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集成电路晶圆测试基础ppt课件

集成电路晶圆测试基础ppt课件
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3. 晶圆测试项目
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3. 晶圆测试项目

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3. 晶圆测试项目

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3. 晶圆测试项目

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3. 晶圆测试项目

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3. 晶圆测试项目
• 范德堡测试图形 正十字范德堡结构是应用最广泛的测试结构。
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3. 晶圆测试项目
• 常用的方块电阻测试结构 以典型的双极工艺为例
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3. 晶圆测试项目
1. 硅片 2. 晶圆 3. 晶圆测试项目 4. 晶圆测试设备 5. 晶圆测试操作
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4. 晶圆测试设备
信号控制仪器 + 机械设备
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4. 晶圆测试设备
手动探针台
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4. 晶圆测试设备
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4. 晶圆测试设备
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4. 晶圆测试设备
自动探针台
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4. 晶圆测试设备
探针卡
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4. 晶圆测试设备
第二单元 集成电路晶圆测试基础
.
1
第二单元 集成电路晶圆测试基础
1. 硅片 2. 晶圆 3. 晶圆测试项目 4. 晶圆测试设备 5. 晶圆测试操作
2
1. 硅片
制备集成电路芯片的晶圆片,其衬底材料主要为硅片, 其纯度为99.9999999%,简称“九个9” 。 硅片制备与检测
硅材料
单晶硅 多晶硅 非晶硅
容等
Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc、二极管等 Vth、电容、耐久测试等
脉冲 Id-Vg、脉冲 Id-Vd、击穿等 电阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc 等 NBTI/PBTI、电荷泵、电迁移、热载子注入、恒增电
流(J-Ramp)、TDDB 等 其它

集成电路分析与设计PPT课件

集成电路分析与设计PPT课件

Intel公司微处理 器—Pentium® 4
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2 集成电路发展
Intel公司微处理 器—Pentium® 6
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2 集成电路发展 Intel Pentium 4微处理器
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2 集成电路发展 Intel XeonTM微处理器
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2 集成电路发展 Intel Itanium微处理器
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2 集成电路发展
集成电路发展里程碑
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2 集成电路发展
集成电路发展里程碑
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2 集成电路发展
晶体管数目
2003年一年内制造出的晶 体管数目达到1018个,相 当于地球上所有蚂蚁数量 的100倍
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2 集成电路发展
芯片制造水平
2003年制造的芯片尺寸控制 精度已经达到头发丝直径的1 万分之一,相当于驾驶一辆 汽车直行400英里,偏离误差 不到1英寸!
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2 集成电路发展
晶体管的工作速度
1个晶体管每秒钟的开关 速度已超过1.5万亿次。 如果你要用手开关电灯 达到这样多的次数,需 要2万5千年的时间!
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2 集成电路发展
半导体业的发展速度
1978年巴黎飞到纽约的 机票价格为900美元,需 要飞7个小时。如果航空 业的发展速度和半导体业
1960年,Kang和Atalla研制出第一个利用硅半导体材料制成的MOSFET
1962年出现了由金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管组成的MOS 集成电路
早期MOS技术中,铝栅P沟MOS管是最主要的技术,60年代后期,多晶 硅取代铝成为MOS晶体管的栅材料
1970’s解决了MOS器件稳定性及工艺复杂性之后,MOS数字集成电路 开始成功应用
一个有关集成电路发展趋势的著名 预言,该预言直至今日依然准确。

IC基本培训PPT课件

IC基本培训PPT课件

02
IC基础知识
IC定义与分类
总结词
了解IC的基本概念和分类方式
详细描述
集成电路是将多个电子元件集成在一块衬底上,实现一定的电路或系统功能的微型电子部件。根据不同的 分类标准,IC可分为多种类型,如按功能结构可分为数字IC和模拟IC,按集成度可分为小规模集成电路、 中规模集成电路、大规模集成电路和超大规模集成电路等。
IC基本培训PPT课件
• 引言 • IC基础知识 • IC设计流程 • IC制造工艺 • IC应用案例分析 • 未来IC发展趋势与挑战
01
引言
培训背景和目的
背景
随着信息技术的发展,集成电路(IC)在各个领域的应用越来越广泛,对IC设 计、制造、封装和测试人才的需求也不断增加。为了满足这一需求,提高从业 人员的技能水平,开展IC基本培训显得尤为重要。
代社会的科技变革产生了深远影响。
案例二:数字信号处理器IC应用
总结词
数字信号处理器IC在音频、图像、视频等领域具有强大的信号处理能力,广泛应用于通 信、多媒体等领域。
详细描述
数字信号处理器IC是一种专门用于处理数字信号的集成电路,具有高速、高精度、低功 耗等特点。它在音频、图像、视频等领域广泛应用,能够对数字信号进行采集、转换、 处理和输出。数字信号处理器IC在通信、多媒体等领域发挥着重要作用,推动了数字信
IC制造工艺
晶圆制程
晶圆制程概述
介绍晶圆制程的基本概念、原理 和重要性,包括单晶硅的制备、
晶圆加工等。
薄膜沉积技术
详细介绍物理气相沉积、化学气相 沉积等薄膜沉积技术,以及它们在 IC制造中的应用。
光刻与刻蚀技术
阐述光刻和刻蚀工艺的原理、流程 和技术要点,以及它们在形成电路 图样中的作用。

ic半导体测试基础(中文版)

ic半导体测试基础(中文版)

本章节我们来说说最基本的测试——开短路测试(Open-Short Test),说说测试的目的和方法。

一.测试目的Open-Short Test也称为ContinuityTest或Contact Test,用以确认在器件测试时所有的信号引脚都与测试系统相应的通道在电性能上完成了连接,并且没有信号引脚与其他信号引脚、电源或地发生短路。

测试时间的长短直接影响测试成本的高低,而减少平均测试时间的一个最好方法就是尽可能早地发现并剔除坏的芯片。

Open-Short测试能快速检测出DUT是否存在电性物理缺陷,如引脚短路、bond wire缺失、引脚的静电损坏、以及制造缺陷等。

另外,在测试开始阶段,Open-Short测试能及时告知测试机一些与测试配件有关的问题,如ProbeCard或器件的Socket没有正确的连接。

二.测试方法Open-Short测试的条件在器件的规格数或测试计划书里通常不会提及,但是对大多数器件而言,它的测试方法及参数都是标准的,这些标准值会在稍后给出。

基于PMU的Open-Short测试是一种串行(Serial)静态的DC测试。

首先将器件包括电源和地的所有管脚拉低至“地”(即我们常说的清0),接着连接PMU到单个的DUT管脚,并驱动电流顺着偏置方向经过管脚的保护二极管——一个负向的电流会流经连接到地的二极管(图3-1),一个正向的电流会流经连接到电源的二极管(图3-2),电流的大小在100uA到500uA之间就足够了。

大家知道,当电流流经二极管时,会在其P-N结上引起大约0.65V的压降,我们接下来去检测连接点的电压就可以知道结果了。

既然程序控制PMU去驱动电流,那么我们必须设置电压钳制,去限制Open管脚引起的电压。

Open-Short测试的钳制电压一般设置为3V——当一个Open的管脚被测试到,它的测试结果将会是3V。

串行静态Open-Short测试的优点在于它使用的是DC测试,当一个失效(failure)发生时,其准确的电压测量值会被数据记录(datalog)真实地检测并显示出来,不管它是Open引起还是Short导致。

《集成电路测试》课件

《集成电路测试》课件

THANKS
详细描述
直流测试技术通过测量集成电路在不同条件下的直流电流和电压,来评估其性 能和可靠性。这种测试方法可以检测出电路中的开路、短路以及其他连接问题 ,是集成电路测试中最基本的测试方法之一。
交流测试技术
总结词
交流测试技术主要用于检测集成电路的动态参数,如频率响应、传递函数等。
详细描述
交流测试技术通过向集成电路施加不同频率的输入信号,并测量其输出信号的幅度、相位和频率响应 等参数,来评估其性能和可靠性。这种测试方法可以检测出电路中的寄生效应、不匹配等问题。
集成电路测试的分类
集成电路测试可以分为数字集成电路 测试和模拟集成电路测试两大类,根 据不同的测试需求和应用场景,测试 方法和技术也有所不同。
集成电路测试的重要性
提高产品质量
通过集成电路测试,可以检测出芯片中存在的缺陷和故障,提高产 品的可靠性和稳定性,减少产品在使用过程中出现问题的风险。
降低生产成本
《集成电路测试》ppt课件
目录 Contents
• 集成电路测试概述 • 集成电路测试技术 • 集成电路测试设备 • 集成电路测试应用 • 集成电路测试发展趋势
01
集成电路测试概述
集成电路测试的定义
集成电路测试的定义
集成电路测试是对集成电路芯片进行 性能和可靠性的检测和评估,以确保 其满足设计要求和规格参数。
04
集成电路测试应用
消费电子产品的测试
总结词
消费电子产品种类繁多,集成电路测 试是确保其性能和可靠性的关键环节 。
详细描述
消费电子产品如手机、电视、音响等 ,都离不开集成电路的支持。通过测 试,可以确保这些集成电路在各种工 作条件下都能正常工作,满足产品性 能要求。

集成电路测试PPT课件

集成电路测试PPT课件

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故障的等效和从属
故障等效
s-a-1
A
B
&
C
s-a-0
Z
故障从属
s-a-0
A
B
&
C
s-a-1
Z
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故障类型与测试码
测试码 ABC Z 11 1 0
01 1 1 10 1 1 11 0 1
故障
A/0, B/0, C/0, Z/1 A/1,Z/0 B/1,Z/0 C/1,Z/0
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基本概念2:测试向量和测试图形
故障:集成电路不能正常工作。 故障模型:物理缺陷的逻辑等效。
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故障举例
物理缺陷
逻辑等效
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逻辑门故障模型
固定值逻辑:所有缺陷都表现为逻辑门 层次上线网的逻辑值被固定为0或者1。 表示:s-a-1, s-a-0。
桥接 逻辑门故障模型的局限性
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f
(X)

d dxi
g(X)
g(X)

d dxi
f
(X)
d dxi
f (X)• d dxi
g(X)
d dxi
f
(X)
g(X)
f
(X)

d dxi
g(X)
g(X)

d dxi
f
(X)
d dxi
f (X)• d dxi
g(X)
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差分法
如果g(X)与xi无关,则可以简化为:
esets
Tester_Stro 2
2

集成电路测试概述PPT课件

材料缺陷——大面积缺陷(裂纹、 晶体不完整)、表面杂质等。
寿命缺陷——电介质崩溃、电迁移 等。
封装缺陷——触点退化、密封泄露 等。
第6页/共48页
集成电路的不正常状态
• 缺陷(defect) • 故障(fault) • 失效(failure)
集成电路的缺陷导致它的功能发 生变化
第7页/共48页
➢ 成品检测进行随机抽 样,对样品做入厂测 试。
第36页/共48页
按测试目的分类

验证测试(特性测试)

生产测试

验收测试(成品检测)

使用测试
系统RMS(Reliability ,Maintainability,Serviceability) 技术的需要。使用测试是在器件使用期间进行的测 试,包括对器件进行各类可靠性试验后的评价测试, 系统使用过程出现故障进行故障芯片检测和定位所 进行的测试等
测试框架结构
➢ 在生产阶段,管芯制 成后和封装后都要进 行电性能和参数测试, 包括性能鉴定、可靠 性试验和失效分析等 测试。 ➢ 作用: 对产品 进行挑 选和分 级;剔 除失效 的芯片;
第44页/共48页
测试框架结构
测试的费用往往会随器件级、板级、 系统级和现场故障寻迹维修测试, 按每级10倍的递增量而逐级递增,
故障检测和故障诊断的首要问题
• 测试图形的生成 • 测试生成过程要能迅速准确地得到测试码,并且能判断测试码的有效性,还要保证测试码尽量简单,必须
讨论测试码与测试图形的各种生成方法和集成电路的各类故障模型。
第19页/共48页
第20页/共48页
• 集成电路测试的基本原理 • 集成电路故障与测试 • 集成电路测试过程 • 集成电路测试分类 • 集成电路测试的意义与作用 • 半导体技术的发展对测试的影响

半导体测试 器件与芯片测试PPT课件


图二双向瞬变抑制二极管;
图三分别是光敏或光电二极管,发光二极管;
图四为变容二极管;
图五是肖特基二极管;
图六是恒流二极管;
图七是稳压二极管;
最新课件
7
(二)半导体三极管
双极型晶体管又称三极管。电路表示符号:BJT。 根据功率的不同具有不同的外形结构。
双极型晶体管的几种常见外形
(a)小功率管 (b)小功率管 (c)中功率管 (d)大功率管
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测试电路
测试设备—晶体管参数测试仪
最新课件
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(二)双极型晶体管I-V特性测试
1、三极管的主要测试参数
• 共射极增益(电流放大系数)
交流工作时:
IC IB
直流工作时: I C
IB
• 穿透电流ICEO、ICBO • 反向击穿电压 • 集电极最大允许电流ICM • 集电极最大允许功率损耗PCM
最新课件
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最新课件
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图7.2 共射双极型晶体管的放大特性
最新课件
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图 共射双极型晶体管反向击穿特性
最新课件
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2、双极晶体管的性能测试
图7.16
最新课件
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测试设备—晶体管参数测试仪
最新课件
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三、MOS结构的C-V特性测试
最新课件
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C-V特性测试简介
l MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加压的函 数,MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线,简称 C-V特性。C-V曲线与半导体的导电类型及其掺杂浓度、 SiO2-Si系统中的电荷密度有密切的关系。
衬底 S/D 载流子 VDS IDS 载流子运动方向 VT
符号

集成电路封装与测试(一)PPT课件


电磁、化学等方面的防护
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信号传递
主要是将电信号的延迟尽 可能减小,在布线时尽可 能使信号线与芯片的互连 路径以及通过封装的I/O接 口引出的路径达到最短
电能传递
主要是电源电压的分配和导通
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散热 各种芯片封装都要考虑元 器件、部件长期工作时如 何将聚集的热量散出的问 题
封装保护 芯片封装可为芯片和其他连 接部件提供牢固可靠的机械 支撑,并能适应各种工作环 境和条件的变化
测试、评测
工艺问题
产品
定义问题
11
12
1.1.2 封装的出现 “封装(Packaging)”用于电子工程的历史并不 很久。在真空电子管时代,将电子管等器件安装 在管座上构成电路设备,一般称为“组装或装 配”,当时还没有“Packaging”这一概念。
13
60多年前的三极管,40多年前的IC半导体元件的出现,一方面,这些 半导体元件细小柔嫩;另一方面,其性能又高,而且多功能、多规格。 为了充分发挥其功能,需要补强、密封、扩大,以便实现与外电路可 靠的电气连接并得到有效的机械、绝缘等方面的保护作用。基于这样 的工艺技术要求,“封装”便随之出现。
带引脚的芯片载体
倒装芯片
陶瓷DIP
球栅阵列封装
芯片尺寸封装
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目前世界上产量较多的几类封装
SOP (小外形封装)
55~57%
PDIP(塑料双列封装)
14%
QFP (PLCC ) (四边引线扁平封装) 12%
BGA (球栅阵列封装)
4~5%
36
1.5. IC封装的发展趋势
16.8~27.4%
2003 2004
“集成电路(IC)“是指微小化的或微电子的器件,它将这样的一些元 件如三极管、电阻、介电体、电容等集成为一个电学上的电路,使致 具有专门的功能。
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– 集成电路的交流参数是与时间有关的电参数,包括上 升时间和下降时间、传输过程的延迟时间、建立和保 持时间、刷新和暂停时间等。
2.4 晶圆测试设备
• 晶圆测试设备是借助于探针对晶圆上芯片 进行测试的设备。利用晶圆测试设备可以 步进测试晶圆上器件和芯片的电学性能参 数和功能,得到晶圆上芯片和微电子测试 结构的统计量。
运 算 放 大 器 外 形 图
运算放大器的常见参数
• • • 1.输入失调电压VIO(input offset voltage) :输入电压为零时,将输出电压除以 电压增益,即为折算到输入端的失调电压。VIO是表征运放内部电路对称性的 指标。 2.输入失调电流IIO(input offset current):在零输入时,差分输入级的差分对 管基极电流之差,用于表征差分级输入电流不对称的程度。 3.输入偏置电流IB(input bias current):运放两个输入端偏置电流的平均值, 用于衡量差分放大对管输入电流的大小。 4.输入失调电压温漂 :在规定工作温度范围内,输入失调电压随温度的变化 量与温度变化量之比值。 5.输入失调电流温漂 :在规定工作温度范围内,输入失调电流随温度的变化 量与温度变化量之比值。 6.最大差模输入电压 (maximum differential mode input voltage):运放两输入 端能承受的最大差模输入电压,超过此电压时,差分管将出现反向击穿现象。 7.最大共模输入电压 (maximum common mode input voltage):在保证运放 正常工作条件下,共模输入电压的允许范围。共模电压超过此值时,输入差 分对管出现饱和,放大器失去共模抑制能力。
2.2.2 晶体管基本原理和结构
2.2.3集成电路的基本原理和结构
• 半导体集成电路有双极型集成电路和MOS 集成电路两大类。单片半导体集成电路是 通过许多道平面工艺,把许多有源器件、 无源元件和金属薄膜导线按集成设计要求 有序并规则地制作在同一块硅片(基片) 上,以达到各种性能指标,并能满足特定 功能条款的电路。
集成放大器的符号
运算放大器的引线
运算放大器的符号中有三个引线端,两个 输入端,一个输出端。一个称为同相输入端, 即该端输入信号变化的极性与输出端相同,用 符号‘+’表示;另一个称为反相输入端,即该 端输入信号变化的极性与输出端相反,用符号 “-”表示。输出端在输入端的另一侧,在符号 边框内标有‘+’号。
2.2.3集成电路的基本原理和结构
• 1.集成电路基本原理
– (1)双极型集成数字逻辑电路。按其晶体管正 常工作的状态分为饱和型和非饱和型。TTL是饱 和型、STTL电路抗饱和,归属饱和型电路。
2.2.3集成电路的基本原理和结构
• TTL集成电路是由双极型晶体管为主体构成 的。TTL集成电路的最基本单元电路有TTL与 非门、TTL或非门、TTL反相器和TTL与或非 门等。
2.4.2 自动探针测试台
• 2.外围保障和辅件
– 自动探针测试台、自动测试设备和自动分选机 的外围保障有工业动力源、压缩气动源、防静 电的净化室等。
2.5 晶圆测试操作
• 晶圆测试主要是利用探针卡与探针对功能 芯片电路和微电子测试结构的测试。芯片 测试主要测试是功能测试和直流参数测试, 特殊需要时,低频低速电路还可以安排交 流参数的测试,但是要解决好探针电容匹 配和感应耦合引起的严重干扰问题,以确 保测试精度。
手动探针台的测试操作
• 测试步骤:
– 1.安装探针,调整四个探针座 – 2.下降载物台,在载物台上安放晶圆 – 3.通过体视显微镜进行观察和判断,对探针座做微调 (通常根据压痕来判断位置) – 4.选定电压电流测量工具 – 5.测试 – 6.下降载物台,移到另一个测试结构位置,进行重复测 试,直到取下晶圆 – 7.分析测试的数据
2.3.1 性能参数测试项目
• 2.功能
– 集成电路的功能依照设计的要求会有千差万别。集成 电路可以实现数字逻辑运算,数字和模拟信号的处理、 控制、存储、发射等一系列功能。
• 3.极限(裕量)参数
– 集成电路的极限参数是与集成电路工作环境密切相关 的,指允许变化范围的极限电学参数。
• 4.交流参数
自动探针台的测试操作
– (9)在一切正常前提下,对晶圆进行自动探针 测试 – (10)探针阵列和测试芯片接触 – (11)启动和完成芯片测试 – (12)打点标记后,进行另一个芯片测试 – (13)重复循环芯片测试,完成整个晶圆的测 试 – (14)检查晶圆表面,记录探针压痕不合格和 墨点标记不合格的芯片 – (15)对照被测晶圆,进行数据分析。
• 其次,把晶圆安装在晶圆承片步进台上,晶圆承 片步进台进入探针测试台中心,经系统的CCD显 微摄像装置扫描找准后,X-Y二维步进工作台移动 定位到测试探针阵列对准晶圆上芯片的位置,升 降Z轴,使探针和芯片接触。
2.4.2 自动探针测试台
• 然后,探针台受启动测试信号的控制,对 芯片进行测试,芯片测试过程结束。
2针卡与探针座
2.4.1 手动探针测试台
• 2.体视显微镜
– 体视显微镜安装在手动探针测试台的载物工作 台上方,用于观察晶圆、芯片和探针。体视显 微镜由双目镜、物镜、显微镜筒体、倍率调节 装置和升降导轨装置等构成。
2.4.1 手动探针测试台
• 3.载物工作台
– 载物台由X-Y二维步进工作台和载物台构成。载 物台上放置被测物件,即晶圆片等,载物台可 以进行360度的旋转和Z方向的升降。
自动探针台的测试操作
• 1.晶圆芯片的参数测试
– 直流参数测试和功能测试
• 2.晶圆芯片的测试要点
– (1)熟悉被测晶圆和芯片的二维结构、位置尺 寸、工艺参数等 – (2)设置和建立基本测试条件 – (3)利用探针卡进行晶圆芯片测试,必须保证 探针卡的精度和可靠性。 – (4)正确设置探针台的各种位置和测试参数

• • •
2.3 晶圆测试项目
• 晶圆测试是在探针台上进行的,晶圆测试 时,金属探针的一端接到相应的电源、地、 信号源、控制和检测单元,另一端的金属 探针针尖接触焊盘。一般探针与探针卡的 晶圆测试可以测试直流参数(与时间无关 的参数)、功能和某些极限参数测试以及 部分低速低频芯片的低精度交流参数(与 时间有关的参数)测试。
• 最后,打点装置受打点信号控制,按照测 试结果决定是否打墨点之后,承片台下降。
2.4.2 自动探针测试台
• 1.基本构成和功用
– 自动探针卡测试台是光机电一体化的精密设备, 比手动探针卡测试台更复杂、紧密、高效。自 动探针卡测试台有两种构成方式,一种是独立 的整机设备,另一种是依附于集成电路自动测 试设备的模块式自动探针卡测试台。
2.2.3集成电路的基本原理和结构
• 模拟信号
– 信号波形模拟着信息的变化而变化,如图所 示的信号称为模拟信号。其特点是幅度连续( 连 续的含义是在某一取值范围内可以取无限多个 数值)。
2.2.3集成电路的基本原理和结构
• 数字信号
– 下图是数字信号,其特点是幅值被限制在有限 个数值之内,它不是连续的而是离散的, 这种 幅度是离散的信号称数字信号。
2.2.2 晶体管基本原理和结构
• 3.MOS晶体管
– MOS型晶体管属于场效应晶体管,是一种电压 控制的单极四端器件。场效应器件分为绝缘型 (MOSFET/MESFET) 和结型(JFET)两种。
BJT的开关特性
vI=0V时:
iB0,iC0,vO=VCE≈VCC,c、e极之间近似于开路,
vI=5V时: iB0,iC0,vO=VCE≈0.2V,c、e极之间近似于短路,
手动探针台的测试操作
• 以典型的微电子测试结构工艺参数提取为 例。
(1)利用范德堡测试结构对掺杂层薄层电阻进行测试,必须保证测试的 精度和分辨率。范德堡测试结构是四端对称结构,测试结构是紧邻两端 加恒定电流,另两端测电压
手动探针台的测试操作
• (2)要减少测试误差。首先,该测试结构 的两个电流端口要加正负恒定电流,另外 两个端口测到两个电压值。然后,四端口 作90度旋转,再一次进行正负恒定电流下 的测试,又得到两个电压值,取这四个测 量值的平均值以减少误差。
2.4.1 手动探针测试台
• 4.探针卡支架与探针座支架
– 探针卡支架主要用于安装和固定探针卡,探针 卡支架保证了探针卡的机械稳定性。晶圆测试 时,探针阵列固定不动,晶圆做相对步进移动 和升降移动,以完成对晶圆上阵列芯片的测试。
2.4.1 手动探针测试台
• 5.打墨点装置
– 打墨点装置固定于支架上,可以在不合格的芯 片表面打墨点标记,以便在晶圆划片后分离芯 片时,能区分合格和不合格芯片。
自动探针台的测试操作
• 3.晶圆芯片的测试步骤
– (1)在晶圆探针台上安装探卡 – (2)与探卡相匹配的校准晶圆安装在晶圆承片步进台 上 – (3)接通电源,接地线和气源 – (4)开机 – (5)设置自动探针台的运行工作参数 – (6)手动校正探卡位置和墨点位置,并设置墨点大小 – (7)执行探针台自动校正命令,校正探卡位置。 – (8)晶圆芯片校准样品模拟测试。
2.4.2 自动探针测试台
• 自动测试探针台可以再细分为半自动和全 自动两种。半自动探针测试台需要人工干 预,用于自动化程度要求不高的场合。全 自动测试探针台能完成自动装片、自动对 准、自动步进、自动测试等,用于自动生 产流水线。
2.4.2 自动探针测试台
• 用自动测试台进行晶圆测试时,首先要设定自动 探针台的工作参数,如晶圆直径、X-Y方向的芯片 步进距离、Z方向的分离高度、Z向升降工作模式、 测试方式和打点模式等。
2.2.3集成电路的基本原理和结构
• TTL集成电路品种较多,互换性较强。民品 系列的前缀是“74”,军品系列的前缀是 “54”,军品的制造工艺过程控制严格,适 用温度也更宽。
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