第四讲 基本逻辑门版图设计
最新基本逻辑门电路及符号..PPT课件

17.03.2021
9
2. 逻辑状态赋值 在数字电路中,用逻辑0和逻辑1分别表示输入、
输出高电平和低电平的过程称为逻辑赋值。 经过逻辑赋值之后可以得到逻辑电路的真值表,
便于进行逻辑分析。
17.03.2021
10
4. 非门(反相器)
1. 电路
非门 (a) 电路 (b)逻辑符号
17.03.2021
2. 工作原理
9 循环移位指令执行后结果(注意左/右、是否带 CF及移位次数);
10 CMP指令执行后,结果及状态如何?
二、填空题(每空1分,共20分)
1 CPU内部结构(EU与BIU);
2 基本总线周期长度(T1、T2、T3、TW*、T4); 3 M分类,M存储单元最大数;
4 CPU与I/O接口之间交换信息种类,它们进入 CPU是通过AB/DB/CB中哪种总线?数据信号 分类,I/O端口最大数;
集成门电路:把构成门电路的元器件和连线都
制作在一块半导体芯片上,再封装起来,便构成了
集成门电路。现在使用最多的是CMOS和TTL集成门
电路。 17.03.2021
2
1. 二极管与门电路
1. 电路
2. 工作原理
A、B为输入信号 (+3V或0V)
F 为输出信号 VCC=+12V
表2-1 电路输入与输出电压的关系
若在内存缓冲区中有一个数据块,起始地址为BLOCK,数据块中 的数据有正负,要求把其中的正负数分开,分别送至同一段的两个缓 冲区,存放正、负数的起始地址分别为PLUS、MINUS.
START: MOV SI, OFFSET BLOCK MOV DI, OFFSET PLUS MOV BX,OFFSET MINUS MOV CX,COUNT
门电路及组合逻辑电路ppt课件.ppt

用四位自然二进制码中的前十个码字来表示十进制数码, 因各位的权值依次为8、4、2、1,故称8421码。
2421码的权值依次为2、4、2、1;余3码由8421码加0011 得到;格雷码是一种循环码,其特点是任何相邻的两个码字, 仅有一位代码不同,其它位相同。
即:(5555)10=5×103 +5×102+5×101+5×100 又如:(209.04)10= 2×102 +0×101+9×100+0×10-1+4 ×10-2
(1)数制:二进制
数码为:0、1;基数是2。 运算规律:逢二进一,即:1+1=10。 二进制数的权展开式: 如:(101.01)2= 1×22 +0×21+1×20+0×2-1+1 ×2-2
A
&
B
≥1 &
C
&
D
(a) 与或非门的构成
A
FB C
& ≥1 F
D
(b) 与或非门的符号
F AB CD
4、异或
异或是一种二变量逻辑运算,当两个变量取值相同时, 逻辑函数值为0;当两个变量取值不同时,逻辑函数值为1。
异或的逻辑表达式为: L A B
“异或”真值
表 输入
输出
A
B
L
A
=1
0
0
0
0
常用 BCD 码
十进制数 8421 码 余 3 码 格雷码 2421 码
0
0000 0011 0000 0000
1
0001 0100 0001 0001
2
0010 0101 0011 0010
《逻辑门电路 》课件

符号表示:通常用"NAND"表 示
真值表:列出所有输入和输出 组合的真值表
应用:常用于实现逻辑运算, 如与、或、非等
逻辑功能:输入全为1时输出为0,其他情况输出为1 符号表示:输入端A、B,输出端Y 真值表:列出所有输入输出组合及其对应的输出值 应用:用于实现逻辑运算、控制电路等
实现逻辑运算:与、或、非等 基本逻辑运算
控制信号:控制电路的通断、 开关等
数据处理:处理二进制数据, 实现数据传输、存储等
构建复杂电路:通过组合逻辑 门电路,构建更复杂的电路系 统
PART THREE
功能:实现逻辑与 运算
输入:两个输入信 号
输出:一个输出信 号
真值表:当两个输 入信号均为1时, 输出为1;否则输 出为0。
低功耗技术的挑 战与机遇
低功耗技术的未 来展望
人工智能:逻辑门电路是实现人工智能的关键技术之一,未来将在智能机器人、智能语音识别等领域发挥重要作 用。
物联网:逻辑门电路是实现物联网的关键技术之一,未来将在智能家居、智能交通等领域发挥重要作用。
量子计算:逻辑门电路是实现量子计算的关键技术之一,未来将在量子通信、量子加密等领域发挥重要作用。
生物科技:逻辑门电路是实现生物科技的关键技术之一,未来将在基因编辑、生物制药等领域发挥重要作用。
汇报人:
小型化趋势:随着半导 体技术的发展,逻辑门 电路的尺寸越来越小, 提高了集成度和性能
技术挑战:如何实现 更高集成度和更小尺 寸的逻辑门电路,同 时保证性能和可靠性
应用前景:随着物联 网、人工智能等新兴 技术的发展,逻辑门 电路的集成化和小型 化将更加重要。
低功耗技术在逻 辑门电路中的应 用
05第四讲ASIC的版图设计方法

2/38
一、全定制设计方法
Full-Custom Design Approach
以人工设计为主 计算机作为绘图与规则检查工具起辅助作用
– 元器件, 最佳尺寸(性能、驱动力、面积) – 拓扑结构, 要有最合理的布局(面积) – 连线, 要寻找到最短路径(延时)
全定制设计IC的特点
– 设计成本高(人工慢、上市时间长) – 制造成本低(面积小) – 性能好(连线短)
• 所有的库单元在入库时都必须进行严格的设计规 则检查和电连接性检查, 确保其万无一失的正确性 和可靠性。
2021/8/22
浙大微电子
33/38
库单元设计中需要注意的地方
1. 单元最上端布以贯穿整个单元的铝线, 作为电源线VDD, 单元最下端布以贯穿整个单元的铝线, 作为地线VSS, 这样在单元拼接时, 电源线和地线就以可以直接分别相连
2021/8/22
浙大微电子
31/38
库单元三种描述方式的意义
• 单元的逻辑符号用以建立逻辑图 • 单元的拓扑版图描述单元版图的外形尺寸、
输入/输出的位置 • 为使单元之间的连线都处于布线通道之内,
单元本身的I/O口必须处于单元的上下两排 • 单元的掩膜版图才是最终的有效制版信息 • 注意每种单元的三种描述之间名称要一一
– 在设计者力所能及的情况下( 时间与正确性的把握)
2021/8/22
浙大微电子
4/38
64路PDP显示扫描驱动芯片
洪慧博士生(2002.9-2007.9)
2021/8/22
浙大微电子
5/38
18 bit 音频 ADC 版图
马绍宇博士生(2003.9-2008.10)
2021/8/22
逻辑门ppt课件

.
6
2.1.2 或门
实现“或”运算的电路称为或逻辑门,简称或门 。 逻辑或运算可用开关电路中两个开关相并联的例子
来说明
A
B
F AB
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
1
.
7
“或”运算的逻辑表达式为: F = A+B “或”运算真值表 :
第二章 逻辑门
内容提要:
(1)数字电路的基本逻辑单元——门电路,及其
对应的逻辑运算与图形描述符号 。 (2)三态逻辑门和集电极开路输出门 。 (3)TTL集成门的逻辑功能、外特性和性能参数 。 (4)CMOS集成门的逻辑功能、外特性和性能参数。
.
1
2.1 基本逻辑门
主要内容:
▪ 与、或、非三种基本逻辑运算 ▪ 与、或、非三种基本逻辑门的逻辑功能 ▪ 逻辑门真值表的列法 ▪ 画各种逻辑门电路的输出波形
“拉电流”工作状态 : “灌电流”工作状态:
扇入系数:指一个门电路所能允许的输入端个数。
扇出系数:一个门电路所能驱动的同类门电路输入 端的最大数目。
扇出系数的计算公式为:
扇出系数IOH或IOL
IIH . IIL
32
.
33
“异或”门真值表 :
A
B
F AB
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
0
.
17
2.2.3 同或门
“异或”运算之后再进行“非”运算,则称为“同 或”运算。实现“同或”逻辑运算的逻辑电路称为 同或门。
组合逻辑设计设计基本逻辑门电子技术

组合规律设计-设计基本规律门 - 电子技术1.设计构思设计构思:将基本的规律门电路(非门、2输入与门、2输入或门、3输入与非门、2输入或非门、2输入异或门)集成在一片PAL器件上,构成组合规律电路,以节省空间和成本;六个单独的规律功能,有12个输入端,6个输出端,其基本的规律门为图1;当谈及“高电平有效”或“低电平有效“时,即表明在器件的的输出端是否有一个附加的反向器(非门)。
如高电平有效的器件具有“与-或”结构,而低电平有效的器件具有“与-或-非”结构“高电平有效”或“低电平有效“器件的结构差异基本规律门管脚定义输入端输出端 A B C、D E F、G H I、J、K L M、N O P、Q R2.建立布尔方程反向器:B = /A (1)与门: E = C * D (2)或门: H = F (PAL器件实现的规律具有“积之和”,一般每个乘积项放一行)+ G (3)与非门:L = /(I * J * K) = /I + /J + /K = /I+ /J+ /K (4)或非门:O = /(M + N) = /M * /N (5)异或门:R = P : +: Q = P * /Q+ /P * Q (6)符号“ : +: ”表示“异或”操作12个输入端、6个输出端;10个乘积项3.器件的选择理解规律图在PAL器件中,每个输入量都以“原”和“反”两种形式供应;“乘积项”又叫“与”门。
由于“与”门的输入端可能有很多,画起来比较麻烦。
因此,“乘积项”常用带有“与”门的水平线表示;“输入线”在规律图中是一些垂直线,它们是由输入量驱动的,直接连至“乘积项”。
PAL器件的选择PAL12H6有12个输入端(1-12脚)和6个输出端,其中四个输出端(引脚14-17)有2个“乘积项”连到“或“门,而引脚13和18的输出端有4个“乘积项”连到“或”门,因此引脚13和18可用来实现比其它4个输出引脚更简单的规律功能。
输入的“原”和“反”、“乘积项”和“输入线”的表示尽管在设计时不必关怀这些功能在PAL器件内的具体实现形式,但设计者或许想知道.下图表示了反相器和“与”门在PALl2H6是怎样实现的。
第四讲 基本逻辑门版图设计

5. 有源区的图形(与多晶硅交叠处除外)和N+注 入区交集处即形成N+有源区, N+注入区比所交 有源区要大些。
6. 两层半布线 金属,多晶硅可做连线,所注入的有源区也是 导体,可做短连线(方块电阻大)。三层布线 之间,多晶硅和注入有源区不能相交布线,因 为相交处形成了晶体管,使得注入有源区连线 断开。
25
如何画版图 -------用反相器为例说明
26
如何画版图 -------用反相器为例说明
27
如何画版图 -------用反相器为例说明
28
29
30
须解释的问题:
1. 有源区和场区是互补的,晶体管做在有源区处, 金属和多晶连线多做在场区上。 2. 有源区和P+,N+注入区的关系:有源区即无场氧 化层,在这区域中可做N型和P型各种晶体管,此 区一次形成。 3. 至于以后何处是NMOS晶体管,何处是PMOS晶 体管,要由P+注入区和N+注入区那次光刻决定。 4. 有源区的图形(与多晶硅交叠处除外)和P+注 入区交集处即形成P+有源区, P+注入区比所交有 源区要大些。
32
7. 三层半布线 金属1,金属2 ,多晶硅可做连线,所注 入的有源区也是导体,可做短连线(方 块电阻大)。四层线之间,多晶硅和注 入有源区不能相交布线,因为相交处形 成了晶体管,使得注入有源区连线断开。
33
第四讲:基本逻辑门版图设计
1
基本逻辑门的版图设计
2
VDD
IN
OUT
VSS
3
ห้องสมุดไป่ตู้
或非门版图设计:
4
M
VSS
M
VSS
逻辑门电路ppt课件

第3章 逻辑门电路
3.2.1 TTL系列门电路 ◆ TTL(晶体管—晶体管逻辑)门电路只制成单片集成电路。输入级由多发射极晶体管构成, 输出级由推挽电路(功率输出电路)构成。标准TTL与非门如下图所示。
◆ 标准TTL与非门
◆ 电路工作原理
1. 电路组成 2. 逻辑关系 当当3一个个发发射射极极都或接3高个电发平射(极A都、接B、低C电都平 接导通(定U通,+B工A25≈(则、V作0).有倒B2在V、时置饱,C,工接和晶T作地导体1的状)通 管集态,状T电2)多态必结至发,定处使射其截于T极集止正2晶电,、向体使极T偏4管T电饱置3T饱压和而1一和导 导U通B4,≈0而.7VT,4截U止CE,S2≈输0出.2V端L 为高电平。 UB3≈0.9V,T3截止,UL≈0
带灌电流负载特性:与非门输出uO为低电平 时,带灌电流负载。当输入都为高电平时, 与非门的V2、V5饱和导通,输出uO为低电平 UOL,这时,各个外接负载门的输入低电平电 流都流入(即灌入)V5的集电极,形成了输 出低电平电流。当外接负载门的个数增加时, 流入V5集电极的电流随之增大,输出低电平 稍有上升,只要不超过输出低电平允许的上 限值,与非门的正常逻辑功能就不会被破坏。 设与非门输出低电平时,允许V5最大集电极 电流为IOL(max),每个负载门输入低电 平电流为IIL时,则输出端外接灌电流负载 门的个数NOL为。NOL=IOL(max)/IIL
第3章 逻辑门电路
第3章 逻辑门电路
一、学习目的
逻辑门电路是构成数字电路的基本单元。要从内部结构上认识了解逻辑门电路的基本构造和性能 特点,了解逻辑门电路的逻辑关系用分立元件是如何实现的,了解集成门电路的分类和各类集成 逻辑门电路的工作特点及主要参数。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
1
基本逻辑门的版图设计
2
VDD
IN
OUT
VSS
3
或非门版图设计:
4
M
VSS
M
VSS
M
VSS
M
M
VSS
VSS
MVLeabharlann S5棒形图6
7
8
与非门
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
如何画版图 -------用反相器为例说明
32
7. 三层半布线 金属1,金属2 ,多晶硅可做连线,所注 入的有源区也是导体,可做短连线(方 块电阻大)。四层线之间,多晶硅和注 入有源区不能相交布线,因为相交处形 成了晶体管,使得注入有源区连线断开。
33
31
5. 有源区的图形(与多晶硅交叠处除外)和N+注 入区交集处即形成N+有源区, N+注入区比所交 有源区要大些。
6. 两层半布线 金属,多晶硅可做连线,所注入的有源区也是 导体,可做短连线(方块电阻大)。三层布线 之间,多晶硅和注入有源区不能相交布线,因 为相交处形成了晶体管,使得注入有源区连线 断开。
25
如何画版图 -------用反相器为例说明
26
如何画版图 -------用反相器为例说明
27
如何画版图 -------用反相器为例说明
28
29
30
须解释的问题:
1. 有源区和场区是互补的,晶体管做在有源区处, 金属和多晶连线多做在场区上。 2. 有源区和P+,N+注入区的关系:有源区即无场氧 化层,在这区域中可做N型和P型各种晶体管,此 区一次形成。 3. 至于以后何处是NMOS晶体管,何处是PMOS晶 体管,要由P+注入区和N+注入区那次光刻决定。 4. 有源区的图形(与多晶硅交叠处除外)和P+注 入区交集处即形成P+有源区, P+注入区比所交有 源区要大些。