在MEMS加工中光刻胶的应用_邹应全
光刻胶的应用领域
光刻胶的应用领域光刻胶是一种应用广泛的材料，它在微电子、光学器件、生物医学等领域发挥着重要的作用。
本文将就光刻胶在不同应用领域的具体应用进行介绍。
光刻胶在微电子领域有着广泛的应用。
在集成电路制造过程中，光刻胶被用于制作电路的图案。
通过将光刻胶涂覆在硅片上，然后使用光刻机将光刻胶进行光刻曝光，最后进行显影和蚀刻，就可以在硅片上形成所需的电路图案。
光刻胶在微电子领域的应用可以说是至关重要的，它决定了集成电路的制造精度和性能。
光刻胶在光学器件制造中也有着重要的应用。
光刻胶可以被用于制作光学元件的微结构。
例如，在光纤通信中，光刻胶被用于制作光纤阵列的微透镜。
通过将光刻胶涂覆在基底上，然后使用光刻机进行光刻曝光和显影，就可以形成微透镜的结构。
光刻胶在光学器件制造中的应用不仅可以提高器件的性能，还可以降低制造成本。
光刻胶在生物医学领域也有着重要的应用。
在生物芯片制造过程中，光刻胶被用于制作微流控芯片的微结构。
通过将光刻胶涂覆在芯片基底上，然后使用光刻机进行光刻曝光和显影，就可以形成微通道和微阀等微结构。
这些微结构可以实现对生物样品的精确操控和检测，广泛应用于基因测序、蛋白质分析等领域。
光刻胶还在光罩制作、纳米加工、光学薄膜制备等领域有着重要的应用。
在光罩制作中，光刻胶被用于制作光刻胶层。
通过光刻曝光和显影，可以形成光刻胶层上的图案，用于制作光罩。
在纳米加工中，光刻胶可以被用于制作纳米结构。
通过光刻曝光和显影，可以形成所需的纳米图案。
在光学薄膜制备中，光刻胶可以被用于制作光刻胶模板。
通过将光刻胶涂覆在基底上，然后进行光刻曝光和显影，可以形成光刻胶模板，用于制备光学薄膜。
光刻胶在微电子、光学器件、生物医学等领域有着广泛的应用。
它在微电子领域中用于制作集成电路图案，提高电路制造精度和性能；在光学器件制造中用于制作光学元件的微结构，提高器件性能和降低制造成本；在生物医学领域中用于制作微流控芯片的微结构，实现对生物样品的精确操控和检测。
光刻胶在微电子制造中的应用研究
光刻胶在微电子制造中的应用研究光刻胶是一种重要的微电子材料，它在现代微电子制造中具有广泛的应用。
特别是在集成电路制造、MEMS制造、光学器件制造等领域，光刻胶的应用是不可替代的。
本文将从构成、影响因素、优缺点、应用等方面探讨光刻胶在微电子制造中的应用研究。
一、光刻胶的构成光刻胶是一种涂覆在硅片表面的有机高分子材料。
其基本构成为溶剂、光引发剂和聚合物。
其中光引发剂起到将光的能量转化为化学能的作用，聚合物则是光刻胶原型材料。
溶剂则起到调解表面张力、加速光刻胶干燥等作用。
二、影响因素光刻胶在微电子制造中的应用过程中，影响光刻胶性能的因素主要包括以下几个方面：1、光刻胶溶液的稀释比例。
稀释比例过低则会使涂覆后的光刻胶层厚度不均，稀释比例过高则会使曝光后的图形分辨率下降。
2、光刻胶干燥时间。
干燥时间过长容易出现龟裂、干膜、气泡等缺陷，干燥时间过短则会影响后续曝光、显影等后续步骤。
3、曝光剂和显影剂的对应关系。
合适的曝光剂和显影剂的配合能提高相对湿度下的曝光和显影效果。
4、曝光波长和光线强度。
曝光波长的选择决定了曝光的精度和光子能量，光线强度则决定了曝光时间和最小曝光体积。
三、优缺点光刻胶在微电子制造中具有以下优点：1、高分辨率。
光刻胶涂覆后可以通过微细曝光控制其形状和大小，从而获得高分辨率的图案。
2、适用范围广。
光刻胶可以制备出各种形状和大小的微电子结构，例如晶体管、电容器、波导等。
3、操作简单。
利用光刻胶进行微电子制造过程简单、操作便捷，生产成本相对较低。
但是光刻胶在微电子制造中缺点也是不可忽视的：1、光刻胶的制备工艺要求较高，需要严格控制涂覆和干燥的条件，保证光刻胶的稳定性和品质。
2、光刻胶涂覆和干燥后容易受到杂质的干扰，需要在制作前进行严格的准备工作。
3、光刻胶的生产过程涉及到有毒有害的物质，对工作环境和操作者有一定的安全隐患。
四、应用1、集成电路制造。
在集成电路制造中，光刻胶用来裸露硅片表面，形成复杂的电子线路结构和微小的细节。
SU-8胶及其在MEMS中的应用
W ! $ !8 F ’ % 胶的主要特性
环 氧 树 脂 型% 近紫外线光 8 F ’ % 胶是一种 负 性 % 最初由 8 刻胶 ! 它是基于 & ; :7 8 F ’ %环氧胶" 4 I + + E 4 I ( * 5 ) + 开 发 #和 G dV 专 利 " F 8; ) < I / <7 . # # # 发展而来 的 !8 ! 2 % 2 F ’ %胶在近紫外光 = % % " " = W" 范围内光吸收度低 $ 故整个光刻胶层所获得的曝光 量均匀一致 $ 可得 到 具 有 垂 直 侧 壁 和 高 深 宽 比 的 厚 膜图形 & 它还具有良好的力学性能 % 抗化学腐蚀性和 由于它是负性光刻胶 $ 可以形成台阶等结 热稳定性 & 构复杂的图形 & 在电镀时可以直接 8 F ’ % 胶 不 导 电$ 作为绝缘体使用 ! 由于它具有较多优点 $ 8 F ’ % 胶正 被逐 渐 应 用 于 V&V8% 芯片封装和微加工等领 1( 域’ ! 多分支的有机环氧 胶溶 8 F ’ % 胶是由多功能团 % 于有机液中 $ 并加入光催化剂而成的 $ 其理想结构式 如图 " 所示 !
图 "!8 F ’ % 理想结构式
由于 其 典 型 结 构 中 含 有 八 个 环 氧 团 $ 因此称为 8 F ’ % 胶 ! 目前主要该产品主要由 V * 5 M . E 4 I ( 公司 提供 ! 表 ! 为 V * 5 M . E 4 I ( 公司 8 F ’ % 的 一 些 特 性! 目前已有了 " $ $ $ 系列的 8 F ’ %胶! 表 !!8 F ’ % 胶几种系列的特性
!! 引 ! 言
光刻胶在集成光电子芯片和MEMS器件的生产中的应用情况如何
光刻胶在集成光电子芯片和MEMS器件的生产中的应用情况如何随着信息技术的飞速发展，集成光电子芯片和MEMS器件的生产技术也得到了极大的发展，其中光刻技术作为一项重要的生产技术，成为了集成光电子芯片和MEMS器件中的不可或缺的一部分。
光刻胶作为光刻技术中的一项关键材料，对光刻技术的发展和生产质量起到了至关重要的作用。
一、光刻胶的概念及种类光刻胶是一种光致反应性材料，通过紫外光辐射后，产生化学反应，形成像图形的沉积物。
它通常具有以下特征：1.具有良好的适应性。
可以用于一系列基底材料，如宽带波导、GaAs、金属、石英、聚合物等材料。
2.反应性能稳定。
可以承受高温、高湿度环境。
3.易于加工。
可以通过均匀地涂布在基底上，形成有规律图形。
光刻胶分为紫外线感光胶和电子束感光胶两种类型，其中紫外线感光胶是应用最为广泛的光刻胶种类。
其组成通常包括光敏剂、树脂、酯和溶剂等成分。
其中光敏剂和树脂是光刻胶的核心成分，光敏剂可以吸收紫外线能量，使光刻胶发生化学反应，并形成图案；而树脂则负责把光刻胶沉积在基底上，并保证图案的精度和形态。
二、光刻胶在集成光电子芯片中的应用随着人们对信息需求的不断增加，集成光电子芯片的应用越来越广泛。
集成光电子芯片是基于光子技术实现数据传输和处理的一种集成电路。
在集成光电子芯片的制造中，光刻胶技术广泛应用，例如：1.制造光波导：通过光刻胶技术在芯片表面加工出精细的线条，形成光波导，用来传输信息信号。
2.制造光探测器：通过光刻胶技术在芯片表面形成精细的结构，放置光电探测器。
3.制造微透镜阵列：通过光刻胶技术在芯片表面制造出微透镜阵列，实现集成光电转换。
通过采用光刻技术，在集成光电子芯片的生产中，实现了高精度、高质量的加工，大大提高了光电子芯片的性能和生产效率。
三、光刻胶在MEMS器件中的应用除了在集成光电子芯片中的应用，光刻胶在MEMS器件的制造中也发挥着重要的作用。
MEMS（微电子机械系统）器件是一种微型机电系统，由微机电系统(MEMS)技术制造的集成电路器件。
探索应用于MEMS器件的光刻胶剥离技术关键工艺
探索应用于MEMS器件的光刻胶剥离技术关键工艺摘要：本文简要介绍了MEMS器件的基础概念，分别介绍其内部光刻胶剥离技术工艺流程，分别从光刻板、硅片制造、光刻技术、刻蚀工艺、光刻胶剥离工艺五个角度阐述彻底解决MEMS器件内部加工的技术技巧，结合技术应用与分析，实现良好解决硅片制造期间产生面红印缺陷的问题。
关键词：MEMS器件；剥离技术；硅片引言：在脱模工艺标准化发展期间，探索脱模残留物生产的根本成因，借助工艺优化措施，试图解决脱模残留的相关问题。
并针对硅片边缘剥离异常事件发生的原因进行了分析，提出了光刻工艺涂胶流程优化措施，解决了硅片边缘剥离异常问题。
1半导体半导体较为特殊，不仅可以充当为导体同时也会成为绝缘体，在运行的过程中，其价带以及导带内不会存在一个禁带宽度，此类禁带自身的宽度会低于绝缘体，促使价带电子能够借助此环节具备较强的能量并转移到导带中。
在其发展的阶段中，会存在多个电子元件，利用氧化、光刻以及扩散等方式实现半导体的制作。
在集成电路的设定中往往会分为两种类型，分为逻辑电路以及存储电路。
因为集成电路的制作流程较多，步骤较为琐碎，通常情况下，生产一块集成电路会需要涉及到几百个工艺制作流程，消耗大量的时间。
此类制作工艺所能使用的区域和环节较多，主要集中在物理和化学等理性论学科中。
在生产环节中，主要为硅片的制作、集成电路的制作以及相对应的封装处理工作。
2光刻板光刻板的类型较多，会依照多种分类方式实现对多个种类的划分。
通过对光刻板的尺寸和厚度进行分类处理，可分化成光刻板5009,5018等，并结合实际的缩放尺寸进行1,4,5倍光刻。
可以根据自己遮光的金属种类分为 BIM光刻板和 PSM光刻板。
另外，依照基底材质的种类，又可以分化为苏打、石英以及硼硅类型的玻璃光刻版。
经过对有关数据的分析和研究，石英玻璃低波较优，自身的透光效果能够优于其余两类的材质，热膨胀指数也会小于其余的材料，自身的硬度系数较高。
光刻胶的表面覆盖和纳米探针制备领域中的应用情况如何
光刻胶的表面覆盖和纳米探针制备领域中的应用情况如何光刻技术是当今微电子工程中最为关键的工艺之一，其主要应用于集成电路、光电子元件、微机械系统等微纳尺度器件的制备过程中。
而其中的光刻胶在制备这些高科技产品上发挥着至关重要的作用。
光刻胶是一种具有粘结性和耐化学腐蚀性的透明涂层材料，常用于半导体、微机械等领域的器件制备过程中。
光刻胶通常由两种主要成分组成。
其一为聚合物，负责光化学反应；其二为溶剂，负责稀释聚合物，使其形成适宜标记的材料。
在一些应用中，光刻胶的表面覆盖非常重要。
通过表面覆盖，可以使得微型芯片形成多层“堆积”的效果，达到更高的制作精度。
在这方面，光刻技术已经有了重大的突破。
半导体定义性技术也因此得以实现，半导体芯片也得到了巨大的进步。
除了表面覆盖，纳米探针的制备也是光刻胶应用的重要方向之一。
纳米探针是一种极细小的探针，用于进行不同尺度物质结构和形态的分析和探测。
由于纳米探针的尺寸非常小，其制作过程需要非常高的精度和技术要求。
而利用光刻技术，可以在光刻胶表面形成高精度的结构模板，再通过化学物理方法制备出符合要求的纳米探针。
这种方法成本低、周期短，而且具有良好的制备一致性，因此受到了纳米科学和微机械制造领域的广泛关注。
另外，在一些生物医学领域，光刻胶的应用也是非常重要的。
比如，利用光刻技术在光刻胶表面形成特定几何结构，在此基础上产生单分子探测技术，可以对DNA、RNA等分子进行高灵敏的检测。
同时，光刻胶表面结构的制备也为生物细胞培养提供了新的思路，可以通过表面结构控制和细胞相互作用来探索更为精细的生物科学问题。
总之，集成电路、半导体制造、微机械制造、纳米科学、生物医学等多个领域均离不开光刻胶的应用。
这种材料已经成为微纳尺度器件制备的不可或缺的材料之一。
未来随着技术的不断推进和完善，光刻胶的应用场景将会越来越广泛，为科学技术进步和人类社会的发展带来更多的机会和可能。
用于MEMS的叠层光刻胶牺牲层技术
０ｃ ． ０ ６ ｔ２ ０
Ｌａ ｉ ｔ ｄ Ｐｈｏ ｏ ｅ ｉｔＳａ ｒｆｃ ａ ｙ ｒＴｅ ｈ ｌｇ ｏ ＥＭ Ｓ ｍ ｎａ ｅ ｔ ｒ ｓｓ ｃ ｉｉ ｉｌＬａ ｅ ｃ ｎｏｏ ｙ ｆ ｒＭ
Ｚ ＨＡＮＧ ｏ ｇ ｈ ａ ， ＤＩ Ｙ ｎ — ｕ ＊． ＮＧＧｕ— ｕ ， Ｉ ｉ Ｊ ＡＮＧ Ｚ ｅ ｇ ， ＡＩ ｎ —ｈ ＡＩ ｏ ｇ ｓｅ ｇ ｆ ｈ ｎ Ｃ ｇｃ ｕ ，Ｌ ｎ —ｈ ｎ Ｂｉ Ｚ
关 键词 ： ＭＳ微结构， ＭＥ ， 光刻胶， 牺牲层
中图分 类号 ￣ Ｎ ３ Ｔ ４
文献 标识 码 ： Ａ
文章编 号 ：０ ４１ ９ （０ ６ ０ —４ ２０ １ ０ —６ ９ ２ ０ ）５ １ ２ －４
Ｍ ｉｒ ｅ ｅ ｔｏ ｅ ｈ ｎ ｃ ｌｓ ｓ ｅ ｓ （ ｅ ｃｏ ｌｃｒ ｍ ｃ ａ ｉａ ｙ ｔｍ ｉ 。Ｍ ＥＭ Ｓ ） ａ ｅ ａ ｎ ｅ ｒ ｔ ｎ ｏ ｉｒ ｅ ｅ ｔｏ ｉ ｓ（ Ｃ）ｔ ｃ ｎ ｌ ｒ ｎ ｉｔｇ ａ ｉ ｆ ｃｏ ｌｃｒ ｎ ｃ Ｉ ｏ ｍ ｅｈ ｏ— ｏ ｙ ａ ｄ ｍ ｉｒ ｍ ａ ｈ ｎ ｎ ｅ ｈ ｏ ｏ ｙ ｇ ｎ ｃ ｏ ｃ ｉｉｇ ｔ ｃ ｎ ｌｇ ［
，
１Ｄｅ ａ ｔ ｎ ｆＥ ｅｔｏｉ ｃｅｃ ｎ ｅｈ ｏｏ ｙ， ａ ｔ ｈｎ ｒ ｌＵ ｉｅｓ ｙ， ｈ ｎ ｈ ｉ２０ ６ ，Ｃ ｉａ ＼ ． ｐ ｒｍｅ ｔ ｌｃｒｎｃＳ ｉ ｅ ｄ Ｔ ｃｎ ｌｇ Ｅ ｓＣ ｉａＮｏｍａ ｎｖｒｉ Ｓ ａ ｇ ａ ０ ０ ２ ｈｎ ０ ｎ ａ ｔ
Hale Waihona Puke 摘 要 ： 研究了用于制备悬空结构的叠层光刻胶牺牲层工艺． 讨论了工艺中常遇到的烘胶汽泡、 龟裂、 起皱、 刻蚀电镀种子层
SU-8胶深紫外光刻模拟的开题报告
SU-8胶深紫外光刻模拟的开题报告
题目：SU-8胶深紫外光刻模拟
1. 研究背景
SU-8是一种常用的光刻胶，具有很高的深度和分辨率，被广泛应用于微型加工领域。
其中，SU-8 2000系列是一种高性能的胶材料，具有优异的耐高温、化学稳定性和模刻能力，广泛应用于微机电系统（MEMS）等领域。
在SU-8的加工过程中，深紫外光刻是一种常用的加工方法，它可以提高SU-8的加工深度和分辨率。
然而，深紫外光刻通常需要昂贵的设备和高昂的成本，因此对于一些研究者来说是不可承受的。
在这种情况下，对SU-8深紫外光刻的模拟研究就显得尤为重要。
2. 研究目的
本文旨在通过有限元分析方法，对SU-8胶在深紫外光刻中的加工过程进行模拟研究，探究不同光刻参数（如曝光剂量、开发时间等）对于SU-8加工深度和分辨率的影响规律，从而为实际加工提供参考。
3. 研究内容
（1）建立SU-8深紫外光刻模拟模型，包括材料力学参数、光学参数等；
（2）对不同的光刻参数进行模拟，如曝光剂量、光源功率、曝光时间、预热时间、开发时间等；
（3）通过模拟得到SU-8薄膜的加工深度和分辨率，并进行对比分析。
4. 研究方法
本文采用有限元方法进行SU-8深紫外光刻模拟。
首先，建立SU-8材料的本构关系和材料参数；然后，将SU-8薄膜放置在光刻设备中，通过建立光刻模拟模型，使得光学参数和材料参数相结合，计算出SU-8薄膜在光刻过程中的加工深度和分辨率。
5. 研究意义
本文将有助于研究者对SU-8深紫外光刻加工的理解和掌握，为MEMS、微流控等领域的实际加工提供指导和参考。
同时，本文的研究方法和结果也为其他光刻胶材料的模拟研究提供了启示和借鉴。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
汇报人：邹应全 教授 （北京师范大学）
报告提纲：
（1）MEMS概述 （2）MEMS工艺—光刻技术 （3）光刻胶的选择
（1）MEMS概述
MEMS----Micro-ElectroMechanical Systems(美国)微 机电系统 ，也称为微机械（日 本）或微系统（欧洲）。 它是指可批量制作的，集微型机 构、微型传感器、微型执行器以 及信号处理和控制电路、直至接 口、通信和电源等于一体的微型 器件或系统。
MEMS应用前景
航空 航天 军事
继续研发中
例如：美国国防部高级研究计划局已演 示以微机电系统为基础制造的加速度表， 它能承受火炮发射时产生的近10.5个重 力加速度的冲击力，可以为非制导弹药 提供一种经济的制导系统。
（1）MEMS概述
理论基础： 几乎涉及自然 科学的所有内 容
尺寸缩小，许多物理现象与宏观有很大区别 许多原来的理论基础都会发生变化
SU-8 产品系列： SU-8 SU-8 2000 SU-8 3000
其他光刻胶无可 比拟的优点
侧壁陡直 机械性能 绝缘性能 耐温性能
在近紫外光范围内光吸收率 低，有较好的曝光均匀性； 在前烘过程中有自平整能力， 所以在厚胶领域，独占鳌头。
SU-8
（本课题组供图）
SU-8 2000系列： 深宽比大于10:1 单层厚度0.5到200μm 表面张力较小
高灵敏度 高对比度 好的蚀刻阻抗性 高分辨力 易于处理 高纯度 长寿命周期 低溶解度 低成本 较高玻璃化转化温度
正性胶和负性胶性能对比
（3）光刻胶的选择
(3)LOR双层Lift-off 专用光刻胶
一般水溶液处理，相对环保；显 影特点决定了正胶可轻易获得孤 啊 立的洞和槽
LOR双层Lift-off 专用光刻胶
MEMS
特点
（1）MEMS概述
优势
技术利益： 经济利益： 1.大批量的并 行制造过程； 2.系统级集成； 3.封装集成； 4.与IC工艺兼 容。
MEMS尺寸 在毫米到 微米之间， 甚至更小， 是独立的 智能系统
1.高精度； 2.重量轻，尺寸 小； 3.高效能。
（1）MEMS概述 MEMS发展史
70年代：微机械压力传 感器
（1）MEMS概述
微观尺寸技术 的演进 微型化：体积小、重量轻、耗能 低、惯性小 以硅为主要材料，机械电器性能 优良：硅的强度、硬度和杨氏模 量与铁相当，密度类似铝，热传 导率接近钼和钨 批量生产：降低生产成本 集成化 学科交叉 多学科交叉：涉及电子、机械、 材料、制造、信息与自动控制、 物理、化学和生物等多种学科
三种光刻方法
接触式曝光 接近式曝光 投影式曝光
光刻工艺的发展
电子束光刻
紫外光
离子束光刻 X射线光刻 激光直写 微立体光刻成型
无掩模曝光机
美国IMP
390nm LED
μPG501 Tabletop Maskless Aligner System
HEIBELBERG INSTRUMENTS
微立体光刻成型
80年代：硅静电微 马达
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
90年代：喷墨打印头，硬 盘读写头、硅加速度计和 数字微镜器件等相继规模 化生产
（1）MEMS概述
安全气囊防护系统
21世纪
陀螺来测定汽车倾斜
数字微镜芯片
光交换系统
（1）MEMS概述
民用
例如：美国研制成功用于汽车防撞和节 油的微机电系统加速度表和传感器，可 提高汽车的安全性，节油10%。仅此一 项美国国防部系统每年就可节约几十亿 美元的汽油费。 例如：美国研发的一种微型惯性测量装 置的样机，尺度为2厘米×2厘米×0.5 厘米，重5克
三维结构与片状单元之间的关系
用MSL制作的微齿轮微管道
（2）MEMS工艺—光刻技术
性能 指标
分辨率 灵敏度 粘附性 抗腐蚀性 稳定性 针孔密度 留膜率
（3）光刻胶的选择
光刻胶本身性能指 标的差异 加工类型，加工要 求，加工成本
在MEMS加工和实验 过程中光刻胶的选 择至关重要
MEMS加工 对光刻胶的 硬性要求
SU-8 3000系列： 用于永久性结构制作 深宽比大于5:1 比起之前系列有更好的基底粘附力 更不易产生内应力积累
KMPR
具有与SU-8 接近的侧壁 效果 易于去除
结语：
低成本，微尺寸，智能完善的MEMS，拥有极大 的进步空间和发展潜力，将是未来制造业的必 然发展趋势。光刻胶作为MEMS工艺的重要组分， 必须不断推陈出新迎合蓬勃发展的MEMS制造业。 性能优异，环境友好的光刻胶终将走出实验室， 实现大规模的生产与应用。
谢谢大家！
高分辨率，可用 于0.25微米以下 的Lift-off工艺 Undercut结构可 控，溶解速率易 于调节 基底粘附力好 与大部分光胶兼 容 良好的耐热稳定 性 去胶容易，剥离 干净
（3）光刻胶的选择
(3) Micro Chem KMPR (4) Micro Chem SU-8
一般有机溶液处理；显影 特点决定了负胶可轻易获 得孤立的线和柱子
MEMS研究内容
技术基础研究：学者们的研究重点
微机械设计、微机械材料、微细加工、 微装配与封装
在各学科领域的应用研究：
（2）MEMS工艺—光刻技术
光刻技术
唯一不可缺少 的工艺步骤
光刻胶（光致抗蚀剂） 基底树脂+溶剂+（感光化合物） 光刻机
MEMS
基础
掩膜版
半导体制作技术
（2）MEMS工艺—光刻技术