2013年将迎来IGZO和4K 面板的元年 121219

【FPDI 2012】新型IGZO TFT驱动的有机EL面板首次在日本公开

2012/11/02 00:00

【日经BP 社报道】日本半导体能源研究所在太平洋横滨国际会展中心举行的“FPD International 2012”（2012年10月31～11

月

2日）上，展示了13.5英寸和3.4英寸的有机EL 面板。

该研究所在2012年6月曾于美国波士顿举行的“SID 2012”上与夏普共同发表过相关技术（参阅本站报道1，本站报道2），此次是首次在日本面向公众公开。

13.5英寸产品为3840×2160像素（4K×2K ），3.4英寸产品为960×540像素。精细度均高达326ppi 。驱动元件采用氧化物半导体TFT ，利用使IGZO

层沿c 轴方向结晶生长的“CAAC(C -Axis Aligned Crystal)”构造。采用在白色有机EL 元件上使用RGB 三色彩色滤光片的方式实现了彩色显示。有机EL 元件构造为从TFT 基板相反一侧提取光的顶部发光型。3.4英寸产品通过采用树脂基板实现了柔性化。

据半导体能源研究所介绍，上述开发品均“通过反复试制提高了显示特性”。驱动元件在半导体能源研究所的全资子公司Advanced

图1：13.5英寸的有机EL 面板（点击放大） 图2：3.4英寸的柔性有机EL 面板（点击放大）

Film Device Inc 试制，有机EL 元件在半导体能源研究所试制。

3.4英寸试制品将有机EL 元件的元件构造由从TFT

基板提取光的底部发光型变更为顶部发光型。重2g ，厚度不到0.1mm 。制作方法为，首先在玻璃基板上形成驱动元件和有机EL 元件等，然后再移到树脂基板上，从而实现了柔性化。(记者：佐伯 真也，《日经电子》）

【FPDI 2012】应用材料公司发布IGZO 用和支持8.5代基板的LTPS 成膜设备

2012/11/05 00:00

【日经BP 社报道】美国应用材料公司2012年10月31日在横滨召开了新闻发布会，发布了氧化物半导体IGZO （In-Ga-Zn-O ）用成膜设备以及支持第8.5代基板的低温多晶硅（LTPS ）

用成膜设备的新产品。这些设备能够降低新一代液晶显示屏及有机EL 显示屏的制造成本。

为了实现高性能液晶显示屏和有

机EL 显示屏的量产，各厂商开始积极采用LTPS 及IGZO 等新一代

应用材料副总裁兼显示业务总经理姜仁斗（I.D.Kang ）在介绍下一代显示器。（点击放大）

TFT材料。这些新材料与目前主流的非晶硅（a-Si）材料相比，迁移率等性能高，作为提高显示器的显示性能、实现低功耗化和低成本化的技术备受期待。尤其在有机EL电视领域，这些新材料有助于大幅延长显示器的寿命，优点更为显著。

在发布会上，应用材料首先发布了三种LTPS用CVD装置，分别是支持第5代基板的“AKT-15KPX”、支持第6代基板的“AKT-25KPX”以及支持第8.5代基板的“AKT-55KPX”。该公司表示，“此前业界一直认为制造支持第8.5代基板的LTPS用CVD装置极为困难，但我们终于成功推出了全球首款设备”。

应用材料充满自信地表示，“在LTPS用CVD设备领域，只有我

们的产品能够覆盖从第4.5代到第8.5代基板”。该公司预测称，虽

然目前仍然存在成本高的问题，但随着便携设备的快速普及，LTPS

显示屏也将在世界范围普及。

随后，应用材料又发布了已被多家面板厂商采用的IGZO用溅镀设备“AKT-PiVot IGZO”。该产品的特点是，在圆柱状靶材旋转的同时进行扫描，使得原来的平板式设备经常出现的结瘤物明显减少。此外，该设备还采用了该公司称之为“魔法产品”的、在转子内侧带动磁铁运动的系统，保持了出色的均质性，从而使得此前IGZO显示屏的一大课题——显示不均现象大为减少，能够确保较高的成品率和生产效率。

因此，该设备可为降低显示器的制造成本作出贡献。

采用IGZO的显示屏已从2012年开始量产。在“FPD International 2012”（10月31日～11月2日，太平洋横滨国际会展中心）展示会场内的半导体能源研究所的展区等，也能看到a-Si TFT显示器与IGZO TFT显示器的对比展示。（特约撰稿人：野安由纪夫）