深度解读NANDFLASH
Nandflash原理与启动详解
NandFlash原理与启动详解一、Nandflash内部是怎么工作的：1片Nandflash=1设备；1设备=4096块；1块=32页；1页=528字节=数据大小（512字节）+oob块大小（16字节）（oob用于Nandflash命令执行完成后设置状态）可以通过NAND Flash命令00h/01h/50h分别对前半部、后半部、OOB进行定位，通过NAND Flash内置的指针指向各自的首地址。
存储操作特点有：擦除操作的最小单位是块；NAND Flash芯片每一位只能从1变为0，而不能从0变为1，所以在对其进行写入操作之前一定要将相应块擦除(擦除即是将相应块的位全部变为1)；OOB部分的第6字节(即517字节)标志是否是坏块，值为FF时不是坏块，否则为坏块。
除OOB第6字节外，通常至少把OOB的前3字节用来存放NAND Flash硬件ECC码。
（ECC："Error Correcting Code" "错误检查纠正"，带有奇偶校验的内存的主要功能。
）1.Nand flash以page为单位进行读写，以block为单位进行擦除，没页分为main区和spare区，main区用于存放正常的数据，spare区用于存放一些附加信息2．S3c2440 支持从Nand 启动是因为内部有一个叫做Steppingstone的SRAM buffer，当启动的时候，nand 的前4k的将会代码将被拷贝到steppingstone中执行，注意前4k代码是不会经过ECC校验的，所以必须确保这些代码的准确3.对nand的操作都是通过使用命令来实现，有的操作只要一个命令就可以完成，而有的需要两个命令才能完成,下面是K9F1G08U0B的命令表：4 Flash烧写程序原理及结构基本原理：将在SDRAM中的一段存储区域中的数据写到NAND Flash存储空间中。
烧写程序在纵向上分三层完成。
NAND-flash详解
NAND flash和NOR flash的区别详解[导读]我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的这二种存储.关键词：NOR flashNand flashFlaSh我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。
这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。
Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。
U盘和MP3里用的就是这种存储器。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。
许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。
而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。
NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。
用户不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。
NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。
NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
nandflash原理
nandflash原理
NAND Flash的工作原理是将电压变化的门极电容器上的电流回到电源中。
当存储器被分为多个分区时，通过门极信号来访问和操作存储空间。
此时，如果将电流沿着多个存储单元传输，就可以建立一个连接，用来将存储单元中的数据传输到计算机中，从而实现数据存储与读取功能。
NAND Flash的物理组成包括存储单元、位线、字线和块等。
每个存储单元以bit的方式保存在存储单元中，通常一个单元中只能存储一个bit。
这些存储单元以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte（x8）/word（x16），这就是NAND Device 的位宽。
存储结构方面，NAND Flash由块构成，块的基本单元是页。
通常来说，每一个块由多个页组成。
NAND Flash每一个页内包含Data area（数据存储区）和Spare area（备用区）。
每一个页的大小为Data area+Spare area。
这个过程造成了多余的写入和擦除，这就是所谓的写放大。
在存储单元的构造方面，NAND Flash的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。
栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。
与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。
以上内容仅供参考，如有需要可以查阅相关文献资料或咨询专业人士。
nand_flash读写工作原理_概述说明
nand flash读写工作原理概述说明1. 引言1.1 概述NAND Flash是一种非常常见和重要的存储设备，被广泛应用于各种电子产品中。
它的独特设计使得它成为一种高性能、低功耗、擦写可靠且具有较大容量的存储器解决方案。
由于其许多优点，NAND Flash在移动设备、个人电脑、服务器以及其他许多领域都有着广泛的应用。
1.2 文章结构本文将详细介绍NAND Flash的读写工作原理，并探讨其在存储领域中的优势与应用场景。
首先，我们将简要介绍NAND Flash的基本概念和特点，包括其结构和组成部分。
然后，我们将重点讲解NAND Flash进行读操作和写操作时所涉及的工作原理和步骤。
通过对这些原理的详细阐述，读者将能够全面了解NAND Flash如何实现数据的读取和写入。
除此之外，我们还将探讨NAND Flash相对于其他存储设备的优势，并介绍几个典型应用场景。
这些优势包括快速读写速度、低功耗、体积小且轻便、强大的耐久性以及较大的存储容量。
在应用场景方面，我们将重点介绍NAND Flash 在移动设备领域、物联网和服务器等各个行业中的广泛应用。
最后，我们将进行本文的小结，并对NAND Flash未来的发展进行展望。
通过全面了解NAND Flash的工作原理和优势，读者将能够更好地理解其在现代科技领域中的重要性，并对其未来发展趋势有一个清晰的认识。
1.3 目的本文的目的是通过对NAND Flash读写工作原理进行详细说明，使读者能够全面了解NAND Flash是如何实现数据读写操作的。
此外，我们还旨在向读者展示NAND Flash在存储领域中所具有的优势和广泛应用场景，使其意识到这一存储设备在现代科技产业中所扮演的重要角色。
希望通过本文，读者能够加深对NAND Flash技术的理解，并为相关领域或产品的研发与设计提供参考依据。
2. NAND Flash读写工作原理：2.1 NAND Flash简介：NAND Flash是一种非易失性存储器，采用了电子闪存技术。
FLASH的基本知识,
什么是flash的型号及ID
• 时常有人说到FLASH的型号，这个型号就所对应着各个FLASH的ID。 Wafer在生产时会跟据生产参数写入一个数字标识，这个标就是我们 的ID。这个ID同样参数的产品也会因为会根据各位厂商的定议方式不 同而不样。一般情况下这个ID由6*2组数字或字母组成。在PC上就是 就是靠ID识别各各FLASH。如： TC58NVG5D2FTA00(98,D7,94,32,76，D5),TC58NVG5D2FTA00是 东芝TSOP FLASH的型号，98 D7 94 32 76 56 D5是识别这个型号的 ID，是唯一的。 • FLASH类型 • TSOP (12*20)最常用的；TSOP(14*18)L85常见； BGA152(14*18,12*18);BGA132(14*18,12*18)； BGA224(14*18);BGA100(12*20);LGA52(14*18,12*20);LGA60(14*18 ,12*20);TF（micrSD)卡类（3*7,4*6,5*6点位）；M2卡类（3*6点位）； sipSD卡（3*7点位）；MSPD卡（3*11点位）；COB(FLASH晶圆邦 定在PCB上，滴上黑色树脂）；iNAND卡读晶圆（44点）；iNAND读 卡（125点）等。
什么是FLASH制程
• 通常我们所说的19nm、20nm、21nm、24nm、 34nm、43nm、56nm、70nm、90nm就是指 FALSH的制程工艺。 FLASH的“制作工艺”指 得是在生产FLASH过程中，要进行加工各种电路 和电子元件，制造导线连接各个元器件。通常其 生产的精度以微米（长度单位，1微米等于千分之 一毫米）来表示（1纳米等于千分之一微米） ， 未来发展的精度越高，生产工艺越先进。在同样 的材料中可以制造更多的电子元件，连接线也越 细，提高集成度，提高处理器的制造工艺具有重 大的意义，更先进的制造工艺会使FALSH的核心 面积进一步减小，也就是说在相同面积的晶圆上 可以制造出更多的产品
NandFlash工作原理
NandFlash工作原理NAND Flash，是一种非易失性存储设备，常用于闪存存储器和固态硬盘中。
与传统的动态随机存取存储器（DRAM）不同，NAND Flash存储器不需要定期刷新数据，因此具有断电保持数据的能力。
NAND Flash存储器是通过一系列具有浮栅结构的晶体管来实现存储的。
每个晶体管都包含一个浮栅，浮栅上覆盖着一层非导体材料。
这些浮栅允许在其中储存电荷，以表示数据的值。
NAND Flash存储器的基本工作原理是通过对晶体管的控制来擦除和编程这些浮栅中的电荷，从而存储和读取数据。
首先，当NAND Flash存储器被擦除时，所有浮栅中的电荷都被清空。
这是通过应用高电压来驱动控制栅（CG）和源/漏（S/D）端之间的电子流来完成的。
这个高电压会产生强烈的电场，足以将浮栅中的电荷推向源/漏区域，并完全清除。
然后，在编程NAND Flash存储器时，特定的晶体管被选中并编程。
对于存储1的位，电荷会被注入到浮栅中，这是通过应用一定的电压来驱动源/漏端和控制栅端之间的电子流来实现的。
这样，当电压降低时，源/漏区域的电子会绕过绝缘层并进入浮栅，存储为1的位。
当要读取存储器中的数据时，读取器件会对特定的晶体管进行选择，并读取浮栅中的电荷量。
当浮栅中有足够的电荷时，表示存储为1的位；当浮栅中没有电荷时，表示存储为0的位。
需要注意的是，在NAND Flash存储器中，晶体管是按矩阵排列的。
这使得可以同时编程或读取多个晶体管，从而提高了存储器的效率和速度。
此外，为了提高NAND Flash存储器的存储密度，还使用了一种称为多层单元（MLC）技术。
MLC技术允许在每个晶体管中存储多个比特的数据，通过改变电荷量的范围表示不同的数值。
然而，MLC技术增加了位错误率，因为不同电荷量之间的差异更小，容易受到噪声和电荷漏失的干扰。
总的来说，NAND Flash存储器通过控制晶体管上的浮栅电荷来存储和读取数据。
通过擦除，编程和读取操作，它可以实现非易失性的数据存储，并被广泛应用于闪存存储器和固态硬盘中。
全面理解SSD和NANDFlash
全面理解SSD和NANDFlashFlash Memory又叫做闪存，是一种非易失性存储器。
非易失性是指断电之后数据不会丢失，这里就涉及到断电保护（后面详细讲解）。
总体思路1、前言：HDD和SSD的比较引出Flash。
2、Flash的分类：NAND Flash和NOR Flash。
3、NAND Flash规则介绍。
4、SSD固件（Firmware，FW）包括：映射表（Mapping Table）、垃圾回收（Garbage Collection）、磨损平衡（Wear Leveling，WL）等。
5、补充概念：写入放大（Write Application）、预留空间（Over Provisioning）、Flash寿命（Program/Erase Count，P/E）等。
6、断电保护机制。
7、对SSD的评价标准：稳定性、性能、寿命。
1、前言（1）HDDHDD是指机械硬盘，是传统普通的硬盘。
介质：采用磁性碟片来存储。
包括：盘片、磁头、磁盘旋转轴及控制电机、磁头控制器、数据转接器、接口、缓存。
机械式硬盘最大速率约为100MB/s，由于容易发热等原因已经无法再进一步提升速度，所以引入了固态硬盘（2）SSDSSD（Solid State Drives）是固态硬盘。
介质：采用闪存颗粒来存储。
包括：控制单元、存储单元（DRAM芯片/FLASH芯片）。
（3）性能&外观区别HDD是机械式寻找数据，所以防震远低于SSD，数据寻找时间也远低于SSD。
SSD（左图）和HDD（右图）的模样区别如下：（图片来自百度）2、Flash的分类Flash又分NAND Flash和NOR Flash，NOR型存储内容以编码为主，其功能多与运算相关；NAND型主要功能是存储资料，如数码相机中所用的记忆卡。
现在大部分的SSD都是用来存储不易丢失的资料，所以SSD存储单元会选择NAND Flash芯片。
这里我们讲的就是SSD中的NAND Flash芯片。
NAND_FLASH_内存详解与读写寻址方式
NAND_FLASH_内存详解与读写寻址⽅式⼀、内存详解NAND闪存阵列分为⼀系列128kB的区块(block)，这些区块是 NAND器件中最⼩的可擦除实体。
擦除⼀个区块就是把所有的位(bit)设置为"1"(⽽所有字节(byte)设置为FFh)。
有必要通过编程，将已擦除的位从"1"变为"0"。
最⼩的编程实体是字节(byte)。
⼀些NOR闪存能同时执⾏读写操作(见下图1)。
虽然NAND不能同时执⾏读写操作，它可以采⽤称为"映射(shadowing)"的⽅法，在系统级实现这⼀点。
这种⽅法在个⼈电脑上已经沿⽤多年，即将BIOS从速率较低的ROM加载到速率较⾼的RAM上。
NAND的效率较⾼，是因为NAND串中没有⾦属触点。
NAND闪存单元的⼤⼩⽐NOR要⼩(4F2：10F2)的原因，是NOR的每⼀个单元都需要独⽴的⾦属触点。
NAND与硬盘驱动器类似，基于扇区(页)，适合于存储连续的数据，如图⽚、⾳频或个⼈电脑数据。
虽然通过把数据映射到RAM上，能在系统级实现随机存取，但是，这样做需要额外的RAM存储空间。
此外，跟硬盘⼀样，NAND器件存在坏的扇区，需要纠错码(ECC)来维持数据的完整性。
存储单元⾯积越⼩，裸⽚的⾯积也就越⼩。
在这种情况下，NAND就能够为当今的低成本消费市场提供存储容量更⼤的闪存产品。
NAND闪存⽤于⼏乎所有可擦除的存储卡。
NAND的复⽤接⼝为所有最新的器件和密度都提供了⼀种相似的引脚输出。
这种引脚输出使得设计⼯程师⽆须改变电路板的硬件设计，就能从更⼩的密度移植到更⼤密度的设计上。
NAND与NOR闪存⽐较NAND闪存的优点在于写(编程)和擦除操作的速率快，⽽NOR的优点是具有随机存取和对字节执⾏写(编程)操作的能⼒(见下图图2)。
NOR的随机存取能⼒⽀持直接代码执⾏(XiP)，⽽这是嵌⼊式应⽤经常需要的⼀个功能。
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5.2007年1月，东芝公司宣布，与合作伙伴SanDisk一起开发成功56nm工艺 8Gb（1GB）/16Gb（2GB）闪存芯片。与以往的产品一样，这两种芯片仍 然采用MLC（Multi Level Cell）存储架构。
6.三星50nm制程打造16Gb NAND闪存送样。 7.三星率先量产51nm制程16Gb NAND闪存芯片，成为首家量产51nm 16Gb NAND闪存的公司，该容量为业内最高，而51nm工艺也是目前最精密的制 程技术。
8.争抢苹果NAND闪存订单 海力士跑步进入57纳米制程 。
第四节 NAND FLASH的40-30纳米时代
海力士NAND Flash从60纳米直接跳到48纳米工艺，但这一步却走了相当久，原预 计2008年初量产，却一延再延，眼看三星电子(Samsung Electronics)下半年量 产42纳米，东芝(Toshiba)43纳米工艺也将步入量产，以及美光(Micron)和英特 尔(Intel)34纳米工艺计划量产，使得海力士亟欲将48纳米工艺推上前线。事实 上，海力士最新48纳米工艺，与三星和东芝50纳米工艺是同一个世代。 1.2006年9月，韩国三星电子公司宣布，开发成功40nm工艺生产容量达32b（4GB） 的NAND闪存芯片， 2.英特尔镁光发布采用34纳米工艺 生产32Gbit闪存芯片 。 市调机构Semiconductor Insights更指出，NAND Flash未来至少能精进至20纳米 工艺，使得业界原本规划欲取代Flash的Universal Memory技术，包括FeRAM、 MRAM、OUM与其它存储器技术，都有可能不敌Flash如此迅猛的进步速度，甚至将 导致它们因此退出历史舞台。
2.虽然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，从而可以 改善 热性能。 3.信号传装方式二 COB
COB（Chip on board）工艺，是指厂商为节省成本，没有采用标准的闪存芯 片+控制芯片独立封装的形式，而是将闪存芯片和控制器芯片直接连接，封 装在一体，并固定于印刷线路板上的生产方式。
单芯片TSOP生产工艺流程比较简单，只需要经过一次贴片、一次烘烤、一次 引线键合就可以了，流程如图所示：
第二节 FLASH具体制作封装过程
晶圆是制造IC的基本原料，而晶圆又是什么制作来的呢--硅，晶圆的原始材 料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅 。
硅是由沙子所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%）接着是将 这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制 版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片 一片薄薄的晶圆。我们会听到几寸的晶圆厂，如果硅晶圆的直径越大，代表著这 座晶圆厂有较好的技术。另外还有scaling技术可以将电晶体与导线的尺寸缩 小，这两种方式都可以在一片晶圆上，制作出更多的硅晶粒，提高品质与降低成 本。所以这代表6寸、8寸、12寸晶圆当中，12寸晶圆有较高的产能。当然，生产 晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。 硅晶棒再经过研磨，抛光，切片后，即成为积体电路工厂的基本原料——硅 晶圆片，这就是“晶圆”。在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为 有 特定电性功能之IC产品。
3.2005年，三星将大批量生产70纳米技术4G NAND闪存 2005年6月，三星本周一宣布，已经开始在 12寸晶圆上投产 70纳米制程的 NAND flash 记忆芯片，这也是目前业界所能投产的最高制程！每月12英寸晶 圆产能约7,000片，年底达到月产能1.5万片水平 。 4.2006年，海力士Hynix发布NAND闪存路线图 ，采用70纳米技术年量产 16Gb产品
第二节 NAND FLASH的70纳米时代
1.三星于2005年1月初宣布成功导入70nm制程科技投产4Gb NAND型闪存，不到 1个月内又宣布即将自3月开始，量产高容量4Gb NAND型闪存，与90nm制程相 较，导入70nm制程量产后，可望为三星增加4成左右的NAND型闪存产能。 2.2005年出，东芝与SanDisk公司宣布，已经成功开发出使用70nm制造工艺的 8Gb NAND闪存芯片，实现了单一芯片存储1GB数据的目标。
第一节 闪存前期发展至90纳米制程的过渡
90纳米对半导体厂商来说，是更加尖端的技术领域，过去工艺都以“微米”做 单位，微米是纳米(nm)的1000倍。我们常以工艺线宽来代表更先进的半导体技 术，如0.25微米、0.18微米、0.13微米，0.13微米以下的更先进工艺则进入了 纳米领域。130纳米(0.13微米)在2001年是各大半导体公司的研发重点 ，接着 三星于2002年9月宣布90纳米工艺成功试产2G Flash。
2.Toshiba 东芝 （最早提出闪存概念的公司）
3.Hynix 海力士 4.Micron Technology 镁光 5.Interl 英特尔（第一个生产闪存并投入市场的公司）
第二章 FLASH制作过程
第一节 封装方式
芯片封装是指包裹于硅晶外层的物质。目前最常见的封装方式有 TSOP(ThinSmall Outline Packaging)，BAG,COB ，一体成型等 ，早期的芯片设计以 DIP(DualInline Package) 以及 SOJ(Small Outline J-lead) ，CSP(Chip ScalePackage)的 方式封装为主。以下对不同封装方式的介绍能够帮助了解它们的不同点。
第三章 FLASH发展
闪存前期发展至90纳米制程的过渡 NAND FLASH的70纳米时代 NAND FLASH的60-50纳米时代 NAND FLASH的40纳米时代 NAND FLASH 30纳米时代及前景发展
第四章 FLASH的应用
第一章 FLASH的感性认识
第一节 什么叫FLASH
第三节 NAND FLASH的60-50纳米时代
如果说90纳米工艺和300mm晶圆厂已经让很多半导体制造商望而怯步的话，那么 65纳米则是半导体制造产业的分界线 。 1.2005年，美国内存大厂美光(Micron)日前宣布，该公司高容量8Gb与4Gb NAND 型快闪存(Flash)，已通过客户面验证，目前正出货中。
1.2001年初，三星电子18日表示，已推出采用0.15微米制程技术的512Mb NAND型快闪内存。
2.2001年9月，三星电子领先业界首度采0.12微米制程，将1G NAND型闪存 （Flash Memory）商用化，此次共推出1G单颗闪存及2颗堆栈式2G闪存，计 划用于近来需求遽增的PDA与记忆卡等需储存量多资料的产品。 3. 2004年ST采用120纳米技术发布两款256Mbit与128Mbit的“小型页 面”NAND型闪存。 4.东芝将推出全球第一颗4Gb的NAND闪存芯片 2004年4月东芝采用90纳米技术推出容量4Gb的NAND FLASH，售价为12,000日 元(114美元)，2004年第三季度全面量产。 5.美光将生产NAND型闪存 2GB产品年底上市 2004年Q2，美光网络和通讯业务副总Jan du Preez指出：“ 美光积极进军 NAND市场，初期将推出采用90纳米制程的产品，然后升级到72和58纳米。我 们的NAND产品计划包括多重组态及高达16GB的容量，预期会很快量产以满足 市场预测的需求。” 6. 2005年Q2，海力士用90纳米技术推出单颗2GB的NAND FLASH。
2.东芝将在2006年推出布线宽度为55nm的产品，以求提高读写速度。东芝目前的 主力品种为布线70nm的产品，读取速度为每秒6MB，Fab1,Fab2产能达到10-11万 片 3. 2006年底英特尔正式导入50纳米投产NAND型闪存 。
4.2007年底多数NAND Flash业者将产能转进50纳米工艺世代，像是东芝 （Toshiba）旗下所有12英寸厂均已全数转进56纳米工艺出货。
目前MLC和SLC 在2GB闪存芯片上的价格相差了将近100多元，他们的差异还是比 较明显的。所以对于选择数码播放器的朋友，选择更便宜廉价的MLC芯片产品还 是选择稳定性和性能更好的SLC产品，就看你的需要了。
第三节 NAND FLASH 品牌
从上表从而可以看出，我们现在FLASH行业的一些常见品牌： 1.SamSung三星
b)
A.读写速度较慢。相对主流SLC芯片，MLC芯片目前技术条件下，理论速度只能达 到2MB左右，因此对于速度要求较高的应用会有一些问题。 B.MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。 C.MLC理论写入次数上限相对较少，因此在相同使用情况下，使用寿命比较SLC短。 D.MLC的价格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。
Flash Memory中文名字叫闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情 况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器。
第二节 FLASH的分类
功能特性分为两种：一种是NOR型闪存，以编码应用为主，其功能多与 运算相关；另一种为NAND型闪存，主要功能是存储资料，如数码相机 中所用的记忆卡。
1. NOR FLASH和NAND FLASH
第三章 FLASH的发展
1.在1984年，东芝公司的发明人Fujio Masuoka 首先提出了快速闪存存储器(此 处简称闪存)的概念。 2.Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了 一款256K bit闪存芯片。 3.第二种闪存称为NAND闪存。它由东芝公司于1989年研制，并被认为是NOR 闪存的理想替代者。 4.MLC是英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功的。 5.2004年，除三星和东芝增加产能外，包括Hynix、英飞凌及瑞萨等大厂，也自 2004年起陆续进入NAND闪存市场。
封装方式一 BGA
BGA(Ball Grid Array Package)---球栅阵列封装
随着集成电路技术的发展，对集成电路的封装要求更加严格。这是因为封装技术 关系到产品的功能性，当IC的频率超过100MHz时，传统封装方式可 能会产生所 谓的“CrossTalk”现象，而且当IC的管脚数大于208 Pin时，传统的封装方式有其 困难度。因此，除使用QFP封装方式外，现今大多数的高脚数芯片（如图形芯片 与芯片组等）皆转而使用BGA(Ball Grid Array Package)封装技术。BGA一出现 便成为CPU、主板上南/北桥芯片等高密度、高性能、多引脚封装的最佳选择。 BGA封装具有以下特点： 1.I/O引脚数虽然增多，但引脚之间的距离远大于QFP封装方式，提高了成品率。