小t（降低电压耐受能力）也是可以采取的办法。
这里特别说一说介电常数K值，它取决于电容器中填充介质的陶瓷材料。
电容器使用的环境温度、工作电压和频率、以及工作的时间（长期工作的稳定性）等对不同的介质会有不同的影响，通常介电常数（K值）越大，稳定性、可靠性和耐用性能越差。
常用的陶瓷介质的主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。
其特点是介质系数较大、介质损耗低、温度系数小、环境温度适用范围广和高频特性好，用在要求较高的场合（I类瓷介电容器）中。
另一类是低频高介材料称为强介铁电陶瓷，常用作Ⅱ类瓷介电容器的介质，一般以BaTiO3为主体的铁电陶瓷，其特点是介电系数特别高，达到数千，甚至上万；但是介电系数随温度呈非线性变化，介电常数随施加的外电场也有非线性关系。
贴片电容器
目前最常用的多层陶瓷电容器介质有三个类型：COG或NPO是超稳定材料，K值为10～100；X7R是较稳定的材料，K值为2000～4000；Y5V或Z5U为一般用途的材料，K 值为5000～25000。
在我国的标准里则分为I类陶瓷（CC4和CC41）及Ⅱ类陶瓷（CT4和CT41）两种。
上述材料中，COG和NPO为超稳定材料，在-55℃～+125℃范围内电容器的容量变化不超过±30ppm。