IGBT特性的中子辐照效应
IGBT特性的中子辐照效应
The Effects of Neutron Radiation on the Characteristics of the IG B T
西安电力电子技术研究所 袁寿财 (西安 710061)
摘要:简述了中子辐照对IG B T特性的影响;给出了器件在中子辐射注入剂量高达1013n/cm2时的实验结果。实验发现,随着中子注入剂量的增加,开关时间缩短、阈值电压漂移。对研究的注入剂量范围,所观察到的中子效应是因IG B T少子寿命的减少造成的,而不是因有效掺杂浓度的变化引起的。
Abstract:In this paper,the effects of neutron radiation on the characteristics of IG B T are sim ply de2 scribed.Experimental results are presented for the devices that have been irradiated with a fluence u p to1013n/ cm2.It is found that the switching time decreases and the threshold voltage shifts with increasing neutron flu2 ence.For the range of fluence studied,the observed effects are caused b y reduction of minority carrier lifetime in the IG B T and independent of the changes in the effective dopant concentration.
叙词:中子辐照/绝缘栅双极晶体管 开关时间 阈值电压
K eyw ords:neutron radiation/IGBT;switching2time;threshold2voltage
1 引 言
近年来,IG B T作为功率开关,广泛用于各个工业领域,并越来越受到人们的关注。本文简要分析了IG B T器件的关断特性,讨论了提高IG B T工作频率、缩短IG B T关断延迟的中子辐照效应,并对IG B T静态参数及开关特性进行了中子辐照实验,对比分析了实验结果。指出尽管辐照可提高器件的开关速度,但也会带来器件相关参数漂移和器件特性退化等问题。2 IGBT关断特性的分析
图1示出IG B T的基本等效电路[1]。初看起来,IG B T就象是由n沟MOSFET提供基极电流的pnp双极晶体管。当IG B T处于导通状态时,p+n结正偏,空穴从p+正向注入到n外延层中。这些空穴在基区漂移与/或扩散,部分与经过MOSFET沟道流入外延层的电子复合,剩余部分到达pnp晶体管的集电结,该结被MOS2 FET的漏2源电压反偏,所以这些剩余的空穴被扫入集电极并形成pnp的集电极电流I c。
当IG B T处于关断状态时,在器件完全关闭之前,注入到n外延层的少数载流子必须重新复合完毕,该过程一般在4μs以上,它的影响在图2所示的漏2源极电流波形中为一拖尾。
为使IG B T关断,必须使栅压低于阈值电压,这样即迅速去除了MOSFET的沟道电流,也消除了提供给双极晶体管的基区电流。尽管基区贮存电荷必然衰减,但双极晶体管的I c下降缓慢。对一定的漏2源极电压,IG B T关断时的漏2源极电流波形可理想化为图3,以简化分析
。
图1 IG B T 的等效电路
图2 IG B T关断时的电流、电压波形(2μs/格)
图3 IG B T关断电流波形(图2)的理想化分析
(纵坐标:5A/格;横坐标:2μs/格)
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《电力电子技术》1997年第2期 1997.5
最初的陡降对应于MOSFET 沟道电流的
突然消失,拖长的尾巴是因双极晶体管基区中
过剩载流子缓慢衰减的原因
。
3 实 验
选择两组封装形式不同、芯片面积各异的IG B T 样品进行中子辐照实验,表1示出辐照
前样品的静态参数。
表1 辐照前样品的静态参数
组1器件编号12345耐
压(V )250450450350
400压 降(V )4444
4电 流(A )15(F -2封装)
组2器件编号
12345耐
压(V )450450*********压 降(V )5
3
4.5
3
3.5
电 流(A )
9(B -3封装)
图4a 、b 分别示出用数字存储示波器测得的IG B T 关断时的电流波形。由图4可见,两组
样品都分别对应约8
μs 以上的关断拖尾延迟。图4 IG B T 的关断电流波形(4
μs/格)(a )辐照前(组Ⅰ) (b )辐照前(组Ⅱ)
表2示出经过剂量4.25×1013n/cm 2、能
量0.01Mev 的中子辐照,并放置待衰减至安全测试剂量后测得的数据。
图5a 、b 分别示出辐照后两组样品用同一设备测得的关断波形。对比后可以看出,关断
拖尾缩短约至4
μs ,而且徒降电流部分在总电流中所占比例明显增大。说明IG B T 的总电流中,流过沟道的电流部分增大,寄生双极晶体管
基区(n 外延层区)的过剩贮存电荷,即集电极电流部分减小。
表2 辐照后样品的静态参数
组1器件编号12345耐
压(V )250450450350
400压 降(V )1 1.5 3.5 3.5
2电 流(A )15(F -2封装)
组2器件编号
12345耐
压(V )450450*********压 降(V )
2
1
2
0.5
1
电 流(A )
9(B -3封装)
图5 IG B T 样品的关断电流波形(2
μs/格)(a )辐照前(组Ⅰ) (b )辐照前(组Ⅱ)
4 IGBT 中子效应的分析及讨论
随中子辐射发生变化的最重要材料参数是
过剩载流子寿命τ,迁移率μ和有效掺杂浓度
N B 。因引入的晶格损伤和相应的陷阱复合中
心,使得τ和μ下降,又因损伤引起的深能级补偿中心,使得有效掺杂浓度下降。在选择的IG 2
B T 中双极管的基区掺杂浓度和实验使用的中子注入剂量范围内,双极管基区有效掺杂浓度的变化是微小的,中子辐射对IG B T 特性的主要效应是通过双极晶体管基区τ的变化发生的。寿命作为注入剂量函数的经验公式为[2]:
1τ=1τ0+
φ
K
(1)
式中 τ0、
τ———分别为辐照前、辐照后的少子寿命 φ———中子注入剂量 K ———常数
当K 取4.4×106n.s/cm 2时,测得的大注
29《电力电子技术》1997年第2期 1997.5
入寿命值与采用式(1)计算的理论值符合得甚好,结果见图6。图6中大注入寿命是从关断电流波形的衰减部分(图3)测得的
。
图6 寿命测量值与寿命2中子注入量
经验公式计算的理论值的比较
综上所述,中子辐照最主要的效应是IG 2B T 结构中n 型外延层少子寿命的指数率衰减,
这也是实际生产中用以提高IG B T 开关速度的
有效方法之一。阈值电压漂移是由于辐照引起了栅氧化层浮获电荷增加的缘故[3,4],阈值电压向更负的方向漂移表明,正氧化层浮获电荷是主要的影响,另外界面陷阱电荷也是影响阈值电压漂移的因素。可以采用Winokur [5]及Naruke 等人[6]报导的工艺制作器件的栅氧化层,以研究和发展辐射加固工艺生产的产品。一般来说,如果不采用专门的工艺过程来减小氧化层中辐射引起的浮获电荷或产生的界面陷阱,例如:用常规的工艺,在1050℃下干氧化制作的栅氧化层对辐射敏感是不足为奇的。
5 结 论
本文的讨论表明,利用中子辐照可缩短
IG B T 的少子寿命,提高IG B T 的开关速度。已
成为生产中实用的器件参数控制技术。与此同时,必须控制因辐照而引起IG B T 阈值电压的漂移。有报导说采用Winokur 和Naruke 等人提出的所谓抗辐射加固工艺,对增强栅氧化层的抗辐照性能有良好的效果。
参 考 文 献
1 袁寿财等.COMFET (IGR )模型及I 2V 特性研
究,第五届全国微计算机电路学术交流会论文集,
1988:83～85
2 J.R.Srour.Stable 2Damage Comparisons for Neu 2tron Irradiated Silicon.IEEE Trans.Nucl.Sci.1973,NS 220:190～193
3 W.E.Baker ,J r.The E ffects of Radiation on the Characteristics of Power MOSFET ,Proc.Power Con7,D321,1980.
4 M.G aitan ,et al.Measurement of Radiation in 2duced interface Traps Using MOSFETS ,IEEE Trans.Nucl.Sci.1984,NS 231:1256～1260
5 P.S.Winokur ,et al.Optimizing and Controlling the Radiation Hardness Si 2G ate CMOS Process ,IEEE Trans.Nucl.Sci.1985,NS 232:3954～3960
6 K.Naruke ,et al.Radiation 2Induced State of Poly 2Si G ate MOS Capacitors Using Low Temperature G ate Oxidation ,IEEE Trans.Nucl.Sci.1983,NS 230:4054～4058
收到初稿日期:1996207222收到定稿日期:1997202228
作者简介
袁寿财:男,1963年生,硕士,高级工程师。主要从事功率半导体器件的研究工作。
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9IG B T 特性的中子辐照效应
反应堆材料辐照损伤概述
反应堆材料辐照损伤概述 【摘要】随着能源问题日益严峻，发展核电成为人类缓解能源紧缺问题的重要手段之一。当今核电站反应堆的技术已经比较成熟，但仍存在很多难以解决的技术问题。反应堆材料的辐照损伤问题直接关系到反应堆的安全性和经济性。本文对反应堆燃料芯块、包壳、压力容器的辐照损伤机理进行了概述，并提出一些减小辐照效应的措施。 【关键字】辐照损伤燃料芯块包壳压力容器材料 一、引言 随着能源问题日益严峻，发展核电成为人类缓解能源紧缺问题的重要手段之一。当今核电站反应堆的技术已经比较成熟，但仍存在很多难以解决的技术问题。其中，反应堆材料的辐照损伤问题尤为重要。材料的辐照损伤问题与反应堆的安全性和经济性有密切的关系。甚至直接关系到未来反应堆能否安全稳定运行。 关于反应堆的材料辐照损伤问题，主要包括三个方面：燃料芯块的辐照损伤，包壳的辐照损伤，压力容器的辐照损伤。深入认识和了解这三方面的问题，并讨论有关缓解措施具有极大地研究价值。 二、水冷堆燃料芯块的辐照损伤 1.燃料芯块的结构与辐照损伤 水冷堆燃料芯块为实心圆柱体，由低富集度UO2粉末经混合、压制、烧结、磨削等工序制成。为了减小轴向膨胀和PCI（芯块-包壳相互作用），芯块两端做成浅碟形并倒角。芯块制造工艺必须稳定，以保证成品芯块的化学成分、密度、尺寸、热稳定性及显微组织等满足要求。 燃料芯块中的铀在辐照过程中会发生肿胀，造成尺寸的不稳定性和导热性能的下降。随着燃耗的增加，铀的力学性能和物理性能将发生变化，铀将变得更硬、更脆，热导率减小，燃料包壳的腐蚀作用也在加剧。对燃料芯块辐照损伤的认识和研究，一方面有助于了解在役燃料元件的运行状态和使用寿命，及时地发现并解决问题；另一方面根据辐照特性，可以采取适当的措施增强燃料元件的性能，进一步提高核电的经济效益。 2.辐照条件下燃料芯块微观结构的演化 燃料芯块在辐照过程中，辐射与物质相互作用的方式可以分为原子过程和电子过程两大类。原子过程主要产生位移效应，位移效应的主要产物是间隙-空位对。而电子过程主要产生电离效应，其主要产物是电子-离子对。 燃料芯块在辐照过程中，将产生能量很高的裂变碎片，造成严重的辐照损伤，并伴有大量的原子重新分布，尤其是裂变产物中的氙和氪，产额高，又不溶于固体，在辐照缺陷的协同作用下形成气泡，造成肿胀。另外，固体裂变产物具有很强侵蚀作用，将使芯块发生应力腐蚀而开裂。 3.燃料芯块辐照损伤机理和宏观性能变化 （1）辐照肿胀 辐照会引起体膨胀，称辐照肿胀。燃料芯块中所使用的重要金属铀，其单晶体会显示出特殊的辐照生长现象。在辐照过程中，铀的晶体线度发生异常变化。引起燃料辐照肿胀的根本原因是裂变产物的积累。发生肿胀一方面是由于铀原子的固体裂变产物以金属、氧化物、盐类等形态与燃料相形成固溶体或作为夹杂物存在于燃料相中，裂变产物的总体积超过了裂变前裂变原子所占的体积（一般在2-3%），另一方面是由于在金属中形成了大量的裂变气泡
激光辐照效应
一 , 等离子体发展模型和膨胀模型 1）在脉冲激光微加工中主要等离子体模型有： 纳秒激光与物质相互作用中的单温模型 飞秒激光与物质相互作用中的双温模型和库伦爆炸模型 2）在研究激光辐照固体靶蒸汽等离子体形成时有动态烧蚀耗能模型和光线跟踪激光能量等离子体吸收模型。 3）其他的一些模型 三温与多温电子等离子体自由膨胀的理论模型。自相似解成功地再现了在激光等离子体自由膨胀中离子速度分布呈现的三峰和多峰结构,这些结构已在激光打靶的实验中频繁地观察到。 二，等离子体参数的测量的方法 等离子的体的基本参数有：电子温度，电子密度等。而这些参数都可以利用实验来测得。例如利用光谱测量的光谱展宽，然后利用origin拟合曲线再萨哈方程就能计算得到粒子的电子温度和电子密度了。 三，激光支持燃烧波（LSCW）和爆破波（LSDW）的产生与传播，LSCW和LSDW 的分类法，基本结构，区别与判断方法。LSCW向LSDW转化机制。 激光维持的燃烧波（LSC）和爆轰波（LSD） 较强的激光束辐照于靶面时，使得靶蒸汽或者靶面附近的环境气体发生电离以致击穿，形成一个激光吸收区。被吸收的激光能量转化为该区气体（或等离子体）的内能，与流动发生耦合，按照气体动力学的规律运动。等离子体的一部分能量将以辐射的形式耗散，被凝聚态靶或周围气体所吸收。这种吸收激光的气体或等离子体的传播运动通常称为激光吸收波。主要的激光吸收区最终总是在环境气体中形成。在极高光强下，真空环境中的把蒸汽也会产生激光吸收波。 对于LSC，前面运动的冲击波对激光是透明的，等离子体区域是激光的吸收区。以亚声速向前推进，依靠输运机制（热传导、热辐射和扩散）时期前方冷气体加热和电离，维持LSC及其前方冲击波的传播，波后是等离子体区，等离子体温度为1~3eV。 对于LSD，冲击波阵面就是激光吸收区，被吸收的激光能量直接支持冲击波前进，LSD波相对于波前介质超声速运动，等离子体温度为10eV到几十电子伏。此冲击波压缩前方的气体，使之升温电离、吸收激光，成为新的波阵面，上溯激光入射方向继续传播。这里冲击波依靠吸收激光能量而自持传播，是一种物理性质的爆破波。 聚焦光束产的LSD波作发散传播，当波阵面传离靶面稍远处，光强已不足以维持LSD波，等离子体熄灭，这时激光又可直接入射于靶面。
聚合物辐照效应
辐照效应（radiation effects） 固体材料在中子，离子或电子以及γ射线辐照下所产生的一切现象。辐照会改变材料的微观结构，导致宏观尺寸和多种性质的变化，对核能技术或空间技术中使用的材料是个重要问题。在晶体中，辐照产生的各种缺陷一般称为辐照损伤。对于多数材料而言，主要是离位损伤。入射离子与材料中的原子核碰撞，一部分能量转换为靶原子的反冲动能，当此动能超过点阵位置的束缚能时，原子便可离位。最简单的辐照缺陷是孤立的点缺陷，如在金属中的弗仑克尔缺陷对（由一个点阵空位和一个间隙原子组成）。级联碰撞条件下，在约10 nm 直径的体积内产生数百个空位和数百个间隙原子。若温度许可，间隙原子和空位可以彼此复合，或扩散到位错、晶界或表面等处而湮没，也可聚集成团或形成位错环。 一般地说，电子或质子照射产生孤立的点缺陷。而中等能量 (10-100KeV)的重离子容易形成空位团及位错环，而中子产生的是两种缺陷兼有。当材料在较高温度受大剂量辐照时，离位损伤导致肿胀，长大等宏观变化。肿胀是由于体内均匀产生的空位和间隙原子流向某些漏（如位错）处的量不平衡所致，位错吸收间隙原子比空位多，过剩的空位聚成微孔洞，造成体积胀大而密度降低。辐照长大只有尺寸改变而无体积变化，仅在各向异性显著的材料中，由于形成位错环的择优取向而造成。离位损伤造成的种种微观缺陷显然会导致材料力学性能变化，如辐照硬化、脆化以及辐照蠕变等。辐照缺陷还引起增强扩散，并促使一系列由扩散控制或影响的过程加速进行，诸如溶解，
沉淀，偏聚等，并往往导致非平衡态的实现。对于某些材料如高分子聚合物，陶瓷或硅酸盐等，另一类损伤，即电离损伤也很重要。入射粒子的另一部分能量转移给材料中的电子，使之激发或电离。这部分能量可导致健的断裂和辐照分解，相应的引起材料强度丧失，介电击穿强度下降等现象。 结构材料中子辐照后主要产生的效应 ·1）电离效应：指反应堆中产生的带电粒子和快中子与材料中的原子相碰撞，产生高能离位原子，高能的离位原子与靶原子轨道上的电子发生碰撞，使电子跳离轨道，产生电离的现象。从金属键特征可知，电离时原子外层轨道上丢失的电子，很快就会被金属中共有的电子所补充，因此电离效应对金属材料的性能影响不大。但对高分子材料会产生较大影响，因为电离破坏了它的分子键。 2）离位效应：中子与材料中的原子相碰撞，碰撞时如果传递给阵点原子的能量超过某一最低阈能，这个原子就可能离开它在点阵中的正常位置，在点阵中留下空位。当这个原子的能量在多次碰撞中降到不能再引起另一个阵点原子位移时，该原子会停留在间隙中成为一个间隙原子。这就是辐照产生的缺陷。 3）嬗变：即受撞的原子核吸收一个中子，变成一个异质原子的核反应。中子与材料产生的核反应（n，α），（n，p）生成的氦气会迁移到缺陷里，促使形成空洞，造成氦脆。 4）离位峰中的相变：有序合金在辐照时转变为无序相或非晶态。这是在高能中子辐照下，产生离位峰，随后又快速冷却的结果。无序
第五章 辐照效应。
第五章辐照效应
辐照损伤是指材料受载能粒子轰击后产生的点缺陷和缺陷团及其演化的离位峰、层错、位错环、贫原子区和微空洞以及析出的新相等。这些缺陷引起材料性能的宏观变化，称为辐照效应。 辐照效应因危及反应堆安全，深受反应堆设计、制造和运行人员的关注，并是反应堆材料研究的重要内容。辐照效应包含了冶金与辐照的双重影响，即在原有的成分、组织和工艺对材料性能影响的基础上又增加了辐照产生的缺陷影响，所以是一个涉及面比较广的多学科问题。其理论比较复杂、模型和假设也比较多。其中有的已得到证实，有的尚处于假设、推论和研究阶段。虽然试验表明，辐照对材料性能的影响至今还没有确切的定量规律，但辐照效应与辐照损伤间存在的定性趋势对实践仍有较大的指导意义。
5.1 辐照损伤 1. 反应堆结构材料的辐照损伤类型 反应堆中射线的种类很多，也很强，但对金属材料而言，主要影响来自快中子，而α，β，和γ的影响则较小。结构材料在反应堆内受中子辐照后主要产生以下几种效应： 1) 电离效应：这是指反应堆内产生的带电粒子和快中子撞出的高能离位原子与靶原子轨道上的电子发生碰撞，而使其跳离轨道的电离现象。从金属键特征可知，电离时原子外层轨道上丢失的电子，很快被金属中共有的电子所补充，所以电离效应对金属性能影响不大。但对高分子材料，电离破坏了它的分子键，故对其性能变化的影响较大。
2) 嬗变：受撞原子核吸收一个中子变成异质原子的核 反应。即中子被靶核吸收后，生成一个新核并放出质子或α带电粒子。例如： 嬗变反应对含硼控制材料有影响，其它材料因热中子或在低注量下引起的嬗变反应较少，对性能影响不大。高注量（如：>1023 n/m 2）的快中子对不锈钢影响明显，其组成元素大多都通过（n,α)和（n,p）反应产生He 和H ，产生辐照脆性。 He Li n B 42731010 5+→+H N n O 1116 7168 +→+
中子辐照生物效应的理论分析
中子辐照生物效应的理论分析 中子作为构成原子核的基础粒子，它不带电，与物质的相互作用通常是与原子核的相互作用。碳氢氧氮等元素在生物体内的含量很多，中子与生物体的相互作用主要就是与这几种元素原子的相互作用，中子与它们相互作用的概率大小同中子能量有很大的关系，在入射中子能量小于30Mev时，中子同这几种元素的作用类型以弹性散射为主，并在2~10Mev能区存在程度不同的共振。中子诱导的生物效应要高于γ射线，并且中子生物效应还同中子能量、剂量、物理生物因素以及生物终点密切相关。 关键词：中子，生物效应，弹性散射，
第一章引言 1.1中子的性质与应用 1.1.1中子的粒子性与波动性 中子存在于除氢以外的所有原子核中，是组成原子核的重要组分之一，中子主要来源于反应堆、加速器、放射性核素等中子源。自从1932年恰徳维克等人发现中子以来，人们对中子的性质进行了广泛的研究。中子会以高度凝聚态的形式构成中子星物质。[1] 中子的粒子性[1] [2] 质量：chadwick发现中子是通过测量α轰击Be核所产生的未知射线与H、Li、Be、B、C、N等轻核碰撞所产生的反冲核能量，根据能量、动量守恒的规律推算该射线粒子质量的实验完成的。通过某些有中子产生或吸收的核反应，根据运动学关系求出中子质量、中子质子质量差值，是确定中子质量的基本方法。 自旋：中子是自旋为?的费米子，遵守费米统计分布，服从泡利不相容原理。 磁矩：氘核的磁矩小于质子的磁矩表明中子和质子具有相反的磁矩，由磁共振谱仪可以推测出中子磁矩为μn=-1.913042μN，负号表示磁矩矢量方向和自旋角动量方向相反。电中性的中子具有磁矩说明中子内部有结构。在夸克模型中，中子由u、d、d三个夸克组成，分别具有电荷e、- e。 中子寿命：Chadwick于1935年指出自由中子不稳定，它会衰变放出一个质子、一个电子、和一个反中微子并放出0.782Mev的能量；半衰期为10.61±0.61min。这表明了中子的静止质量大于质子质量的实验事实。实验观察到中子衰变是通过从反应堆中子束经电偏转引出正离子，并鉴定正离子为质子而确认的。 中子的波动性[1] [2] 同其他粒子一样，中子除具有粒子性之外还具有波动性。自Chadwick发现中子后，很快观察到热能化中子在多晶铁样品上类似于衍射图像的散射角分布。中子波动性对于中子波在物质结构研究中的应用具有重要意义。电子或电磁辐射与
IGBT特性的中子辐照效应
IGBT特性的中子辐照效应 The Effects of Neutron Radiation on the Characteristics of the IG B T 西安电力电子技术研究所 袁寿财 (西安 710061) 摘要:简述了中子辐照对IG B T特性的影响;给出了器件在中子辐射注入剂量高达1013n/cm2时的实验结果。实验发现,随着中子注入剂量的增加,开关时间缩短、阈值电压漂移。对研究的注入剂量范围,所观察到的中子效应是因IG B T少子寿命的减少造成的,而不是因有效掺杂浓度的变化引起的。 Abstract:In this paper,the effects of neutron radiation on the characteristics of IG B T are sim ply de2 scribed.Experimental results are presented for the devices that have been irradiated with a fluence u p to1013n/ cm2.It is found that the switching time decreases and the threshold voltage shifts with increasing neutron flu2 ence.For the range of fluence studied,the observed effects are caused b y reduction of minority carrier lifetime in the IG B T and independent of the changes in the effective dopant concentration. 叙词:中子辐照/绝缘栅双极晶体管 开关时间 阈值电压 K eyw ords:neutron radiation/IGBT;switching2time;threshold2voltage 1 引 言 近年来,IG B T作为功率开关,广泛用于各个工业领域,并越来越受到人们的关注。本文简要分析了IG B T器件的关断特性,讨论了提高IG B T工作频率、缩短IG B T关断延迟的中子辐照效应,并对IG B T静态参数及开关特性进行了中子辐照实验,对比分析了实验结果。指出尽管辐照可提高器件的开关速度,但也会带来器件相关参数漂移和器件特性退化等问题。2 IGBT关断特性的分析 图1示出IG B T的基本等效电路[1]。初看起来,IG B T就象是由n沟MOSFET提供基极电流的pnp双极晶体管。当IG B T处于导通状态时,p+n结正偏,空穴从p+正向注入到n外延层中。这些空穴在基区漂移与/或扩散,部分与经过MOSFET沟道流入外延层的电子复合,剩余部分到达pnp晶体管的集电结,该结被MOS2 FET的漏2源电压反偏,所以这些剩余的空穴被扫入集电极并形成pnp的集电极电流I c。 当IG B T处于关断状态时,在器件完全关闭之前,注入到n外延层的少数载流子必须重新复合完毕,该过程一般在4μs以上,它的影响在图2所示的漏2源极电流波形中为一拖尾。 为使IG B T关断,必须使栅压低于阈值电压,这样即迅速去除了MOSFET的沟道电流,也消除了提供给双极晶体管的基区电流。尽管基区贮存电荷必然衰减,但双极晶体管的I c下降缓慢。对一定的漏2源极电压,IG B T关断时的漏2源极电流波形可理想化为图3,以简化分析 。 图1 IG B T 的等效电路 图2 IG B T关断时的电流、电压波形(2μs/格) 图3 IG B T关断电流波形(图2)的理想化分析 (纵坐标:5A/格;横坐标:2μs/格) 19 《电力电子技术》1997年第2期 1997.5
辐照效应,项目可行性研究报告解析
辐照效应,项目可行性研究报告解析 篇一：血液辐照仪项目可行性研究报告目录目录................................................................................................ 2 专家答疑： (4) 一、可研报告定义：............................................................................................ 4 二、可行性研究报告的用途................................................................................ 4 1. 用于向投资主管部门备案、行政审批的可行性研究报告.................. 5 2. 用于向金融机构贷款的可行性研究报告.............................................. 5 3. 用于企业融资、对外招商合作的可行性研究报告.............................. 5 4. 用于申请进口设备免税的可行性研究报告.......................................... 6 5. 用于境外投资项目核准的可行性研究报告.......................................... 6 6. 用于环境评价、审批工业用地的可行性研究报告.............................. 6 三、可行性研究报告的编制依据........................................................................ 6 四、可研报告编制收费标准及时间.................................................................. 7 1、收费标准.................................................................................................. 7 2、付款方式.. (8) 五、我们的优势.................................................................................................... 8 1、良好的信誉保障. (8) 2、专业的咨询团队 .....................................................................................