NorFlash测试方法介绍
mcu norflash读写例程
一、概述随着微控制器单片机（MCU）在嵌入式系统中的广泛应用，对存储器件的需求也日益增加。
在嵌入式系统开发中，常常需要对外部存储器进行读写操作，以实现数据的存储和访问。
而在嵌入式系统中，常用的存储器件之一就是NOR Flash。
开发一套MCU与NOR Flash进行读写操作的例程对于嵌入式系统开发具有重要意义。
二、MCU与NOR Flash介绍1. MCU介绍作为嵌入式系统的核心控制芯片，MCU具有集成度高、功耗低、性能稳定等特点，被广泛应用于各类嵌入式系统中。
MCU通常搭载有内置的存储器，但对于一些应用需求较大的情况，需要外接存储器扩展其存储容量。
2. NOR Flash介绍NOR Flash是一种非易失性存储器，广泛应用于嵌入式系统中。
NOR Flash通常具有较大的存储容量和较高的读写速度，因此被广泛应用于嵌入式系统的代码存储和数据存储中。
三、MCU NOR Flash读写例程设计1. 硬件设计1）选择合适的MCU按照系统需求选择合适的MCU芯片，需要考虑MCU的存储器容量和外设接口支持。
2）连接NOR Flash将NOR Flash与MCU进行连接，通常使用SPI或Parallel等接口进行连接。
3）引脚连接根据MCU和NOR Flash的接口定义进行引脚连接，确保连接正确稳定。
2. 软件设计1）MCU驱动程序设计设计MCU的驱动程序，包括对外部存储器的读写操作。
2）NOR Flash读写算法设计设计NOR Flash的读写算法，包括位置区域编址、数据传输等操作。
3）例程编写编写MCU与NOR Flash进行读写操作的例程，包括初始化、读取数据、写入数据等功能。
3. 调试验证1）例程验证将例程下载到MCU中，通过调试工具对例程进行验证，并观察读写操作的结果。
2）性能测试对MCU与NOR Flash的读写性能进行测试，包括读取速度、写入速度等指标。
四、MCU NOR Flash读写例程实现1. 硬件连接采用STM32F4系列MCU，通过SPI接口连接外部NOR Flash 存储器。
Nor flash操作
Norflash操作NorFlash型号 :AM29LV160DB（1）Nor Flash工作模式Nor Flash上电后处于数据读取状态（Reading Array Data）。
此状态可以进行正常的读。
这和读取SDRAM/SRAM/ROM一样。
(要是不一样的话，芯片上电后如何从NorFlash中读取启动代码。
~)一般再对Flash进行操作前都要读取芯片信息比如设备ID号。
这样做的主要目的是为了判断自己写的程序是否支持该设备。
Nor Flash支持2种方式获取ID号。
一种是编程器所用的方法需要高电压（11.5V-12.5V）。
另一种方法就是所谓的in-system 方法，就是在系统中通过NorFlash的命令寄存器来完成。
本文中只对in-system方法进行说明。
此时需要切换到自动选择（Autoselect Command）,这要通过发送命令来完成。
命令类型见下图。
注意：进入自动选择（Autoselect Command）模式后需要发送复位命令才能回到数据读取状态（Reading Array Data）。
在完成信息获取后一般就要擦除数据。
NorFlash支持扇区擦(Sector Erase)除和整片擦除(Chip Erase)。
这2种模式都有对应的命令序列。
在完成擦除命令后会自动返回到数据读取（Reading Array Data）状态。
在返回前可查询编程的状态。
完成擦除后就需要对芯片进行写入操作也就是编程。
这就需要进入编程(Program)状态。
在完成编程命令后会自动返回到数据读取（Reading Array Data）状态。
在返回前可查询编程的状态。
注意：编程前一定要先擦除。
因为编程只能将’1’改写为’0’，通过擦写可以将数据全部擦写为‘1’。
以上是主要的操作其他操作还有写保护等，请参考芯片数据手册。
图1-1 命令与模式(2) Nor Flash硬件连接图2-1 Nor Flash 引脚图2-2 TQ2440中实际连接上图中要注意的几个地方：1.引脚47 为BYTE# :当其为高电平时数据输出为16bit模式(此时地址线为A19:A0).低电平为8bit模式. (此时地址线为A19:A1)上图中Pin47加VCC选用的是16bit模式有效地址线为A19:A0.2.对于16bit模式要16bit对齐因此S3C2440A的LADDR1要与A0连接.此时要注意的是NorFlash片内地址0x555对应S3C2440A 的地址为baseaddr+0x555*2;其中baseaddr与NorFlash映射的地址有关。
基于J750EX测试系统的大容量NOR型FLASH测试方法
基于J750EX测试系统的大容量NOR型FLASH测试方法季伟伟;倪晓东;张凯虹;杜元勋【摘要】NOR型FLASH存储器因其技术显著的高可靠性、能长久存储代码数据的非易失性(Non-Volatile)特点,在关注可靠性胜过性价比的军工和航空航天领域应用十分广泛.但由于此类器件在线编程及擦除操作较繁琐,从而使得利用自动测试系统对其进行测试具有较高难度.因此,探索NOR型FLASH存储器的测试技术,并开发此类器件的测试平台具有十分重要的意义.首先以MICRON公司的PC28F00AM29EW为例,介绍了NOR型FLASH存储器的基本工作原理,接着详细阐述了一种采用J750EX测试系统的DSIO模块结合FLASH分块操作的测试方法,从而能够更简便、高效地对NOR型FLASH存储器的功能进行评价.【期刊名称】《电子与封装》【年(卷),期】2017(017)009【总页数】5页(P10-14)【关键词】NOR型 FLASH;DSIO;J750EX【作者】季伟伟;倪晓东;张凯虹;杜元勋【作者单位】中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035【正文语种】中文【中图分类】TN307FLASH(FLASH Memory，闪存)作为在ROM、EPROM、EEPROM等几种非易失性存储器技术基础上发展而来的新型存储技术，集非易失性存储器的特点，为目前非易失性半导体存储器的主流。
与EPROM相比，FLASH具有不需要特殊的高电压、系统电可擦除和可重复编程等优势；与EEPROM相比，具有成本低、密度大的特点。
随着技术的发展，NOR型FLASH具备芯片内执行（XIP，eXecute In Place）性能等带给系统启动速度快和低功耗的特点，在大容量数据代码存储方面占有重要地位。
norflash
1.nor flash管脚与s3c2440的链接
nor flash的WP(write protected):当WP脚接地时，我们不能擦除，也不能写入
管脚
功能
WP
RST
WE
OE
CE
D0-D15
A0-A21
地址，片选，数据关系
动作
作用
假定：nor flash
int *sp;
int k;
sendchar(' ');
if ((i%16)==15)
{
k=i/16;
for(j=0;j<16;j++)
sendasc(sp[k*16+j]);
sendchar(0x0d);
sendchar(0x0a);
}
}
}
void flashreset()
{
unsigned short *sp;
}
void erase(unsigned int addrx)
for(i=0;i<(len+1)/2;i++)
{
*(sp+0x555)=0xaa;
*(sp+0x2aa)=0x55;
*(sp+0x555)=0xa0;
*(addr+i)=buf[i];
while(((addr[i]) & 0x80)!=(buf[i]&0x80));
}
}
int main()
{
unsigned char *sp;
}
void sendasc(unsigned char ch)
{
if ((ch>='0')&&(ch<='9'))
FLASH测试方法
需要特别注意的是，数据线的测试务必选择比较特殊的寄存器，如上述寄存器地址。这 样可以避免与后面的地址线的测试地址发生冲突，引起测试失败或者还得增加擦除块的操 作。而块擦除时间是比较长的。
以 32 位的数据总线系统中的 FLASH 芯片测试为例，FLASH 芯片数据线测试流程图见 图 3：
第 4 页 共 8页
一般来说flash芯片的质量应该由供应商来保证我们仅对生产过程中可能出现的故障进行测试因此建议使用快速测试这可使测试效率提高大约1特别说明的是由于数据线地址线的短路或者开路有时也会造成程序无法启动的现象此时可根据现象观察来进行判断
FLASH 测试方法
1 FLASH 测试方法概述
1.1 概述
z 根据测试需求不同：有的侧重于测试全面性，有的侧重于测试速度； z 根据不同的 FLASH 芯片，其擦除方法也不同，增加了芯片类型判断； z 该文档主要参照 intel flash28xxx 系列芯片进行叙述和整理，其他类型的 flash 的具
I=2
I=I+1
ptr=(0x01)<<I;
读出偏移地址为 ptr 地址空间 内容 X
N (X==0x55555555) ?
Y Y
(I<N)?
N
第 7 页 共 8页
FLASH 测试方法
FLASH测试装置、测试方法及存储介质与流程
FLASH测试装置、测试方法及存储介质与流程引言FLASH测试是一种关键的技术手段，用于对闪存存储介质进行性能评估和错误检测。
本文介绍FLASH测试装置、测试方法以及存储介质与流程，旨在向读者提供了解FLASH测试的基本知识和操作步骤。
FLASH测试装置FLASH测试装置是用于执行FLASH测试的设备或工具。
一般来说，FLASH测试装置包括以下组件：1.闪存芯片编程器：用于烧录测试数据和控制参数到闪存芯片中。
2.测试仪表：用于采集和分析闪存芯片在测试过程中的电信号。
3.控制电路：用于控制FLASH测试装置的工作状态和测试流程。
4.电源供应器：用于提供电源给FLASH测试装置的各个组件。
测试方法FLASH测试的方法主要包括性能评估和错误检测两个方面。
性能评估性能评估测试用于测量闪存芯片的性能参数，包括读取速度、写入速度、擦除速度等。
具体的测试步骤如下：1.设置测试条件：根据需要，确定测试时钟频率、数据传输模式等测试条件。
2.准备测试数据：生成一组符合测试要求的测试数据，例如不同大小的文件。
3.编程测试数据：将测试数据通过闪存芯片编程器烧录到闪存芯片中。
4.读取测试数据：使用测试仪表读取闪存芯片中的测试数据，并记录读取时间。
5.写入测试数据：将相同的测试数据重新写入闪存芯片，并记录写入时间。
6.擦除测试数据：擦除闪存芯片上的测试数据，并记录擦除时间。
7.分析测试结果：根据读取、写入和擦除时间，计算出闪存芯片的性能参数。
错误检测错误检测测试用于检测闪存芯片在读取、写入和擦除过程中的错误情况。
具体的测试步骤如下：1.设置测试条件：根据需要，确定测试时钟频率、数据传输模式等测试条件。
2.准备测试数据：生成一组符合测试要求的测试数据，其中包含已知的错误模式。
3.编程测试数据：将测试数据通过闪存芯片编程器烧录到闪存芯片中。
4.读取测试数据：使用测试仪表读取闪存芯片中的测试数据，并记录读取结果。
5.比对测试结果：将读取的测试数据与预期的数据进行比较，检测是否存在错误。
片上NOR-flash内嵌自测试的算法选择
片上Ｎ Ｒ ｆ ｓ 内嵌 自测试的算法选择 Ｏ － ａｈ ｌ
王 栋 ，孙 建 ，于 忠 臣
（ 北京 工业 大学北 京市嵌入 式重 点 实验 室，北京 １０ ２ ） ０ １４
摘 要 ： ｌ ｈ － ｆ ｓ ￣ 器 的 基 本 工 作 原 理 出发 ， 基 于 ｎ ｓ 错 误 模 型 的 总 结 性 研 究 ａ ａｈ
第 ｌ卷 ２
第８ 期
电子元 嚣 件 主 用
Ｅ ｅ ｔ ｎ ｃＣｏ ｏ ｅ ｔ Ｄ ｖ ｃ ｐ ｉ ａｉｎ ｌｃ ｒ ｉ ｍｐ ｎ ｎ ＆ ｅ ｉ ｅＡｐ ｌ ｔ ｓ ｏ ｃ ｏ
Ｖｏ ．２ Ｎｏ８ １ ． １
２ ０ ８ ０１ 年 月
Ａｕ ．２ １ ｇ ００
ｄ ｉ Ｏ３ ６ ０ｉ ｎ１ ６ － ７ ５ ０ ００ ．０ ｏ： ．９ ９ ．ｓ ．５ ３ ４ ９ ． １ ．８０ ８ ｌ ｓ ２
重 点 对
。
Ｆａｈ ｍ ｒｈ ｌｓ— ａｃ 算法 、Ｍａｅ — Ｔ算法 、Ｂ ＆Ｄ 法 ｒ￣Ｃ ｃ ｔｉ Ｍａｃ 算 法的 效率进 行 了分 析 和评 ｒｈ Ｆ ｒ Ｆ 算 Ｘ ｏｋａ — ｒｈ ｌ 价 ，并针 对 不 同需 求￣ｆ ｓ 自测试提 出了其 算 法选 择 方案。 ｌ ｈ ａ 关键 词 ：ｆ ｓ ； 内建 自测试 算法 ；片上 系统 ｌ ｈ ａ
０ 引言
与 传 统 意 义 上 的存 储 器 （ Ｒ Ｍ和Ｄ Ａ 如Ｓ Ａ Ｒ Ｍ） 的错 误 模 型 不 同 。ｆ ｓ 的失 效 主 要 来 自于针 对 ｌ ｈ ａ
电压下 分别 处 于导 通和 截止 状态 ，并 以此 分别 表 示 逻 辑 上 的 “ ”和 “ ” １ ０ 。浮栅 三 极 管 排 列 成 阵 列 组成 Ｆａｈ ｍ ｒ。图２ 其Ｎ ｒａｈ 构 。其 中 ｌｓＭｅ ｏ ｙ 是 ｏｆ ｓ结 ｌ
NOR FLASH读写实验
.clk(clk), .chip_erase_en(chip_erase_en), .sector_erase_en(sector_erase_en), .word_wr_en(word_wr_en), .word_rd_en(word_rd_en), .seq_rd_en(seq_rd_en), .seq_rd_stop_en(seq_rd_stop_en), .addr_in(addr), .data_in(data), .word_rd_over(word_rd_over), .ready(ready),
FPGA 读写 Nor flash 实验
文档编号 作者 版本 审阅
Jiaqiqiu 1.0
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1.0 jiaqiqiu NOR FLASH 读写实验
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1. Nor flash ..................................................................................................................................................................................4 1.1 Nor flash 简介 ......................................................................................................................................................................4 1.2 Nor flash 具体操作.............................................................................................................................................................4
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NOR Flash 存储器测试方法介绍一、NOR FLASH简介NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失;NOR FLASH支持Execute ON Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行;这点和NAND FLASH不一样;因此,在嵌入是系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质;NOR FLASH的读取和RAM很类似,但不可以直接进行写操作;对NOR FLASH的写操作需要遵循特定的命令序列,最终由芯片内部的控制单元完成写操作;从支持的最小访问单元来看,NOR FLASH一般分为8 位的和16位的当然,也有很多NOR FLASH芯片同时支持8位模式和是16 位模式,具体的工作模式通过特定的管脚进行选择; 对8位的NOR FLASH芯片,或是工作在8-BIT 模式的芯片来说,一个地址对应一个BYTE8-BIT的数据;在对FLASH进行写操作的时候,每个BIT可以通过编程由1变为0,但不可以有0修改为1;为了保证写操作的正确性,在执行写操作前,都要执行擦除操作;擦除操作会把FLASH的一个SECTOR,一个BANK或是整片FLASH 的值全修改为0xFF;这样,写操作就可以正确完成了;1. 8-BIT的NOR FLASH例如一块8-BIT的NOR FLASH,假设容量为4个BYTE;那芯片应该有8个数据信号D7-D0 和2个地址信号,A1-A0;地址0x0对应第0个BYTE,地址0x1对应于第1BYTE,地址0x2对应于第2个BYTE,而地址0x3则对应于第3 个BYTE2. 16-BIT的NOR FLASH对16位的NOR FLASH芯片,或是工作在16-BIT模式的芯片来说,一个地址对应于一个HALF-WORD16-BIT的数据;例如,一块16-BIT的NOR FLASH,假设其容量为4个BYTE;那芯片应该有16 个数据信号线D15-D0 和1个地址信号A0;地址0x0对应于芯片内部的第0个HALF-WORD,地址0x1对应于芯片内部的第1个HALF-WORD;3. NOR Flash结构FLASH一般都分为很多个SECTOR,每个SECTOR包括一定数量的存储单元;对有些大容量的FLASH,还分为不同的BANK,每个BANK包括一定数目的SECTOR;FLASH的擦除操作一般都是以SECTOR,BANK或是整片FLASH为单位的;二、芯片资料本文档以SPANSION公司的S29JL064H芯片为例说明芯片详细信息参见datasheet;该芯片是一个64 Megabit 8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit的Nor Flash 芯片;1. 管脚说明如下A21–A0 22 AddressesDQ14–DQ0 15 Data Inputs/Outputs x16-only devicesDQ15/A-1 DQ15 Data Input/Output, word mode, A-1 LSBAddress Input, byte modeCE Chip EnableOE Output EnableWE Write EnableWP/ACC Hardware Write Protect/Acceleration PinRESET=Hardware Reset Pin, Active LowBYTE Selects 8-bit or 16-bit modeRY/BY Ready/Busy OutputVCC volt-only single power supplysee Product Selector Guide for speedoptions and voltage supply tolerancesVSS Device GroundNC=Pin Not Connected Internally2. 芯片的Bus Operations 如下：3.芯片的Command Definitions4.解释说明1、读模式：读由CE 和OE 控制：当两者都为低电平时,才可以从FlashROM 中读取数据2、写模式：FlashROM 的编程的基本单位是“页”,每一“页”包含一定的数据一般为128 字节或256 字节;如果要修改一“页”中的某一个字节的数据,需要将这一“页”的数据全部读出,修改指定的字节,再写回至FlashROM中;在写入每一“页”的时候,如果该“页”的某个字节没有被写入FlashROM,那么FlashROM 中的对应位置上的数据将会被擦除为0xFF;即在写入时都是只允许将“1”改成“0”,而不允许将“0”改成“1”;一般是CE 和WE 为低电平且OE 为高电平：写操作过程通常包括两个步骤：1第一步是字节装载周期,在这个周期中主CPU将一页的数据写入FlashROM的页缓冲区；2第二步是内部编程周期,在这个周期中FlashROM 的页缓冲区的内容被同时写入FlashROM 的非挥发存储器阵列注：在字节装载周期中,在CE 或WE 的下降沿两者出现的较晚的时刻地址被锁存,在CE 或WE 的上升沿两者出现较早的时刻数据被锁存;进入写操作之前要写入的命令序列为：向地址0x5555 写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0xA0,退出写操作需要写入的命令序列为：向地址0x5555 写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0x80、向地址0x5555写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0x20;检测Product ID 需写入的指令序列为：向地址0x5555写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0x80、向地址0x5555写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0x60；然后从地址0 上读取厂商代码,从地址1 上读取产品代码；退出该模式需写入的指令序列为：向地址0x5555 写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0xF0清除状态寄存器内容的一组指令是：向地址0x5555 写入0xAA向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0x50;Nor Flash支持扇区擦Sector Erase除和整片擦除Chip Erase块擦除;向地址0x5555 写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0x80、向地址0x5555写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0x30;全片擦除：向地址0x5555 写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0x80、向地址0x5555写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0x10;三、测试方法及流程1.开短路测试测试方法、条件：1.I=-100uA2.I=100uA2.Leakage测试测试方法、条件：1. 测IIL: VCC=,input pin 加0 V,测试input pin电流2. 测IIH: VCC=,input pin 加,测试input pin电流3. 测IOZH:VCC=,由bus operations可知当CE为高IO pin处于HIGH Z状态,所以给CE加,IOpin加,测试IO pin电流4. 测IOZL:VCC=,由bus operations可知当CE为高IO pin处于HIGH Z状态,所以给CE加,IOpin加0V,测试IO pin电流3.擦除整个chip测试方法、条件：1. VCC=,2. 向地址0x5555 写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0x80、向地址0x5555写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0x103. 等待56 S 擦除完成,此时芯片内的数据都为0xFF4.工作电流测试5.Standby电流测试6.读所有chip 0xFF测试测试方法、条件：=2.设置OE,CE为低电平,地址管脚A21-A0设为00,,此时IO输出地址为0x00内存储的数据0xFF.3.地址加1地址管脚A0变为1,其他地址不变,此时IO输出地址为0x01内存储的数据0xFF.4.地址逐步加1顺序改变地址管脚电压,此时IO顺序输出地址内存储的数据0xFF;5.逐步加完所有的地址直到地址管脚A21-A0全变为1;即读完了所有地址的数据;7.VOH,测试测试方法、条件：1.VCC=2.设置OE,CE为低电平,给任意地址,此时IO输出数据;3.给IO加电流,读IO pin 电压;8.写并且读所有chip 0xFF测试测试方法、条件：1.VCC=3.向地址0x5555 写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0xA0,向page0初始地址0x00 写00,2. 地址增加1,即向地址0x01写003. 逐步增加地址,同时向地址内写入数据,直到写满1个page;4. 重复1-3过程,更改page初始地址,依次向page1,2,3,4....写入00,直到写满整个CHIP;2.设置OE,CE为低电平,地址管脚A21-A0设为00,,此时IO输出地址为0x00内存储的数据0xFF.3.地址加1地址管脚A0变为1,其他地址不变,此时IO输出地址为0x01内存储的数据0x004.地址逐步加1顺序改变地址管脚电压,此时IO顺序输出地址内存储的数据0x00;5.逐步加完所有的地址直到地址管脚A21-A0全变为1;即读完了所有地址的数据;9.VOL测试测试方法、条件：1.2.向地址0x5555 写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0xA0,向任意地址写003.设置OE,CE为低电平,读该地址数据,此时IO输出数据00;4.给IO加4..0mA电流,读IO pin 电压;10.擦除整个chip测试方法、条件：1. VCC=,2. 向地址0x5555 写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0x80、向地址0x5555写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0x103. 等待56 S 擦除完成,此时芯片内的数据都为0xFF11.CHECKBOARD测试测试方法、条件：=2.向地址0x5555 写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0xA0,向page0初始地址0x00 写00,3. 地址增加1,即向地址0x01写FF4. 逐步增加地址,同时向地址内交错写入数据00和FF,直到写满1个page;5. 重复2-4过程,更改page初始地址,向奇数page,交错写入55/AA,向偶数page,交错写入AA/55,直到写满整个CHIP;6.设置OE,CE为低电平,地址管脚A21-A0设为00,,此时IO输出地址为0x00内存储的数据,即读出步骤2-5写入的数据7.地址加1地址管脚A0变为1,其他地址不变,此时IO输出地址为0x01内存储的数据8.地址逐步加1顺序改变地址管脚电压,此时IO顺序输出地址内存储的数据;9.逐步加完所有的地址直到地址管脚A21-A0全变为1;即读完了所有地址的数据;10.重复一遍2-9操作,向奇数page,交错写入AA/55,向偶数page,交错写入55/AA,12.擦除整个chip测试方法、条件：1. VCC=,2. 向地址0x5555 写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0x80、向地址0x5555写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0x103. 等待56 S 擦除完成,此时芯片内的数据都为0xFF13.DIAGNOL测试测试方法、条件：=2.向地址0x5555 写入0xAA、向地址0x2AAA 写入0x55、向地址0x5555 写入0xA0,向page0初始地址0x00 写553. 地址增加1,即向地址0x01写AA4. 逐步增加地址,同时向地址内写入数据AA,直到写满1个page;5. 重复2-4过程,更改page初始地址,向page1,地址0x00写入AA,地址0x01写入0x55,之后每page 地址增加1,则往page内的对应地址写0x55,其他地址都写入0XAA6.设置OE,CE为低电平,地址管脚A21-A0设为00,,此时IO输出地址为0x00内存储的数据,即读出步骤2-5写入的数据7.地址加1地址管脚A0变为1,其他地址不变,此时IO输出地址为0x01内存储的数据8.地址逐步加1顺序改变地址管脚电压,此时IO顺序输出地址内存储的数据;9.逐步加完所有的地址直到地址管脚A21-A0全变为1;即读完了所有地址的数据;10.重复一遍2-9操作,向对应page内的地址写0xAA,其他的都写0x55;14.DEVICE_ID测试15.BYPASS_WRITE测试16.8BIT的CHECKBOARD测试17.SECTOR_PROTECT测试18.AC参数的测试。