模拟电子技术基础习题.pdf
《模拟电子技术》考试题型一、判断/思考题二、填空/改错题三、分析与选择题四、计算题五、设计题模拟电子技术习题（部分）一、填空题1）根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为（绝缘体）、（导体）和（半导体）三类。
2）P型半导体的多数载流子是（空穴），少数载流子是（电子）；N型半导体的多数载流子是（电子），少数载流子是（空穴）。
3）PN结具有（单向导电性）性能，即加正向电压时PN结导通，加反向电压时的PN结截止。
4）硅二极管导通时的正向压降约（ 0.7 ）V，锗二极管导通时的正向压降约（ 0.2 ）V。
5）交流电流可以无失真地通过二极管. （错）6）晶体三极管有两个PN结，即（）结和（）结；有三个点极，即（）极、（）极、（）极，分别用字母（）、（）、（）表示。
7）晶体三极管的输出特性可分为三个区域，即（）区、（）区、（）区。
8）放大电路按三极管的连接方式可分为（）、（）、（）。
9）在放大状态下的ＮＰＮ型三极管,必定Vc（）VB，Ve（）VB.在饱和状态下的ＰＮＰ型三极管,必定Vc（）VB，Ve（）VB.10）三极管的共射直流电流放大系数βo的定义是（）.共射交流电流放大系数β的定义是（）.11）三极管的交流输入电阻RBe与管子的电流放大系数β无关（），与集电极电流Ｉc有关（）。
12）为防止失真，放大器发射结电压直流分量U BEO应比输入信号峰值（），并且要大于发射结的（）。
13）负反馈可分为有（），（），（）和（）等四种基本形式。
14）功率放大器一般按工作状态可分为（）放大、（）放大和（）放大三类。
15）单级共射放大器的输出电阻与负载电阻有关（），与三极管的集电极电流Ｉc无关（）。
16）某个放大电路的电压放大增益是100DB、80DB、40DB，所表示的放大倍数各是（），（），（）。
17）欲稳定放大器的输出电压，应采用（）负反馈，欲提高放大器的输入电阻，应采用（）负反馈18）人们总希望放大器有（）输入电阻和（）输出电阻。
二、判断题（1）在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体。
（）（2）PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。
（）（3）晶体二极管是线性元件。
（）（4）无论哪种类型的晶体二极管，其正向电压都是0.3V左右。
（）（5）当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。
（）（6）发射结正向偏置的晶体三极管一定工作在放大状态。
（）（7）发射结反向偏置的晶体三极管一定工作在截止状态。
（）（8）放大电路的交流负载线比直流负载线陡。
（）（9）近似估算法同样可以应用于功率放大器。
（）（10）功率放大器的电压和电流放大倍数都大于1。
（）（11）自激振荡器建立振荡的条件是A U F>1。
（）（12）石英晶体震荡器的特点是频率稳定度高。
（）（13）零漂一般是折算到输出端来衡量的。
（）（14）差动放大电路的共模放大倍数实际上为零。
（）（15）共模抑制比越小，差动放大电路的性能越好。
（）三、简答题（1）为什么温度对二极管的正向特性影响小，而对反向特性却影响很大？（2）放大器为什么要设置静态工作点？（3）如何确定放大器的静态工作点？（4）什么叫作运算放大器的“虚短”“虚断”和“虚地”？（5）功率放大器与小信号电压放大器有哪些不同？四、分析题（1）、用万用表测得处在放大状态的晶体三极管三个电极的对地电位是U A=9.5V，U B=-5.9V，U C=-6.2V，试根据此判断晶体三极管的管脚、材料与类型。
（2）测得某三极管，其电流如图（P186）所示，在图中标出各管的管脚，并说明三极管是NPN型还是PNP型？②③五、计算题 4.3.5 4.3.11 4.4.34、5、五、设计题1、画出用运算放大器实现 Vo ＝2V1＋4V2－V3 要求的电路。
2、设计一个最大输出功率为10W的OCL功率放大器(RL=8)，确定该功率放大器的工作电压，确定该功率放大器中的功率放大输出三极管的参数值（功耗、耐压、最大允许I C电流等），画出电路图，给出所用元件的参数。
3、用78/79系列的三端稳压芯片为2题的功率放大器设计其要求的直流电源，画出电路图，给出所用元件的参数。
一、思考题：1-1 二极管电路如下图所示 , 试判断图中的二极管是导通还是截止 , 并求，设二极管是理想的。
出 AO 两端电压 VA01-2 试判断图中二极管导通还是截止 , 为什么 ?1-3 如图所示画出了某固定偏流放大电路中 BJT 的输出特性及交、直流负载线 , 试求 :(1) 电源电压 Vcc, 静态电流 IB 、 Ic和管压降 VCE 的值 ;(2) 电阻Rb,Rc的值 ; (3 )输出电压的最大不失真幅度 ;(4) 要使该电路能不失真地放大 , 基极正弦电流的最大幅值是多少 ?1-4 NPN型三极管接成如图所示三种电路，试分析三极管T处于何种工作状态。
设T的UBE=0.7V二、思考题1-5 掺杂半导体中影响多数和少数载流子数量的最主要的因素是什么？温度变化时受影响更大的是哪种载流子？试说明原因。
1-6 有二个晶体管，一个β=200，I CEO=200µA；另一个β=50， I CEO=10µA，其它参数大致相同。
你认为应选用哪个管子较稳定？1-7 FET有多种类型，它们的输出特性及转移特性各不相同，试总结出判别FET类型及电压极性的规律。
三、讨论题1-8 假设用万用表的R×10挡测得某二极管的正向电阻为200Ω，若改用R×100挡量同一个二极管，则测得的结果将比200Ω大还是小，还是正好相等？为什么？1-9 有甲、乙两个三极管一时辨认不出型号，但可从电路中测出它们得三个未知电极X、Y、Z对地电压分别为：甲管：V X=9V，V Y=6V，V Z=6.7 V；乙管： V X= – 9V，V Y= – 6V，V Z= – 6.2V。
试分析三个电极中，哪个是发射极、基极、集电极？它们是NPN型还是PNP型？是锗管还是硅管？第二章基本放大电路一、作业题2-1如图所示单级共射放大电路，已知三极管的UBE =0.7V，β=50，Rb=377kΩ，Rc=6 kΩ，Rs=100Ω，RL=3 kΩ，Vcc=12V。
试计算：1）电路的静态工作点Q；2）电压放大倍数Au 、Aus；3）输入电阻Ri 和输出电阻Ro。
2-2 电路如图所示，已知BJT的β=100，VBE=-0.7V。
（1）试估算该电路的 Q 点 ;(2) 画出简化的 H 参数小信号等效电路 ;(3) 求该电路的电压增益Av , 输入电阻Ri 、输出电阻 Ro； (4) 若 Uo中的交流成分出现图（b）所示的失真现象 , 问是截止失真还是饱和失真 ? 为消除此失真 , 应调整电路中的哪个元件 ? 如何调整 ?2-3 PNP管接成如图所示电路，已知三极管的UBE =–0.2V，β=60，Rb=472kΩ，Rc =4 kΩ，Rs=300Ω，RL=6 kΩ，Vcc=12V，UCES=–0.2V，rbb’=100Ω。
1）试计算电路的静态工作点Q；2）画出微变等效电路图；3）试计算输入电阻Ri 、输出电阻Ro、电压放大倍数Au、Aus；4）画出直流、交流负载线DCLL、ACLL；5）计算电路的最大输出幅度Uomax；6）信号增大时，首先出现什么失真？怎样消除？7）调整Rb 的阻值，使电路有尽可能大的输出幅度Uomax，此时Rb=？，Uomax=？2-4 已知电路参数如图所示 ,FET 工作点上的互导 gm=1ms, 设 rd 》 Rd 。
画出电路的小信号模型 ;(2) 求电压增益 Av;(3) 求放大器的输入电阻 Ri 。
二、思考题2-5 放大电路为什么要设置合适的静态工作点Q ？2-6 BJT 的小信号模型是在什么条件下建立的？其中的受控电源的性质如何？2-7 CE 、CC 和CB 表示BJT 的三种电路接法。
而反向电压放大器，电压跟随器和电流跟随器则相应地表达了输出量和输入量之间的大小与相位关系，如何从物理概念上来解释？三、讨论题2-8 在画小信号等效电路时，常将电路中的直流电源短路，即把直流电源Vcc 的正端看成是直流正电位、交流地电位。
对此如何理解？2-9 在简化的BJT 的小信号模型中，两个参数r be 和β怎么求得？若用万用表的“Ω”档测量b 、e 两极的电阻，是否为r be ？ 2-10 试比较图解分析法和小信号模型分析法的特点及应用范围？第三章 多级放大电路3-1 CC-CE 两级放大电路如图所示，已知Vcc=12V ，R b1=180k Ω，R e1=2.7k Ω，R 1=100 k Ω，R 2=50 k Ω，R c2=2 k Ω，R e2=1.6 k Ω，R s =1 k Ω，R L =8 k Ω，β1=β2=50，r be1=r be2=900Ω。
1） 画出微变等效电路2） 求电路的输入电阻R i 和输出电阻R o 。
3） 计算电压放大倍数A u 、A us3-2 CC-CC 两级放大电路如图所示，已知三极管的β1=β2=60，r be1=5k Ω，r be2=1k Ω， 求电路的输入电阻R i 和输出电阻R o 。
3-3 三级放大电路如图所示，已知三极管b 、e 的等效电阻分别为r be1、r be2、r be3，电流放大系数分别为β1、β2、β3，写出R i 、R o 、A u 的表达式。
二、思考和讨论题3-4 多级放大电路级间耦合方式及其特点如何？各级耦合应满足什么条件？3-5 对于直接耦合多级放大电路的静态工作点Q的计算应注意什么问题？。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
（华北电力大学主编）模拟电子技术基础习题答案
（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案模拟电⼦技术基础习题答案电⼦技术课程组2018.8.15⽬录第1章习题及答案 (1)第2章习题及答案 (14)第3章习题及答案 (36)第4章习题及答案 (45)第5章习题及答案 (55)第6章习题及答案 (70)第7章习题及答案 (86)第8章习题及答案 (104)第9章习题及答案 (117)第10章习题及答案 (133)模拟电⼦技术试卷1 (146)模拟电⼦技术试卷2 (152)模拟电⼦技术试卷3 (158)第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。
（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。
A. 增⼤B. 不变C. 减⼩（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。
A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设⼆极管正向导通电压可忽略不计。
《模拟电子技术基础》习题答案
( RC // RL ) u i 0.76V rbe (1 ) RE
(1 )( RE // RL ) ui 0.994V rbe (1 ) RE
u o 2 Auo 2 u i
2. 6 如图题 2.6 所示的偏置电路中，热敏电阻 Rt 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？
第 1 章习题及答案 1.1．在图题 1.1 所示的各电路图中 E＝5V，ui 10 sin t V，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电 压 u o 的波形。
+
R
+ D E + -
+
Байду номын сангаас
D
+ R E + -
ui
(a) + R
uo
-
ui
(b)
uo
-
+ D E + -
+
ui
(c)
uo
-
D
+ R E + -
I B IC /
U CB U CC I C RC U CC Rb 2 U CC ( Rb1 Rb 2 )
Rb 2 RC Rb 2 U CC U CC ( Rb1 Rb 2 ) Re ( Rb1 Rb 2 )
7
第 3 章习题及答案 3.1 电路如图题 3.1 所示。 T1 和 T2 参数一致且 足够大。 （1） T1 、 T2 和电阻 R1 组成什么电路，起什么作用？ （2） 写出 I c 2 的表达式。
Re
uo
-
(a)
(b)
图解 2.7 2. 8 如图题 2.8 所示 RS、Re、Rb1、Rb2、Rc、RL、UCC 均已知；求静态工作点 IC、IB、UCB。
电子技术基础模拟部分第五版课后题答案.pdf
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电子技术基础模拟部分 第五版
第四章作业题解答
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电子技术基础模拟部分 第五版
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模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
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模电往高大上讲，就是电子器件和电子线路及其应用的一门专业基础课。
往通俗点说就是，高中理想的二极管贴近现实，甚至长了一个“脚”，三极管诞生了，各种功率等数据嫌小，找放大电路来帮忙，还有对看不见摸不着的信号进行各种处理。
模拟电子技术以晶体管、场效应管等电子器件为基础，以单元电路、集成电路的分析和设计为主导，研究各种不同电路的结构、工作原理、参数分析及应用。
通过本课程的学习，使学生掌握模拟电路的基本原理及分析方法，深刻认识单元电路、集成电路在实际电路中的应用。
学习后，您将会做什么：
能熟练掌握阅读和分析电路图的方法，具备查阅电子器件和集成电路手册的能力，学会常用电子仪器的使用，掌握电路的设计、安装及调试方法
适用人群：
从事电子技术使用以及现场维修的技术人员。
PLC使用人员，中级或以上的电工。
课程特色：
以实际材料为例，迅速讲解相关知识，举例大量的实际电路知识，图示性强。
能使人很清晰的看懂知识点。
第一章：直流稳压电源的制作与调试（第1-12课时）
第二章：分立元件放大电路分析与调试（第12-30课时）
第三章：集成运算放大器基础及负反馈电路（第31-37课时）
第四章：集成运算放大器的应用（第38-49课时）
第五章：功率放大电路（第50-58课时）
第六章：正弦波振荡电路（第59-63课时）
第七章：光电子器件及其应用（第64-68课时）
第八章：晶闸管及其应用电路（第69-76课时）。
模拟电子技术基础课后答案（完整版）
第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（×）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（√）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（×）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（×）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（√ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（×）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（×）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e(I I TV Vs D 表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压；V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K 2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦，则)V (2.11594TV T，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TVV，于是TV Vs eI I，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V ，于是s I I，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
哈工大模拟电子技术基础习题册
模拟电子技术基础习题册班级：XXXX姓名：XXXX学号：XXXXXXXXX年XXX月1 模拟电子技术基础习题册第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是纯净的晶体结构的半导体，其载流子是自由电子和空穴。
载流子的浓度相等（空穴与自由电子数目相等）。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂，而少数载流子的浓度则与温度_有很大关系。
3．漂移电流是少数载流子在电场力作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是PN结具有单向导电性，它的两个主要参数是最大整流电流和最高反向工作电压。
5．稳压管是利用了二极管的反向击穿陡直的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在反向击穿区。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是稳定工作电压、稳定工作电流、额定功率、和动态电阻。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将升高。
7．双极型晶体管可以分成PNP型和NPN型两种类型，它们工作时有空穴和电子两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成结型场效应管和绝缘栅场效应管两种类型，它的导电过程仅仅取决于多数载流子的流动；因而它又称做单极性晶体管器件。
9．场效应管属于-----电压控制电流控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将增大，反向饱和电流I CEO增大正向结压降U BE降低。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出电位最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为发射结正偏和集电结反偏；饱和区，偏置为_发射结正偏和集电结正偏；截止区，偏置为发射结反偏和发射结反偏。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将左移，输出特性曲线将上移，而且输出特性曲线之间的间隔将增大。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
模拟电子技术基础 习题册
模拟电子技术基础习题册(总28页)-本页仅作为预览文档封面，使用时请删除本页-专业姓名学号成绩1-1、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
1-2、在单相桥式整流电路中，已知输出电压平均值U O（AV）＝15V，负载电流平均值I L（AV）＝100mA。
（1）变压器副边电压有效值U2≈（2）设电网电压波动范围为±10％。
在选择二极管的参数时，其最大整流平均电流I F和最高反向电压U R的下限值约为多少1-3、电路如图所示，变压器副边电压有效值为2U2。
（1）画出u2、u D1和u O的波形；（2）求出输出电压平均值U O（AV）和输出电流平均值I L（AV）的表达式；（3）二极管的平均电流I D（AV）和所承受的最大反向电压U R m ax的表达式。
1-4、电路如图所示，变压器副边电压有效值U21＝50V，U22＝20V。
试问：（1）输出电压平均值U O1（AV）和U O2（AV）各为多少（2）各二极管承受的最大反向电压为多少1-5、试在如图所示电路中，标出各电容两端电压的极性和数值，并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。
1-6、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
专业姓名学号成绩1-7、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax＝25mA。
（1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值；（2）若U I＝35V时负载开路，则会出现什么现象为什么1-8、电路如图所示。
（1）分别标出u O1和u O2对地的极性；（2）u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流（3）当U21＝U22＝20V时，U O1（AV）和U O2（AV）各为多少（4）当U21＝18V，U22＝22V时，画出u O1、u O2的波形；并求出U O1（AV）和U O2（AV）各为多少1-9、电路如图所示，已知稳压管的稳定电压为6V，最小稳定电流为5mA，允许耗散功率为240mW，动态电阻小于15Ω。
《模拟电子技术基础》(童诗白)课后习题答案
模拟电子技术基础第 1 章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B. 四价C. 三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小1.2电路如图P1.2 所示，已知u i = 10sinωt (V)，试画出u i 与u o 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：u i 与u o 的波形如解图Pl.2 所示。
1.3电路如图P1.3 所示，已知u i =5sinωt(V)，二极管导通电压U D=0.7V。
试画出u i 与u o 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4 所示, 二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈ 26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流I D = (V −U D ) / R = 2.6mA其动态电阻:r D ≈U T / I D =10Ω图 P1.4故动态电流的有效值： I d = U i / r D ≈1mA1.5 现有两只稳压管，稳压值分别是 6V 和 8V ，正向导通电压为 0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得 4 种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
(2)并联相接可得 2 种：0.7V ；6V 。