薄膜中的扩散与应力模型

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薄膜应力课件

薄膜应力课件

薄膜应⼒课件第9章压⼒容器中的薄膜应⼒本章重点内容及对学⽣的要求:(1)压⼒容器的定义、结构与分类;(2)理解回转薄壳相关的⼏何概念、第⼀、⼆主曲率半径、平⾏圆半径等基本概念。

(3)掌握回转壳体薄膜应⼒的特点及计算公式。

第⼀节压⼒容器概述1、容器的结构如图1所⽰,容器⼀般是由筒体(壳体)、封头(端盖)、法兰、⽀座、接管及⼈孔(⼿孔)视镜等组成,统称为化⼯设备通⽤零部件。

图1 容器的结构⽰意图2、压⼒容器的分类压⼒容器的使⽤范围⼴、数量多、⼯作条件复杂,发⽣事故的危害性程度各不相同。

压⼒容器的分类也有很多种,⼀般是按照压⼒、壁厚、形状或者在⽣产中的作⽤等进⾏分类。

本节主要介绍以下⼏种:○1按照在⽣产⼯艺中的作⽤反应容器(R ):主要⽤来完成介质的物理、化学反应,利⽤制药中的搅拌反应器,化肥⼚中氨合成塔,。

换热容器(E ):⽤于完成介质的热量交换的压⼒容器,例如换热器、蒸发器和加热器。

分离压⼒容器(S ):完成介质流体压⼒缓冲和⽓体净化分离的压⼒容器,例如分离器、⼲燥塔、过滤器等;储存压⼒容器(C ,球罐代号为B ):⽤于储存和盛装⽓体、液体或者液化⽓等介质,如液氨储罐、液化⽯油⽓储罐等。

○2按照压⼒分外压容器:容器内的压⼒⼩于外界的压⼒,当容器的内压⼒⼩于⼀个绝对⼤⽓压时,称之为真空容器。

内压容器:容器内的压⼒⼤于外界的压⼒。

低压容器(L ): MPa P MPa 6.11.0<≤;中压容器(M ):M P a P M P a 1016.0<≤⾼压容器(H ):M P a P M P a 10010<≤超⾼压容器(U ):P M P a ≤10○3《压⼒容器安全监察规程》⼀类容器:有下列情况之⼀的A ⾮易燃或⽆毒介质的低压容器;B 易燃或有毒介质的低压分离容器和换热容器;⼆类容器:有下列情况之⼀的A 剧毒介质的低压容器;B 易燃或者有毒介质的低压反应容器和储运容器;C 中压容器;D 内径⼩于1m 的低压废热锅炉三类容器:有下列情况之⼀的A ⾼压、超⾼压容器;B 剧毒介质,且最⾼⼯作压⼒与容积的乘积MPa L V P W ?≥?200C 易燃或者有毒介质且MPa L V P W ?≥?500的中压反应容器;或者M P a L V P W ?≥?500的中压储运容器;D 中压废热锅炉或内径⼤于1m 的低压废热锅炉。

用纳米压痕法表征薄膜的应力-应变关系

用纳米压痕法表征薄膜的应力-应变关系
本 文 的 工 作 主 要 分 为 两 个 部 分 :第 一 部 分 是 建 立 用 纳 米 压 痕 法 测 量 薄 膜 应 力 应变关系的理论框架;第二部分是实际测定电沉积镍镀层的应力-应变关系。
本文首先介绍了本课题的研究背景和研究现状,对纳米压痕技术进行了较为 详细的叙述,阐明了我们选取本课题的依据。接着按如下思路归纳出了测量脆性 薄膜/韧性基底、脆性薄膜/脆性基底、韧性薄膜/脆性基底以及韧性薄膜/韧性基 底 四 种 膜 / 基 组 合 材 料 力 学 性 能 的 理 论 框 架 :首 先 用 量 纲 分 析 的 方 法 将 纳 米 压 痕 过 程与被测材料的力学性能,如弹性模量、屈服强度及应变硬化指数等联系起来, 建立起两者之间简单的无量纲函数关系的结构形式,其次用有限元方法模拟压头 压 入 材 料 的 过 程 ,分 析 得 到 无 量 纲 函 数 的 具 体 形 式 ,最 后 根 据 实 测 的 载 荷 - 位 移 曲 线确定所需测量的力学性能参量。本文另一主要工作是详细介绍了用纳米压痕法 测 量 电 沉 积 镍 镀 层 应 力 -应 变 关 系 的 过 程 。 用 ABAQUS 有 限 元 软 件 模 拟 了 Berkovich 压头压入镍镀层 1000nm 的压痕过程,结合量纲分析得到的无量纲函数 关系式与实测的载荷-位移曲线,求得了电沉积镍镀层的屈服强度与应变硬化指 数 。本 文 还 引 用 了 马 德 军 用 纳 米 压 痕 法 测 量 韧 性 薄 膜 / 脆 性 基 底 组 合 材 料 的 力 学 性 能的工作。根据这两个实例,我们证明了该理论框架的可行性。
1
湘潭大学硕士毕业论文
用纳米压痕法表征薄膜的应力-应变关系
自由 膜
部分约束
完全约束
线
岛或点

薄膜力学中的应力分析

薄膜力学中的应力分析

薄膜力学中的应力分析薄膜力学是研究薄膜如何受到压力和应力作用的学科,广泛应用于微电子器件、纳米材料制备等领域。

在薄膜力学中,应力分析是一项关键任务,它能够帮助我们理解薄膜的变形和失效行为,为薄膜材料的设计和应用提供重要参考。

一、应力与应变的基本概念在讨论应力分析之前,我们首先需要了解应力与应变的基本概念。

应力是单位面积内的力的作用,通常表示为σ;而应变则是物体在受到应力作用下的变形程度,通常表示为ε。

应力和应变之间存在线性关系,即胡克定律:σ= Eε,其中E为杨氏模量,是材料的一种力学性质。

二、薄膜的应力分布薄膜在受到力的作用下会产生应力分布,而应力的大小和分布规律对薄膜的性能和稳定性有重要影响。

薄膜中的应力分布主要有三种情况:一是等应力分布,即薄膜中各点的应力大小相等;二是线性应力分布,即薄膜中的应力沿某一方向呈线性分布;三是非线性应力分布,即薄膜中的应力随着位置的变化而变化。

三、平面应力与平面应变在薄膜力学中,经常会研究平面应力和平面应变的情况。

平面应力是指只存在于薄膜的一个面内的应力,适用于薄膜边缘自由的情况。

平面应变是指薄膜在受到应力作用下,只发生在一个平面内的应变。

对于平面应力和平面应变的分析,可以采用两个方向的应力与应变分量来描述和计算。

四、常见的应力分析方法在薄膜力学中,常用的应力分析方法有很多,下面介绍几种常见的方法。

1. 基于梁理论的方法:梁理论认为薄膜在受到应力作用下,可以近似看成在各个截面上为梁的模型。

该方法通常基于材料的物理性质和几何形状,通过求解梁方程得到应力分布。

2. 基于薄膜理论的方法:薄膜理论假设薄膜较薄,且沿厚度方向应力分布均匀。

在此基础上,可以建立弹性方程组,并求解得到应力和应变的分布情况。

3. 有限元分析方法:有限元分析是一种非常常用的数值计算方法,可以用来模拟和分析复杂结构的应力分布。

通过将薄膜划分为一系列小的元素,利用数值方法求解得到应力和应变。

五、应力分析的应用薄膜力学中的应力分析在很多领域都有广泛的应用。

薄膜材料力学行为的解析与应用

薄膜材料力学行为的解析与应用

薄膜材料力学行为的解析与应用薄膜材料是指厚度在纳米到微米级别的材料,由于其特殊的结构和性质,在科学研究和工程应用中具有广泛的应用前景。

薄膜材料的力学行为对其性能和应用起着决定性的作用。

本文将从理论分析和实际应用两个方面探讨薄膜材料力学行为的解析与应用。

一、薄膜材料力学行为的理论分析1.1 薄膜材料的力学模型薄膜材料的力学行为可以通过力学模型来描述。

常用的力学模型有弹性模型、塑性模型和粘弹性模型等。

弹性模型适用于小应变范围内的力学行为,可以通过胡克定律来描述薄膜材料的应力-应变关系。

塑性模型适用于大应变范围内的力学行为,可以通过流变学模型来描述薄膜材料的应力-应变关系。

粘弹性模型则适用于在长时间内受到持续应力作用下的力学行为,可以通过弛豫时间和粘滞阻尼来描述薄膜材料的应力-应变关系。

1.2 薄膜材料的应力分析薄膜材料的应力分析是研究其力学行为的重要手段。

应力分析可以通过数学方法和实验方法来进行。

数学方法主要包括有限元分析和解析解法。

有限元分析是一种基于数值计算的方法,可以模拟薄膜材料在外力作用下的应力分布和变形情况。

解析解法则是通过数学推导和解方程的方法,得到薄膜材料的应力分布和变形情况的解析解。

实验方法则是通过实验手段来测量薄膜材料在外力作用下的应力和变形情况,如拉伸试验、压缩试验和扭转试验等。

1.3 薄膜材料的断裂行为薄膜材料的断裂行为是研究其力学行为的重要内容。

薄膜材料的断裂可以通过断裂力学来描述。

断裂力学主要包括线弹性断裂力学和断裂韧性理论。

线弹性断裂力学适用于小应变范围内的断裂行为,可以通过应力强度因子来描述薄膜材料的断裂行为。

断裂韧性理论适用于大应变范围内的断裂行为,可以通过断裂韧性来描述薄膜材料的断裂行为。

二、薄膜材料力学行为的应用2.1 薄膜材料在微电子领域的应用薄膜材料在微电子领域具有广泛的应用。

薄膜材料可以用于制备微电子器件的传感器、电容器和电阻器等。

薄膜材料的力学行为对微电子器件的性能和可靠性起着重要的影响。

薄膜材料的力学行为和应力分析

薄膜材料的力学行为和应力分析

薄膜材料的力学行为和应力分析薄膜材料是一种在实际生活中广泛应用的材料,它具有轻薄、柔软、透明等特点,被广泛应用于电子产品、光学器件、医疗器械等领域。

薄膜材料的力学行为和应力分析对于材料的设计和应用具有重要意义。

薄膜材料的力学行为是指在外力作用下,薄膜材料发生的形变和变形。

由于薄膜材料的厚度相对较小,所以其力学行为与传统的块体材料有所不同。

首先,薄膜材料的弯曲刚度较大,即在外力作用下,薄膜材料发生弯曲变形的能力较强。

其次,薄膜材料的拉伸和压缩性能较差,容易发生撕裂和破坏。

此外,薄膜材料的表面张力也会影响其力学行为,使其在表面上形成一定的应力分布。

对于薄膜材料的力学行为进行应力分析是十分重要的。

应力分析可以帮助我们了解薄膜材料在外力作用下的变形情况,从而指导材料的设计和应用。

在薄膜材料的应力分析中,常用的方法有力学模型法和有限元分析法。

力学模型法是一种基于物理原理和假设的分析方法。

通过建立适当的力学模型,可以计算出薄膜材料在不同应力状态下的应力分布和变形情况。

常用的力学模型有薄板理论、弹性薄膜理论等。

薄板理论假设薄膜材料在平面内的应力分布均匀,可以用平面应力或平面应变假设进行分析。

弹性薄膜理论则考虑了薄膜材料的弯曲和拉伸性能,可以更精确地描述薄膜材料的力学行为。

有限元分析法是一种数值计算方法,通过将薄膜材料划分为有限个小单元,建立数学模型,并利用计算机进行模拟计算,得到薄膜材料在不同应力状态下的应力分布和变形情况。

有限元分析法可以考虑薄膜材料的非线性和非均匀性,能够更精确地模拟和分析薄膜材料的力学行为。

在实际应用中,薄膜材料的力学行为和应力分析对于材料的设计和应用具有重要意义。

例如,在电子产品中,薄膜材料常用于制作柔性电路板和触摸屏等部件。

对于这些部件的设计和制造,需要考虑薄膜材料在外力作用下的弯曲和变形情况,以确保其正常工作和可靠性。

此外,在光学器件和医疗器械中,薄膜材料的力学行为和应力分析也会影响其光学性能和使用寿命。

薄膜材料的组织结构(2)

薄膜材料的组织结构(2)

Stony 薄膜应力模型
薄膜内应力均匀分布 衬底内应力线性分布
薄膜厚度很小, 则衬底应变很小
体系表现出 的曲率半径
模型的三点基本假设: 薄膜的厚度远小于衬底的厚度 薄膜中的应力均匀分布 衬底内的应力呈线性分布
描述薄膜中应力的 Stony 方程
由模型推导出求薄膜应力的 Stony 方程:
薄膜中的应力
首先,薄膜与基底常属于不同的材料;其次, 薄膜的沉积过程往往又要在较高的温度、非平 衡的条件下进行。因此,薄膜材料的一个特殊 问题是薄膜中普遍存在的应力
薄膜应力的分布一般来说是不均匀的。但由于 薄膜应力问题的复杂性,薄膜应力多是指薄膜 在断面上的应力的平均值 薄膜中总存在应力。它被称为内应力或残余应 力,其数值随材料、制备技术的不同而不同, 甚至可达100-10000kg/mm2 (0.1-10GPa)数量级
薄膜应力的激光动态监测法
薄膜的曲率可用光学的方法很方便地予以监测;用 监测沉积过程中薄膜对激光束的反射角变化的方法 ,可实现对薄膜应力的动态监测
薄膜应力的构成
薄膜应力产生的原因很复杂,但通常可被视为 它是以下两类应力之和:
th in
这两类应力是 热应力 th:由于薄膜与衬底材料热膨胀系数 的差别和温度的变化共同引起的应力 生长应力 in:由于薄膜生长过程的不平衡性 或薄膜所特有的微观结构所导致的应力,又被 称为内秉应力(或本征应力)
薄膜中应力的测量
薄膜中存在应力的一个最直接的结果是其在薄 膜中要引起相应的应变,因而可以用多种方法 对其进行测量(例如用X-射线衍射的方法)
最直观的薄膜应力测量方法是由测量薄膜的曲 率变化计算薄膜中应力的方法,即应用定量描 述薄膜应力-形变关系的斯通利(Stoney)方 程(1909)

薄膜应力

薄膜应力

薄膜应力通常薄膜由它所附着的基体支承着,薄膜的结构和性能受到基体材料的重要影响。

因此薄膜与基体之间构成相互联系、相互作用的统一体,这种相互作用宏观上以两种力的形式表现出来:其一是表征薄膜与基体接触界面间结合强度的附着力;其二则是反映薄膜单位截面所承受的来自基体约束的作用力—薄膜应力。

薄膜应力在作用方向上有张应力和压应力之分。

若薄膜具有沿膜面收缩的趋势则基体对薄膜产生张应力,反之,薄膜沿膜面的膨胀趋势造成压应力[1-2]。

应该指出,薄膜和基体间附着力的存在是薄膜应力产生的前提条件,薄膜应力的存在对附着力又有重要影响[3]。

图1薄膜中压应力与张应力的示意图[4]1薄膜应力的产生及分类:薄膜中的应力受多方面因素的影响,其中薄膜沉积工艺、热处理工艺以及材料本身的机械特性是主要影响因素。

按照应力的产生根源将薄膜内的应力分为热应力和本征应力,通常所说的残余应力就是这两种应力的综合作用,是一种宏观应力[4]。

本征应力又称内应力,是在薄膜沉积生长环境中产生的(如温度、压力、气流速率等),它的成因比较复杂,目前还没有系统的理论对此进行解释,如晶格失配、杂质介入、晶格重构、相变等均会产生内应力[5]。

本征应力又可分为界面应力和生长应力。

界面应力来源于薄膜与基体在接触界面处的晶格错配或很高的缺陷密度,而生长应力则与薄膜生长过程中各种结构缺陷的运动密切相关。

本征应力与薄膜的制备方法及工艺过程密切相关,且随着薄膜和基体材料的不同而不同[6]。

热应力是由薄膜与基底之间热膨胀系数的差异引起的。

在镀膜的过程中,薄膜和基体的温度都同时升高,而在镀膜后,下降到初始温度时,由于薄膜和基体的热膨胀系数不同,便产生了内应力,一般称之为热应力,这种现象称作双金属效应[7]。

但由这种效应引起的热应力不能认为是本质的论断。

薄膜热应力指的是在变温的情况下,由于受约束的薄膜的热胀冷缩效应而引起的薄膜内应力[6]。

薄膜应力的产生机理:(1)热收缩效应的模型热收缩产生应力的模型最早是由Wilman和Murbach提出来,它是以蒸发沉积时,薄膜最上层温度会达到相当高为前提的。

薄膜生长机理

薄膜生长机理
03
例如,在还原气氛下,氧化物薄膜可能被还原为金属或金属氧化物; 在氧化气氛下,金属薄膜可能被氧化为金属氧化物。
04
气氛的均匀性和稳定性也会影响薄膜的均匀性和质量。
基片的影响
基片对薄膜生长的影响主要体 现在基片的表面结构和化学性
质上。
基片的表面结构对薄膜的附着 力、均匀性和致密性有重要影
响。
基片的化学性质可以与薄膜材 料发生相互作用,影响薄膜的 生长过程和结构。
的化学组成和结构。
化学气相沉积
通过化学反应将气态的化学物质转 化为固态薄膜,涉及复杂的化学反 应和相变过程。
氧化还原反应
在沉积过程中可能发生氧化还原反 应,影响薄膜的化学组成和电子结 构。
薄膜生长的动力学过程
相变动力学
薄膜生长过程中涉及的相变过程, 如气态到液态、液态到固态等, 需要遵循一定的相变动力学规律。
03
薄膜在生长过程中可能会发生相变,形成不同相的组成,从而
影响其整体性能。
薄膜的化学成分
01
化学成分对性能的 影响
薄膜的化学成分决定了其物理、 化学和机械性能,如电导率、光 学性能和耐腐蚀性等。
02
03
元素组成与比例
化学稳定性
薄膜中各元素的组成与比例对其 性能具有重要影响,如掺杂元素 可以提高薄膜的性能。
例如,基片表面的氧化物、杂 质等可能会影响薄膜的生长过 程和结构。
04 薄膜性能与表征
薄膜的晶体结构
晶体结构对性能的影响
01
薄膜的晶体结构决定了其物理、化学和机械性能,如硬度、韧
性和导电性等。
晶体取向与生长机制
02
薄膜的晶体取向与生长机制密切相关,不同的晶体取向会导致
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Models of Diffusion and Stress in Thin Films
Bing Lin, Zhongbao Dai, Mengying Gao, Jiangyong Wang
Department of Physics, Shantou University, Shantou Guangdong Received: Nov. 4th, 2016; accepted: Nov. 26th, 2016; published: Nov. 30th, 2016 Copyright © 2016 by authors and Hans Publishers Inc. This work is licensed under the Creative Commons Attribution International License (CC BY). /licenses/by/4.0/
414
林冰 等
= D D0 exp ( − Q k BT )
(2.3)
上式也称为 Arrhenius 定律。其中, Q 是扩散的激活能, k B = 1.38 × 10−23 J ⋅ K −1 是玻尔兹曼常数,T 是绝 对温度, D0 是指前因子。图 2 是杂质(Ge, Cu)在单晶 Al 中的扩散系数[12]。由图中可以看出,不同金属 杂质在基体中的扩散系数的依赖不同,在 500℃的典型值 ~ 10−10 cm 2 s 。一般情况下,将式(2.3)两边取对 数,则
2. 扩散
2.1. 连续模型
1855 年,德国生理学家阿道夫 ·菲克 (Adolf Eugen Fick, 1829~1901) [8]归纳了格雷厄姆 (Thomas Graham, 1805~1869)的实验数据[9],并引入扩散系数的概念,将扩散现象用与热学中傅立叶定律(或电学 中的欧姆定律)类似的数学式表达,
∂C ∂ ∂C ∂ 2C dD ( C ) ∂C D D (C ) 2 + = = (C ) dC ∂x ∂t ∂x ∂x ∂x
1 Dt=1/16 0.9 0.8
Concentration(mole fraction)
2
(2.6)
1 Dt=1/16 0.9 0.8
5
Figure 3. Gaussian function solution (left) and Error function solution (right) of the diffusion equation 图 3. 扩散方程的高斯函数解(左)和误差函数解(右)
416
林冰 等
显然,方程(2.6)是二阶非线性偏微分方程,对于任意与浓度相关的 D ( C ) ,通常不可能得到它的解 析解。做出贡献的是,统计物理学家路德维希·玻尔兹曼(Ludwig Boltzmann, 1844-1906)。他在方程(2.6) 中引入新的变量[20]
扩散系数可以由下式给出
D C∗ = −
( )
1 2t
∫C ( x − xM ) dC
L
C∗
( dC
dx )C∗
(2.7)
xM 表示俣野面[21] (Matano plane)的位置它表示,在某时刻 t ,流经此面的质量平衡,即流入质量
415
林冰 等
于是, ln D 与 1 T 是线性关系(图 2 右)。其中斜率包含激活能 Q 的信息。通过获取的 Q 值,可以验证 扩散机制。一般情况下,直接替位扩散( A ↔ B )所需激活能最大,间隙扩散次之,而空位扩散所需激活 能最小。 至此,方程(2.1)~(2.3)称为扩散连续模型,此后很多结果都建立在这个基础之上[13]。扩散模型建立 的目的是研究扩散原子在晶体中的分布状况,首先要解出扩散原子浓度 C 随位置 x 和时间 t 的变化关系, 即 C ( x, t ) 。方程(2.2)的解有误差函数解,高斯函数解等[14] [15]:
Material Sciences 材料科学, 2016, 6(6), 413-431 Published Online November 2016 in Hans. /journal/ms /10.12677/ms.2016.66053
Q 1 ln D = − + ln D0 kB T
(
)
(a) 糖放在水中
(b) 溶解:分子扩散
(c) 均匀分布
Figure 1. Diffusion of sucrose molecules in water 图 1. 蔗糖分子在水中扩散示意图
6 Ge Cu 5
-10 Ge -15 -20 -25 -30 Cu
Concentration(mole fraction)
Dt=1/4 Dt=1
Dt=1/4 Dt=1
0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0
0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0
0
1
2 3 4 Postion(dimensionless)
5
0
1
2 3 4 Postion(dimensionless)
Open Access
Abstract
Diffusion of atoms in the materials can cause stress, and the produced and/or intrinsic stress may influence the diffusion process, which is more pronounced in the thin films. In this paper, some common diffusion and stress models are summarized and the diffusion equations under stress are deduced based on the thermodynamics. The diffusion profiles with different stress models are then simulated by the finite difference method.
x C (= x, t ) C0 1 − erf 2 Dt = C ( x, t ) x2 M exp − πDt 4 Dt
(2.4)
(2.5)
这两种解法是由于边界条件不同,其中方程(2.4)的误差函数解是,表面焊料的扩散浓度随深度的变 2 x − z2 化[16]。其中, C0 是初始浓度。 erf ( x ) 称为误差函数[17],其定义为: erf ( x ) = ∫ e dz ,误差函数 π 0 的值可以通过误差函数表给出。方程(2.5)的高斯函数解,又称为薄膜解。其中, M 是 x = 0 处的初始的物 质质量。图 3 给出了误差函数解和高斯函数解的图像[18] [19]。 然而,随着实验现象不断发现,这两个解与实验数据有很大的偏差,这时,人们对开始菲克定律进 行修正,认为扩散系数 D 是一个与浓度 C 有关的变量,称为互扩散系数 D ( C ) ,则方程(2.2)改写为


扩散会产生应力,而产生的或内禀的应力又会影响扩散,这在薄膜材料中表现的尤为突出。本文介绍了 常见的几个扩散模型和应力模型,并通过热力学的方法推导出了应力条件下的扩散方程。随后采用有限 元差分方法模拟了不同应力模型下的扩散分布。
文章引用: 林冰, 戴钟保, 高梦滢, 王江涌. 薄膜中的扩散与应力模型[J]. 材料科学, 2016, 6(6): 413-431. /10.12677/ms.2016.66053
林冰 等
关键词
扩散,扩散系数,扩散致应力,应力致扩散
Hale Waihona Puke 1. 引言在工业生产和实际应用中,很多物理化学过程都与物质扩散密切相关,如固溶体的形成、相变、固 相反应、材料表面处理、半导体掺杂等。在薄膜系统中,薄膜与基底之间由于热膨胀系数不同,或者成 分不均匀,会引起应力;应力会引起扩散的改变。这对材料的物理性能有很大的影响,特别是对于一些 有害物质的扩散、聚集或者与其他物质发生反应,会对设备的运行安全和使用寿命产生很大的影响,比 如,氢致金属脆化[1] [2],渗碳腐蚀[3]等现象。 研究扩散现象,还可以解决很多实际问题,比如:寻找 Cu 与 Si 之间的最佳的扩散阻挡层[4],防止 两者相互扩散形成化合物而导致半导体器件短路;促进半导体扩散工艺的优化[5];以及缓解锂电池电解 过程中造成的体积膨胀效应[6],等等。因此,研究应力与扩散的关系,建立合理的扩散模型,至关重要。 研究扩散现象的方法为多学科交叉[7]。在连续模型中,涉及连续介质力学和热力学,而相对应的原 子模型,则涉及固体物理或者晶体学,这两者可以通过统计力学作为桥梁进行连接。连续模型一般采用 有限元差分法进行计算,而原子模型则采用分子动力学或者量子力学。 本文分别对扩散、应力以及扩散应力相耦合的相关理论模型进行了综述。首先介绍了扩散和应力的 研究意义和方法,随后介绍了扩散的连续模型和原子模型,接着介绍了几个常见的应力模型。通过热力 学理论推导出了应力与扩散相耦合作用下的扩散方程,并对不同应力模型下的扩散进行了模拟。最后对 扩散和应力的模型进行总结和展望。
(
2
⋅s
−1
)是
)
扩散系数,菲克认为, D 是与自身特性有关的常数。负号表示扩散向着浓度减小的方向。由菲克定律扩 散可以看出,只要存在浓度差,扩散就会持续进行,直至达到完全混合,整体平均浓度为 C eq 。图 1 是 蔗糖分子在水中的扩散最终达到均匀分布的过程的示意图。 1896 年,英国冶金学家威廉·钱德勒·罗伯茨–奥斯汀爵士(Sir William Chandler Roberts-Austen, 1843~1902)将菲克等人的工作从流体扩展至固体的扩散。他通过实验,得出不同温度和时间下,Au 在液 体 Pb 和固体 Pb 中扩散浓度随深度的剖面图[10]。随后,斯凡特·阿伦尼斯(Svante Arrhenius, 1859~1927) 给出如下扩散系数与温度的关系式[11]
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