FLASH测试
flash动画测试题
一、单项选择题1、flash文件可以修改的文件扩展名是（）A、.swf B、.flv C、.fla D、.asf2、在flash中，保存文件的组合键是（）。
测试整个影片的快捷键是( )A、Ctrl+SB、 Ctrl+NC、 Ctrl+PD、 Ctrl+ ENTER3、Flash中，“窗口”---“工具栏”子菜单中不包含的选项是（D）。
A、主工具栏B、编辑栏C、控制器D、时间轴3、Flash文档属性中“帧频”为12fps的含义是（）。
A、flash中默认的帧频为12fpsB、flash影片每秒只能播放12帧C、flash影片每秒播放帧数必须大于12帧D、flash中固定的帧频为12fps4、要改变线条或者填充区域的形状，可以使用下列工具中的（）完成。
A、选择工具B、部分选取工具C、任意变形工具D、墨水瓶工具5、在FLASH 中，选择工具箱中的滴管工具，当单击填充区域时，该工具将自动变成（）。
A、墨水瓶工具B、颜料桶工具C、刷子工具D、钢笔工具6、flash中颜料桶工具的选项中不包含的功能模式是（）。
A、不封闭空隙B、封闭小空隙C、封闭大空隙D、封闭多个空隙7、对flash中的舞台最大可以放大多少倍（D）。
A、5B、10C、15D、208、在颜色处理时，下面哪个可以对文本进行填充（）。
A、纯色B、位图C、矢量图D、渐变色9、下列具有密码类型属性的文本类型是（）。
A、静态文本B、动态文本C、输入文本D、输出文本10、在默认情况下，如果要输出一个1分钟的动画作品，那么需要（）帧。
A、360B、7200C、720D、7211、动态文本没有的类型是（）。
A、单行B、多行C、自动换行D、密码12、( )在动画中是不能被用户或程序改变的。
A、静态文本B、动态文本C、输入文本D、输出文本13、关于缩放工具的说法不正确的是（B）A、要放大舞台上特定元素时,可单击工具箱的缩放工具B、要缩小舞台上特定元素时,可单击工具箱的缩放工具C、要缩小舞台上特定元素时,要先按住Alt键再单击工具箱的缩放工具D、按住alt键,可在放大与缩小之间切换14、下列说法中错误的是（D）。
FLASH测试方法
ptr=0x7ffffc
向偏移地址为 ptr 的地址空间 写入 0x00000000
I=2
ptr=ptr ^ 0x7ffffc;
读出偏移地址为 ptr 地址空间 内容 X
N (X==0x55555555) ?
Y (I<N)?
N FLASH 地址线测试结束 图 3 FLASH 地址线测试流程图
需要特别注意的是，数据线的测试务必选择比较特殊的寄存器，如上述寄存器地址。这 样可以避免与后面的地址线的测试地址发生冲突，引起测试失败或者还得增加擦除块的操 作。而块擦除时间是比较长的。
以 32 位的数据总线系统中的 FLASH 芯片测试为例，FLASH 芯片数据线测试流程图见 图 3：
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FLASH 测试方法
1 FLASH 测试方法概述
1.1 概述
z 根据测试需求不同：有的侧重于测试全面性，有的侧重于测试速度； z 根据不同的 FLASH 芯片，其擦除方法也不同，增加了芯片类型判断； z 该文档主要参照 intel flash28xxx 系列芯片进行叙述和整理，其他类型的 flash 的具
Y 芯片擦除结束
图 2 芯片擦除流程图
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FLASH 测试方法
1.2.3 FLASH 数据线测试
当 FLASH 芯片的数据总线为 8 位时，对 FLASH 芯片的 9 地址写 0xAA，10 地址写 0xCC， 11 地址写 0XF0，并检查以上各地址单元内容是否正确；
当 FLASH 芯片的数据总线为 16 位时，对 FLASH 芯片的 0X0A 地址写 0xAAAA，0X1A 地址写 0xCCCC，0X2A 地址写 0XF0 F0，0X3A 地址写 0XFF00，并检查以上各地址单元内 容是否正确。
flash自测题
8. Flash菜单“修改”（Modify）→“分散”（Ungroup）的快捷操作是？
C.Ctrl+B
9. Flash action“FSCommand”意义是？
C.发送FSCommand命令
10. Flash action“Stop All Sounds”意义是？A. B. C. D.
D.这个电影中将增加两个新层：test1和test2，而原有的layer1成为空层
20.矢量图形用来描述图像的是
B.曲线
21.下列那个属性格式是flash mx建议使用的?
C._droptarget
22.下面的语句说法正确的是
B.目前Flash最新的创作平台是Flash MX，播放插件是Flash 6.0 Player
D.一般来说矢量图形比位图图像文件量大
18.下面关于矢量图形和位图图像的说法错误的是
D.一般来说矢量图形比位图图像文件量大
19.下面哪些操作不可以使电影优化（）。
D.要尽量使用位图图像元素的动画
20.以下各种关于图形元件的叙述，正确的是( )。
A.可用来创建可重复使用的，并依赖于主电影时间轴的动画片段
A.图型元件，影片剪辑元件，按钮元件
14. Flash中，要使场景中的主画面在最后一帧暂停，可以在最后一个关键帧中设置暂停动作，其动作命令是( )。
B.STOP（）
15.我们可以对场景中的（）对象进行形状渐变动画设置。
C.矢量图型
16.当某个图层设置成遮罩层时，（）。
B.该图层被锁定
17.下面关于矢量图形和位图图像的说法错误的是
A.铅笔
B.线条
D.矩形
2.当舞台处于工作区的可显示区之外时，如图所示，可以通过下列哪几种操作，立刻让舞台出现在工作区的显示范围中（）。
Flash基础知识测试
Flash基础知识测试.1 选择题1．在已经选择对齐网格，且网格的对齐选项处于贴紧对齐的状态下，对辅助线的说法准确的是( )。
A. 辅助线能够自由放置B. 辅助线只能放置在网格线上C. 如果处于最近的网格线“容允度”尺寸内，只能放置在网格线上；如果处于最近的网格线“容允度”尺寸外，能够自由放置D.辅助线不能放置在网格线上2．要查看电影剪辑的动画和交互性，可行的操作是( )。
A. 选择[控制] /[调试影片] 命令B. 选择[控制] /[测试影片] 命令C. 选择[控制] /[测试场景] 命令D. Ａ和Ｂ两项均可3．默认Flash影片的帧频率是多少( )。
A. 10B. 15C. 15D. 254．在任何时候，想把所选工具变为手形工具时，只需要按下( )键。
A. 空格键B. Alt键C. Ctrl键D. Shift键5．Flash影片的源文件格式为( )。
A..SWFB..FLAC..MOVD..JPG1.2 填空题1．编辑区根据工作情况和状态被分为两个完全不同的部分：和。
2．舞台周围灰色的区域就是。
3．工具箱位于界面的左侧，包括、、、。
4．的含义是每秒钟播放的帧数，Flash8默认的帧频率为。
5．Flash8提供了三种辅助工具用于对象的精确定位，它们分是、、、。
Flash绘图入门2.1 选择题1．使用椭圆工具画一个正圆，应该( )。
A. Ctrl键B. Shift键C. Alt 键D.Ctrl＋Alt组合键2．在Flash中，使用钢笔工具创建路径时，关于定位点的说法准确的是( )。
A. 绘制曲线路径时，其定位点叫曲线点，默认形状为空心圆圈B. 绘制直线路径时，其定位点叫直线点，默认形状为实心正方形C. 用户能够添加或删除路径上的定位点但是不能移动D. 以上说法都对３．在Flash8中绘制图形，像使用铅笔一样绘制线条和形状的工具是( )。
A．钢笔工具B．铅笔工具C．椭圆工具D．矩形工具４．下面关于使用铅笔工具的说法错误的是( )。
flash芯片读写测试用例
flash芯片读写测试用例Flash芯片是一种非易失性存储器，广泛应用于各个领域的电子设备中。
为了保证Flash芯片的正常工作，需要进行读写测试来验证其性能和稳定性。
本文将针对Flash芯片的读写测试用例进行详细介绍。
一、擦除测试擦除操作是Flash芯片中的一项重要功能，用于将存储的数据全部清空，恢复到初始状态。
擦除测试用例的目的是验证擦除操作是否能够正常执行，并且确保擦除后的芯片状态是正确的。
测试用例的步骤包括：写入数据到芯片中，执行擦除操作，再次读取芯片中的数据，验证数据是否被全部清空。
二、写入测试写入操作是将数据存储到Flash芯片中的过程。
写入测试用例的目的是验证写入操作是否能够正常执行，并且确保写入的数据能够正确保存在芯片中。
测试用例的步骤包括：写入数据到芯片中，读取芯片中的数据，验证写入的数据是否与读取的数据一致。
三、读取测试读取操作是从Flash芯片中读取数据的过程。
读取测试用例的目的是验证读取操作是否能够正常执行，并且确保读取的数据与存储的数据一致。
测试用例的步骤包括：写入数据到芯片中，读取芯片中的数据，验证读取的数据与写入的数据是否一致。
四、连续写入测试连续写入测试用例的目的是验证芯片在连续写入大量数据时的性能和稳定性。
测试用例的步骤包括：连续写入大量数据到芯片中，读取芯片中的数据，验证写入的数据是否全部保存在芯片中，并且没有出现数据丢失或错误的情况。
五、连续读取测试连续读取测试用例的目的是验证芯片在连续读取大量数据时的性能和稳定性。
测试用例的步骤包括：写入大量数据到芯片中，连续读取芯片中的数据，验证读取的数据是否与写入的数据一致，并且没有出现数据错误或丢失的情况。
六、并发读写测试并发读写测试用例的目的是验证芯片在同时进行读写操作时的性能和稳定性。
测试用例的步骤包括：同时进行读写操作，验证读写的数据是否正确，并且没有出现冲突或错误的情况。
七、边界测试边界测试用例的目的是验证芯片在极限情况下的读写能力。
flash理论测试试题及答案
flash理论测试试题及答案Flash理论测试试题及答案一、选择题1. Flash是由哪家公司开发的？A. AdobeB. MicrosoftC. AppleD. Google答案：A2. Flash的全称是什么？A. Future Live Animations XeleratorB. Fast Lucas Animations for XC. Flashing Lights And Sound HowlsD. Macromedia Flash答案：D3. 在Flash中，以下哪个不是基本动画类型？A. 逐帧动画B. 形状补间动画C. 动作补间动画D. 3D动画答案：D4. Flash中，元件分为哪两种类型？A. 按钮和图形B. 图形和影片剪辑C. 影片剪辑和声音D. 按钮和声音答案：B5. Flash中，以下哪个工具用于绘制直线？A. 铅笔工具B. 线条工具C. 钢笔工具D. 刷子工具答案：B二、填空题6. Flash中，______ 面板用于管理库中的所有媒体资源。
答案：库7. 在Flash中，______ 帧可以包含多个关键帧，用于创建复杂的动画效果。
答案：场景8. Flash发布设置中，______ 格式是一种广泛支持的网络视频格式。
A. SWFB. AVIC. MP4D. FLV答案：C9. Flash中，______ 工具允许用户对对象进行自由变换，包括缩放、旋转、倾斜等。
答案：变形10. 使用Flash的“动作”面板可以编写______ 脚本，为动画添加交互性。
答案：ActionScript三、简答题11. 请简述Flash中“场景”的作用是什么？答案：在Flash中，场景是动画的一个组成部分，它允许用户将不同的动画元素组织在不同的场景中。
这样可以帮助用户更好地管理和导航整个动画项目，特别是在大型项目中，场景的使用可以提高工作效率。
12. 描述一下Flash中“逐帧动画”和“形状补间动画”的区别。
FLASH测试方法
需要特别注意的是，数据线的测试务必选择比较特殊的寄存器，如上述寄存器地址。这 样可以避免与后面的地址线的测试地址发生冲突，引起测试失败或者还得增加擦除块的操 作。而块擦除时间是比较长的。
以 32 位的数据总线系统中的 FLASH 芯片测试为例，FLASH 芯片数据线测试流程图见 图 3：
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一般来说flash芯片的质量应该由供应商来保证我们仅对生产过程中可能出现的故障进行测试因此建议使用快速测试这可使测试效率提高大约1特别说明的是由于数据线地址线的短路或者开路有时也会造成程序无法启动的现象此时可根据现象观察来进行判断
FLASH 测试方法
1 FLASH 测试方法概述
1.1 概述
z 根据测试需求不同：有的侧重于测试全面性，有的侧重于测试速度； z 根据不同的 FLASH 芯片，其擦除方法也不同，增加了芯片类型判断； z 该文档主要参照 intel flash28xxx 系列芯片进行叙述和整理，其他类型的 flash 的具
I=2
I=I+1
ptr=(0x01)<<I;
读出偏移地址为 ptr 地址空间 内容 X
N (X==0x55555555) ?
Y Y
(I<N)?
N
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FLASH 测试方法
FLASH测试装置、测试方法及存储介质与流程
FLASH测试装置、测试方法及存储介质与流程引言FLASH测试是一种关键的技术手段，用于对闪存存储介质进行性能评估和错误检测。
本文介绍FLASH测试装置、测试方法以及存储介质与流程，旨在向读者提供了解FLASH测试的基本知识和操作步骤。
FLASH测试装置FLASH测试装置是用于执行FLASH测试的设备或工具。
一般来说，FLASH测试装置包括以下组件：1.闪存芯片编程器：用于烧录测试数据和控制参数到闪存芯片中。
2.测试仪表：用于采集和分析闪存芯片在测试过程中的电信号。
3.控制电路：用于控制FLASH测试装置的工作状态和测试流程。
4.电源供应器：用于提供电源给FLASH测试装置的各个组件。
测试方法FLASH测试的方法主要包括性能评估和错误检测两个方面。
性能评估性能评估测试用于测量闪存芯片的性能参数，包括读取速度、写入速度、擦除速度等。
具体的测试步骤如下：1.设置测试条件：根据需要，确定测试时钟频率、数据传输模式等测试条件。
2.准备测试数据：生成一组符合测试要求的测试数据，例如不同大小的文件。
3.编程测试数据：将测试数据通过闪存芯片编程器烧录到闪存芯片中。
4.读取测试数据：使用测试仪表读取闪存芯片中的测试数据，并记录读取时间。
5.写入测试数据：将相同的测试数据重新写入闪存芯片，并记录写入时间。
6.擦除测试数据：擦除闪存芯片上的测试数据，并记录擦除时间。
7.分析测试结果：根据读取、写入和擦除时间，计算出闪存芯片的性能参数。
错误检测错误检测测试用于检测闪存芯片在读取、写入和擦除过程中的错误情况。
具体的测试步骤如下：1.设置测试条件：根据需要，确定测试时钟频率、数据传输模式等测试条件。
2.准备测试数据：生成一组符合测试要求的测试数据，其中包含已知的错误模式。
3.编程测试数据：将测试数据通过闪存芯片编程器烧录到闪存芯片中。
4.读取测试数据：使用测试仪表读取闪存芯片中的测试数据，并记录读取结果。
5.比对测试结果：将读取的测试数据与预期的数据进行比较，检测是否存在错误。
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FLASH测试1．引言随着当前移动存储技术的快速发展和移动存储市场的高速扩大，FLASH型存储器的用量迅速增长。
FLASH芯片由于其便携、可靠、成本低等优点，在移动产品中非常适用。
市场的需求催生了一大批FLASH芯片研发、生产、应用企业。
为保证芯片长期可靠的工作，这些企业需要在产品出厂前对FLASH存储器进行高速和细致地测试，因此，高效FLASH存储器测试算法的研究就显得十分必要。
不论哪种类型存储器的测试，都不是一个十分简单的问题，不能只将存储器内部每个存储单元依次测试一遍就得出结论，这是因为每一个存储单元的改变都有可能影响存储器内部其他单元的变化（这种情况又是常常发生的）。
这种相关性产生了巨大的测试工作量［1］。
另外，FLASH存储器有其自身的特点，它只能将存储单元内的数据从“1”写为“0”，而不能从“0”写为“1”，若想实现“0”－>“1”操作，只能把整个扇区或整个存储器的数据擦除，而擦除操作要花费大量的时间。
FLASH存储器还有其他特性，比如读写速度慢、写数据之前要先写入状态字、很多FLASH只适于顺序读写而不适于跳转操作等，这些特点都制约了FLASH 存储器的测试。
为解决FLASH测试中的这些问题，人们提出了应用内建自测试［2］或利用嵌入式软件［3］等测试方法测试相关性能，都取得了比较好的效果，但这些方法大多不适用于利用测试仪进行批量的产品测试。
而多数对通用存储器测试很有效的算法，由于受到FLASH器件自身的限制（如不能不能直接从“0”写为“1”），很难直接适用于FLASH测试。
文本在简单介绍FLASH芯片的结构与特点之后，说明了FLASH存储器测试程序原理。
在此基础上，分析和改进了几种通用的存储器测试方法，使之能有效地应用于FLASH测试中。
这些方法简单高效，故障覆盖率高，并且可以快速预先产生，与其他一些测试算法［4］[5]相比，更适于应用在测试仪中进行工程测试。
本文分析了这些方法的主要特点，在此基础之上，介绍了实际FLASH存储器测试中应用的流程。
2．FLASH芯片的结构特征FLASH存储器种类多样，其中最为常用的为NOR型和NAND型FLASH。
通常，NOR 型比较适合存储程序代码，其随机读写速度快，但容量一般较小(比如小于32MB)，且价格较高；而NAND型容量可达lGB以上，价格也相对便宜，适合存储数据，但一般只能整块读写数据，随机存取能力差。
它们对数据的存取不是使用线性地址映射，而是通过寄存器的操作串行存取数据。
一般来说，不论哪种类型的FLASH，都有一个ID寄存器，用来读取存储器信息，可根据供应商提供的芯片资料进行具体的类型判断。
另外，FLASH存储器的擦除过程相对费时，且擦除流程相对复杂。
图1为FLASH芯片擦除的一般流程。
可见，擦除数据的操作限制了FLASH芯片的工作速度。
此外，其他一些特性，比如读写速度慢、写数据之前要先写入状态字、很多FLASH都设有冗余单元等等，这些特点都制约了测试速度的提高。
因此，设计合理的方法，或将几块FLASH并测，并且应用测试算法减少测试时间就显得十分必要。
3．系统连接本文选用的芯片为AMD公司的NOR型FLASH——Am29LV400B及三星公司的NAND 型FLASHK9F5608UOB，它们都可通过44PIN专用适配器和数字电路测试仪的数字通道直接相连。
我们所采用的硬件实验平台是北京自动测试技术所开发的BC3192数模混合测试系统，该系统可提供工作速度快，算法图形产生方式灵活，非常适合测试需要。
4．测试实现方法假设存储器可选址的存储单元数为N，由于存储器芯片每次只能访问一个存储单元，每个单元只有“0”或“1”两种状态，所以所有可能出现的状态共2N种。
由于选取的地址又是随机的，所以，当测试步数为M时，选址序列组合可能有2NNM种之多。
即使采用全“0”或全“1”两种图案测试，总的测试图形也将有2NM种，这是个巨大的数字。
为了能够有效地检测存储器芯片，必须分析半导体存储器的结构，确定和选择几种能够有效检验存储器功能的图形，使之既能达到检测目的，又使测试量限定在允许范围之内。
但实际应用中，由于每种测试图形都有其局限性，再加上各个生产厂家以及各种型号存储器的特性不完全一致，现在还没有最佳的统一测试方法。
根据FLASH芯片的特点，我们主要改进并使用了以下几种办法：4.1奇偶校验图形检验法奇偶校验图形检验法［6］是一种比较适合存储器测试的方法。
在奇偶性图形检验法中，向存储单元矩阵写入的数据图案是根据存储单元选址地址码的奇偶性而定的。
如果存储单元的行地址码和列地址码中有偶数个1，其奇偶性为0，则在该存储单元中写入“0”（或“1”）；如果有奇数个1，其奇偶性为1，则在该存储单元中写入“1”（或“0”）；存储单元矩阵存入的信号数据将是行地址码和列地址码之间的异或关系，其算法如下：式中Pr为行地址的奇偶性，Pc为列地址的奇偶性。
FLASH芯片奇偶性图形功能检测的流程是：首先根据算法写入背景图形，然后逐位读出并检验结果的正确性，再将芯片数据擦除，以反码图形重复上述测试过程。
其总的测试步数为M=4N。
由于奇偶性图形是不对称的，任何一位的地址译码器失效都会引起本应写入互为反码数据的两个存储单元之一重复选址，并且第二次选址改变了第一次选址时写入的内容，而另一个存储单元未被访问。
因此地址奇偶性图形可以很好地检验出地址译码器的故障。
奇偶性图形每次都把整个存储器单元写完后再整体读出，没有反复擦除的过程（整个过程只需擦除两次），非常适用于FLASH芯片测试。
4.2齐步法齐步法［6］是对存储器的每个单元依次进行检验的一种方法。
首先从第一个存储单元开始，逐个对每个单元进行取反和检验，直到最后一个单元检测结束才完成一遍扫描。
然后，在背景为反码的情况下，从第一个存储单元开始，逐个对每个单元进行取反和检验，直到最后一个单元检测结束。
整个过程就像所有单元一起向前走步一样，因此称为“齐步法”。
根据FLASH芯片特点，我们改变在反码背景条件下走步的过程，把它改造如下，形成了适合的齐步算法。
在图2中给出了测试FLASH齐步法的测试流程：在测试之前，每个存储单元具有信息“1”。
首先在存储矩阵中写入背景图案（初始状态为全“1”），然后从地址A0开始选址进行读“1”，写“0”，读“0”操作，并检验读出结果。
接着，依次到下一个选址单元重复该操作（读“1”，写“0”，读“0”），直到全部存储单元（A＝N－1）重复完为止。
再在读操作方式下对全部存储单元进行一次正向扫描读出，检查有无正向对反向的多重写入问题。
然后将存储器输入擦除，使之全部单元为全“1”。
进而开始反向扫描：从最高地址AN－1开始执行读“1”，写“0”，读“0”操作，逐位进行上述操作过程，直至最终地址为AN-1，最后对全部存储单元进行读“0”扫描，以检验读出结果的正确性。
用这种测试算法检测存储芯片，可使每个存储单元都被访问。
既能保证每个存储单元都能存储“1”和“0”数据，又能保证每个存储单元都受到周围其他单元的读“1”、读“0”和写“1”、写“0”的打扰。
齐步法总的测试步数为：式（3）中，W表示写操作，R表示读操作，Q表示“1”，表示“0”。
Bij表示存储器第i 行j列的存储单元。
如WBij(Q)就表示对第i行j列的存储单元进行写“1”操作所用的时间。
由式（3）可知，其测试步数共9N，且整个过程只需两次擦除操作，可见它是一种即快速又有效的方法。
4.3移动变反法移动变反测试法［6］是按顺序变反每个地址存储单元数据的方法。
它需要在变反前后读出每个存储单元的数据，而且，还必须借助于前进和后退的地址寻址序列产生地址跳跃，地址以20、21…、2n-1次方的增量变化（n是地址位数）。
按照以上规律进行地址跳变后，再对每个地址进行三次操作：读、写和读即可完成一个循环。
以上操作的目的主要在于地址间产生有效相互打扰，但显然如果以整个芯片为单元进行上述操作需要多次擦除数据，因此对FLASH测试芯片应做如此改进：以扇区为单元完成操作。
假设FLASH芯片有N个扇区，移动变反法的功能测试先要以“1”为背景图案写入全部存储单元。
首先，在第一个扇区，对A0存储单元读出并验证是“1”，再将该存储单元改写成“0”，最后读出该存储单元的信息以证明新写入的“0”仍存于该存储单元中。
第一扇区测试地址按有效位的阶20递增，对每个存储单元都要重复上述的读“1”，写“0”读“0”的操作过程，需要测试步长为3n(n为该扇区的存储单元数)才能使全部的存储单元都变成“0”。
这次测试的地址序列是递增1的，即由地址最低位A0增加到最高位A（n－1），对A（n－1）存储单元进行读“1”，写“0”和读“0”验证。
对第二个扇区，以下一个地址阶21作为地址增量的变化量，每次用不同的地址位作为最低位（分别为第0位和第1位），使地址以此增量的变化通过所有可能的地址。
因此在一次测试程序中所有地址的存储单元都被测试一次。
然后，依次以22、24…2N作为地址增量，重复上述过程，每完成一个循环便产生一个循环进位。
由于各个扇区的大小不同，移动变反法功能测试图形步长为3n（n为最大扇区存储单元个数）。
以扇区为单元的测试实际上是一种对芯片功能的抽测，因为它并没有进行对各单元存取数据进行反复打扰，以验证其地址线间信号改变所带来的影响，但这种方法分别在各个扇区对邻近地址线一一做了打扰测试，由于各个扇区结构根本上是相同的，因此这种抽测很有代表性，并且把测试时间减少了一个数量级。
移动变反法测试图形是一种良好的折衷测试方案。
因为它几乎具有各种测试图形的最好特点，可以用较少的试验步数测试尽可能多的存储单元间打扰的相互影响。
在具体程序中，“1”场变反为“0”场是按序选择地址，并通过写入这些地址而产生的，在两次读出之间有一次写操作。
移动变反法测试包括了功能测试和动态测试，功能测试保证被测存储单元不受读、写其他存储单元的影响，动态测试预测最坏和最好条件下的取数时间，并预测地址变换对这些时间的影响。
这种测试方法易于实现，它是在跳步算法［1］的基础上，通过改变跳步的长度，减小了算法的复杂度。
移动变反法测试是一种具有良好功能测试和动态测试特点的测试图形，并且所需的测试时间较短，在很多情况下都有很好的效果。
尤其是对于较大容量存储器的测试，该方法特别有效。
移动变反法还可以作进一步扩展，即对数据做移动变反处理。
以芯片为32位总线为例，首先对存储器各单元写入0xAAAAAAAA，检验并擦除，然后对存储器写入0xCCCCCCCC，检验并擦除，以后依次写入0xF0F0F0F0，0x0F0F0F0F，0xFF00FF00，0x00FF00FF，0xFFFF0000，0x0000FFFF，0xFFFFFFFF，0x0，都在检验所写的正确性后再擦除数据。