半导体分立器件的命名方法
半导体分立器件的命名方法
（1）我国半导体分立器件的命名法
例：
1) 锗材料PNP型低频大功率三极管：2) 硅材料NPN型高频小功率三极管：
3A D50C3D G201 B
规格号规格号
序号序号
低频大功率低频大功率
PNP型、锗材料PNP型、锗材料
三极管三极管
3) N型硅材料稳压二极管：4) 单结晶体管：
2C W51B T3 3 E
序号规格号
稳压管耗散功率
N型、硅材料三个电极
二极管特种管
半导体（2）国际电子联合会半导体器件命名法
示例（命名）：
A F239S
AF239型某一参数的S档
普通用登记序号
高频小功率三极管
锗材料
国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：
1) 这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2) 第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP 型）。
3) 第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
4) 第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN 型。
5) 第四部分字母表示同一型号的某一参数（如h FE或N F）进行分档。
6) 型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测量。
(3) 美国半导体器件型号命名法
美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表11所示。
表11美国电子工业协会半导体器件型号命名法
1) JAN2N29042) 1N4001
JAN2N2904 1N4001
EIA登记序号EIA登记序号
EIA注册标志EIA注册标志
三极管二极管
军用品
美国晶体管型号命名法的特点：
1) 型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。例如，对于材料、极性、主要特性和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N开头的既可能是一般晶体管，也可能是场效应管。因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。
2) 组成型号的第一部分是前缀，第五部分是后缀，中间的三部分为型号的基本部分。
3) 除去前缀以外，凡型号以1N、2N或3N 开头的晶体管分立器件，大都是美国制造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。
4) 第四部分数字只表示登记序号，而不含其它意义。因此，序号相邻的两器件可能特性相差很大。例如，2N3464为硅NPN，高频大功率管，而2N3465为N沟道场效应管。
5) 不同厂家生产的性能基本一致的器件，都使用同一个登记号。同一型号中某些参数的差异常用后缀字母表示。因此，型号相同的器件可以通用。
6) 登记序号数大的通常是近期产品。
(4) 日本半导体器件型号命名法
日本半导体分立器件（包括晶体管）或其它国家按日本专利生产的这类器件，都是按日本工业标准（JIS）规定的命名法（JIS－C－702）命名的。
日本半导体分立器件的型号，由五至七部分组成。通常只用到前五部分。前五部分符号及意义如表12所示。第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六部分的符号表示特殊的用途及特性，其常用的符号有：
M－松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准登记的产品。
N－松下公司用来表示该器件符合日本广播协会（NHK）有关标准的登记产品。
Z－松下公司用来表示专用通信用的可靠性高的器件。
H－日立公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。
K－日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的可靠性高的器件。
T－日立公司用来表示收发报机用的推荐产品。
G－东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。
S－三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。
第七部分的符号，常被用来作为器件某个参数的分档标志。例如，三菱公司常用R，G，Y等字母；日立公司常用A，B，C，D等字母，作为直流放大系数h FE的分档标志。
表12日本半导体器件型号命名法
示例：
1）2SC502A（日本收音机中常用的中频放大管）
2S C502 A
2SC502型的改进产品
日本电子工业协会登记顺序号
NPN型高频三极管
日本电子工业协会注册产品
三极管（两个PN结）
2）2SA495（日本夏普公司GF－9494收录机用小功率管）
2S A495
日本电子工业协会登记顺序号
PNP高频管
日本电子工业协会注册产品
三极管（两个PN结）
日本半导体器件型号命名法有如下特点：
1) 型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。
2) 第二部分均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。
3) 第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应三极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。
4) 第四部分只表示在日本工业协会（EIAJ）注册登记的顺序号，并不反映器件的性能，
顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW，而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是，登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。
5) 第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。
6) 日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的方法，即把2S省略。例如，2SD764，简化为D764，2SC502A简化为C502A。
7) 在低频管（2SB和2SD型）中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355的特征频率f T为100MHz，所以，它们也可当高频管用。
8) 日本通常把P cm 1W的管子，称做大功率管。
半导体器件工艺基础知识
半导体基础知识和半导体器件工艺 第一章半导体基础知识 通常物质根据其导电性能不同可分成三类。第一类为导体，它可以很好的传导电流，如：金属类，铜、银、铝、金等；电解液类：NaCl水溶液，血液，普通水等以及其它一些物体。第二类为绝缘体，电流不能通过，如橡胶、玻璃、陶瓷、木板等。第三类为半导体，其导电能力介于导体和绝缘体之间，如四族元素Ge锗、Si硅等，三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等，二、六族元素的化合物氧化物、硫化物等。 物体的导电能力可以用电阻率来表示。电阻率定义为长1厘米、截面积为1平方厘米的物质的电阻值，单位为欧姆*厘米。电阻率越小说明该物质的导电性能越好。通常导体的电阻率在10-4欧姆*厘米以下，绝缘体的电阻率在109欧姆*厘米以上。 半导体的性质既不象一般的导体，也不同于普通的绝缘体，同时也不仅仅由于它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是由于半导体具有以下的特殊性质： (1) 温度的变化能显著的改变半导体的导电能力。当温度升高时，电阻率会降低。比如Si在200℃时电阻率比室温时的电阻率低几千倍。可以利用半导体的这个特性制成自动控制用的热敏组件（如热敏电阻等），但是由于半导体的这一特性，容易引起热不稳定性，在制作半导体器件时需要考虑器件自身产生的热量，需要考虑器件使用环境的温度等，考虑如何散热，否则将导致器件失效、报废。 (2) 半导体在受到外界光照的作用是导电能力大大提高。如硫化镉受到光照后导电能力可提高几十到几百倍，利用这一特点，可制成光敏三极管、光敏电阻等。 (3) 在纯净的半导体中加入微量（千万分之一）的其它元素（这个过程我们称为掺杂），可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特征。例如在原子密度为5*1022/cm3的硅中掺进大约5X1015/cm3磷原子，比例为10-7（即千万分之一），硅的导电能力提高了几十万倍。 物质是由原子构成的，而原子是由原子核和围绕它运动的电子组成的。电子很轻、很小，带负电，在一定的轨道上运转；原子核带正电，电荷量与电子的总电荷量相同，两者相互吸引。当原子的外层电子缺少后，整个原子呈现正电，缺少电子的地方产生一个空位，带正电，成为电洞。物体导电通常是由电子和电洞导电。 前面提到掺杂其它元素能改变半导体的导电能力，而参与导电的又分为电子和电洞，这样掺杂的元素（即杂质）可分为两种：施主杂质与受主杂质。 将施主杂质加到硅半导体中后，他与邻近的4个硅原子作用，产生许多自由电子参与导电，而杂质本身失去电子形成正离子，但不是电洞，不能接受电子。这时的半导体叫N型半导体。施主杂质主要为五族元素：锑、磷、砷等。 将施主杂质加到半导体中后，他与邻近的4个硅原子作用，产生许多电洞参与导电，这时的半导体叫p型半导体。受主杂质主要为三族元素：铝、镓、铟、硼等。 电洞和电子都是载子，在相同大小的电场作用下，电子导电的速度比电洞
绝缘子型号命名规则
绝缘子型号的含义 绝缘子型号的含义 绝缘颜色标志表 型号SC KC KC1 KX EX JK TX 正极红红红红红红红 负极绿蓝湖蓝黑棕紫白 补偿导线型号、代号及命名法表 型号规格代号含义 辅助代号附加代号 SC 配用铂铑10-铂热电偶的补偿型补偿导线 KX 配用镍铬-镍硅热电偶的延伸型补偿导线 KC 配用镍铬-镍硅热电偶的补偿型补偿导线 EX 配用镍铬铜镍热电偶的延伸型补偿导线 JX 配用铁-铜镍热电偶的延伸型补偿导线 TX 配用铜-铜镍热电偶的延伸型补偿导线 -G 一般用 -H 耐热用 A 精密级 B 普通级 -V 聚氯乙烯 -F 聚四氟乙烯 -B 玻璃丝 R 多股线芯（单股线芯省略） P 屏蔽 0.5 线芯标称截面0.5mm2 1.0 线芯标称截面1.0mm2 1.5 线芯标称截面1.5mm2 2.5 线芯标称截面2.5mm2 表示S型热电偶用的补偿型耐热用普通级补偿导线，绝缘层为聚氯乙烯，特征为多股软线和屏蔽型单对线芯标称截面为1.0mm2。 举例：SC-H B-V R P 2×1.0 GB4989-85 本安用热电偶补偿导线(缆)(含阻燃型) 产品型号含义 口口口口口ia 配用热电偶型号(二个字母表示) 使用分类和允差等级、GA一般用精密级，GB一般用普通级线芯股数、多股用R表示，单股可省略线芯截面，mm2 本安用 线芯绝缘层、护层着色表 补偿导线型号配用热电偶补偿导线合金丝绝缘层着色护层着色 正极负极正极负极 SC 铂铑10-铂SPC（铜）SNC（铜镍）红绿蓝 KC 镍铬-镍硅KPC（铜）KNC（康铜）红蓝蓝 KX 镍铬-镍硅KPX（镍铬）KNX（镍硅）红黑蓝
半导体技术-中国半导体分立器件分会
“半导体技术”2011年第11期摘要” 材料与器件 P817- 宽带隙半导体材料光电性能的测试 P821- GaN薄膜的椭偏光谱研究 P826- 集成电路互连线用高纯铜靶材及相关问题研究 P831- GaAs同质外延生长过程的RHEED分析 制造工艺技术 P836- 300nm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究 P840- 沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究 集成电路设计与应用 P844- 一种用于角度传感器中的仪表放大器 P848- FPGA芯片内数字时钟管理器的设计与实现 P853- 一种高功率馈线合成器的设计 P857- 一种宽带OFDM信号接收电路的设计与实现 P862- 2~18GHz宽带ALC放大器 P866- 20GHz镜频抑制谐波混频器 P871- 双极型LDO线性稳压器的设计 封装、检测与设备 P875- 全自动LED引线键合机焊点快速定位方法的研究 P880- 铜线键合Cu/Al界面金属间化合物微结构研究 P885- 多线切割张力控制系统研究 P890- 汽车轮胎压力感应器产品的可靠性评估
材料与器件 P817- 宽带隙半导体材料光电性能的测试 郭媛1,陈鹏1,2,孟庆芳1,于治国1,杨国锋1,张荣1,郑有炓1 (1．南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093; 2．南京大学扬州光电研究院,江苏扬州225009) 摘要:主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任何温度大功率激发条件下,自由激子的带边复合占主导地位,并且带边复合的强度随温度或激发功率的下降而减弱;在室温以下小功率激发条件下,局域化能级引入的束缚激子复合占主导地位,其复合强度随温度的下降而单调上升,随激发功率的下降而上升。带边复合在样品温度上升或者激发功率变大时发生蓝移,而局域的束缚激子复合辐射的峰值波长,随样品温度和激发功率的变化没有明显变化。 关键词:光致发光;深能级;自由激子;束缚激子;多量子阱;蓝移 P821- GaN薄膜的椭偏光谱研究 余养菁,张斌恩,李孔翌,姜伟,李书平,康俊勇 (厦门大学物理系教育部微纳光电子材料与器件工程研究中心 福建省半导体材料及应用重点实验室,福建厦门361005) 摘要:采用椭圆偏振光谱法,在1.50~6.50eV光谱内,研究了在蓝宝石衬底(0001)面上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法制备的非掺杂纤锌矿结构GaN薄膜的光学性质。建立GaN表面层/外延层/缓冲层/衬底四层物理结构模型。与Cauchy和Sellmeier色散公式比较后选择了Tanguy Extended色散公式来分析GaN薄膜的光学性质。椭圆偏振光谱拟合结果表明,Tanguy Extended色散公式能更准确、方便地描述GaN薄膜在全波段(特别是带隙及带隙之上波段)的色散关系。提供了GaN薄膜在1.50~6.50eV光谱范围内的寻常光(o光)和非寻常光(e光)折射率和消光系数色散关系,为定量分析GaN薄膜带边附近各向异性的光学性质提供了依据。 关键词:GaN薄膜;椭圆偏振光谱;光学各向异性;色散关系;纤锌矿结构
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点： (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm，变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。 例如：温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时，电阻率只增加4%左右。
半导体分立器件行业发展研究-半导体分立器件行业的下游需求情况
半导体分立器件行业发展研究-半导体分立器件行业的下游需求情况 半导体分立器件行业的下游需求情况 随着国民经济的快速发展及行业技术工艺的不断突破，半导体分立器件的应用领域有了很大的扩展。近年来，受益于国家经济转型升级以及新能源、新技术的应用，下游最终产品的市场需求保持良好的增长态势，从而为半导体分立器件行业的发展提供了广阔的市场空间。半导体分立器件的下游覆盖消费电子、汽车电子、工业电子等领域，且在上述领域应用基本保持稳定的增长。在国家产业政策的支持下，新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴产业领域将成为国内分立器件行业新的增长点，特别是该等应用领域将给MOSFET、IGBT等分立器件市场中的主流产品提供巨大的市场机遇。 （1）消费电子 MOSFET 等半导体功率器件是消费电子产品的重要元器件，消费电子市场也是半导体功率器件产品的主要需求市场之一。中国消费电子产品的普及程度越来越高，而且近年来消费者对消费电子的需求从以往的台式PC、笔记本电脑为主向平板电脑、智能电视、无人机、智能手机、可穿戴设备等转移，直接推动消费电子市场的快速发展。消费电子产品更新换代周期短以及新技术的不断推出，
使得消费电子市场需求量进一步上升。根据美国消费电子协会统计，2013 年中国消费电子市场整体规模达到16,325 亿元，成为全球最大的消费电子市场，根 据2017年3C行业报告，2017年中国消费电子市场将突破2万亿，预计增长7.1%。 目前我国笔记本电脑、彩色电视机等众多消费类电子产品的生产规模已经位居全球第一，同时以智能电视、无人机等为代表的新兴消费类电子产品也开始在国内实现量产。根据IDC 的预测，智能电视是互联网快速发展的产物，2016 年国内智能电视销量达4,098 万台，预计到2018 年智能电视销量将突破5,000 万台。近年来我国无人机市场规模快速增长，根据IDC 的预测，我国航拍无人机的 市场规模将由2016 年的39 万台增加到2019年的300 万台，年均复合增长率高 达97.40%。上述消费电子产品市场规模的快速增长，有力地拉动了对上游半导体功率器件的需求。 （2）汽车电子
半导体分立器件测试系统说明书
QTEC-4000 半导体分立器件测试系统
目 录 １ EDITOR使用 ２ Logger使用说明 ３ Opener使用
1.EDITOR使用 点击ＰＥｄｉｔｏｒ图标 打开Ｅｄｉｔｏｒ主界面 1．1菜单说明:
１．１．１文件菜单 菜单项 说 明 键盘快捷键 新建 新建测试文件 Ｃｔｒｌ ＋ Ｎ 打开 打开已有的测度文件 Ｃｔｒｌ ＋ Ｏ 保存 保存编辑完成的文件 Ｃｔｒｌ ＋ Ｓ 另保存 将编辑的文件以其他的名称保存 打开暂存文件 打开暂时保存的文件 保存暂存文件 保存暂时的文件 编辑文件头信息 编辑测试文件信息 密码 文件保护密码的设定 设置双机并行时同一个器件进行分时测试，以提 设置并行测试点 高测试速度 打印 打印测试文件 打印预览 预览打印文件 打印机设置 打印机的设定 退出 退出正在运行的Ｅｄｉｔｏｒ 注： 保存已下载到测试主机中的文件时，测试主机会自动下载保存后的程序。故在保存此类文件之前需确认测试程序不在使用的状态。
１．１．２测试项目菜单 １．１．３分类项菜单 菜单内容 操作指令含义 键盘快捷键 鼠标的快捷操作 新增 增加分类项目 Ｃｔｒｌ ＋ Ｗ 修改 修改分类项目 Ｃｔｒｌ ＋ Ｘ 鼠标左键双击修改处 插入 插入分类项目 Ｃｔｒｌ ＋ Ｙ 删除 删除分类项目 Ｃｔｒｌ ＋ Ｚ 菜单内容 操作指令含义 键盘快捷键 鼠标的快捷操作 新增 增加测试项目 Ｃｔｒｌ ＋ Ｒ 修改 修改测试项目 Ｃｔｒｌ ＋ Ｓ 鼠标左键双击修改处 插入 插入测试项目 Ｃｔｒｌ ＋ Ｉ 删除 删除测试项目 Ｃｔｒｌ ＋ Ｕ 复制块 批量拷贝测试项目 Ｃｔｒｌ ＋ Ｖ 删除块 批量删除测试项目 Ｃｔｒｌ ＋ Ｗ 反转极性 批量测试项目极性反转 Ｃｔｒｌ ＋ Ｘ 替换 替换已有的测试项目 Ｃｔｒｌ ＋ Ｙ 设置跳转 测试项目整体跳转设定 功能设置 各功能的整体设定
半导体分立器件
半导体分立器件 半导体器件是近50年来发展起来的新型电子器件，具有体积小、重量轻、耗电省、寿命长、工作可靠等一系列优点，应用十分广泛。 1）国产半导体器件型号命名法 国产半导体器件型号由五部分组成，如表1-13所示。半导体特殊器件、场效应器件、复合管、PIN型管、激光管等的型号由第三、四、五部分组成。 表1-13 中国半导体器件型号命名法
示例1：“2 A P 10”型为P型锗材料的小信号普通二极管，序号为10。 示例2：“3 A X 31 A”型为PNP型锗材料的低频小功率三极管，序号31，规格号为A。 示例3：“CS 2 B”型为场效应管，序号为2，规格号为B。 2)半导体二极管 二极管按材料可分为硅二极管和锗二极管两种；按结构可分为点接触型和面接触型；按用途可分为整流管、稳压管、检波管、开关管和光电管等。常见二极管外形和电路符号可参见《基础篇》。 （1）常用二极管的类型有： ①整流二极管 主要用于整流电路，即把交流电变换成脉动的直流电。整流二极管为面接触型，其结电容较大，因此工作频率范围较窄（3kHz以内）。常用的型号有2CZ型、2DZ型等，还有用于高压和高频整流电路的高压整流堆，如2CGL型、DH26型2CL51型等。 ②检波二极管 其主要作用是把高频信号中的低频信号检出，为点接触型，其结电容小，一般为锗管。检波二极管常采用玻璃外壳封装，主要型号有2AP型和1N4148（国外型号）等。 ③稳压二极管 稳压二极管也叫稳压管，它是用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管，其特点是工作于反向击穿区，实现稳压；其被反向击穿后，当外加电压减小或消失，PN结能自动恢复而不至于损坏。稳压管主要用于电路的稳压环节和直流电源电路中，常用的有2CW型和2DW型。 ④光电二极管 光电管又称光敏管。和稳压管一样，其PN结也工作在反偏状态。其特点是：无光照射时其反向电流很小，反向电阻很大；当有光照射时，其反向电阻减小，反向电流增大。光电管常用在光电转换控制器或光的测量传感器中，其PN结面积较大，是专门为接收入射光而设计的。光电管在无光照射时的反向电流叫做暗电流，有光照射时的电流叫做光电流（或亮电流）。其典型产品有2CU、2DU系列。 ⑤发光二极管 发光二极管简写做LED。它通常用砷化镓或磷化镓等材料制成，当有电流通过它时便会发出一定颜色的光。按发光的颜色不同发光二极管可分为红色、黄色、绿色、蓝色、变色和红外发光二极管等。一般情况下，通过LED的电流在10～30mA之间，正向压降约为1.5～3V。LED可用直流、交流、脉冲等电源驱动，但必须串接限流电阻R。LED能把电能转换成光能，广泛应用在音响设备、数控装置、微机系统的显示器上。 ⑥变容二极管 变容二极管是利用PN结加反向电压时，PN结此时相当于一个结电容。反偏电压越大，PN结的绝缘层加宽，其结电容越小。如2CB14型变容二极管，当反向电压在3～25V区间变化时，其结电容在20～30pF之间变化。它主要用在高频
国家半导体产品命名规则
美国国家半导体(NS)产品命名规则 概述 美国国家半导体在销售的元件上进行标记，以便提供元件标识和制造的追溯性信息。提供在元件上标记信息的方法取决于元件封装的大小和进行标记的可用区域，以及元件的性质和规格。 这里的信息描述了客户将观察到的大多数元件标记。特定封装标记按每个元件的部件编号。 下面的链接讨论了常见的标记准则，以帮助了解与右侧示例中相类似的设备标记。 特别代码 标准制造信息（第一行） 小组件制造信息（第一行） 典型元件描述（第二行） 其他的信息（第三行和第四行） 极小组件标记 军用/航空标记 强化塑料标记 其他标记 晶圆制造厂代码 装配厂代码 制造日期代码 裸片批次代码 元件系列，产品线和元件类型 电气等级信息 温度范围代码 封装代码 ROM 代码标记 特别代码 元件上的实际标记可能会与网上的定义有出入，以下的特别代码被解译成元件编号的真正代表字元。美国国家半导体使用一些指定的字母来识别产品，例如“DD” Die Step Rev 会在元件标记中包含一个或两个“C” 或“AA”，另一个例子“BBBBB”则是一个5位数字的裸片检阅号码，它可被解码成“43ABE”
的真正字元。 NS = 标准NS商标 U = 晶圆制造厂代码 Z = 装配厂代码 X = 1-日期或 + 号代表“ES” 工程样本 XY = 两个位的日期代码 XYY = 三个位的日期代码 XXYY = 四个位的日期代码 TT = 两个位的裸片批次代码 E# = 含铅成份种类 * (E0 - E7 per JESD97) BBBBB= 五个位的裸片批次代码 DD = 一或两个位的Die Step Rev SS = 晶圆筛选代码 C = 版权标记 M = 印在圈内的M > = ESD标记 EP = 强化塑料识别 A = 检查批次号码 DIE-RUN-## = 10个位的晶圆批次/裸片批次号码 I = 微型 SMD 引脚1指示 V = 微型 SMD 一个位的裸片批次代码或“+” 号表示為工程 样品“ES” * - 假如空间容许 标准制造信息（第一行） 元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。 顶端小组件制造信息（第一行） 在较小的封装（例如 SOIC、8 引脚 MDIP 和 20 引脚 PLCC）中，编码的信息可能稍有不同，以容纳下图中所示的较小可用区域。
我国半导体分立器件行业研究
我国半导体分立器件行业研究 1、行业现状及发展前景 （1）半导体分立器件简介 分立器件是指具有单一功能的电路基本元件，如二极管、晶体管、电阻、 电容、电感等，主要实现电能的处理与变换，是半导体市场重要的细分领域。 根据功能用途，可以将能够进行功率处理的半导体器件定义为功率半导体器 件（Power Semiconductor Device），又称电力电子器件（Power Electronic Device）。 典型功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理等。功率半导 体器件主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是弱电控制与强电运行间的桥 梁。除保证设备正常运行以外，功率半导体器件还起到有效的节能作用。典型的 功率半导体器件包括二极管（普通二极管、肖特基二极管、快恢复二极管等）、 晶体管（双极结型晶体管、电力晶体管、MOSFET、IGBT 等）、晶闸管（普通 晶闸管、IGCT、门极可关断晶闸管等）。 作为分立器件最重要和最广泛的应用领域，功率半导体器件在大功率、大电
流、高反压、高频、高速、高灵敏度等特殊应用场合具有显著性能优势，因此可替代性较低。功率半导体器件目前几乎应用于所有的电子制造业，如通信、计算机、汽车产业、消费电子、光伏产业、智能电网、医疗电子、人工智能、物联网等领域，应用范围广阔。半导体分立器件行业处于产业链的中游，其产品被广泛应用于各终端领域。半导体分立器件在半导体（硅基）产业链中的位置如下图所示（虚线方框部分）： 从具体制造流程上来看，可以进一步将半导体分立器件划分为芯片设计、芯片制造、封装测试等环节。 芯片设计是指通过系统设计和电路设计，将设定的芯片规格形成设计版图的过程。在对芯片进行寄存器级的逻辑设计和晶体管级的物理设计后，设计出不同规格和效能的芯片。
IC命名 封装 批号 常识等大全
IC命名封装批号常识等大全IC基本认 识 德州仪器( TI ), 安森美( ON ), 国半( NSC ), 国半( NSC ),德意志半导体( STM ),恩智浦 (NXP ),欧司朗( OSRAM ),威世半导体( VISHAY ),英飞凌( INFINEON ),飞兆半导体( FAIRCHILD ),东芝( TOSHIBA )志半导体( STM ),恩智浦 (NXP ),欧司朗( OSRAM ),威世半导体( VISHAY ),英飞凌( INFINEON ),飞兆半导体( FAIRCHILD ),东芝( TOSHIBA )
↑ IC封装如上 IC产品的命名规则： 大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MAXIM公司的以MAX为前缀，AD公司的以AD为前缀，ATMEL公司的以AT 为前缀，CY公司的以CY为前缀，像AMD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；ALTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice（莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。ALTERA的以EP，EPM，EPF为前缀，它在亚洲国家卖得比较好，XILINX的以XC为前缀，它在欧洲国家卖得比较好，功能相当好。Lattice一般以M4A，LSP，LSIG为前缀，NS的以LM为前缀居多等等，这里
就不一一做介绍了。 紧跟前缀后面的几位字母或数字一般表示其系列及功能，每个厂家规则都不一样，这里不做介绐，之后跟的几位字母（一般指的是尾缀）表示温度系数和管脚及封装，一般情况下，C 表示民用级，I表示工业级，E表示扩展工业级，A表示航空级，M表示军品级 下面几个介比较具有代表性的生产厂家，简单介绍一下： AMD公司FLASH常识： AM29LV 640 D（1）U（2）90R WH（3）I（4） 1：表示工艺： B=0.32uM C=0.32uM thin-film D=0.23uM thin-film G=0.16uM thin-film M=MirrorBit 2：表示扇区方式： T=TOP B=BOTTOM H=Unifom highest address L=Unifom lowest address U、BLANK=Unifom 3：表示封装： P=PDIP J=PLCC S=SOP Z=SSOP E/F=TSSOP M/P/W=FPGA 4：温度范围 C=0℃TO+60℃ I=-40℃TO+85℃ E=-55TO℃+85℃ MAXIM MAXIM产品命名信息(专有命名体系) MAXIM推出的专有产品数量在以下相当可观的速度增长.这些器件都按以功能划分的产品类别进行归类。MAXIM目前是在其每种产品的唯一编号前加前缀“MAX”、“MX”“MXD”等。在MAX公司里带C的为商业级，带I的为工业级。现在的DALLAS被MAXIM收购，表以原型号形式出现，这里不做介绍。 三字母后缀： 例如：MAX232CPE C=等级（温度系数范围）P=封装类型（直插）E=管脚数（16脚） 四字母后缀： 例如：MAX1480BCPI B=指标等级或附带功能C=温度范围P=封装类型（直插）E=管脚数（28脚） 温度范围： C= 0℃至60℃（商业级）I=-20℃至85℃（工业级）E=-40℃至85℃（扩展工业级）A=-40℃至82℃（航空级）M=-55℃至125℃（军品级） 封装类型： A—SSOP；B—CERQUAD；C—TO-200，TQFP；D—陶瓷铜顶；E—QSOP；F—陶瓷SOP，H—SBGAJ-陶瓷DIP；K—TO-3；L—LCC，M—MQFP；N——窄DIP；N—DIP；Q—PLCC；R—窄陶瓷DIP（300mil）;S—TO-52，T—TO5，TO-99，TO-100；U—TSSOP，uMAX，SOT；W—宽体小外型（300mil）；X—SC-60（3P，5P，6P）；Y—窄体铜顶；Z—TO-92，MQUAD；D—裸片；/PR-增强型塑封；/W-晶圆。 管脚数：
半导体分立器件行业发展研究-半导体分立器件竞争格局、利润水平及行业壁垒
半导体分立器件行业发展研究 -半导体分立器件竞争格局、利润水平及行业壁垒 半导体分立器件行业竞争格局 经过多年的发展，国内厂商在中低端分立器件产品的技术水平、生产工艺和产品品质上已有很大提升，但在部分高端产品领域仍与国外厂商有较大的差距。由于国外公司控制着核心技术、关键元器件、关键设备、品牌和销售渠道，国内销售的高端半导体功率器件仍旧依赖海外进口。面对广阔的市场前景，国内厂商在技术水平和市场份额的提升上仍有较大的开拓空间。我国半导体分立器件行业起步较晚，近年来在国家产业政策的鼓励和行业技术水平不断提升等多重利好因素推动下，行业内部分企业以国外先进技术发展为导向，逐步形成了以自主创新、突破技术垄断、替代进口为特点的发展模式。半导体分立器件行业内，新洁能等部分企业掌握了MOSFET、IGBT 等产品的核心技术，通过产品的高性价比不断 提高市场占有率，在与国外厂商的竞争中逐步形成了自身的竞争优势。
行业利润水平 1、行业利润水平的变动趋势 近年来，我国半导体分立器件行业平均利润水平总体上呈现平稳波动态势，在不同应用领域及细分市场行业利润水平则存在着结构性差异。一般而言，在传统应用领域，低端产品行业进入门槛较低，市场竞争较为充分，导致该领域产品行业利润水平相对较低。而在新兴细分市场以及中高端半导体分立器件市场，由于产品技术含量高，产品在技术、客户积累以及资金投入等方面具有较高的进入壁垒，市场竞争程度相对较低，行业内部分优质企业凭借自身技术研发、产业链完善、质量管理等综合优势，能够在该领域获得较高的利润率水平。 2、行业利润水平的变动原因 半导体分立器件行业的利润水平主要受到宏观经济形势和下游行业景气度、以及行业技术水平等因素的综合影响。 宏观经济形势及下游行业景气程度方面。半导体分立器件作为基础性元器件，应用领域涵盖了消费电子、汽车电子、工业电子等广泛的下游行业。宏观经济形势则直接影响该等行业的整体发展状况，从而传导至对半导体分立器件的需求的变化，进而影响半导体分立器件行业的利润水平。
半导体分立器件、集成电路装调工国家职业标准
半导体分立器件、集成电路装调工 国家职业标准 1.职业概况 1． 1职业名称：半导体分立器件、集成电路装调工。 1． 2 职业定义：使用设备装配、测试半导体分立器件、集成电路、混合集成电路 的人员。 1． 3职业等级：本职业共设四个等级，分别为：初级（国家职业资格五级）、中 级（国家职格四级）、高级（国家职业资格三级）、技师（国家职业资格二级）。 1． 4职业环境：室内、常温（部分高温），净化。 1．5 职业能力特征：有一定的分析、判断和推理能力，手指灵活、手臂灵活、动作 协调。知觉好。 1． 6基本文化程度：高中毕业（或同等学历）。 1． 7 培训要求： 1．7．1培训期限：全日制职业学校教育，根据其培养目标和教学计划确定。晋级 培训：初级不少于 400标准学时；中级不少于 300标准学时；高级不少于 150标准学时；技师 于 150标准学时。 1． 7． 2培训教师：培训初、中、高级的教师应具有本职业技师职业资格证书或 3年相关专业 8级专业技术职务任职资格；培训技师的教师具有本职业技师职业资格证书 以上或专业高级专业技术职务任职资格。 1．7．3培训场地设备：理论培训场地应具有可容纳20名以上学员的标准教室，并 配备设备。实际操作培训场所应具备必要的实验设备和产品测试仪器的实践场所。 1． 8鉴定要求： 1． 8． 1适用对象：从事或准备从事本职业的人员。 1． 8． 2申报条件： ——初级（具备下列条件之一者） （1）经本职业初级正规培训达规定标准学时数，并取得结业证书。 （2）在本职业连续见习工作 2年以上。 （3）本职业学徒期满。 ——中级（具备以下条件之一者） （ 1）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作 3年以上，经本职业中级正 训达规定标准学时数，并取得结业证书。 （ 2）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作5年以上。
美国半导体元件命名规则
标准制造信息（第一行） 元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。 小组件制造信息（第一行） 在较小的封装（例如 SOIC、8 引脚 MDIP 和 20 引脚 PLCC）中，编码的信息可能稍有不同，以容纳下图中所示的较小可用区域。 典型元件描述（第二行） 标记的第二行描述封装中的特定电路。下面的图显示典型元件以及编程元件的信息。
车用产品拥有独特的识别码(NSID)，在标准商用产品的NSID 标记中会加入“Q”字母作识别，而在该行代码中所包含的信息包括： 顶端 其他信息, 第三行和第四行 根据元件、封装大小和客户的不同，第三行和第四行可能显示的信息包括： ?元件标识的延续部分（如果该标识太长，第二行无法容纳） ?特定客户请求和规格可能要求“加盖”编号 ?与版权（c）或商标（TM, R）有关的注意事项 其它标记 由于美国国家半导体生产多种产品，有时需要添加其它标记以表示一种不同的性能级别或标识特定功能。例如，出现在封装代码或裸片批次代码之后的某些标记可能包含下列信息： ?特殊可靠性工艺处理 (/A+) ?处理MIL-STD-883C (/883) ?指示可调整的输出元件 (-ADJ) ?指示输出电压级别 (-5.0) ?指示工作频率 (-33) ?产品推出状态代码 (ES) ?上面各项以外的其它信息
制造日期代码 单位日期代码： 单位日期代码标记为 4 位、3 位、2 位或个位数字形式。4 位日期代码通常用于军事/航空元件。3 位日期代码用于标准的商用元件，这些元件的封装标记表面足够大，可以容纳所有必要的标记信息。2 位和 1 位日期代码用于标表面有限的小型封装。 商用元件： 定制商用元件日期代码以周为单位，此类日期代码根据日历周而每周变化。标准商用元件以及所有小型封装日期代码以6周为一单位，每 6 周更换一次。尽管日期代码每 6 周进行更新, 从NSID，日期代码和裸片批次代码, 使用美国国家半导体的在线系统可以追溯产品的准确生产日期。 6 周日期代码如下所示。 2007200620052004 XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X 0706 706 71 S0606 606 61 J0506 506 51 A0406 406 41 S 0712 712 72 T0612 612 62 K0512 512 52 B0412 412 42 T 0718 718 73 U0618 618 63 L0518 518 53 C0418 418 43 U 0724 724 74 V0624 624 64 M0524 524 54 D0424 424 44 V 0730 730 75 W0630 630 65 N0530 530 55 E0430 430 45 W 0736 736 76 X0636 636 66 60536 536 56 F0436 436 46 X 0742 742 77 Y0642 642 67 P0542 542 57 G0442 442 47 Y 0748 748 78 Z0648 648 68 80548 548 58 H0448 448 48 Z 0752 752 79 =0652 652 69 R0552 552 59 90452 452 49 = 2003200220012000 XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X 0306 306 31 J0206 206 21 A0106 106 11 S0006 006 01 J 0312 312 32 K0212 212 22 B0112 112 12 T0012 012 02 K 0318 318 33 L0218 218 23 C0118 118 13 U0018 018 03 L 0324 324 34 M0224 224 24 D0124 124 14 V0024 024 04 M 0330 330 35 N0230 230 25 E0130 130 15 W0030 030 05 N
NS国半半导体产品命名规则
NS国半半导体产品命名规则 概述 美国国家半导体在销售的元件上进行标记，以便提供元件标识和制造的追溯性信息。提供在元件上标记信息的方法取决于元件封装的大小和进行标记的可用区域，以及元件的性质和规格。 这里的信息描述了客户将观察到的大多数元件标记。特定封装标记按每个元件的部件编号, 并表列于这网页内的价格与供货部份中。 下面的链接讨论了常见的标记准则，以帮助了解与右侧示例中相类似的设备标记。 特别代码 标准制造信息（第一行） 小组件制造信息（第一行） 典型元件描述（第二行） 其他的信息（第三行和第四行） 极小组件标记 军用/航空标记 强化塑料标记 其他标记 晶圆制造厂代码 装配厂代码 制造日期代码 裸片批次代码 元件系列，产品线和元件类型 电气等级信息 温度范围代码 封装代码 ROM 代码标记 特别代码 元件上的实际标记可能会与网上的定义有出入，以下的特别代码被解译成元件编号的真正代表字元。美国国家半导体使用一些指定的字母来识别产品，例如“DD” Die Step Rev 会在元件标记中包含一个或两个“C”或“AA”，另一个例子“BBBBB”则是一个5位数字的裸片检阅号码，它可被解码成“43A BE”的真正字元。 NS = 标准NS商标
U = 晶圆制造厂代码 Z = 装配厂代码 X = 1-日期或 + 号代表“ES”工程样本 XY = 两个位的日期代码 XYY = 三个位的日期代码 XXYY = 四个位的日期代码 TT = 两个位的裸片批次代码 E# = 含铅成份种类 * (E0 - E7 per JESD97) BBBBB= 五个位的裸片批次代码 DD = 一或两个位的Die Step Rev SS = 晶圆筛选代码 C = 版权标记 M = 印在圈内的M > = ESD标记 EP = 强化塑料识别 A = 检查批次号码 DIE-RUN-## = 10个位的晶圆批次/裸片批次号码 I = 微型 SMD 引脚1指示 V = 微型 SMD 一个位的裸片批次代码或“+”号表示為工程样品“ES” * - 假如空间容许 标准制造信息（第一行） [元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。
2020年半导体分立器件制造行业分析报告
2020年半导体分立器件制造行业分析报告 2020年7月
目录 一、行业上下游之间的关联性 (3) 1、芯片设计 (3) 2、晶圆制造 (3) 3、封装测试 (4) 二、影响行业发展的因素 (4) 1、有利因素 (5) （1）国家政策的有力支持 (5) （2）半导体产业重心转移带来的国产替代机遇 (5) （3）功率半导体产业技术发展 (6) （4）新兴科技产业的发展孕育新的市场机会 (6) 2、不利因素 (7) （1）半导体产业基础薄弱 (7) （2）国产功率半导体器件产品附加值较低 (7) （3）高端技术人才短缺 (7) 三、进入行业的壁垒 (8) 1、市场壁垒 (8) 2、技术壁垒 (8) 3、专业人才壁垒 (9) 四、行业经营特征 (9) 五、行业竞争情况 (10) 1、扬杰科技 (11) 2、捷捷微电 (11) 3、派瑞股份 (11) 4、中车时代电气 (12)
一、行业上下游之间的关联性 半导体产业链主要包含芯片设计、晶圆制造和封装测试三大核心环节，此外还有为晶圆制造与封装测试环节提供所需材料及专业设备的支撑产业链。作为资金与技术高度密集行业，半导体行业形成了专业分工深度细化、细分领域高度集中的特点。 1、芯片设计 芯片设计的本质是将具体的产品功能、性能等产品要求转化为物理层面的电路设计版图，并且通过制造环节最终实现产品化。设计环节包括结构设计、逻辑设计、电路设计以及物理设计，设计过程环环相扣，技术和工艺复杂。芯片设计公司的核心竞争力取决于技术能力、需求响应和定制化能力带来的产品创新能力。 2、晶圆制造 晶圆制造是半导体产业链的核心环节之一。晶圆制造是根据设计出的电路版图，通过炉管、湿刻、淀积、光刻、干刻、注入、退火等不同工艺流程在半导体晶圆基板上形成元器件和互联线，最终输出能够完成功能及性能实现的晶圆片。晶圆制造产业属于典型的资本和技
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则
一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、
3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:
2020年半导体分立器件行业分析
2020年半导体分立器件行业分析 一、行业管理 (2) 二、行业技术水平和技术特点及行业特征 (2) 1、行业技术水平和技术特点 (2) 2、行业特征 (3) （1）周期性 (3) （2）区域性 (3) （3）季节性 (4) 三、行业上下游的关系 (4) 1、上游行业情况 (4) 2、下游行业情况 (5) 四、行业竞争情况 (5) 1、行业竞争格局 (5) 2、行业主要企业情况 (6) （1）安世集团（Nexperia） (7) （2）英飞凌（Infineon） (7) （3）意法半导体（ST Microelectronics） (7) （4）华润微电子有限公司 (8) （5）杭州士兰微电子股份有限公司 (8) （6）苏州固锝电子股份有限公司 (8) （7）江苏捷捷微电子股份有限公司 (9) （8）吉林华微电子股份有限公司 (9) （9）强茂电子（无锡）有限公司 (9) （10）无锡新洁能股份有限公司 (9)
一、行业管理 国内半导体行业已实现市场化的发展模式，基本形成了各企业面向市场自主经营，政府职能部门产业宏观调控，行业协会自律规范的管理格局。半导体产业的行业宏观管理职能由国家工业和信息化部承担，主要负责产业政策制定、引导扶持行业发展、指导产业结构调整等；中国半导体行业协会是行业的自律组织和协调机构，下设集成电路分会、半导体分立器件分会、半导体封装分会、集成电路设计分会、半导体支撑业分会、MEMS分会等专业机构。行业协会主要承担行业引导和服务职能，负责产业及市场研究、行业自律管理以及开展业务交流等。 二、行业技术水平和技术特点及行业特征 1、行业技术水平和技术特点 半导体分立器件的技术涉及了微电子、半导体物理、材料学、电子线路等诸多学科、多领域，不同学科、领域知识的结合促进行业交叉边缘新技术的不断发展。随着终端应用领域产品的整体技术水平要求越来越高，半导体分立器件技术也在市场的推动下不断向前发展，新材料、低损耗高可靠性器件结构理论、高功率密度的芯片制造与封装工艺技术已应用到分立器件生产中，行业内产品的技术含量日益提高、设计及制造难度也相应增大。近年来，我国半导体分立器件制造企业通过持续的引进消化吸收再创新以及自主创新，产品技术含量及