第四章--1--铁电存储

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(整理)铁电存储器工作原理及应用

(整理)铁电存储器工作原理及应用

铁电存储器工作原理及应用摘要:介绍铁电存储器(FRAM)的一般要领和基本原理,详细分析其读写操作过程及时序。

将FRAM与其它存储器进行比较,分析在不同场合中各自的优缺点。

最后以FM1808为例说明并行FPGA与8051系列单片机的实际接口,着重分析与使用一般SRAM的不同之处。

关键词:铁电存储器 FRAM原理 8051 存储技术1 背景铁电存储技术最在1921年提出,直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出第一个4Kb 的铁电存储器FRAM产品,目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。

最近几年,FRAM又有新的发展,采用了0.35μm工艺,推出了3V产品,开发出“单管单容”存储单元的FRAM,最大密度可在256Kb。

2 FRAM原理FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,铁电晶体的结构如图1所示。

铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时,晶体中心原子在电场的作用下运动,并达到一种稳定状态;当电场从晶体移走后,中心原子会保持在原来的位置。

这是由于晶体的中间层是一个高能阶,中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置,因此FRAM保持数据不需要电压,也不需要像DRAM一样周期性刷新。

由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性,与电磁作用无关,所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件(诸如磁场因素)的影响,能够同普通ROM存储器一样使用,具有非易失性的存储特性。

FRAM的特点是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,不存在如E2PROM的最大写入次数的问题;但受铁电晶体特性制约,FRAM仍有最大访问(读)次数的限制。

2.1 FRAM存储单元结构FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成,但这个电容不是一般的电容,在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。

前期的FRAM的每个存储单元使用2个场效应管和2个电容,称为“双管双容”(2T2C),每个存储单元包括数据位和各自的参考位,简化的2T2C存储单元结构如图2(a)所示。

铁电存储器 [自动保存的]

铁电存储器 [自动保存的]

二、FRAM原理及特点
写入方法与DRAM稍有不同。DRAM利用电容器中有无电荷记录数据,因此使用名 为位线的布线单向加压。而FeRAM由于必须双向加压,因此除位线以外,还添加 了名为板线的线路。写入“1”时,由板线向位线加压。写入“0”时则反过来由 位线向板线加压。 读取方法也不同于DRAM。DRAM根据电容器中有无电荷判定 “1”或“0”。而FeRAM则不能直接读出电容器的状态。因此读取时通过强行写 入“1”,来判定“0”还是“1”。数据为1时由于状态不变,因此电荷移动少。 而数据为0时由于状态发生反转,因此会产生大的电荷移动。利用这种电荷差判 定1和0, FeRAM在读取时也进行写入动作。
铁电存储器成品图
五、FRAM与其它存储技术比较
FRAM与E2PROM FRAM可以作为E2PROM的第二种选择,它除了 E2PROM的性能外,访问速度要快得多。
FRAM与SRAM 从速度、价格及使用方便来看SRAM优于FRAM,但 是从整个设计来看,FRAM还有一定的优势。 非易失性的FRAM可以保存启动程序和配置信息。如 果应用中所有存储器的最大访问速度是70ns,那么可以 使用一片FRAM完成这个系统,使系统结构更加简单。
但是在铁电电容中反复写入会使之加速老化。
也就是说不仅是写入时,读取时FeRAM也会产生 老化,并且FeRAM在读取时与DRAM一样,是破坏 性读取,所以也需要像DRAM那样进行回写操作
FRAM的读操作
FRAM读操作过程是:在存储单元电容上施加一已 知电场,如果原来晶体的中心原子的位置和施加的电 场方向后使中心原子达到的位置相同,则中心原子不 会移动;若不相同,则中心原子将越过晶体中间层的 高能阶到达另一位置,则在充电波形上就会出现一个 尖峰,即产生原子移动的比没有产生移动的多了一个 尖峰,把这个充电波形 同参考位的充电波形进行比较, 便可以判断检测的存储单元中的内容是“1”或“0”。。

铁电存储电路的发展与单元模型简介

铁电存储电路的发展与单元模型简介

铁电存储电路的发展与单元模型简介摘要:非挥发性内存目前已广泛应用于存储卡和数码录音机等小型记录介质中。

其特点是即便关闭电源,保存的数据也不会丢失。

目前使用最广泛的非挥发性内存是闪存。

不过,闪存的缺点是写入速度慢,可擦写次数有限。

为了克服这些缺点,通过对保存数据的元件进行改进,目前已开发出一种新的非挥发性内存。

它的记录元件采用强介电体的FeRAM(ferroelectric RAM)。

由于其低工作电压、低功耗、快的读写速度、重复读写次数多、保存信息长、抗辐照等优点,被认为是未来最有希望的存储器件之一,在国际上引起了广泛的研究兴趣并且已经有成品问世。

尤其是最近几年来,FeRAM内存的专利件数急速成长,研发态势非常强烈。

全球许多大公司如Ramtron,富士通,Hynix,英飞凌科技,东芝,松下都在FeRAM加大投入力度,展开激烈的竞争与合作。

在这篇文章中,粗略地介绍了铁电存储器的发展历程和应用领域,主要介绍了铁电存储器研究领域中的单元建模问题,虽然我们知道铁电存储器目前的主要问题是介观尺度下的铁电材料所能表现出来的铁电特性已不是很明显,但作为回顾这种存储器的发展,介绍在三四年以前就做得非常成熟了单元模型一些理论,还是比较有意义的。

关键词:发展,铁电存储器,非挥发存储,电路设计,模型,存储单元Development, FeRAM, non-volatile memory, circuit design, model, memory cell介绍在过去的这三四十年里,无论是PC 机还是其他电子产品,浮栅存储器一直是非挥发存储的主流。

可是最近几年来,铁电存储器在业界已经引起了越来越多的研发人员的注意。

例如,截至2000年,美国专利局已经通过了300多项专利,而且这种增加的趋势日益明显。

形成这种状况的驱动力主要有两点:铁电存储的快速访问时间和低功耗,而这两点对于现阶段大规模走向市场的无线电子卡片和数码相机来说是至关重要的[26]。

铁电存储器工作原理和器件结构

铁电存储器工作原理和器件结构

铁电存储器工作原理和器件结构摘要:铁电存储器与传统的非易失性存储器相比,具有功耗小、读写速度快、抗辐照能力强等优点,因此在一些特殊应用领域具有很好的市场。

文章介绍了铁电存储器的基本工作原理,并介绍了两种主流的铁电材料。

文章还介绍了铁电存储器的电路结构,包括2T2C、1T1C、1T2C以及链式结构,并说明了铁电存储器的读写过程。

铁电存储器的器件结构主要有Planar 结构和Stacked 结构两种。

Planar 结构制作工艺相对简单,但是集成度不高。

Stacked 结构的集成度更高,对工艺的要求也更高。

1 铁电存储器简介随着IT 技术的不断发展,对于非易失性存储器的需求越来越大,读写速度要求越来越快,功耗要求越来越小,现有的传统非易失性存储器,如EEPROM、FLASH 等已经难以满足这些需要了。

传统的主流半导体存储器可以分为两类:易失性和非易失性。

易失性存储器包括静态存储器SRAM(Static RandomAccessMemory)和动态存储器DRAM(Dynamic RandomAccessMemory)。

SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。

RAM 类型的存储器易于使用、性能好,可是它们同样会在掉电的情况下失去所保存的数据。

非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。

然而所有的主流非易失性存储器均源自于只读存储器(ROM)技术。

正如你所猜想的一样,被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入操作,而事实上是根本不能写入。

所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。

这些技术包括有EPROM、EEPROM和Flash。

这些存储器不仅写入速度慢,而且只能有限次的擦写,写入时功耗大。

相对于其他类型的半导体技术而言,铁电存储器具有一些独一无二的特性。

铁电存储器能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技术一样,是一种非易失性的存储器。

铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的RAM。

铁电存储器

铁电存储器

铁电存储器是一种在断电时不会丢失信息的非易失存储器, 它具有高速度、高密度、低功耗和抗辐射等优点,在IC卡、 移动电话、嵌入式微处理器、航空航天和军事应用等领域显 示出极大的发展潜力和良好的应用前景,受到了各国科技界 和产业界的广泛关注。图为RAMTRON公司的两款铁电存储 器。
背景介绍:铁电存储技术最早在1921年提出,直到1993年美 国Ramtron国际公司成功开发出第一个4Kb的铁电存储器 FRAM产品,标志着铁电存储技术开始实际应用,目前所有 的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。最近几年, FRAM又有新的发展,采用了0.35μm工艺,推出了3V产品, 开发出“单管单容”存储单元的FRAM,最大密度可在256Kb。
PZT 是研究最多、使用最广泛。优点是能够 在较低的温度下制备,可以用溅射和金属有 机气相沉积(MOCVD)的方法来制备,具 有剩余极化较大、原材料便宜、晶化温度较 低的优点;缺点是有疲劳退化问题,还有含 铅会对环境造成污染。 SBT 最大的优点是没有疲劳退化的问题,而且 不含铅;但是它的缺点是工艺温度较高,使之工艺集成难度增大,剩余极化程度 较小。
传统存储器现状:随着人们对于存储容量越来越高需求,科 研人员也在不断的提高存储密度,但存储密度的提高使得浮 动栅与导电沟道之间绝缘介质层厚度减到 2.5nm 左右,这已 经很接近它的极限厚度。再进一步减薄绝缘介质层的厚度将 无法保证数据的存储寿命。
为了满足市场需求,开发新一代具有存储密度高、功耗低、写 入/擦除速度快、抗疲劳能力强、数据保持能力强、与传统 CMOS工艺相兼容等特点的新型非易失性存储器则成为必然 趋势。 因此,科研人员对包括电荷俘获型存储器、铁电存储器 (FeRAM)、磁存储器(MRAM)、相变存储器(PCRAM)和阻变存 储器(ReRAM)在内的一些新型存储器进行了广泛的研究。

铁电存储器FM24C16原理及其综合应用

铁电存储器FM24C16原理及其综合应用

铁电存储器FM24C16原理及其综合应用Ramtron铁电存储器FRAM1、铁电存储器技术原理、特性及应用美国Ramtron公司铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料。

这一特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性。

铁电晶体的工作原理是:当在铁电晶体材料上加入电场,晶体中的中心原子会沿着电场方向运动,达到稳定状态。

晶体中的每个自由浮动的中心原子只有2个稳定状态,一个记为逻辑中的0,另一个记为1。

中心原子能在常温、没有电场的情况下,停留在此状态达100年以上。

铁电存储器不需要定时刷新,能在断电情况下保存数据。

由于整个物理过程中没有任何原子碰撞,铁电存储器有高速读写、超低功耗和无限次写入等特性。

铁电存储器和E2PROM比较起来,主要有以下优点:(1)FRAM可以以总线速度写入数据,而且在写入后不需要任何延时等待,而E2PROM在写入后一般要5~10ms的等待数据写入时间;(2)FRAM有近乎无限次写入寿命。

一般E2PROM的寿命在十万到一百万次写人时,而新一代的铁电存储器已经达到一亿个亿次的写入寿命。

(3)E2PROM的慢速和大电流写入使其需要高出FRAM 2 500倍的能量去写入每个字节。

由于FRAM有以上优点,其特别适合于那些对数据采集、写入时间要求很高的场合,而不会出现数据丢失,其可靠的存储能力也让我们可以放心的把一些重要资料存储于其中,其近乎无限次写入的使用寿命,使得他很适合担当重要系统里的暂存记忆体,用来在于系统之间传输各种数据,供各个子系统频繁读写。

从FRAM问世以来,凭借其各种优点,已经被广泛应用于仪器仪表、航空航天、工业控制系统、网络设备、自动取款机等。

在设计的碳控仪系统中,由于对控制碳势适时性的要求较高,而且系统由2个子系统构成,每个子系统都要频繁读写存储器,所以我们把原来的X25045换成FM24C16以满足要求。

2 FM24C16引脚说明及工作过程FM24C16-P(8脚双列直插)外形图及引脚定义如图1及表1所示。

铁电存储器工作原理和器件结构

铁电存储器工作原理和器件结构
马良
【期刊名称】《电子与封装》
【年(卷),期】2008(008)008
【摘要】铁电存储器与传统的非易失性存储器相比,具有功耗小,读写速度快、抗辐照能力强等优点,因此在一些特殊应用领域具有很好的市场.文章介绍了铁电存储器的基本工作原理,并介绍了两种主流的铁电材料.文章还介绍了铁电存储器的电路结构,包括2T2C、1T1C、1T2C以及链式结构,并说明了铁电存储器的读写过程.铁电存储器的器件结构主要有Planar结构和Stacked结构两种.Planar结构制作工艺相对简单,但是集成度不高.Stacked结构的集成度更高,对工艺的要求也更高.
【总页数】4页(P35-38)
【作者】马良
【作者单位】中国电子科技集团公司第58研究所,江苏,无锡,214035
【正文语种】中文
【中图分类】TN405
【相关文献】
1.与CMOS工艺兼容的氧化铪基铁电材料的亚稳相及其存储器器件力学 [J], 周益春
2.与CMOS工艺兼容的氧化铪基铁电材料的亚稳相及其存储器器件力学 [J], 周益春
3.铪基铁电薄膜及其隧道结存储器件研究 [J], 察明扬; 陈佩瑶; 陈琳; 朱颢; 孙清清;
张卫
4.铪基铁电薄膜及其隧道结存储器件研究 [J], 察明扬; 陈佩瑶; 陈琳; 朱颢; 孙清清; 张卫
5.集成铁电存储器──新型快速、抗辐照、非挥发性存储器件 [J], 许华平;郑立荣;陈逸清;林成鲁;邹世昌
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铁电存储器的原理及应用

Ramtron推出首款2兆位串行F-RAM存储器FM25H20类别:新品推荐发布时间:2008-4-17 阅读:879Ramtron推出首款2兆位串行F-RAM存储器,采用8脚TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封装。

FM25H20采用先进的130纳米CMOS工艺生产,是高密度的非易失性F-RAM存储器,以低功耗操作,并备有高速串行外设接口(SPI)。

该3V、2Mb串行F-RAM器件以最大的总线速度写入,具有几乎无限的耐用性,通过微型封装提供更大的数据采集能力,使系统设计人员能够在计量和打印机等高级应用中减少成本和板卡空间。

FM25H20是串行闪存的理想替代产品,用于要求低功耗和最小板卡空间的精密电子系统中,包括便携式医疗设备如助听器等,它们实际上是微型数据处理器,但受到空间有限及功耗低的限制。

与闪存相比,F-RAM的优势包括大幅降低工作电流、写入速度更快、写入耐用性更比闪存高出多个数量级。

Ramtron 战略市场拓展经理Duncan Bennett 解释道:“对于那些需要在其新一代应用中提高数据采集能力,却不增加板卡空间的计量和打印机客户而言,这款2Mb 串行F-RAM 是自然的产品延伸。

FM25H20以相同的小占位面积,为半兆位串行F-RAM 客户提供高达四倍的存储能力。

除提升现有系统外,这种技术发展还推动F-RAM 进入多个需要低功耗存储器而空间严重受限的新兴市场,如便携式医疗设备。

”FM25H20是256K x 8位非易失性存储器,以高达40MHz的总线速度进行读写操作,具有几乎无限的耐用性、10年的数据保存能力,以及低工作电流。

该器件设有工业标准SPI接口,优化了F-RAM的高速写入能力。

FM25H20还备有软件和硬件写保护功能,能避免意外的写入与数据损坏。

该2Mb串行F-RAM以低功耗工作,在40MHz下读/写操作的耗电低于10mA,待机状态下耗电为80μA (典型值),超低电流睡眠模式下耗电为3μA (典型值)。

铁电存储器

铁电存储器铁电存储技术早在1921年被提出,直到1993年由美国Romtron国际公司首先首先成功开发出第一个4K的铁电存储器产品。

随着工艺和技术的发展,铁电存储器也有了新的发展,存储密度越来越大。

1.铁电材料发展历史铁电存储器的发展=是依赖于铁电材料的发展而发展的,而铁电材料的发展则是经历了四个阶段:(1)罗息盐时期—发现铁电性(1920-1939年):1919年,法国人Joseph Valasek通过测量了罗息盐的线性介电响应、非线性介电性能、压电性能、热释电现象等宏观性能,在1920年提出了铁电性这重大概念;(2)KDP时期—铁电热力学理(1940-1958年):KDP是KH2PO4(磷酸二氢钾)的缩写;(3)钙钛矿时期—铁电软模理(1959—1970年);(4)铁电薄膜及器件时期—小型化(80年代至今)可以简单用如下图1表示:图1.铁电材料发展史2.铁电存储器存储物理机制铁电晶体结构是钙钛矿ABO3型的如图2所示。

FRAM利用铁电材料的铁电效应实现数据存储。

铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时,晶体中心原子在电场的作用下运动,并达到一种稳定状态;当电场从晶体移走后,中心原子会保持在原来的位置。

这是由于晶体的中间层是一个高能阶,中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置如图3所示,因此FRAM保持数据不需要电压,也不需要像DRAM一样周期性刷新。

由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性,与电磁作用无关,所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件诸如磁场因素的影响,能够同普通ROM存储器一样使用,具有非易失性的存储特性。

图2.钙钛矿结构图3.铁电存储器工作原理其施加电场后的电滞回线如图4所示:图4.铁电晶体的电滞回线图当铁电晶体施加外加正向电场时,其电滞回线会沿着中间那条线上升至最大值,当外加电场逐渐减小时,其曲线不再是沿着原来的线减小到0,而是沿着上面的那条线减小至P r(P r称为剩余极化强度)。

铁电存储器的原理和应用

铁电存储器的原理和应用1. 铁电存储器简介铁电存储器是一种非挥发性存储器,可以在断电后仍能保留数据。

它基于铁电材料的特殊性质实现数据的存储和读取。

铁电存储器具有快速读写速度、低功耗、高可靠性等优点,因此在许多电子设备中得到广泛应用。

2. 铁电存储器的工作原理铁电存储器的工作原理基于铁电材料的特殊性质。

铁电材料具有一种被称为铁电效应的特性,即在外加电场的作用下,它们可以产生永久性的电极极化。

这意味着铁电材料可以用不同的电场极化方向表示逻辑值“0”和“1”。

铁电存储器主要由两个部分组成:电容和晶体管。

每个存储单元由一个铁电电容和一个晶体管连接组成。

当写入数据时,通过对晶体管施加恒定电压来选择存储单元。

然后,根据所需的数据,将电压施加到铁电电容上以改变其极化方向表示数据。

在读取数据时,通过测量铁电电容的电压来确定数据。

3. 铁电存储器的应用铁电存储器由于其快速读写速度、低功耗以及非挥发性的特点,在许多领域得到了广泛应用。

3.1 电子设备铁电存储器在电子设备中应用广泛。

它可以用于各种存储需求,包括个人电脑、平板电脑、智能手机等。

由于其非挥发性的特性,即使在断电后也可以保留数据,所以在这些设备中用作操作系统和应用程序的主存储器非常适合。

3.2 物联网在物联网领域,铁电存储器也有重要应用。

物联网设备通常需要具备非挥发性存储器以保留传感器数据、配置信息等重要数据。

铁电存储器可以提供快速读写速度和低功耗,同时具备高可靠性,非常适合用于物联网设备的存储需求。

3.3 军事和航天领域铁电存储器在军事和航天领域也发挥着重要作用。

由于其快速读写速度和高可靠性,它可以应用于高性能计算、卫星系统等领域,用于保留重要的操作指令和数据。

3.4 医疗设备铁电存储器在医疗设备中也有应用。

例如,可用于心脏起搏器、人工智能药物管理设备等。

由于铁电存储器的低功耗和快速读写速度,可以用于存储医疗设备的配置信息和患者数据,确保设备的可靠运行和数据的安全存储。

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Perovskite Structures
Temperature dependence of Perovskite crystal structure
Atomic Arrangement and Ferroelectricity
• The arrangement of the atoms in all ferroelectric crystals result in an equally stable state but with reoriented Ps. • A simple example is BaTiO3 for which the prototype is cubic. • The paraelectric to ferroelectric transformation at Tc may be viewed in terms of a low-frequency temperature-dependent mode of the crystal lattice, observable by optical or neutron spectroscopy.
Ferroelectric material
• A ferroelectric material falls into a group of dielectrics that exhibit spontaneous polarization. • Ferroelectrics have extremely high dielectric constants at low applied field frequencies. • For example, the dielectric constant for barium titanate at room temperature can be as high as 5000.
4, 4mm
Trigonal
__ 3, 3, 32, 3m, 3m
__ 3, 3m
3, 32, 3m
3, 3m
Hexagonal
__ 6, 6, 6/m, 622, 6mm, 6m2, (6/m)mm
6/m, (6/m)mm
__ 6, 6, 622, 6mm, 6m2
6, 6mm
Cubic
_ 23, m3, 432, 43m, m3m
Absolute Sense of Spontaneous Polarization
• The relative sense of Ps in a crystal is given by the charge developed on the polar faces as a single domain crystal is cooled below Tc. • This sense can be related to the atomic arrangement by making use of the anomalous scattering in an x-ray diffraction experiment.
Triclinic
_ 1, 1
_ 1
1
1
Monoclinic
2, m, 2/m
2/m
2, m
2, m
Orthorhombic
222, mm2, mmm
mmm
222, mm2
mm2,
Tetragonal
__ 4, 4, 4/m, 422, 4mm, 42m, (4/m)mm
4/m, (4/m)mm
__ 4, 4, 422, 4mm, 42m
S=?
max(P E) P E ( 0)

铁电相
顺电相
T TC
铁电体介电常数与温度的关系
Examples: Barium Strontium Titanate (BST)
B.位移型铁电体
•结构特点:钙钛矿结构
通式:ABO3,其中A为一价或二价金属,B为四价 或五价金属
The T dependence of Ps for BaTiO3
Ferroelectric Domains and Hysteresis Loop
• Ferroelectric crystals possess regions with uniform polarization called ferroelectric domains. • Polarization vs. Electric Field (P-E) hysteresis loop for a typical ferroelectric crystal is shown on the right.
I. Introduction
• Ferroelectricity is a phenomena which was discovered in 1921.
• Ferroelectricity has also been called Seignette electricity, as Seignette or Rochelle Salt (RS) was the first material found to show ferroelectric properties. • A huge leap in the research on ferroelectric materials came in the 1950's, leading to the widespread use of barium titanate (BaTiO3) based ceramics in capacitor applications and piezoelectric transducer devices .
2001 MRQW Dec. 11-12, 2001 Pasadena, CA
Ferroelectric Memory Reliability and Qualification
Gary F. Derbenwick and Stephen C. Philpy Celis Semiconductor Corporation Colorado Springs, Colorado 80918 (719) 262-5144 gary@
一、铁电体 的电畴结构和特性
具有宏观偶极矩的区域称为“电畴”。注意薄膜 的电畴
在初始状态,就铁电体整体而言,对 外界将不呈现电荷和极化状态(相当 与回线的O点)。
2. 无应力的晶体
G U T S P E U 内能 S熵 T 绝对温度

S不变时
稳定系统 G最小
Theory for Ferroelectric(cont.)
• • • • • Magnitude of Spontaneous Polarization Atomic Arrangement and Ferroelectricity Absolute Sense of Spontaneous Polarization Dimensionality of Ferroelectric Crystals Changes in Properties Near the Curie Temperature • Antiferroelectric Materials • Representative Ferroelectric Materials • Material Preparation and Poling
A O B
ABO3立方钙钛矿结构
Ba
O
Ps
立方晶系
四角晶系
Ps 正交晶系
Ps 三角晶系
BaTiO3晶体的晶格参数与温度的关系
四角相BaTiO3的自发极化强度与温度的关系

BaTiO3单晶的介电常数与温度的关系

III.Theory for Ferroelectric
• • • • • • • Ferroelectric material Crystal Symmetry Spontaneous Polarization and Pyroelectric Effect Ferroelectric Domains and Hysteresis Loop Curie Point and Phase Transitions Perovskite Structures Dielectric Hysteresis
m3, m3m
_ 23, 43m
------
பைடு நூலகம்
Spontaneous Polarization and Pyroelectric Effect
• The spontaneous polarization is given by the value of the dipole moment per unit volume or by the value of the charge per unit area on the surface perpendicular to the axis of spontaneous polarization. • change in the spontaneous polarization vector ΔPs is given by: ΔPs = π ΔT
Barium Titanate and its tetragonal crystal structure
Crystal Symmetry
Crystal Structure Point Groups CentroSymmetric Non-centrosymmetric
Piezoelectric Pyroelectric
P
常见的铁电体有:
自发极化Ps
矫顽电场Ec o
•酒石酸钾钠 4H2O) E (NaKC4H4O6·
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