阵列天线分析与综合_6

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第2章__天线阵的分析与综合(2)

第2章__天线阵的分析与综合(2)

第2章 天线阵的分析与综合
②并排平行排列的两个振子之间的互阻抗的变化幅度比 共轴排列的要大些,说明前者的互耦要强些。 ③互阻抗的实部R12有正有负,它表示另一根振子在这根 振子上附加的感应电动势源而产生的;而自辐射阻抗的 实部为大于零的正数,它表示振子单独存在时全部辐射 的有功功率均由它吸收。 【例2.1】如图为两种情况的半波振子二元阵,查表计算 各振子的辐射阻抗Zr1和Zr2。 解:已知半波振子的自阻抗为
第2章 天线阵的分析与综合
E z1 2 j4 I2 m [e R j 1 R 1 e R j 2 R 2 2 c o s (l)e r jr]
在如图z´坐标系下,式中
(2.3.27)
r d 2 (z H )2
R1 d 2 (z H l)2
R2 d 2 ( z H l)2
【例2―4―1】 计算架设在理想导电平面上的水平 二元半波振子阵的H平面方向图、辐射阻抗以及方 向系数。Im2=Im1e-jπ/2,二元阵的间隔距离d=λ/4, 天线阵的架高H=λ/2。 z
r
I1
4
I2
x
I 1
4
图2―4―5
H= 2
= ∞
y
H

2
I 2
H平面坐标图
第2章 天线阵的分析与综合

Z12R12jX12
(2.3.29)
R 1 2 1 5 s i n ( w 0 ) [ 2 S i ( w 1 ) 2 S i ( w 1 ) S i ( w 2 ) S i ( w 2 ) S i ( w 3 ) S i ( w 3 ) ]
c o s ( w 0 ) [ 2 C i ( w 1 ) 2 C i ( w 1 ) C i ( w 2 ) C i ( w 2 ) C i ( w 3 ) C i ( w 3 ) ]

阵列天线分析与综合复习2

阵列天线分析与综合复习2

阵列天线分析与综合复习第一章 直线阵列的分析1. 阵列天线的分析是指:在知道阵列的四个参数(单元总数,各单元的空间分布,激烈幅度和激烈相位)的情况下确定阵列的辐射特性(方向图,方向性系数,半功率波瓣宽度,副瓣电平等) 阵列天线的综合是指:在已知阵列辐射特性的情况下,确定阵列的四个参数。

2. 能导出均匀直线阵列的阵因子函数sin(/2)()cos sin(/2)Nu S u u kd u βα==+(1) 平行振子直线阵,振子轴为z 轴方向,沿x 排列时,阵轴与射线之间的夹角为cos cos sin x βϕθ= ;沿y 轴排列时,cos sin sin y βϕθ=。

(2) 共轴振子线阵,一般设阵轴为z 轴,此时cos cos z βθ=(3) 什么是均匀直线式侧射阵(各单元等幅同相激烈,等间距最大指向/2θπ=)■沿x 轴并排排列,振子轴为z 轴的半波振子直线阵,侧射时的最大指向为y 轴方向■沿z 轴排列的共轴振子直线阵,侧射时的最大指向在xy 平面上■并能导出激励幅度不均匀、间距不均匀、相位非均匀递变的直线阵阵因子 3. 均匀侧射阵和端射阵(1) 什么是均匀侧射阵和端射阵,他们的阵因子表示是什么? (2) 最大辐射方向及最大值。

max 0cos m S NI kd αβ=⎧⎪⎨=⎪⎩0/2m m αβπαβ=⎧⎨±=⎩侧射=端射=kd(3) 抑制栅瓣条件:1cos md λβ<+ /2d d λλ<⎧⎨<⎩侧射端射(4) 零点位置:cos cos /on m n Nd ββλ=±(5)主瓣零点宽度:()2/()bo bo BW Nd BW λ=⎧⎪⎨=⎪⎩侧射阵端射阵(6) 半功率波瓣宽度侧射阵:o ()51/()0.886/()h BW Nd Nd rad λλ==端射阵:o ()()()h BW rad ==扫描阵:o ()51()sin h mBW Nd λβ=(7) 副瓣电平能证明均匀直线阵的副瓣电平13.5SLL dB =-。

阵列天线PPT课件

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.
35
N元非等幅均匀阵列
• 阵因子比较 • 二项式分布阵列 • 多尔夫-切比雪夫多项式阵列 • 泰勒分布阵列
.
36
N元非等幅均匀阵列
• 阵因子比较 • 二项式分布阵列 • 多尔夫-切比雪夫多项式阵列 • 泰勒分布阵列
.
37
阵因子
• 均匀幅值阵列具有最小的半功率波束宽度 • 二项式分布幅值阵列能够实现最小的副瓣电平 • 二项式分布幅值阵列单元间距小于半波长时,副瓣
.
N元等幅均匀线阵
求解最大值点:
阵列存在唯一的一个最大值点,即m=0 求解阵因子的3dB波束点:
.
线阵实例 1: 侧射阵
• 波束最大指向θ0=90°(线阵沿Z轴),当单元 的波束最大指向和阵因子的最大波束指向均指向 θ0=90°时,便可达到最佳的侧射阵。 • 对于单元天线的波束指向要求,可以通过选择 合适的辐射单元来满足要求 • 对于阵因子的波束指向要求,可以通过合理的 调整阵列单元间的间距、每个单元的相位激励实 现。
.
N元非等幅均匀阵列
• 阵因子比较 • 二项式分布阵列 • 多尔夫-切比雪夫多项式泰勒线阵—线源激励计算
线源激励幅度的分布为
i1
Ii (p)12 Sn(m)com s()p m1
1
m0
Sn(m)=(i1[m (i )1!(i)!]21m)!ii1112A2m (2i12)2 0mi
➢在每个天线单元的馈端 以及电缆的公共馈端处各 接入一个开关 ➢控制联动开关可使波束 从边射移到45°方向
.
相控阵
➢ 每个阵列单元都有移相器和衰减器,所有馈电 电缆都布置成等长度的组合结构
.
相控阵
➢端馈相控阵也需要逐个单元配有移相器和衰减 器,由于在单元之间引入了递进的相位移,随着 频率的变化,在额定的相位移之外,还需要附加 相反的相位变化作为补偿

王健阵列天线讲义3

王健阵列天线讲义3

2.1.2 切比雪夫多项式
切比雪夫多项式是如下二阶微分方程的解 d 2Tm dT (1 − x ) 2 − x m + m 2Tm = 0 dx dx
2
(2.1) (2.2) (2.3)
令 则上式可简化为: 其两个解分别是 和
x = cos u
d 2Tm + m 2Tm = 0 2 du
Tm ( x ) = cos( mu ) = cos( m cos −1 x ) , Tm ( x ) = sin( mu ) = sin( m cos −1 x )
■基本步骤:
(1) 根据单元数 N 的奇偶选择阵因子 Sodd (u ) 或 Seven (u ) ; (2) 展开阵因子中的每一项,使其只含 cos(u ) 的形式; (3) 由分贝表示的主副瓣比 R0 dB 换算成无量纲形式 R0 = 10 TN −1 ( x0 ) = R0
←右半单元 ←左半单元
= I1e
1 − j ( kd cosθ +α ) 2
+ I 2e
3 − j ( kd cosθ +α ) 2
+ IM e
= 2∑ I n cos[
n =1
M
2n − 1 ( kd cos θ + α )] 2
(2.13)
令u =
πd α (cosθ − cosθ 0 ) ,而 cosθ 0 = − ,去掉因子 2,得归一化阵因子 λ kd
…… …… ……
上面给出的切比雪夫多项式只适用于 | x |≤ 1 的范围。当 | x |> 1 时,要满足
x = cos u ,则 u 必须是一个纯虚数,即 u = jv (v 为实数)。此时

阵列天线分析与综合_7

阵列天线分析与综合_7

b2
N
⎥ ⎥
""⎥
⎢⎣bN1
bN 2
"
bNN
⎥ ⎦
∫ ∫ blm
=
1 2
π 0
el
⋅ em*
sinθ dθ
=
1 2
π e jk ( zm − zl ) cosθ sinθ dθ
0
=
sin k(zm − zl ) k(zm − zl )
=
⎧1 ⎩⎨0
, ,
l=m l≠m
(4.11) (4.12)
blm 为实数,显然满足 blm = bm* l ,则矩阵[B]也为厄米(Hermite)矩阵。 矩阵[A]和矩阵[B]主要取决于单元间相对位置,因此称它们为结构矩阵。把
[e]
=
⎢⎢1⎥⎥ ⎢# ⎥

[ A]
=
[e][e]+
=
⎢⎢1 ⎢
1" "
1⎥⎥ ⎥

⎢⎣1⎥⎦
⎢⎣1 1 " 1⎥⎦
blm
=
sin k(zm − zl k(zm − zl )
)
=
sin[(m − l)π (m − l)π
]
=
⎧1 ⎨⎩ 0
, ,
l=m l≠m
得本征值方程 (1 − p) 1 1 (1 − p)
4.1.1 线阵方向图函数的矩阵表示
一个单元数为 N,间距和激励为任意的线阵辐射场方向图函数可写作
N
∑ E(θ ,ϕ ) = f (θ ,ϕ )
I e e jαn jkzn cosθ n
n=1
(4.5)
式中, f (θ ,ϕ ) 为单元方向图函数,为简化分析,设 f (θ ,ϕ ) =1,即单元为理想 点源,此时上式可写作

阵列天线分析于综合试题库完整

阵列天线分析于综合试题库完整

阵列天线分析与综合题一、填空题(1分/每空)1. 阵列天线的分析是指在已知阵列的四个参数—单元数_、_单元的空间分布、_激励幅度分布和激励相位分布的情况下,确定阵列天线辐射特性。

阵列天线的综合则是指在已知阵列辐射特性如方向图_、—半功率波瓣宽度_和_副瓣电平_等的情况下确定阵列的如上四个参数。

2. 单元数为N,间距为d的均匀直线阵的归一化阵因子为S(u)= _____________其中u =kd cosP中。

,k= _______ ,口表示__________________ 最大指向为____________________ 阵列沿x方向排列则cosP x= _________ 若阵列沿y方向排列则cos札= _____________ 若阵列沿z方向排列则cosB z= _______ 当N很大时,侧射阵的方向性系数为D= ___________________ ,半功率波瓣宽带为(BW)h= 51上(°),副瓣电平为SLL= -13.5 dB,波束扫描时主瓣将(13) 变~ Nd ~ - —宽___,设其最大指向十为阵轴与射线之间的夹角,扫描时的半功率波瓣宽度为(14)_51—_(°),抑制栅瓣的条件为(14)__d£——_;端射阵的Nd sin P m 1 +1 cosP m |方向性系数为D= ,半功率波瓣宽带为(BW)h= 108』-*(o)。

Nd3. 一个单元数为N,间距为d的均匀直线阵,其归一化阵因子的最大值为_____ 其副瓣电平约为__________ dB设其最大指向日m为阵轴与射线之间的夹角,则抑制栅瓣的条件为_____________ 大指向对应的均匀递变相位:-max二。

4. 根据波束指向,均匀直线阵可分为三类,即(1)侧射阵_:⑵ 端射阵和—扫描阵__它们满足的关系分别是。

=(3)_0 _______ 、G =⑷__—kd_ 和—__ = -kd COS P m__。

阵列天线分析与综合复习

阵列天线分析与综合复习

阵列天线分析与综合复习第一章 直线阵列的分析1. 什么是阵列天线的分析?2. 什么是阵列天线的综合?3. 能导出均匀直线阵列的阵因子sin(/2)(),cos sin(/2)Nu S u u kd u βα==+ 当阵轴为x 轴、y 轴或z 轴时,cos β的表示分别是什么?阵因子与哪些因素有关?4. 均匀侧射阵与端射阵(1) 什么是均匀直线侧射阵和端射阵?它们的阵因子表示分别是什么?(2) 最大辐射方向与最大值(3) 抑制栅瓣条件(4) 零点位置(5) 主瓣零点宽度(侧射阵、端射阵、扫描阵)(6) 半功率波瓣宽度(侧射阵、端射阵、扫描阵)(7) 副瓣电平。

能证明均匀直线阵的副瓣电平SLL=-13.5dB 。

(8) 方向性系数。

■能证明不等幅、等间距直线阵的方向性系数公式(1.38)■当/2d λ=时,能证明得到式(2.26)■能导出均匀直线侧射阵和端射阵的阵因子公式2/D L λ=和4/D L λ=5. 能用Z 变换方法和直接相加法分析书上P17图1.14、图1.15、图1.17分布与P34习题1.10正弦分布的阵列。

即能根据P18表1.2的阵列函数简表导出阵因子,并能写出求和形式的阵因子和作适当的分析。

直线阵列能用Z 变化法分析的条件限制是什么?6. 谢昆诺夫单位圆辅助分析阵列(1) 能由阵列多项式的零点导出阵列激励分布,见P34习题1.13。

(2) 熟悉不同单元间距d 时,,cos ju w e u kd θα==+,w 在单位圆上的轨迹变化。

(3) 根据w 在单位圆上的轨迹变化,能说明阵列不出现栅瓣的条件。

(4) 单位圆上某点与各零点的距离的乘积含义是什么?(5) 能用单位圆分析一个简单直线阵列。

7. 不均匀阵列概念(1) 不等间距阵列(2) 幅度不均匀阵列(3) 相位不均匀阵列(4) 波束展宽方法(5) 相位和幅度误差分析模型8. 单脉冲阵列(激励幅度对称)(1) 和方向图■能根据阵列单元顺序排列写出阵因子方向图函数(单元数不分奇偶)。

阵列天线分析与综合_4

阵列天线分析与综合_4

§2.6 伍德沃德—劳森抽样法简称伍德沃德法。

这种方法是用于天线波束赋形的一种常用的方向图综合方法,它是对所需方向图在不同离散角度处进行抽样来实现预期方向图的。

与各方向抽样和联系的是谐波电流,谐波电流对应的场叫做构成函数。

综合方法分为连续的线源和离散的线阵分别讨论。

对于连续线源。

其构成函数为形式,对于离散线阵,其构成函数为形式。

各谐波电流激励系数等于所要求的方向图在对应抽样点上的幅度。

谐波电流的有限项之和为源的总激励。

构成函数的有限项之和则为综合的方向图,其中每一项代表一个电流谐波产生的场。

sin()/m m a u u m m sin()/(sin )m m a nu n u m a 伍德沃德方法中有关公式的处理类似于信号理论中的香农(Shannon)抽样定理。

该定理指出:“一个有限频带的函数,如果最高频率为()g t h f ,则函数可以用等间隔的抽样唯一地表示。

抽样间隔必须不大于()g t 1/(2)/2h h t f T Δ==,为对应于最高频率的周期”。

用类似的方法综合天线方向图时,其抽样间隔应取h T /L λ弧度,L 为源的长度。

2.6.1连续线源(1) 连续线源上的电流分布对于长为L 的连续线源,伍德沃德方法是令连续线源的总电流I (z )在线上用若干谐波电流()n I z 的有限和来表示:()(),/2/2N n n N I z I z L z L =−=−≤∑≤ (2.119)式中谐波电流为cos (),/2/2n jkz n n a I z e L z L Lθ−=−≤≤ (2.120) n θ代表所需方向图的抽样角度。

(2N 个偶数抽样)1,2,,n =±±± N N (2N +1个奇数抽样)0,1,2,,n =±±± (2) 谐波电流产生的场方向图由各谐波电流()n I z 产生的场方向图函数(即构成函数)为/2/2(cos cos )cos /2/2()()n L L jkz jkz n n n L L a S I z e dz e L θθθθ−−−==∫∫dzsin[(cos cos )]2(cos cos )2n n n kL a θθθθ−=− (2.121) 其最大值发生在n θθ=处。

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sinθ cosϕ − sinθ0 cosϕ0
(sinθ cosϕ − sinθ0 cosϕ0 )2 + (sinθ sinϕ − sinθ0 sinϕ0 )2
(3.89)
只要给定 a, ϕn , In , N , (θ0, ϕ0 ) 或αn ,就可计算并绘出圆环阵的方向图。
【例 3.4】有一个均匀圆环阵,其激励幅度 In = I0 = 1,激励相位αn = 0 ;沿圆
3.8.1 圆口径泰勒空间因子
设在 xy 平面上有一个半径为 a 的圆形口径如下图 3-30 所示。若设口径上场
分布为连续分布 I (ρ,ϕ ′) ,口径外场分布为零,则远区场为
∫ ∫ E = j e− jkr (1 + cosθ ) 2π dϕ ′ a I (ρ,ϕ ′)e jkρ sinθ cos(ϕ −ϕ ′)ρd ρ
(3.85)
波束在最大指向方向(θ0,ϕ0 ),满足关系: ka sinθ0 cos(ϕ0 − ϕn ) + αn = 0 ,得
αn = −ka sinθ0 cos(ϕ0 − ϕn )
(3.86)
可得
N
∑ S (θ ,ϕ ) = Ine jka[sinθ cos(ϕ−ϕn )−sinθ0 cos(ϕ0 −ϕn )] n=1
(3.103)
(3.104)
通过对上式计算,当圆环半径 a ≈ 7λ / 8 时,其方向性系数在θ0 = 0 处达到最大; 当 a ≈ λ / 2 、7λ / 4 时,其方向性系数在θ0 = π / 2, ϕ0 = 0 处达到最大;当 a ≈ 3λ / 4 时,其方向性系数在θ0 = π / 2, ϕ0 = 30o 处达到最大。
阵列天线分析与综合讲义
王建
§3.5 圆环阵列的分析
多个单元分布在一个圆环上的阵列称为圆环阵列。这是一种有实际意义的 阵列结构,可应用于无线电测向、导航、地下探测、声纳等系统中。
3.5.1 方向图函数
设有一个圆环阵,放置在 xy 平面内,圆环的半径为 a,有 N 个单元分布在 圆环上,如图 3-27 所示。第 n 个单元的角度为ϕn ,其位置坐标为( xn, yn ),该单 元的远区辐射场为
En
=
CIn
e− jkRn Rn
=
CIn
e− jkr r
e−
jk (Rn −r)
(3.82)
式中,C 为系数,它包含单元方向图等; In = Ine jαn 为单元激励,包括幅度 In 和 相位αn 。
图 3-27 圆环阵列及其坐标系 波程差 Rn − r = −rˆ ⋅ ρˆn = −( xn cosϕ + yn sinϕ )sinθ
式中,θn
=
2π n N
为由
z
轴起算的角度,θ
=
0
~ 180o
,ϕ
=
−90o
~
90o 。
比较图 3-28 两个主面(xz 和 yz 平面)的方向图,其 xz 平面对应三维立体图
178
阵列天线分析与综合讲义
王建
ϕ = 0 的剖面,yz 平面对应三维立体图的θ = 90o 的剖面。三维方向图只画出了圆 环阵半空间的立体图。由三维图形看出,圆环阵在阵列平面内产生全向方向图, 而且在阵列平面的法向方向产生最大波束。
−ϕn 2
),
m ≠ n,
⎪⎩0 ,
m=n
(3.98) (3.99)
ϕ mn
=
tan−1( sinϕm cosϕm
− −
sin ϕ n cos ϕ n
),
m≠n
于是方向性系数公式的分母为
(3.100)
181
阵列天线分析与综合讲义
王建
∫ ∫ 2π dϕ π dθ | S(θ ,ϕ ) |2 sinθ
1. 主瓣最大值位于圆环阵所在平面上
此时θ0 = π / 2 ,并设主瓣指向 x 轴方向,即ϕ0 = 0 。由式(3.86)~(3.89)得:
αn = −ka cos(2π n / N )
(3.92)
ρ = 2a sin(ϕ / 2) , ϕ = 0 ~ 2π cosξ = − sin(ϕ / 2) ,即 ξ = (π + ϕ ) / 2
该式可写作如下简单形式
1
N
∑ S(θ ,ϕ ) = Ine jkρ cos(ξ −ϕn ) n =1
(3.87)
ρ = a (sinθ cosϕ − sinθ0 cosϕ0 )2 + (sinθ sinϕ − sinθ0 sinϕ0 )2
(3.88)
cosξ =
0
0
∑ ∑ ∫ ∫ N
=
N
Im Ine j(αm −αn ) ⋅
2π dϕ
0
π e jk ρmn sinθ cos(ϕ −ϕmn )] sinθ dθ
0
m=1 n=1
∑ ∑ ∫ N
= 4π
N
Im Ine j(αm −αn ) ⋅
π 0
/
2
J
0
(k
ρmn
sin
θ
)
sinθ

m=1 n=1
= 4πW
∑ ∑ 式中,
θ
)
ρ
d
ρ
(3.108)
与ϕ 无关。式中, J0(k ρ sinθ ) 为零阶贝塞尔函数。如果口径分布为均匀分布,
可令 I (ρ ) = 1,并利用关系
N
∑ 由 S(θ ,ϕ ) = Ine j[ka sinθ cos(ϕ −ϕn )+αn ] ,则其功率方向图函数为 n =1
| S(θ ,ϕ ) |2 = S(θ ,ϕ ) ⋅ S*(θ ,ϕ )
NN
∑ ∑ =
Im Ine j[ka sinθ cos(ϕ −ϕm )+αm ] ⋅ e− j[ka sinθ cos(ϕ −ϕn )+αn ]
§3.8 圆口径泰勒分布
实际中常采用圆形口径的平面阵,如飞机机头上、导弹弹头上等使用的阵 列天线是圆形平面阵。圆形平面阵也可以是单脉冲体制的,其和方向图要求低 副瓣。采用圆口径泰勒综合方法得到的圆口径分布就能满足低副瓣要求。圆口 径泰勒综合方法与线阵泰勒综合方法的思想类似。
圆口径泰勒综合方法是由圆口径上的连续电流面源出发,综合得到其连续 面源分布,然后根据抽样定理,可得到离散的圆口径阵列单元的幅度分布。这 种阵列口径分布即使是矩形栅格构成的圆形阵,也是不能按行列分离的,属于 不可分离型分布。
= −a(cosϕn cosϕ + sinϕn sinϕ )sinθ = −a sinθ cos(ϕ − ϕn )
圆环阵的总场为
∑ ∑ E =
n
En
=
C
e− jkr r
N
Ine
n =1
j[ka sinθ
cos(ϕ −ϕn )+αn ]
=
C
e− jkr r
S(θ ,ϕ )
(3.83) (3.84)
N
∑ 式中阵因子为: S(θ ,ϕ ) = Ine j[ka sinθ cos(ϕ −ϕn )+αn ] n =1
2λr
0
0
(3.105)
182
阵列天线分析与综合讲义
王建
这是在《天线原理与设计》一书中用到的公式。式中,因子(1+ cosθ )为惠更斯
面源的方向图因子,其波瓣很宽,对大口径天线可以忽略它的影响。上式二重
积分部分就是空间因子
∫ ∫ S(θ ,ϕ ) = 2π dϕ ′ a I (ρ,ϕ ′)e jkρ sinθ cos(ϕ −ϕ ′)ρd ρ
W
=
NN
Im Ine j(αm −αn )
m=1 n=1
sin(k ρmn ) k ρmn
此式的导出用了关系
∫π 0
/2
J0(x sinθ
)sinθ dθ
=
π J1/ 2(x) = sin x
2x
x
把式(3.101)代入(3.97)得
D = | S(θ0,ϕ0 ) |2 W
(3.101) (3.102)
0
0
(3.106)
若口径场分布关于 z 轴对称,则 I (ρ,ϕ ′) = I (ρ ) ,与ϕ ′ 无关,由关系
∫ 2π 0
e
jk ρ
sinθ
cos(ϕ
−ϕ ′)dϕ

=

J
0(k
ρ
sinθ
)
(3.107)
得阵因子为:
图 3-30 圆口径天线及其坐标系
S

)
=

∫a 0
I
(
ρ
)
J
0
(k
ρ
sin
图 3-29 均匀等间距排列的圆环阵列的三维幅度方向图
图 3-30 均匀等间距排列圆环阵列的三维分贝方向图
为了讨论圆环阵方向图的方便,其阵因子可表示成贝塞尔函数的级数形式。 当圆环阵激励为均匀分布,且阵列单元等间距分布在圆环上时,有
N
∑ In = I , ϕn = 2π n / N ,则其阵因子 S(θ ,ϕ ) = Ine jkρ cos(ξ −ϕn ) 中的指数项可展开 n =1
3.5.2 方向性系数
不计单元方向图的影响,即假设阵列单元为各向同性辐射单元,则阵列的
方向性系数可表示为
∫ ∫ D =
4π | Smax |2 2π dϕ π dθ | S(θ ,ϕ ) |2 sinθ
0
0
(3.97)
式中,分子 | Smax |2 =| S(θ0,ϕ0 ) |2 ,分母中的 | S(θ ,ϕ ) |2 可以表示为功率方向图函数。 对圆环阵来说,上式分母的二重积分可以得到一个简单表达式。
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